Trabajo de investigacion 1 ELPO

September 2019

1. Comparación entre los Diodos de propósito general, Diodos de recuperación rápida y Diodos Schottky (Si,
y SiC).

• Diodos de propósito general(DPG) [11]

Los diodos rectificadores de propósito general tienen tiempos de recuperación inversa relativamente
grandes, de alrededor de 25µs; Este tipo de diodos se prefieren en aplicaciones de baja velocidad, por
ejemplo convertidores conmutados por lı́nea(60Hz) y otras aplicaciones con frecuencia de entrada
preferiblemente de hasta 1kHz.
Las especificaciones de estos diodos para voltaje y corriente van desde los 50V hasta 5kV y desde
1A hasta varios miles de amperios, respectivamente.
• Diodos de recuperación rápida(DFR) [11]
A diferencia de los diodos de propósito general, los diodos de recuperación rápida (o Fast Recovery),
tienen tiempos de recuperación inversa de alrededor de los 5µs ó menos. A pesar que estos diodos
resisten corrientes y voltajes menores que los diodos de propósito general (desde 50V hasta 3kV y
desde menos de 1A hasta cientos de amperios) se los prefiere para aplicaciones donde la frecuencia
de comnumtación es de vital importancia.
Para usos que requieran voltajes nominales mayores que 400V , los DFR por lo general se fabrican
por difusión de platino o de oro, mientrás que para especificaciones de voltaje menores a los 400V
se usan diodos epitaxiales,angostos en la base, que producen tiempos de recuperación inverso tan
pequeños como 50ns.
• Diodos Schottky [11] El problema de la carga almacenada que produce el fenómeno de recuperación
inversa, puede ser minimizada en el diodo schottky. Para esto se ubica una lámina de metal en una
delgada capa epitaxial de silicio tipo N. Esta lámina hace el efecte de una barrera de potencial que
imita el comportamiento de la unión PN, esto provoca que la rectificación dependa únicamenten de
los portadores mayoritarios y que por lo tanto, no queden portadores minoritarios que se recombinen.
. Como resultado de lo anterior, el efecto de recuperación sólo se debe a la capacitancia propia de la
unión del semiconductor.
La corriente de fuga de un diodo schottky es mayo que la de un diodo de unión PN, y por esto tiene
un voltaje de conducción relativamene bajo. Por lo general el voltaje máximo permitido para estos
diodos es de 100V y las corrientes varı́an desde 1A hasta 400A. Estos diodos son ideales para la
construcción de fuentes de alimentación de gran corriente y alto voltaje CC.
– Diodos SiC [10]
Los diodos de Carburo de Silicio tienen propiedades que los hacen más eficientes. Para comenzar,
tiene tiempos de recuperación inversa menores a los de los diodos de recuperación ultrarápida y
tienen una caı́da de voltaje en directo menor que la de cualquier otro tipo de transistor, por los
circuitos en los que se los usa pierden menos energı́a. Comparados con los diodos schottky, que
también tienen buenos tiempos de recuperación, estos diodos siguen siendo aún mejores, pues los
schottky por lo general están limitados a un uso que no sobrepase los 200V, mientras los diodos
de SiC pueden soportar voltajes mayores. Abajo se presenta una taboa con información sobre
las caı́das de voltaje en directo y los tiempos de recuperación inversa de varios tipos de diodos:

1
 Figure 1: Tabla tiempos de recuperación. Diodos variados. [10]

2. Tiristores: SCR, TRIAC, DIAC, GTO, MCT.

Figure 2: Sı́mbolo tiristor- [11]

Los tiristores son dispositivos electrónicos que en su estado inactivo pueden bloquear una tensión de
polaridad directa y no conducir. Cuando el tiristor entra en estado activo por medio de la aplicación de
un pulso de corriente de gate positiva, dejará de bloquear la tensión y permitirá el paso de corriente; No
es necesario continuar aplicando la corriente de gate una vez ya haya empezado el tiristor a conducir.
El tiristor no podrá apagarse a través de la gate y actuará como un diodo hasta el momente en que la
corriente del ánodo intente volverse negativa, después de ésto el tiristor se apagará y la corriente se vuelve
cero. Las clases de tiristores más comunes son: SCR (tiristor de control de fase), TRIAC (triodo para la
corriente alterna)

• SCR: Tiristores de control de fase [11]

Se usan para la rectificación de tensión y corrientes a 60Hz en aplicaciones como rectificadores
controlados por fases para accionamientos motrices de corriente alterna y corriente continua, y en
transmisión de energı́a de alta tensión.
Estos tiristores deben ser capaces de soportar corrientes promedio de 4000A con voltajes de bloqueo
de 5kV a 7kV y voltajes de encendido desde 1.5V
• TRIAC: Triodo para corriente alterna [11]
Estos tiristores pueden conducir y son normalmente usados en el control de la fase del AC. Se lo
puede ver como dos SCR conectados en antiparalelo con una conexión común en el gate.

