Está en la página 1de 13

LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

UNMSM

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de


Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES: CÓDIGO:

Rojas Cajaleon, Esteban Alex 17190069

CURSO: TEMA:

Respuesta en alta frecuencia de un


Circuitos Electronicos II
amplificador de una sola etapa

INFORME: FECHAS: NOTA

Previo REALIZACIÓN: ENTREGA:

NÚMERO:
30-10-2019 6-11-2019
5

GRUPO: PROFESOR:

“L13” / Miercoles 12:00 – 2:00 Cordova Ruiz Russell

1
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

INFORME PREVIO 5

I. OBJETIVOS
 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador
de audio.

II. MARCO TEÓRICO

Respuesta en alta frecuencia de un amplificador

La respuesta en baja frecuencia de los circuitos con transistores depende de los


capacitores externos utilizados para acoplamiento y paso. La respuesta en alta
frecuencia depende de la capacitancia interna del transistor. Se amplía el circuito
equivalente simplificado para incluir los efectos de estos capacitores internos.
Estos capacitores, que afectan la respuesta en alta frecuencia, existen entre las
terminales del dispositivo. Cada uno de ellos se puede ver como si estuviese en
serie con la resistencia equivalente (Thevenin) de los circuitos asociados.
Conforme aumenta la frecuencia de la señal de entrada, la señal de salida
disminuye en amplitud a razón de 20dB/década de acuerdo con la expresión:

Efecto Miller aplicado a capacidades de realimentación


En la región de alta frecuencia, los
elementos capacitivos de
importancia son las capacitancias
entre terminales internas al
dispositivo activo y la capacitancia
de alambrado entre los cables de
conexión de la red. Todos los
grandes capacitores de la red que
controlaban la respuesta en baja
frecuencia fueron reemplazados por
su equivalente de cortocircuito debido a sus muy bajos niveles de reactancia. Para
amplificadores inversores (desfasamiento de 180° entre la salida y la entrada, que
produce un valor negativo de Av), la capacitancia de entrada y salida se incrementa
en un nivel de capacitancia sensible a la capacitancia entre electrodos entre las

2
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

terminales de entrada y salida del dispositivo y la ganancia del amplificador. En la


figura, esta capacitancia de “realimentación” está definida por Cf.
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos

Utilizando la ley de Ohm y sustituyendo valores el resultado es:

Pero entonces

El resultado es una impedancia de entrada


equivalente al amplificador de la figura
anterior, que incluye Ri y un capacitor de
retroalimentación aumentado por la
ganancia del amplificador. En general, la
capacitancia de entrada de efecto Miller se
define como:

El efecto Miller también incrementará el nivel de la capacitancia de salida, la que


también hay que considerar cuando se determine la frecuencia de corte superior,
realizando un análisis similar al anterior se obtiene la siguiente ecuación para la
capacitancia de salida de efecto Miller:

Respuesta del EC en alta frecuencia


En el extremo de alta frecuencia, existen dos factores que definen el punto de corte
de -3dV: la capacitancia de la red (parásita e introducida) y la dependencia de la
frecuencia de hfe (𝛽).
En la figura 5.2 se incluyen las diversas capacitancias parásitas (Cbe, Cbc, Cce) del
transistor junto con as capacitancias de alambrado (CWi, CWo) introducidas durante
la construcción.

3
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

Figura 5.2
Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el modelo 𝜋-
híbrido, que es similar al modelo de parámetro h. Los parámetros de los modelos
están relacionados entre sí. En la siguiente figura se muestra el equivalente de ca
de alta frecuencia para la red de la figura 5.2

PREGUNTAS INFORME PREVIO

1) Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, cb’e, cb’c, gm, fβ, fT

rbb´: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el


parámetro h, hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el
momento hibrido π, esta se denomina a menudo como rπ si se aplica
un corto circuito entre el emisor y colector

rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima


Vb´e
por medio de la razón: r. π =
Ib

rb´c: Resistencia de retroalimentación,

rce: Es la resistencia entre el colector y el emisor se considera como


una resistencia de salida su valor característico se encentra entre los
100kΩ.

