RESPUESTA EN

FRECUENCIA DE
AMPLIFICADORES
Circuitos
Electrónicos II
I. Introducción

La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece el rango en el cual trabajará el sistema sin
distorsionar la señal. Este se conoce como ancho de banda (BW , Band Width) y determina las
frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificación. El valor de este parámetro
depende de los dispositivos y de la configuración amplificadora. En los siguientes apartados, se
describen las zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la respuesta en frecuencia de
configuraciones básicas y se plantea una metodología que permite determinar el ancho de banda
para un amplificador multietapa.
 II. Respuesta en frecuencia y modelos

La respuesta en frecuencia de un amplificador tiene tres áreas:

• La región de baja frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro
pasaalto
• Una región independiente de la frecuencia (área central de la curva)
• La región de alta frecuencia, descrita por la respuesta de un filtro
pasabajos

La región de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte

inferior 𝑓𝐿 (ó 𝜔𝐿 ), la región de alta frecuencia se describe a través de la
frecuencia de corte superior, 𝑓𝐻 (ó 𝜔𝐻 ) así se define ancho de acuerdo
En la práctica, si los circuitos son acoplados a:
directamente, 𝐵𝑊 = 𝑓𝐻 . 𝐵𝑊 = 𝑓𝐻 − 𝑓𝐿
A. Modelo híbrido 𝝅
La red de la Fig. 2, corresponde al modelo de alta frecuencia del BJT llamado híbrido 𝜋,
donde 𝐶𝜋 corresponde a la suma de la capacitancia de difusión en el emisor y la capacitancia
de la unión en el emisor. 𝐶𝜇 ; es la capacidad de unión del colector, 𝑟𝑥 (ó 𝑟𝑏 ) representa un
efecto resistivo parásito de contacto llamada resistencia de difusión de la base, donde el valor
va de 10 a 100 Ω para los transistores de señal o de 50 a 500. El resistor 𝑟𝜋 ; equivale a la
resistencia de la base.

Modelo híbrido 𝜋

Los parámetros 𝐶𝜋 y 𝐶𝜇 , también son llamados 𝐶𝑏𝑒 y 𝐶𝑏𝑐 respectivamente. En las hojas de
especificación de los transistores no aparecen en forma explícita, algunos notaciones asocian el
𝐶𝜇 al 𝐶𝑜𝑏𝑜 o 𝐶𝑏𝑜 en manuales y datasheets. El modelo puede ser completado usando un resistor
𝑟𝑜 en paralelo con la fuente de corriente llamada resistencia de salida.
 El parámetro 𝑔𝑚 se conoce como B. Modelo de alta frecuencia del FET
transconductancia. En términos de polarización
estos parámetros pueden ser calculados de acuerdo a El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la
𝐼 figura, éste describe tanto el JFET como el MOSFET
𝑔𝑚 = 𝑉𝐶 canal n. Por lo general, las capacidades indicadas tienen
𝑇
un valor bajo en 𝑝𝐹.
𝛽0 𝑉𝑇 𝛽0
𝑟𝜋 = =
𝐼𝐶 𝑔𝑚
𝑉𝐴 − 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐴
𝑟0 = ≅
𝐼𝐶 𝐼𝐶
Donde 𝐼𝐶 será la corriente de operación, 𝑉𝑇 el voltaje
térmico definido como 25.8mV (o 26mV ),
Modelo del FET para alta frecuencia
𝛽0 representa la ganancia a pequeña señal del modelo
en emisor común. 𝑉𝐴 es el llamado voltage Early.
En términos de los parámetros ℎ los parámetros del Las capacidades 𝐶𝐺𝑆 y 𝐶𝐺𝐷 , representan las capacidades
modelo pueden ser representados como distribuidas que atraviesan el óxido entre la puerta y el
canal. En el JFET representan las capacidades de
ℎ𝑓𝑒 = 𝑟𝜋 𝑔𝑚 = 𝛽0 deplexión. Los datasheet proveen habitualmente los
ℎ𝑖𝑒 = 𝑟𝑥 + 𝑟𝜋 ≅ 𝑟𝜋 parámetros Y del FET, entregando también la capacidad de
1 entrada en cortocircuito 𝐶𝑖𝑠𝑠 para el FET en fuente común
ℎ𝑜𝑒 ≅
𝑟0 y la capacidad de transferencia inversa 𝐶𝑟𝑠𝑠 :
 C. Respuesta en frecuencia de los dispositivos
De esta forma se pueden obtener en forma
aproximada las capacidades. C.1 Respuesta del BJT
Utilizando el modelo de alta frecuencia se puede obtener la
𝐶𝐺𝑆 ≈ 𝐶𝑖𝑠𝑠 − 𝐶𝑟𝑠𝑠
respuesta en frecuencia del BJT. Así, reemplazando el
𝐶𝐺𝐷 ≈ 𝐶𝑟𝑠𝑠 modelo en el circuito básico de la figura (a) se obtiene el
circuito de la figura (b).
El modelo se mejora agregando un resistor 𝑟𝑜
(𝑟𝐷𝑆 ) en la salida. Los parámetros de un
MOSFET pueden ser calculados a partir de
las siguientes relaciones.
𝑔𝑚 = 2 𝐼𝐷 𝐾
𝑉𝐴
𝑟𝐷𝑆 =
𝐼𝐷

