UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PANAMÁ

CENTRO REGIONAL DE CHIRIQUÍ

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

Profesora: Ing. Vielka Romero

Estudiante: ____________________________ c.i.p #: _______________

Fecha (s):______________________________ Semestre: _____________

CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

OBJETIVOS.

A.- OBTENER LOS PARÁMETROS MÁS IMPORTANTES DE UN DIODO UTILIZANDO UN MANUAL.

B.- OBTENER LAS CARACTERÌSTICAS DEL DIODO DE SILICIO EN POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA.
C.- OBTENER Y COMPARAR LOS TIEMPOS DE CONMUTACIÓN DE DOS DIODOS DIFERENTES.

MATERIAL Y EQUIPO NECESARIO.

Fuente de Alimentación (dc). 2-Multímetros

1- 1K, 1/2W 1- Diodo de Silicio 1N4007
1- interruptor Hoja de papel cuadriculado o milimétrico
Datasheet del 1N4007 y del 1N4148

DESARROLLO EXPERIMENTAL.

OBJETIVO A.- OBTENER LOS PARÁMETROS MÁS IMPORTANTES DE UN DIODO.

1- Complete la Tabla #1 (en casa), auxiliándose de la hoja de datos del diodo (datasheet), que buscará en internet.

Código original 1N4007 1N4148

Reemplazo NTE=ECG

IF (mA) máximo

PRV (v)

P (W)

Aplicaciones

TABLA #1 - PARÁMETROS DEL DIODO.

 FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

Profesora: Ing. Vielka Romero.

Estudiante: _____________________________ c.i.p #:_______________

OBJETIVO B.- OBTENER LAS CARACTERÌSTICAS DEL DIODO DE SILICIO EN POLARIZACIÓN DIRECTA
E INVERSA.

1- Ajuste el multímetro en el selector para medir semiconductores (símbolo de un diodo). Coloque la punta positiva en
el ánodo y la negativa en el cátodo, anote el valor que indica el multímetro. Cambie la posición de las puntas y
vuelva a realizar la medición.

V polarización Directa= ______________ V polarización Inversa = _______________

2- Arme el circuito de la Figura #1. Coloque el interruptor por seguridad. Asegúrese que V1 esté al mínimo.
R1=1 K.

CUIDADO CON EL AMPERÍMETRO. Antes de energizar el circuito asegúrese que está correctamente
conectado.

Figura # 1

3- Lentamente aumente V1 hasta que en el amperímetro se registre 150µA y mida el voltaje (a través del diodo)
correspondiente a ésa lectura (VF voltaje en directo). Anote sus resultados en la Tabla #2.
Continúe con todas las mediciones solicitadas.

IF 150µA 250µA 400µA 600µA 800µA 1mA 1.5mA 2mA 3mA

VF

Tabla #2

4- Con los datos obtenidos en la Tabla #2, haga una gráfica de IF vs VF. Indique cuál es el voltaje de umbral del
diodo de acuerdo a sus resultados. Vd = ___________.
Disminuya la fuente a cero.

5- Modifique su circuito invirtiendo al D1 y ajustando la fuente a 12v, de esta manera queda polarizado inversamente.
Mida el voltaje y la corriente inversa del diodo. Disminuya la fuente a cero.

Vr=_________________ Ir=______________
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LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA.

Profesora: Ing. Vielka Romero.

Estudiante: _____________________________ c.i.p #:_______________

OBJETIVO C.- OBTENER Y COMPARAR LOS TIEMPOS DE CONMUTACIÓN DE DOS DIODOS DIFERENTES
UTILIZANDO EL SIMULADOR MULTISIM.

6- Simule el circuito (en clase) de la Figura #2 y obtenga los tiempos de recuperación directo ( tfr ) y el tiempo de
recuperación inverso ( trr ). Primero utilizando el diodo 1N4007 y luego el 1N4148 (diodo de conmutación rápida).

7- La amplitud del generador será de 12Vmm (para ambos diodos) a 50KHz y forma de onda cuadrada.

Anote sus resultados.

Tiempos 1N4007 1N4148

tfr
trr

Figura # 2

Gráfica de referencia.

tfr trr