Cb’e: Capacitancia de difusión o almacenamiento, cuando se da la


polarización directa.

4
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

Cb’c: Capacitancia de transición que se origina por la variación de


cargas en la región desértica base colector.

gm: Transconductancia del transistor.

fβ: Es la frecuencia en la cual el valor de beta empieza a variar (ya no


es constante).

fT: Frecuencia a la que el módulo de la ganancia de la corriente en


cortocircuito en emisor común vale la unidad.

2) En el circuito de la figura 5.1, de acuerdo al modelo π del


transistor en altas frecuencias, encontrar una expresión para
fβ/fT

Modelo Hibrido:
rb ´b Cb ´c

g mVb ´e
rce
rb ´e Cb ´e

Del circuito mostrado


𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)
−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))
1
● Frecuencia de corte: 𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐)
Calculo de ft: (frecuencia máxima de operación del transistor)
ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
(1 + 𝑤 2 (𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)2 )

5
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
𝑤𝑇 2
√(1 + )
𝑤𝐵 2

Por tanto:
√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑤𝑇 =
(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )
Pero hfe2>>1
ℎ𝑓𝑒
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )
De esta ecuación y también de:
1
𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

𝑓𝐵 1
Tenemos: =
𝑓𝑇 ℎ𝑓𝑒

3) Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando


los circuitos equivalentes. Determine el ancho de banda del
amplificador.
Ci: El valor de la frecuencia de corte para Ci, viene dado por:
1
fLi = (1)
2π(Rs+Ri)Ci
En este caso el valor de Ri (impedancia de entrada) viene dado por:
RTH//(hie)
Resultando: Ri = 2.05KΩ
Reemplazado este valor en la ecuación (10) la frecuencia de corte
para Ci, resulta:
fLi = 2.37 Hz
Co: El valor de la frecuencia de corte para Co, viene dado por:
1
fLo = (2)
2π(Ro+RL)Co

6
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

Para este caso el valor de Ro viene a ser igual a RC//ro, dado que el
valor de ro es demasiado grande, es despreciable al efectuarse
paralelamente a RC, por lo que la frecuencia de corte para Co
depende de las resistencia RC y RL.
Reemplazado estos valores en la ecuación (2), el valor de la
frecuencia de corte para Co resulta:
fLo = 0.63 Hz
Ce: La frecuencia de corte para Ce, viene dado por:
1
fLe = (3)
2π(Re′)Ce
Donde el valor de Re viene dado como sigue:
Rs’ = Rs//RTH
Haciendo el reflejado del circuito para obtener la impedancia de Re,
resulta:
Rs´+hie
Re’ = (( ))//Re= 17.5 Ω
hfe
Finalmente el valor de la frecuencia de corte para Ce resulta al
reemplazar los valores: fLe = 90.9 Hz

Considerando que Cb´c [0.1 – 50 pF], Cb´e [100 – 1000 pF], rb’e
=Vt hfe / IEQ, encontrar el punto de corte superior aproximado de
nuestro circuito.

Hacemos el análisis en alterna para circuito de alta frecuencia


considerando que las capacitancias físicas se hacen corto circuito y
que rbc=  , rce=  , Cwo=0, Cwi=0, entonces tenemos:

7
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

Por dato sabemos que los valores:


0.1 pF  Cbc  50 pF y 100 pF  Cbe  1000 pF

Debemos usar el teorema de Miller,así hacemos que la capacitancia


Cb’c se convierta en una de entrada y una de salida, pero para esto
debemos de hallar la ganancia de voltaje a frecuencias medias.