Figure 3: TRIAC [11]

2
 Figure 4: Caracterı́stica de V-I para TRIAC [11]

como el triac es un dispositivo bidireccional, susterminales no pueden ser denominadas ánodo o

cátodo. Si el terminal M T2 es positivo respecto al terminal M T1 , el TRIAC podrá ser encendido
aplicando una señal positiva entre el gate y el terminal M T1 . Si el terminal M T2 es negativo respecto
al terminal M T1 , se encenderá aplicando una señal negativa entre gate y el terminal M T1 . No es
necesario tener polaridades negativos y positivas para las señales del gate, y un TRIAC puede ser
encendido ya sea con una señal positiva o negativa en el gate. En la práctica los TRIAC son operados
en el cuadrante I + o el cuadrante III + .
• DIAC: Diodo para corriente alterna [11]
Es lo mismo que un TRIAC sin el terminal del gate. Un DIAC es un dispositivo semiconductor
de dos terminales con cuatro capas estructuradas PNPN. M T2 y M T1 son los terminales de esta
dispositivo, además no existe un terminal de control en éste. un DIAC puede ser encendido desde el
estado apagado para cualquier polaridad de voltaje aplicado. Puesto que es un dispositivo bilateral,
las designaciones para los terminales son arbitrarias. El encendido se logra simplemente con exceder
el voltaje de umbral en cualquier dirección. Cuando el terminal M T2 es lo suficientemente positivo
para romper la unión N2 − P2 , la corriente puede fluir del terminal M T2 a M T1 a través del camino
P1 − N2 − P2 − N3 . Si la polaridad del terminal M T1 es lo suficientemente positiva para romper la
unión N2 − P1 , la corriente fluye siguiendo el camino P2 − N2 − P1 − N1
• GTO: Tiristor de desconección de gate [11]
Hay tres diferencias fundamentales entre un GTO y un tiristor convencional. En primer lugar las
estructuras de gate y cátodo entán muy interdigitadas, con varios tipos de formas geométricas para
disponer los gates y cátodos, incluso esructuras intricadas complicadas. La meta básica es maximizar
la periferia del cátodo y la distancia desde la compuerta hasta el centro de una zona del cátodo.
En segundo lugar las áreas del cátodo suelen formarse mediante el grabado del silicio que rodea a los
cátodos, con contornos como de islas o mesas. Cuando se empaca el GTO, las islas de los cátodos se
ponene en contacto en directo con disipador de calor que también forma la conexión catódica con el
mundo exterior.
La tercera diferencia se nota es la zona del ánodo del GTO. En intervalos regulares las zonas n+
penetran el ánodo tipo P (capa P1 ) para hacer contacto con la zona n− que forma la capa de base
N1 . Las zonas n+ se revisten con la misma metalización que hace contacto con el ánodo tipo P, lo
que produce un llamado corto circuito de ánodo. Con la estructura de corto circuito del ánodo se
acelera la desconexión del GTO.
• MCT: Tiristor controlado por MOS [11]
Los MCT combinan las caracterı́sticas de los tiristores de 4 capas regenerativas con la estructura del
gate de un MOS. El más usado de los MCT es el de canal P.
Debido a la estructura NPNP, el ánodo hace de terminal de referencia para la aplicación de señales
de gate. Suponiendo que el MCT está en está bloqueado para conducir en directo y se se aplica
un VGA negativo, se forma un canal p en el material dopado n, provocando que los huecos fluyan
lateralmente desde el emisor E2 del Q2 a través del canal p hacia la base p B1 de Q1 . Esta afluencia
de huecos es la corriente de base para el transistor NPN Q1 . Luego, el emisor n+ E1 de Q1 inyecta
electrones que con recolectados en la base n de B2 , lo que causa que el emisor p E2 inyecte huecos en
la base de B2 de manera que el transistor PNP Q2 sea encendido y el MCT se quede en este estado.

