UNIVERSIDAD PILOTO DE COLOMBIA

COMUNICACIONES ÓPTICAS
INGENERIA DE TELECOMUNICACIONES

INFORMACIÓN GENERAL

Curso Comunicaciones ópticas

Propósitos Receptores ópticos
Docente Ing. Henry Bastidas
Presentado por: Daniel Castañeda

1. Consulte sobre el concepto de longitud de onda de corte de un detector óptico y encuentre una
fórmula que lo explique suficientemente.

Longitud de onda de Corte

λ
La absorción en un semiconductor y longitud de onda de corte 𝑔 , Al igual que en otros medios materiales,
los electrones en un semiconductor pueden sufrir transiciones de unos niveles de energía a otros a través
de varios procesos. De todos ellos, la transición de un electrón desde la banda de valencia a la banda de
conducción por absorción de un fotón es el pro ceso principal sobre el que se fundamenta la operación de
los fotodetectores basados en esta clase de materiales.

Ahora bien, la transición sólo será posible si la energía del fotón es, al menos, la suficiente para que el
electrón salte la banda prohibido. Un fotón de frecuencia v ser absorbido si se cumple que:

ℎ𝑉 ≥ 𝐸𝑔

Expresando esta condición en función de la longitud de onda de la radiación asociada al fotón:

λ 𝑔 ≤
ℎ𝑐
𝐸𝑔

En definitiva, existe una longitud de onda máximo, o de corte λ , encima de la cual la radiación no es
𝑔
absorbida:

λ 𝑔 =
ℎ𝑐
𝐸𝑔

Cuando la diferencia de energías correspondiente a la banda prohibida se indica en unidades de electrón-

voltio, como es frecuente, la longitud de onda de corte guarda con ella la siguiente relación:

El proceso de creación de pares electrones hueco, requiere fotones con energía igual a 𝐸𝑔 (energía de la
banda prohibida)
𝐸𝑔 = 𝐸𝑐 − 𝐸𝑣
𝐸𝑐 Energía de la banda de conducción
𝐸𝑣 Energía de la banda de valencia

Se tendrá una longitud de onda de corte superior para el fotodiodo dada por:

λ 𝑔 =
ℎ𝑐
𝐸𝑔
=
1.24
𝐸𝑔 (𝑒𝑉)

2. Consulte sobre el concepto de Potencia óptica absorbida en función de la reflectancia y del

coeficiente de absorción. Haga la formulación respectiva y explique cada término.

Para longitudes de onda inferiores a la potencia óptica absorbido por un material semiconductor en función
de la distancia de penetración en el mismo sigue una ley exponencial. Así, si la potencia óptica que atraviesa
la superficie fotosensible es por la potencia restante una vez que la radiación se ha propagado una distancia
x resulta:

𝑃(𝑥) = 𝑃0 exp (−∝ 𝑥)

siendo α el coeficiente de absorción, dependiente del material particular y de la longitud de onda de la
radiación. La diferencia entre la potencia inicial y la potencia restante proporciona la potencia que ha sido
absorbida 𝑃𝑎𝑏𝑠 será:

𝑃𝑎𝑏𝑠 = 𝑝0 − 𝑝0 exp(−∝ 𝑑) = 𝑃0 [1 − exp (−∝ 𝑑)]

Los fotones incidentes serán absorbidos a medida que avanzan por el material semiconductor, y la potencia
óptica absorbida que es proporcional al número de fotones vendrá dada por:

𝑃𝑎𝑏𝑠 = 𝑃𝑖𝑛𝑐 (1 − 𝑅)[1 − 𝑒 ∝𝑑 ]

• 𝑃𝑖𝑛𝑐 = Potencia Incidente

• R = Reflectancia

La reflectancia es la medida de la cantidad de luz que un evento (conector, empalme o segmento de fibra)
refleja de regreso hacia el transmisor, con relación a la potencia que se hace incidir en el mismo evento
por el mismo transmisor.

De manera formal, es la razón de potencia reflejada por un solo evento a la potencia incidente.

Reflectancia = -10log(Pout/Pin)

• ∝ = coeficiente de absorción
• d = ancho de la región de absorción
 3. Consulte sobre el concepto de la capacitancia de depleción de un fotodiodo pin y de su tiempo de
respuesta. Haga la formulación respectiva y explique cada término.

La capacitancia de la unión o de la región de depleción, no es lo suficientemente pequeña para permitir la

fotodetección a altas frecuencias de modulación
La región de depleción es de unos pocos micrómetros, lo que significa que altas longitudes de onda
donde la profundidad de penetración es mayor, la mayoría de la energía sería absorbida fuera de la
región de depleción, siendo baja la η a estas longitudes de onda.
La capacitancia de depleción viene dada por:
𝐸𝑟 𝐸0 𝐴
𝐶𝑑𝑒𝑝 =
𝑊
A = área transversal del fotodiodo
W = Ancho de la región de depleción

El tiempo de respuesta (tder) del fotodiodo está determinado por el tiempo de tránsito, de los
portadores generados, a través de la región W.
El electrón fotogenerado tiende a difundirse a la región de depleción, cuando llega al borde es barrido
dentro de esta y trasladado (debido al campo eléctrico) al otro lado de la misma.