Para el JFET se usará

2𝐼𝐷
𝑔𝑚 = −
𝑉𝑝 − 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐴
𝑟𝐷𝑆 = (a) Circuito para medición de la ganancia.
𝐼𝐷 (b) Equivalente en CA.
Del circuito se tiene

𝐼𝐶 𝑗𝜔 = 𝑔𝑚 𝑉 𝑗𝜔
1 1
𝑉 𝑗𝜔 = 𝐼𝐵 (𝑗𝜔)(𝑟𝜋 || 𝑗𝜔𝐶 || 𝑗𝜔𝐶 )
𝜇 𝜋
Respuesta en frecuencia de la ganancia de corriente.

Así se obtiene

𝐼𝐶 𝑗𝜔 1 1
= 𝑔𝑚 (𝑟𝜋 || || )
𝐼𝐵 𝑗𝜔 𝑗𝜔𝐶𝜇 𝑗𝜔𝐶𝜋
𝑟𝜋
= 𝑔𝑚 ( )
1 + 𝑗𝜔 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 𝑟𝜋 Luego la frecuencia a -3dB (también recibe el nombre de 𝜔𝛽 ) será
ℎ𝑓𝑒
= 1
1 + 𝑗𝜔(𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 )𝑟𝜋 𝜔𝛽3𝑑𝐵 =
𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 𝑟𝜋
𝐼𝐶 𝑗𝜔 ℎ𝑓𝑒
La gráfica de la respuesta en frecuencia se De = se obtiene la frecuencia a ganancia unidad,
𝐼𝐵 𝑗𝜔 1+𝑗𝜔(𝐶𝜇 +𝐶𝜋 )𝑟𝜋
muestra donde 𝛽0 ; será el valor a baja
llamada 𝜔 𝑇 :
frecuencia de ℎ𝑓𝑒 .
ℎ𝑓𝑒 − 1 𝑔𝑚
𝜔𝑇 = ≈
𝐶𝜇 + 𝐶𝜋 𝑟𝜋 𝐶𝜇 + 𝐶𝜋
 De acuerdo a esto es posible despejar el valor de las
capacidades, así
𝑔𝑚
𝐶𝜋 = − 𝐶𝜇
𝑉𝑇

Para un 𝐶𝑢 dado u obtenido del data del

transistor como 𝐶𝑏𝑜 o 𝐶𝑜𝑏𝑜 .

C.2 Respuesta del FET

Repitiendo el análisis anterior para el FET, es posible
obtener
𝑔𝑚
𝜔𝑇 =
𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑑𝑠

Por lo general, los BJT tienen frecuencias máximas

mayores a los FETs, principalmente porque la
transconductancia 𝑔𝑚 para similares condiciones de
operación es menos de la mitad de la conductancia del
FET
 III. Análisis Básico de Respuesta en Frecuencia

Se realiza un análisis del circuito de emisor común, Reemplazo del modelo hibrido π:
para ello se reemplaza el modelo híbrido de acuerdo al
circuito

La respuesta en frecuencia se encuentra obteniendo la función de

transferencia 𝐻 (𝑠), luego haciendo 𝑠 = 𝑗𝜔; se determina el
módulo y la fase. La determinación de 𝐻 (𝑠) del circuito puede
Amplificador básico seguidor de emisor. ser compleja.
 Como 𝑓𝐿 depende de 𝐶𝑖 ; 𝐶𝑜 y 𝐶𝐸 , la función de transferencia será de
Por lo tanto el análisis se puede dividir en dos partes, la orden superior. Para simplificar el desarrollo, se plantea el circuito en el
zona de baja y la zona de alta frecuencia. plano s y luego se agrupan las impedancias y se aplica la
transformación de fuentes, considerando además
A. Análisis en baja frecuencia
𝑅𝐵 = 𝑅1 ||𝑅2
Para el análisis a baja frecuencia el comportamiento de
los capacitores 𝐶𝜋 y 𝐶𝜇 será el de una impedancia muy
alta. De esta forma se reemplazan por un circuito
abierto, quedando sólo el efecto de los capacitores de
baja frecuencia, de acuerdo al circuito

Circuito en el plano s simplificado.