3
 Figure 5: Diagrama Tiristor controlado por MOS. [11]

Ahora, si el MCT está en estado de conducción y un vGA positivo es aplicado, se formará un canal n
en el material dopado p, causando que fluyan electrones lateralmente desde la base n de B2 del Q2 a
través del canal n hacia el emisor E2 de Q2 (que está fuertemente dopado). Este flujo de electrones
desvı́a la corriente de base del del transistor PNP Q2 de manera que la juntura se apague y los huevos
ya no estén disponibles para ser recoletados por la base tipo p B1 de Q1 . La eliminación de esta
corriente de huecos en la base p B1 causa que el transistor NPN Q1 se apague y el MCT se devuelva
a su estado de bloqueo. En resumidas cuentas, un pequeño pulso de voltaje VGA desvı́a la corriente
de encendido de Q1 y por lo tanto apaga el MCT.
Para el encendido de un MCT de canal P en su estado de bloqueo en directo, se puede aplicar un
pulso negativo de VGA o un pulso positivo de VGK (es decir, un voltaje positivo en el gate respecto al
cátodo). Para el apagado de un MCT de canal P, se puede aplicar un pulso VGA positivo o también
aplicando un VGK negativo. El MCT es operado a través del gate siempre y cuando la corriente que
circule a través de él sea menor a la máxima soportada, de lo contrario, intentar apagarlo mientras
esto esté pasando resultará en la destrucción del dispositivo.

3. Relés de estado sólido y módulos inteligentes basados en tiristores (SSR, Thyristor Intelligent Modules).
[12]
Los relés de estado sólido son dispositivos semiconductores que, a diferencia de los relés electrónico-
mecánicos (como su nombre lo indica), son sólidos en cuanto a que no requieren de partes móviles para
cortocircuitar. En lugar de esto, los SSR se basan en diodos emisores de luz infrarroja o acopladores LED.
Los SSR tienen como función conmutar las señales dependiendo de la entrada en los terminales de control.
Para el funcionamiento de estos se requiere que la entrada y salida tengan aislamiento galvánico, lo cual se
logra usando semiconductores ópticos llamados optoacopladores. Estos optoacopladores cambian señales
de eléctricas a ópticas y relacionan las señales a través del espacio, produciendo el aislamiento total de
la entrada y la salida. Un ejemplo de SSR funcional es el que se ve en el diagrama de abajo, que con
un optoacoplador, el cual hace uso de un LED y un TRIAC con activación óptica, permite el paso de la
corriente a la salida en la carga.

4
 Figure 6: Relé de estado sólido. [12]

Los Thyristor Intelligent Modules o ITPM son módulos que empaquetan el circuito principal de los tiris-
tores y el circuito de disparo con dispositivos para el desplazamiento de fase y funciones de control, todo
dentro de un mismo aparato. Estos módulos en general están cargados con sensores de corriente, voltaje,
temperatura, entre otros, de manera que se permita el control del tiristor a través de la variable de interés
que estén monitoreando los sensores. [13]
4. Drivers para disparo de tiristores: acople directo. [13]
Los drivers para disparo de tiristores son circuitos que se usan para controlar la función de encendido del
tiristor. Por lo general son drivers para que controlar el suministro de pulsos del corriente al gate para
facilitar la conmutación cuando sea necesaria.
Por lo general, los pulsos de disparo deben ser ya sea muy grandes o bastante prolongados (≤ 20µs) para
garantizar que el tiristor pueda llegar hasta la corriente IL (latching current) que le permita mantenerse
encendido después que el pulso de disparo haya sido retirado.
Los drivers de acople directo, suelen tener un circuito de control que tiene microcontroladores para general
pulsos de bajo voltaje y poca corriente. Por lo general, estas limitaciones del circuito de control son
compensadas con un circuito de potencia que adecuará los niveles tanto de voltaje como de corriente
requeridos para proporcionar un correcto disparo de encendido para el tiristor.
5. Drivers para disparo de tiristores: transistor monojuntura UJT. [9]
Los transistores monojuntura UJT son un dispositivo que actúa únicamente como un switch controlado
eléctricamente. Hay tres tipos de UJT: El original, que es básicamente una barra de material semicon-
ductor tipo n al cual se ha puesto material tipo p a lo largo para corregir su parámentro η (proporción
intrı́nseca de separación). El segundo es el CJUT o JUT complementario, el cual es una barra de ma-
terial tipo p al cual se ha puesto material tipo n a lo largo, dando como resultado el parámetro eta del
dispositivo. El tercer y último tipo de UJT es el transistor monojuntura programable o PUT; es un
dispositivo con varias junturas que con dos resistores externos, se comporta de manera similar al UJT.
Los resistores para programar el PUT permiten ajustar el parámetro eta para que este se comporte como
un UJT convencional.
De los usos más importantes del UJT y PUT fue el diseño de osciladores simples, pero ahora su uso más
frecuente es para hacer el disparo de tiristores. Se usa un voltaje DC para controlar el circuito con UJT
de manera que el periodo en que el tiristor está encendido aumenta a medida que el voltaje de control es
más grande.
Los transistores de monounión más comúnmente usados son el 2N2646, el 2N6114 y el 2N6027 (este último
se usa suele usar más para aplicaciones de drivers de disparo de tiristores).
6. Drivers aislados para disparo de tiristores: transformadores de pulso. [8]

