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Amplificadores de

Potencia

Integrante: Gerardo Villalonga

C.I: 27.443.979
Amplificadores RF de potencia

1 Introducción

El amplificador de potencia (PA) es la última etapa de un trasmisor. Tiene la misión de


amplificar la potencia de la señal (no necesariamente la tensión) y transmitirla a la antena con
la máxima eficiencia. En eso se parecen a los amplificadores de baja frecuencia, pero aquí la
distorsión o falta de linealidad puede no ser importante.

Clasificación de los amplificadores de potencia

Los amplificadores de potencia tradicionales emplean dispositivos activos (BJT o MOSFET)


que se comportan como fuentes de corriente controladas por tensión. Estos se clasifican
atendiendo a la fracción del periodo de la señal en que los dispositivos permanecen en
conducción. Si la entrada es una función sinusoidal, su argumento se incrementa 360º a cada
periodo de señal. La fracción del periodo en que los dispositivos conducen se mide por el
semiángulo de conducción, θ, que está comprendido entre 0 y 180º.

Fig. 1 Transistor de potencia para RF típico

Se definen tres clases de amplificadores de potencia:


Clase A: θ = 180º (conducen siempre)
Clase B: θ = 90º (conducen medio periodo)
Clase C: θ < 90º (conducen menos de medio periodo)
Cuanto menor es θ mayor es la eficiencia pero menor es la linealidad.

Existe otro tipo de amplificadores de potencia donde los dispositivos funcionan en conmutación.
Actúan como interruptores que pasan alternativamente de corte a conducción.La eficiencia
es teóricamente del 100% puesto que un interruptor ideal no consume potenciaen ninguno de
los dos estados: en corte i = 0 y en conducción v = 0. En la práctica la eficienciase reduce porque
hay pérdidas de potencia durante el transitorio de conmutación. Por eso se han ideado diferentes
esquemas que minimizan estas pérdidas. Estos amplificadores reciben distintos nombres (clase
D, E, F,…) a partir del momento en que se les reconoce su innovación respecto a los existentes.
Fig. 2 Clasificación de amplificadores de potencia

Clase A

En este tipo de amplificador, el elemento activo está siempre en zona activa. De todos los tipos
es el que produce menos distorsión, pero también el que tiene menor rendimiento. En
consecuencia, el ángulo de conducción es de 360° y produce una réplica amplificada de voltaje
de la señal de entrada. Este tipo de amplificador es comúnmente empleado en transmisores de
Banda Lateral Única (SSB: Singled Side Band)

Su esquema es similar al de un amplificador de pequeña señal. De las configuraciones básicas


se elige la de EC: Emisor común para transistores BJT, porque tiene mayor ganancia en
potencia. El circuito con BJT se muestra en la fig. 2.

Fig. 3 Amplificador Clase A con transistor BJT


El punto Q de reposo, se selecciona para conservar siempre el transistor en la región activa.
Por tanto, el transistor puede modelarse como se muestra en la Fig. 4.

Fig. 4 Esquema del Amplificador Clase A

Fig. 5 Modelamiento de transistor BJT en Clase A

En consecuencia las tensiones de entrada y salida del amplificador clase A muestran en la Fig.4

Fig. 6 Tensiones de entrada y salida del amplificador clase A


Las curvas características para cada una de los nodos del amplificador de la Fig. 4 se
muestran en la Fig. 5, para una señal de entrada sinusoidal.

Fig. 7 Curvas generadas en el amplificador Clase A

Las ecuaciones que caracterizan este amplificador son:

𝐼𝐷𝐶 = 𝐼𝐶Q (1)

i𝐶(𝜃) = 𝐼𝐶Q − 𝐼𝐶𝑚𝑆𝑒𝑛(𝜃) (2)

𝑣𝑜(𝜃) = 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑜𝑚𝑆𝑒𝑛(𝜃) (3)

𝑣𝐶𝐸(𝜃) = 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑐𝑚𝑆𝑒𝑛(𝜃) (4)


En reposo la tensión sobre la inductancia es nula por lo que V = V . Pero la inductancia
CEQ CC
mantiene una corriente constante I , es decir que para c.a. se comporta como un circuito
CQ
abierto. La amplitud máxima de v , V , que se puede lograr es V y para eso es necesario que
o p CC
I R>V
CQ L CC

La potencia entregada a la carga es:


𝑉2 𝑉2
𝑜𝑚 𝑐𝑐
𝑃0 = ≤ (7.5)
2𝑅 2𝑅

Potencia de entrada:

𝑉2
𝑃i = 𝑉 × 𝐼 ≈ 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑅 (7.6)
𝐷𝐶

Eficiencia:
2
s = 𝑃0 = 𝑉𝑜𝑚 ≤ 1 (7.7)
2

𝑃i 2𝑉𝑐𝑐 2

En el caso: 𝑣𝑐𝑚á𝑥 = 2𝑉𝑐𝑐 e i𝑐𝑚á𝑥 = 2𝐼𝑐Q = 2 𝑉𝑐𝑐


𝑅

Por tanto la eficiencia máxima será:


2
𝑃 𝑉𝑐𝑐⁄
s𝑚á𝑥 = 𝑉 0𝑚á𝑥 = 2𝑅 = 1 = 12.5% (7.8)
0𝑚á𝑥i𝑐𝑚á𝑥 (2𝑉𝑐𝑐)(2𝑉𝑐𝑐⁄𝑅) 8

En consecuencia, los amplificadores de potencia de RF clase A se usan más comúnmente


como amplificadores de excitación de bajo nivel (drivers). Cabe anotar que el consumo de
potencia es independiente del nivel de señal. Cuando no hay señal el rendimiento es nulo y
además toda la potencia consumida se disipa en el transistor que va requerir un buen diseño del
disipador de potencia. En la práctica el rendimiento suele estar alrededor del 15%.

Clase B

En el amplificador clase B los elementos activos están en zona activa durante la mitad del tiempo
en cada ciclo de la señal si es un BJT, o en saturación si se trata de un MOSFET.
Es posible utilizar el mismo esquema del clase A, el cual se muestra en la figura 1, pero
ahora con V ≈ 0.7, de forma que el BJT sólo conduce cuando v > 0. En este caso es
BB i
imprescindible poner en paralelo con R un circuito LC sintonizado que elimina todos los
L

armónicos y deja pasar a la carga únicamente la componente fundamental.


Sin embargo el amplificador clase B que se va a analizar es otro, se trata del que utiliza dos
transistores complementarios y que está representado en la Fig. 6 con dos BJTcomplementarios.
En este caso no es necesario poner un circuito LC sintonizado en paralelo con RL.
También aquí se elige V ≈ 0.7, para que cuando el voltaje de entrada sea vi > 0 conduzca Q1
BB
y cuando sea vi < 0 conduzca Q2. Admitiendo que los parámetros del modelo en pequeña señal
de ambos BJT son iguales (matching) y que tienen el mismo valor desde el momento en que
éstos entran en zona activa, sus corrientes de colector en el semiciclo que conducen son
proporcionales a vi.

Fig. 8 Amplificador Clase A y Clase B.

Fig. 9 Amplificador Clase B con transistores complementarios


Los dos transistores se excitan desfasados 180° para que cada uno esté activo medio ciclo y no
opere el resto.

Los dispositivos son lineales y cada uno es una fuente de corriente de media sinusoide y
amplitud Icm.

Durante medio ciclo, solo medio devanado de T1lleva corriente:

i0(𝜃) = 𝑚 𝐼𝑐𝑚𝑆𝑒𝑛(𝜃) (9)


𝑛

A su vez genera un voltaje de salida:

𝑣𝑜(𝜃) = 𝑚 𝐼𝑐𝑚𝑅0𝑆𝑒𝑛(𝜃) = 𝑉𝑜𝑚𝑆𝑒𝑛(𝜃) (10)


𝑛

Voltaje en el colector de Q1:


𝑣𝑐1(𝜃) = 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑐𝑚𝑆𝑒𝑛(𝜃) (11)
2
Donde: 𝑉 = 𝑚𝑉 = 𝑚 𝐼 𝑅 =𝐼 𝑅 (12)
𝑐𝑚 𝑛 0𝑚 𝑛2 𝑐𝑚 0 𝑐𝑚

R es la resistencia vista a través de la mitad del devanado primario con la otra mitad abierta.
2
𝑅=𝑚 𝑅 (13)
𝑛2 0

Mantener un voltaje de colector negativo requiere que 𝑉𝑐𝑚 = 𝑉𝑐𝑐 ; limitando así la potencia de
salida a:
𝑉2 𝑉2 𝑉2
𝑃 = 𝑐𝑚
≤ 𝑐𝑐
= 𝑐𝑐 (14)
0 𝑚2
2𝑅 2𝑅 2( )𝑅
𝑛2 0
Fig. 10 Curvas generadas en el amplificador clase B

La corriente 𝐼𝐷𝐶 puede calcularse como:


2𝜋
𝐼𝐷𝐶 = 1 ∫ i𝑐(𝜃) 𝑑𝜃 = 2𝐼𝑐𝑚 = 2 𝑉𝑐𝑚
(.15)

2𝜋 0 𝜋 𝜋 𝑅

La eficiencia en este caso es:


2
s = 𝑃0 = 𝑉 𝜋𝑅 1 𝜋𝑉 ≤ 𝜋 ≅ 0.785 (16)
𝑐𝑚 = 𝑐𝑚
𝑃i 2𝑅 2𝑉𝑐𝑚 𝑉𝑐𝑐 4 𝑉𝑐𝑐 4

Como el voltaje pico de colector es: 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑐𝑚 ≤ 2𝑉𝑐𝑐 , la corriente pico de colector es:
𝑉𝑐𝑐⁄
𝑅

La eficiencia máxima será: 𝑉2

𝑐𝑐⁄ 1
2𝑅
s𝑚á𝑥 = 𝑉
= (17)
(2𝑉𝑐𝑐)( 𝑐𝑐⁄𝑅) 4

La disipación máxima en cada transistor es:

𝑉 2
𝑃𝑑1𝑚á𝑥 = 𝑃 = 𝑐𝑑2𝑚á2𝑥 (18)
𝜋 𝑅

Y tiene lugar en:


2𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑐𝑚 = (19)
𝜋2𝑅

Es de anotar que en clase B si no hay señal no se consume potencia. Pero el máximorendimiento


sólo se consigue cuando V = 𝑉 . No obstante,𝑐𝑐el amplificador no es tan lineal
pico
como el clase A, especialmente por la distorsión de cruce, justo en el momento en que un
transistor se corta y empieza a conducir el otro.

Los transistores de este amplificador trabajan en colector común (CC), no ganan en tensión, sólo
en corriente. Si la tensión de entrada no es suficiente hace falta una etapa previa de ganancia en
tensión.

Clase C:

En esta clase de amplificadores el elemento activo conduce un tiempo t – t en cada periodo T


1 2
= 2π/ω , de forma que el semiángulo de conducción, definido como 2θ = ω (t – t ) sea
o ο o 1 2
inferior a π/2. En el clase B: θο = π/2, mientras que θο = π en el clase A.

Se utilizan en amplificadores de señales de onda continua (CW), modulación de frecuencia


(FM) y Modulación de amplitud (AM).

La variación de amplitud que se requiere para una señal AM, se realiza variando el voltaje de
alimentación del amplificador de potencia. La Fig. 6.8 muestra un esquema del amplificador
clase C con transistor BJT.

La tensión VBB es ahora negativa, de forma que el BJT sólo entra en zona activa alrededor del
máximo de v , cuando v + V > 0.7 V.
i i BB
Fig.11 Amplificador clase C con transistor Mosfet

La corriente de colector en función del semiángulo de conducción es:

𝐼𝐷Q − 𝐼𝐷𝐷𝑆𝑒𝑛(𝜃) ; 𝐼𝐷Q − 𝐼𝐷𝐷𝑆𝑒𝑛(𝜃) ≥ 0


i0(𝜃) = { } (20)
0 ; 𝐼𝐷Q − 𝐼𝐷𝐷𝑆𝑒𝑛(𝜃) < 0

La corriente de polarización 𝐼𝐷Q es negativa en el amplificador clase C. Llamando 2y el ángulo


de conducción, el semiángulo de conducción establece el modo del amplificador clase C:

0, 𝐼𝐷𝐷 + 𝐼𝐷Q < 0 (𝑒𝑛 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)


𝑦 = { 𝜋, 𝐼𝐷Q − 𝐼𝐷𝐷 > 0 (𝑐𝑙𝑎𝑠𝑒 𝐴) } (21)
𝐴𝑟𝑐𝐶𝑜𝑠 (−𝐼𝐷Q) , 𝑂𝑡𝑟𝑜 𝑚𝑜𝑑𝑜
𝐼𝐷𝐷

Polarización: 𝐼𝐷Q = −𝐼𝐷𝐷𝐶𝑜𝑠(𝑦)

Corriente de alimentación 𝐼𝐷𝐶 requerida:


2𝜋
𝐼𝐷𝐶 = 1 ∫ i𝐷 (𝜃)𝑑𝜃 = 1 (𝐼𝐷Q𝑦 + 𝐼𝐷𝐷𝑆𝑒𝑛(𝑦) (22)
2𝜋 0 2𝜋

𝐼𝐷𝐶 = 𝐼𝐷𝐷 (𝑆𝑒𝑛(𝑦) − 𝑦𝐶𝑜𝑠(𝑦)) (23)


𝜋

Potencia de entrada: 𝑃i = 𝑉𝐷𝐷𝐼𝐷𝐶

Magnitud del voltaje de salida:

𝑉0𝑚 = i𝐷(𝜃)𝑅 = 𝐼𝐷𝐷𝑅 (2𝑦 − 𝑆𝑒𝑛(2𝑦)) (24)


2𝜋
Las curvas características del amplificador clase C se muestran en la Fig. 9

Fig. 12 Curvas características del amplificador clase C


Potencia de salida:
2
𝑉𝑜𝑚
𝑃0 =
2𝑅
(25)

Eficiencia:
𝑃0
s=
𝑃i
(26)

La eficiencia en clase C es más elevada que en clase A ó B.