Circuito de baja frecuencia.

 Planteando la LVK en la entrada Y en la salida

𝑉𝑖 𝑠 𝑠𝐶𝑖 𝑅𝐵 𝑉(𝑠) 𝑅𝐵 1 1 1
= + 𝑟𝑥 + 𝑉(𝑠) −𝑔𝑚 𝑉 𝑠 = 𝑉𝑜 (𝑠)( + ( + 𝑅𝐿 ))
𝑠𝐶𝑖 𝑅𝐵 + 1 𝑟𝜋 𝑠𝐶𝑖 𝑅𝐵 + 1 𝑅𝐿 𝑅𝐿 𝑅𝐶 𝑠𝐶𝑜
𝑉(𝑠) 𝑅𝐸
+( + 𝑔𝑚 𝑉(𝑠))( ) Despejando 𝑉𝑜 (𝑠) y 𝑉 (𝑠) de las ultimas ecuaciones:
𝑟𝜋 𝑠𝐶𝐸 𝑅𝐸 + 1

Y la LCK en la salida 𝑠𝐶𝑜 𝑅𝐿 𝑅𝐶

𝑉𝑜 𝑠 = −𝑔𝑚 V(s)
1 + 𝑠𝐶𝑜 (𝑅𝐿 +𝑅𝐶 )
𝑉𝑜 𝑠 1
𝑉𝑜 (𝑠) ( + 𝑅𝐿 )
𝑅𝐿 𝑠𝐶𝑜
0= + 𝑔𝑚 𝑉(𝑠) + 𝑠𝐶 𝑅𝐵
𝑅𝐿 𝑅𝐶 𝑉𝑖 𝑠 𝑠𝐶 𝑅𝑖 +
𝑖 𝐵 1
𝑉 𝑠 =
𝑅𝐵 1
(
Reordenando 𝑟𝜋 𝑟𝑥 𝑟𝜋 + 𝑔𝑚 )𝑅𝐸
(𝑠𝐶 𝑅 + 1 + 𝑟 + 1 + 𝑠𝐶 𝑅 + 1 )
𝑖 𝐵 𝜋 𝐸 𝐸
𝑅𝐵 𝑅𝐸
𝑉𝑖 𝑠 𝑠𝐶𝑖 𝑅𝐵 𝑟𝑥 𝑟𝜋 𝑟𝜋 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸
= 𝑉(𝑠)(1 + + + )
𝑠𝐶𝑖 𝑅𝐵 + 1 𝑟𝜋 𝑠𝐶𝑖 𝑅𝐵 + 1 𝑠𝐶𝐸 𝑅𝐸 + 1
Finalmente reemplazando
𝑠𝐶𝑜 𝑅𝐿 𝑅𝐶 𝑠𝐶𝑖 𝑅𝐵 (𝑠𝐶𝐸 𝑅𝐸 + 1)
𝑔𝑚 𝑟𝑥 𝑅𝐸
1 + 𝑠𝐶𝑜 (𝑅𝐿 +𝑅𝐶 )
(1 +
𝑉𝑜 𝑠 𝑟𝜋 + 𝑟𝜋 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸 )
=
𝑉𝑖 𝑠 𝑟 𝑟 𝑅
𝐶𝐸 𝑅𝐸 𝐶𝑖 𝑅𝐵 (1 + 𝑟𝑥 ) 𝐶𝐸 𝑅𝐸 1 + 𝑟𝑥 + 𝑟𝐵
𝜋 𝜋 𝜋
𝑠2 𝑟 𝑅 + 𝑠 𝐶 𝑖 𝑅𝐵 + 𝑟 𝑅 +1
1 + 𝑥 + 𝐸 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸 1 + 𝑥 + 𝐸 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸
𝑟𝜋 𝑟𝜋 𝑟𝜋 𝑟𝜋