5
 Figure 7: Circuito de disparo para tiristor con transformador de pulso.

El voltaje Vcc del primario y la proporción de entre los devanados se debe seleccionar de manera que el
voltaje del secundario es lo suficientemente alto para suministrar una corriente de gate apropiada para el
tiristor.
El diodo de recuperación rápida D en el secundario del circuito previene que una corrientes negativas de
gate durante la conmutación del devanado secundario del transformador durante el exceso dinámico de
VGK . El propósito la etapa RC, RCK y CGK es filtrar los errores que no se quieren en la linea del trigger.
Una capacitancia CGK de entre 10nF y 47nF se recomienda para alcanzar una constante de descarga
τ = RGK · CGK ≈ 10 − 20µs (también se recomienda una resistencia RGK deentre ≈ 220 − 2200Ω.
La pérdida de potencia PR de RGK en el máximo ángulo de control a través de medio periodo de la
frecuencia de linea será:

2
VGK
PR =
2 · RGK
Los cual significa que con VGK = 5V y valores extremos recomendados para capacitancia y resistencia,
los cuales implican τ ≈ 10µs, PR de alrededor de 60mW. Con τ ≈ 22µs, estarı́a alrededor del los 6mW.
La pérdida de potencia resultante de la descarga de CGK serı́a

CGK 2 1
PR = · VGK ·
4 τrep

la cual sólo tiene lugar con el control de tiristores a través de tren de pulsos.
7. Drivers aislados para disparo de tiristores: ópticos (opto-triacs).

Son circuitos donde se usan semiconductores, con un diodo emisor de luz en su entrada, y un detec-
tor de luz en la salida el cual es de un material semiconductor; ambas partes se acoplan haciendo uso
de un dieléctrico transparente, esto hace que se presente un aislamiento eléctrico en el rango de 5 a 15kV .[1]

Estos circuitos pueden ser utilizados en aplicaciones donde es necesario separar las fuentes de alta tensión
de los circuitos de baja tensión como los digitales. Un ejemplo de este tipo de dispositivos son los
fototiristores LASCR, que son muy parecidos a los FET difiriendo en la adición de un lente para el
enfoque de la luz, sus tres terminarles permiten que se pueda controlar el umbral de disparo de manera
electrónica. Una de sus principales caracterı́sticas es su notable conmutador el cual permite el manejo
de potencias altas, algo que no permiten otros foto-detectores. En la imagen de la figura ?? podemos
observar un corte transversal de un fototiristor.[1]

6
 Figure 8: Corte transversal de LASCR activado por luz [1]

Para que estos dispositivos funcionen adecuadamente se deben polarizar apropiadamente, esto permitirá
la creación de portadores de carga electrón-hueco debido a los fotones que entran. Estos portadores se
crean en la parte de la segunda unión atreves de los cuales son atraı́dos llevando a que halla una cor-
riente ánodo-cátodo. Cuando la radiación aumenta hasta cierto punto, la ganancia de corriente en este
elemento se incrementa mas allá de la unidad , después de este nivel esta corriente solo es controlada por
la impedancia externa de este dispositivo. Es este punto el LASCR pasa de ser un conmutador abierto a
prácticamente un cortocircuito.[1]

8. Drivers Integrados (IC) para control de tiristores, funcionamiento, sincronización y ejemplos.

Al analizar el funcionamiento de los tiristores vemos que el disparo de estos se hace en la mayorı́a de los
casos por medio de diferentes tipos de pulsos (Anchos, cortos, ráfagas); es por ello que surge la necesidad
de controlarlos, ası́ empiezan a surgir diferentes circuitos integrados que llevan a cabo esta labor. Pero
estos integrados pueden no llegar a ser precisos, además, de que se puede llevar a cabo la misma función
pero con elementos mas sencillos, esto a llevado que estos dispositivos no tengan un auge en su imple-
mentación.[2]