La ganancia de voltaje para frecuencias medias en el circuito es:

Rc // RL
AV  
re
Para hallar esta ganancia de voltaje debemos hallar la corriente ICQ
entonces tenemos que:

La corriente ICQ es:

2.1v  0.7v
I CQ   1.92mA
9.9K
 0.68k
200
Por lo tanto podemos hallar la resistencia dinámica:

26mV
re  10k // 1.5k
I CQ
=13.54Ω entonces AV= 13.54 = -96.33

Entonces tenemos que la capacitancia Miller de entrada y de salida


varía entre un rango de valores debido a que la capacitancia Cb’c está
entre un margen de valores, entonces las capacitancias son:

0.1pF (1  (96.33))  C MI  50 pF (1  (96.33))

8
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

9.733 pF  C MI  4860 pF

1 1
0.1 pF (1  ( ))  C Mo  50 pF (1  ( ))
 96.33  96.33

0.1 pF  C Mo  50.5 pF

La resistencia rbe es:


rbe    re  2.7k

Con estos datos tenemos ahora el circuito equivalente resultante:

Entonces hallamos los valores de las frecuencias de corte:

Para la frecuencia de entrada:

CTENT  C MI  Cbe

Entonces la capacitancia de entrada se encuentra entre los valores de:

109.733 pF  CTENT  5850 pF

Y la resistencia de entrada equivalente es:

RTENT  Ri // RB // rbe

RTENT  0.67k

Entonces la frecuencia de entrada de corte es:


4
1 2.375  10
FHi 
2RTENT  C TENT = CTENT

9
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

Como 109.733 pF  CTENT  5850 pF entonces:

1 1 1
 
109.733 pF C TENT 5850 pF

4
Multiplicando por 2.375  10 entonces:

0.0405MHz  FHI  2.164MHz

Para la frecuencia de salida:

CTSAL  C Mo

Entonces la capacitancia de entra se encuentra entre los valores de:

0.1 pF  CTSAL  50.5 pF

Y la resistencia de entrada equivalente es:

RTSAL  Rc // R L

RTSAL  1.3k

Entonces la frecuencia de entrada de corte es:


4
1 1.22  10
FHo 
2RTSAL  C TSAL = CTSAL

Como 0.1 pF  CTSAL  50.5 pF entonces:

1 1 1
 
50.5 pF CTSAL 0.1 pF

4
Multiplicando por 1.22  10 entonces:
1
f ' 
2. .(Cb 'e  Cb 'c ). .re

2.415MHz  FH 0  1210MHz

Ahora encontraremos la frecuencia de corte debido a beta.

Tenemos que:
0.056 MHz  f '   0.59 MHz

10
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

100.1 pF  Cb' e  Cb' c  1050 pF


Por ultimo tomamos el valor más bajo de los tres valores que es
aproximadamente 0.0405 MHz.

III. PROCEDIMIENTO
-Simularemos el circuito utilizando el multisim para hallar el punto de trabajo y la
ganancia de tensión y completar la tabla 5.1.

-Con el fin de determinar la frecuencia de corte superior, simularemos para


completar la tabla 5.2

11
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

IV. RESULTADOS
Tabla 5.1
VCEQ (V) ICQ (mA)
Valor simulado 7.63 2.002
Valor teórico 7.58 2.006

Tabla 5.2 simulación

12
Versión 1.0
LABORATORIO DE (Circuitos electrónicos 2)

V. CONCLUSIONES
 Cuando la salida del amplificador cae en 0.707 de su valor en
frecuencias medias, observamos la frecuencia en ese punto y a
partir de ese momento ocurre la caída de la ganancia a un valor
casi nulo.
 La mejor manera de poder realizar el análisis en altas frecuencias
es utilizando el modelo de parámetro híbrido π.
 También observamos que la señal de salida se encuentra
desfasada 180° con respecto a la señal de entrada, pero esto no
impide que el circuito amplifique

VI. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS


 Electrónica: Teoría de Circuitos y dispositivos Electrónicos
Boylestad Nashelsky
 https://es.slideshare.net/Volta/tema-4-respuesta-en-
frecuencia-de-amplificadores-presentation
 http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/ieeerfi.pdf
 https://es.calameo.com/books/001771180cee5fb4be66d
 https://electronicauaa.files.wordpress.com/2014/12/respuesta
-en-baja-y-alta-frecuencia-amplificadores-bjt.pdf

13
Versión 1.0