Como se observa es una función de orden superior cuyo desarrollo fue bastante engorroso. El siguiente paso es
dibujar el diagrama de bode para determinar el 𝜔𝐿 . La determinación de la respuesta en frecuencia se podría
simplificar suponiendo que 𝑓𝐿 sólo depende de una sola de las capacidades, considerando la otra mucho mayor,
luego:
• 𝑓𝐿 dependerá sólo de 𝐶𝑖 y 𝐶𝑜 si 𝐶𝐸 >> 𝐶𝑜 , 𝐶𝑖 .
• 𝑓𝐿 dependerá sólo de 𝐶𝐸 , si 𝐶𝑜 , 𝐶𝑖 >> 𝐶𝐸 .
Así, la función de transferencia será de la forma
 𝑠
Donde la frecuencia de corte, es decir 𝜔𝐿 = 𝑠𝑝 𝑜 𝑓𝐿 = 2𝜋𝑝 y su respuesta en frecuencia se muestra en:

Frecuencia de corte inferior.

 A.1 Análisis del efecto de 𝐶𝑖 y 𝐶𝑜
Se obtiene el circuito, planteando la LCK en la salida

Haciendo 𝐶𝐸 → ∞ en el circuito,
Efecto de 𝐶𝑖 y 𝐶𝑜

Circuito de baja frecuencia.

Por otro lado Para simplificar el análisis y tener una función de
acuerdo a

Se considera 𝐶𝑜 >> 𝐶𝑖 , luego se tiene

De estas dos ecuaciones se puede obtener

De la cual se desprende que la frecuencia de corte será

Resaltar que esta es una función de 2do orden con dos

polos simples y un cero doble en el origen.
Otra opción seria hacer 𝐶𝑖 >> 𝐶𝑜 obteniendo la función
A.2 Análisis del efecto de 𝑪𝑬

Sea ahora 𝐶𝑖 → ∞ y 𝐶𝑜 → ∞ se tiene el circuito

La frecuencia de corte será

(a)
Por LVK en la entrada se tiene

(b)
Despejando 𝑉 de (b) y reemplazando en (a), se tiene B. Análisis en Alta frecuencia
Sea el circuito

Desarrollando el paralelo se tiene que

Sea el circuito equivalente en alta frecuencia

Donde
Sea 𝑅𝐿′ = 𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 ; planteando la LCK en el dominio 𝑠, se Finalmente
tiene

Reordenando Se puede observar que la función de transferencia es de segundo

orden, cuyo denominador tiene la estructura canónica. De acuerdo
a esta forma, es posible asociar algunos términos a la frecuencia de
corte.

Reemplazando 𝑉, se tiene
Así se puede establecer que
 C. Aproximación a sistema de primer orden
sin embargo su relación con la frecuencia 𝜔𝐻 estará
determinada por el valor de 𝜉 Si 𝜉 = 1, se tendrá un polo Ahora, si se cumple que 𝑠𝐶𝜋 ≪ 𝑔𝑚 y 𝑠𝐶𝜇 ≪ 𝑔𝑚 ,
doble por lo tanto se puede hacer entonces, 𝑠 2 𝐶𝜋 𝐶𝜇 ≪ 𝑔𝑚 , luego se tiene la función de
primer orden:

Si 𝜉 ≫ 1, se tendrán dos polos reales distintos 𝑝1 𝑦 𝑝2 ,

luego 𝜔𝐻 = 𝑝1 , y donde 𝑝1 ≪ 𝑝2 .

Donde la frecuencia de corte superior estará dada por

IV. Análisis Numérico
del circuito Emisor
Común
• Considerando el circuito de emisor común donde
𝑅𝐵 = 68 𝐾Ω||47𝐾Ω; 𝑅𝐶 = 3.6𝐾Ω; 𝑅𝐸 = 3.3𝐾Ω la
carga de 𝑅𝐿 = 4.7KΩ: Los capacitores de acoplo 𝐶𝑖 =
1𝜇𝐹; 𝐶𝑜 = 10𝜇𝐹; 𝐶𝐸 = 100𝜇𝐹; y los parámetros del
transistor 𝑟𝑥 = 19Ω, 𝑉𝐴 = 100𝑉, 𝛽𝑜 = 100; 𝐶𝑜𝑏 =
8𝑝𝐹, 𝑓𝑇 = 300𝑀𝐻𝑧. Se determinarán los parámetros
del transistor, se realizará un análisis a baja frecuencia
para luego realizar el análisis a alta frecuencia.
Determinando el punto de operación se tiene que A. Determinación de la función de transferencia de baja
𝐼𝐶𝑄 = 1,16𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉 . Se obtienen los frecuencia
parámetros De la siguiente ecuación se obtiene la función de transferencia