Para llevar a cabo el control de los tiristores se utilizan principalmente tres técnicas de control que son: El
control sı́ncrono, el control de recorte de fase y por ultimo el control proporcional al tiempo; los circuitos
integrados dependiendo de las caracterı́sticas del tiristor implementan uno de estos tres métodos. El hecho
de que la frecuencia que se aplica sobre la carga no varié es una caracterı́stica en la que coinciden estas
tres técnicas, esto se hace con el propósito de poder aplicar la tensión que se obtiene de la red sobre la
respectiva carga. estos integrados pueden controlar la potencia o el valor de la tensión dependiendo de la
carga que se tenga. Ahora veremos mas a profundidad cada una de las tres técnicas[2]

• Control Sı́ncrono:
Permite que para una carga que es de naturaleza alterna, se ponga bajo tensión para que pase por
el nivel de tensión nulo o cero. Se utiliza para la técnica de control ON-OFF que es la base del
control sı́ncrono; Como vimos se hacen uso de los pulsos para generar disparos en los tiristores, es
por ello que en este tipo de control genera un pulso cada vez que la tensión pasa por cero, esto lo hace
sin importar en que momento se da una orden de control sobre el dispositivo. Debido a lo anterior
cuando la tensión en el circuito es nula este se abre ,el interruptor sı́ncrono lo hace al ser la corriente
nula.[2]

• Control proporcional al tiempo:

Con esta técnica se logra realizar una modulación de la potencia que llega a una carga ya que se
regula los semi-ciclos de la tensión que se aplican en un espacio de tiempo determinado. Si se quiere
realizar la implementación de este tipo de control es necesario el uso de un interruptor sı́ncrono y una
señal diente de sierra para lo que se requiere un generador; Este ultimo se usa junto a un comparador,
estos dos tienen la función de suministrar alimentación a la carga siempre que la señal sea inferior
a la tensión de referencia o de control, por el contrario, cuando la señal sea superior a la referencia
los impulsos no serán suministrados; en la imagen de la figura ?? podemos ver mas claramente este
método.[2]

7
 Figure 9: Comparador para control proporcional al tiempo [2].

• Control de recorte de fase:

Lo que se busca con esta técnica de control es que se disminuya el valor de la tensión eficaz. En este
método lo que se hace es retardar la activación de la tensión en la carga, esto dependiendo del valor
eficaz que se desea; vemos que este es un método que varia ampliamente de los dos anteriores pues
en ellos era necesario que la tensión pasara por cero para general pulsos; por el contrario, en este
método solo se requiere aplicar retrasos en el suministro de la señal de alimentación, en la imagen de
la figura 10 podemos ver claramente esta técnica de control.[2]

Figure 10: Control por recorte de fase [3]

En cuanto a la sincronización de estos dispositivos existen varios métodos entre los que se encuentran los
pulsos de amplitud negativa en donde nuevamente se hace uso del paso de la tensión por cero, entre otros
métodos de menor utilización. Como ejemplo vamos a observar el funcionamiento del circuito integrado
TCA785, el cual es un driver de disparo para tiristores.[4]

Este integrado esta compuesto primero por un circuito sincronizador que se encarga de iniciar la base de
tiempo con el objetivo de que se sincronice con la frecuencia de la red, esto se hace con el fin de que el
retraso del ángulo sea consistente con el pulso de disparo. Por otra parte, las entradas de control son
las que determinan el retraso del ángulo para el disparo; como vimos anteriormente la base de tiempo en
bastante importante por lo que tiene un circuito que lo hace, ya sea de forma manual mediante un circuito
RC con una constante de tiempo τ = RC o también puede ser de manera programada.[4]

La generación de los pulsos de disparo puede hacerse mediante muchos circuitos diferentes, dependiendo
de las necesidades que se tengan o en la aplicación que se vaya a requerir. Otra parte importante es
el circuito de aislamiento entre el generador de los pulsos y el circuito que se encarga de la conversión,
se puede hacer mediante un transformador aislador a pulsos o un opto-acoplador. Por ultimo, para la
compuerta se hace necesario el uso de circuitos de protección; en la imagen de la figura 11 podemos ver
este circuito integrado.[4]