Cuando 𝑉𝑑𝑚 = 𝑉0𝑚 = 𝑉𝐷𝐷 , La eficiencia puede relacionarse con el semiángulo de


conducción. Fijando: 𝑉𝑑𝑚 = 𝑉𝐷𝐷 :

𝑉𝐷2𝐷
𝑃0 =
2𝑅
(27)

Entonces la eficiencia máxima será:

2𝑦 − 𝑆𝑒𝑛(2𝑦)
s𝑚á𝑥 =
4(𝑆𝑒𝑛(𝑦) − 𝑦𝐶𝑜𝑠(𝑦))
(28)

Ejemplo 7.1 Diseñe un amplificador de potencia clase C para entregar 25W a una carga de 50
Ω con s = 85% (sin saturar) y 𝑉𝐷𝐷 = 12 𝑣𝑜𝑙𝑡i𝑜𝑠.

Solución:

𝑃0 = 25 W implica:
2
𝑉𝐷𝐷
𝑅=
2𝑃0

122
𝑅= = 2.88Ω
2𝑥25
Este valor se obtiene mediante una red de acople del tipo 𝜋 con 𝑄 = 5 o mayor.
Mediante una solución iterativa de ensayo y error se obtiene:

𝑦 = 73.5° = 1.282 𝑟𝑎𝑑i𝑎𝑛𝑒𝑠 , para una eficiencia máxima del 85%

Insertando 𝑉0𝑚 = 12 𝑣𝑜𝑙𝑡. y en

𝐼𝐷𝐷𝑅
𝑉𝑜𝑚 = (2𝑦 − 𝑠𝑒𝑛(2𝑦)), 𝑙𝑢𝑒𝑔𝑜:
2𝜋

2𝜋𝑉𝑜𝑚
𝐼𝐷𝐷 =
𝑅(2𝑦 − 𝑦𝑆𝑒𝑛(2𝑦))

𝐼𝐷𝐷 = 12.97 𝐴𝑚𝑝.

𝐼𝐷Q = −𝐼𝐷𝐷𝐶𝑜𝑠(𝑦) = −12.97𝐶𝑜𝑠(73.5°) = −3.7 𝐴𝑚𝑝.

Para estos valores de corriente:

i𝐷𝑚á𝑥 = −𝐼𝐷Q + 𝐼𝐷𝐷 = −3.7 + 12.97 = 9.27 𝐴𝑚𝑝.

Voltaje máximo del dispositivo: 2x12=24 volt.

Cabe anotar que, a diferencia del amplificador clase A o B, el clase C no es un amplificador


lineal: la salida es nula hasta que la amplitud de la tensión de entrada supera V + 0.7.
BB
Este amplificador sólo puede usarse para FM o PM porque emplea señales de amplitud
constante o para señales digitales y de banda estrecha.

Clase D.

Este es el tipo básico de amplificador en que los transistores trabajan en conmutación, pasan
del estado de corte al de conducción y viceversa de forma instantánea.
Su esquema se muestra en la figura 6.10.

La señal de entrada, v , debe ser cuadrada y de suficiente amplitud para llevar los transistores
in

alternativamente de corte a saturación (de corte a zona lineal si son MOSFETs).

Trabajando en este modo el transistor se puede asimilar a un interruptor ideal (abierto en corte,
cerrado en saturación).

Este tipo de amplificadores no son lineales (muchas veces ni siquiera ganan en tensión, sólo en
corriente), sólo se pueden aplicar a señales de amplitud constante, como por ejemplo las
moduladas en PM o en FM (pero de banda muy estrecha), o a señales digitales.
En RF no se suelen emplear debido a que las pérdidas de conmutación en los transistores son
elevadas. Estas pérdidas se producen en los transitorios de corte a conducción y de conducción
a corte, porque durante los transitorios ni la corriente ni la tensión en el transistor es nula.

Adaptadores de impedancia.

Generalmente, los amplificadores de potencia llevan una red adaptadora de impedancia entre
el transistor de salida y la carga como muestra la figura 11.

El objetivo es doble: primero que la impedancia vista desde el colector del transistor tenga el
valor adecuado a la potencia de salida deseada, y segundo, minimizar las pérdidas de potencia
debidas a los elementos parásitos del transistor.

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