𝑠𝐶𝑜 𝑅𝐿 𝑅𝐶 𝑠𝐶𝑖 𝑅𝐵 (𝑠𝐶𝐸 𝑅𝐸 + 1)

𝑔𝑚 𝑟𝑥 𝑅𝐸
1 + 𝑠𝐶𝑜 (𝑅𝐿 +𝑅𝐶 )
(1 +
𝑉𝑜 𝑠 𝑟𝜋 + 𝑟𝜋 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸 )
=
𝑉𝑖 𝑠 𝑟 𝑟 𝑅
𝐶𝐸 𝑅𝐸 𝐶𝑖 𝑅𝐵 (1 + 𝑟𝑥 ) 𝐶𝐸 𝑅𝐸 1 + 𝑟𝑥 + 𝑟𝐵
𝜋 𝜋 𝜋
𝑠2 𝑟 𝑅 + 𝑠 𝐶 𝑖 𝑅𝐵 + 𝑟 𝑅 +1
1 + 𝑟𝑥 + 𝑟𝐸 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸 1 + 𝑟𝑥 + 𝑟𝐸 + 𝑔𝑚 𝑅𝐸
𝜋 𝜋 𝜋 𝜋

Por otro lado, el cálculo de las capacidades de alta

frecuencia se puede realizar considerando 𝐶𝜇 = 𝐶𝑜𝑏 .
Dado que 𝑓𝑇 = 300𝑀𝐻𝑧, entonces se tiene 𝜔𝑇 =
2𝑓𝑇 = 1884.9 𝑀𝑟𝑎𝑑/𝑠: Luego

𝑉𝑜 (𝑠)
Para 𝜔 → ∞ se obtiene = 90,66, o 39: 15𝑑𝐵: La
𝑉𝑖 (𝑠)
frecuencia de corte se obtiene cuando la ganancia baja en
− 3𝑑𝐵, es decir a 36,15𝑑𝐵 (𝑜 64,096).
Graficando la función de transferencia como se observa • Análisis considerando 𝑪𝑬 , 𝑪𝒐 > 𝑪𝒊
en la grafica de respuesta en frecuencia, ésta corresponde
una respuesta de baja frecuencia donde Reemplazando los valores en:
aproximadamente la frecuencia de corte inferior será de
𝜔𝐶 = 890,95𝑟𝑎𝑑/𝑠 o 𝑓𝑐 ≅ 142𝐻𝑧 . El valor puede
ser obtenido encontrando el valor de la frecuencia que
permite obtener una ganancia aproximada de 36,15𝑑𝐵.
Se tiene

1
Se determina que 𝜔𝐿 = 0,00206 ≈ 486,6𝑟𝑎𝑑/𝑠 o 𝑓𝐿 =
77𝐻𝑧. Dado que 𝐶𝑜 no es tan grande comparado con 𝐶𝑖 ,
la frecuencia de corte inferior varía como se muestra en la
siguiente grafica.
 • Análisis considerando 𝑪𝑬 < 𝑪𝒐 , 𝑪𝒊
Reemplazando los valores

Luego determinando la frecuencia de corte se tiene

1
𝜔𝐿 = (2,209)(10−3 ) = 452,69𝑟𝑎𝑑/𝑠 o o 𝑓𝐿 = 72𝐻𝑧
B. Determinación de la función de transferencia en alta Obteniendo la curva de respuesta en frecuencia, se puede
frecuencia corroborar la frecuencia obtenida.
Evaluando la función de transferencia

De acuerdo a los datos disponibles se obtiene

1
Para este caso se tienen dos polos distintos 𝑝1 = =
3,035∙10−8
1
3,295 ∙ 107 y 𝑝2 = 9
= 6,262 ∙ 10 . Dado que De acuerdo a la curva, la frecuencia superior está en torno
1,597∙10−10
𝑝1 >> 𝑝2 , entonces 𝜔𝐻 = 𝑝1 = 3,295 Mrad/s a 𝜔𝐻 = 32,7 𝑀𝑟𝑎𝑑/𝑠 o 𝑓𝐶 = 5,2 𝑀𝐻𝑧 :
B.1 Aproximación a una función de primer orden

Dado que |𝑠 2 𝐶𝜇 𝑅𝜋 | < < 𝑔𝑚 ; se tendrá una función de

primer orden

1
Donde 𝜔𝐻 = 3,002∙10−8 = 33,2 𝑀𝑟𝑎𝑑/𝑠 ó 𝑓𝐿 ≅ 5,29 𝑀𝐻𝑧𝐻𝑧