8
 Figure 11: Circuito integrado TCA785 [4].

9. Snubbers y Diseño de Snubbers, para tiristores.

Los Snubbers o redes de Snubbers se usan para la eliminación de los transitorios no deseados y ası́ evi-
tar problemas en la conmutación con elementos de naturaleza capacitiva e inductiva. Esta conmutación
puede llegar a interferir con otros dispositivos debido a que se presentan fenómenos electromagnéticos, y
al no suprimir efectos transitorios como las sobre-tensiones lleva al envejecimiento o posible destrucción
del equipo debido a que se supera los limites del mismo.[6]

Existen diversas topologı́as para las redes de snubbers que varı́an en varios aspectos distintos, por lo que
se analizaran las tres formas básicas de las cuales se extienden las demás, en la imagen de la figura 12, se
observan estas topologı́as.[6]

Figure 12: topologı́as básicas para redes de Snubbers [6].

Para la figura 12(a) tenemos una red de polarización en directo donde tenemos que de forma paralela al
tiristor pero polarizado de forma opuesta a este se encuentra un diodo(D1); en este circuito el encargado
de limitar la tensión directa es la resistencia R, por otra parte la resistencia R1 se encarga de la corriente
en el condensador cuando el tiristor se dispara. En la figura 12(b) encontramos la segunda topologı́a
pero ahora para polarización inversa donde se limita la derivada de la tensión (inversa), aquı́ R2 tiene la
función de limitar la descarga del condensador. Por ultimo, en la figura 12(c) tenemos una red que no
esta polarizada y posee dos tiristores en paralelo y opuestos los cuales son los que se protegen con este
circuito, que debe ser funcional en los dos sentidos.[6]

9
 A continuación veremos como realizar el diseño de un Snubber RC, cuya topologı́a es la que se observa en la
imagen de la figura 13. Para empezar se elige de manera empı́rica el condensador Csnub que corresponde a
dos veces la suma de capacitancias del interruptor y la capacitancia de montaje estimada. Para el resistor
Rsnub se puede calcular de la siguiente manera Rsnub = VILol , y para hallar la potencia adecuada que
soportara la resistencia Rsnub aplicamos la siguiente formula:

Pdiss = Csnub V ol2 fs (1)

Si con este diseño no se controla el voltaje pico se debe optimizar.[7]

Figure 13: Topologı́a para diseño de snubbers [7]

References
[1] FOTOTIRISTORES(LASCR), Consultado en: 15/09/2019, Disponible en:
”http://www.itlalaguna.edu.mx/academico/carreras/electronica/opteca/optopdf2 archivos/unidad2tema5.pdf”
[2] Cicuito de disparo de tiristores para rectificadores controlados, Guarnaschelli Domingo, Disponible en:
”https://www.academia.edu/7728470/CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES
CONTROLADOS”
[3] Imagen tomada de: ”https://www.askix.com/toma-de-corriente-ajustable 3.html”
[4] carrod electronica, Imagen disponible en: ”https://www.carrod.mx/products/tca785”
[5] Principio de funcionamiento de driver de disparo TCA785, Gonzales Mario, 2013 , Disponible en:
”https://es.slideshare.net/arturillo69/principio-de-funcionamiento-driver-de-disparo-tca785”
[6] Diseño de redes de snubbers, mediante técnicas de optimización, para la protección
de tiristores contra sobre-tensiones, Perez Pedro y Galvez Pedro, 1994, Disponible en:
”https://upcommons.upc.edu/bitstream/handle/2099/8911/Article02.pdf”
[7] Diseño del Snubber del resistor/capacitor para interruptores, Fairchild semiconductors, 2014, disponible en
”https://www.digikey.com/es/articles/techzone/2014/aug/resistor-capacitor-rc-snubber-design-for-power-
switches”
[8] Thyristor Triggering and Protection of Diodes and Thyristors. Semikron - Aplication Note AN 18-002.
[9] J. F. Cleary (ed.), General Electric Transistor Manual, General Electric, 1964 Chapter 13 ”Unijunction
Transistor Circuits
[10] Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes. ROHM Semiconductor.
[11] Power Electronics: Devices, Circuits, and Applications. Muhammad H. Rashid. 4th Edition.
[12] How Do Solid State Relays Work? Marshal Wolf Automation. Taken from:
”https://www.wolfautomation.com/blog/ssr-101/”
[13] Intelligent Thyristor Module in Electric Control Application. Taken from:
”https://powermodules.skyrock.com/3033096030-Intelligent-Thyristor-Module-in-Electric-Control-
Application.html”

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