1Semiconductores

Fanny Villamagua, Enrique Villavicencio, Jose Aguilar.

Octubre 2018.

Universidad Politécnica Salesiana

Ingeniería Mecatrónica
Diseño Electrónico
 Abstract

En este documento conoceremos las características generales de tres materiales

semiconductores importantes como el Silicio (Si), Germanio (Ge) y el Arseniuro de Galio
(GaAs). Se describe la diferencia entre materiales tipo n y p. También se habla dentro de este
documento la construcción de semiconductores, los enlaces, refinados y sus valencias.
 Tabla de Contenidos

Semiconductores Introducción........................................................................................................1
Construcción de semiconductores...............................................................................................1
Etapas de fabricación...............................................................................................................1
Tipos de materiales......................................................................................................................2
Germanio.................................................................................................................................2
Silicio.......................................................................................................................................3
Arseniuro de Galio...................................................................................................................3
Enlaces.........................................................................................................................................4
Refinado.......................................................................................................................................4
Valencias......................................................................................................................................4
Lista de referencias..........................................................................................................................6
Apéndice..........................................................................................................................................7
Vita..................................................................................................................................................8
 Lista de tablas

Tabla 1. El título debe ser breve y descriptivo....................................................................3

 Lista de figuras

Figura 1. Germanio (Ge)..................................................................................................................2

Figura 2. Germanio (Ge)..................................................................................................................3
Figura 1. Formas y descripción de las formas.................................................................................5
Semiconductores

Introducción

Estamos viviendo en una época donde los sistemas son mas pequeños y con velocidades

de operación extraordinarias. Esto nos lleva a pensar hacia donde podemos llegar con

toda esta tecnología que evoluciona día a día, pero nos hemos preguntado ¿Por qué inició

esta mejora continua en los dispositivos? Pues la respuesta parece ser sencilla, es gracias

a los semiconductores, que son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior

a la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor

más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del

oxígeno.

Construcción de semiconductores

Los elementos mas utilizados en la construcción de dispositivos electrónicos son el

germanio (Ge), silicio (Si) y arseniuro de galio (GaAs).

Etapas de fabricación

Purificación del substrato

Oxidación

Litografía y grabado

Impurificación
Tipos de materiales

“Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se

encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante” [ CITATION Boy09 \l

21514 ]

Dentro de los materiales semiconductores, encontramos dos clases: de un solo cristal y

compuesto.

El germanio (Ge) y el silicio (Si) son considerados como un semiconductor de un solo

cristal, mientras que el arseniuro de galio (GaAs), sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de

galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP), se consideran como un

semiconductor compuesto, ya que se componen de dos o más materiales semiconductores

de diferentes estructuras atómicas.

Germanio
Entre los años de 1939 y 1949, se utilizaba generalmente al germanio (Ge) como

principal semiconductor por su facilidad de encontrar y disponibilidad en grandes

cantidades. Tenía además la ventaja de fácil refinación para obtener niveles más altos de

pureza lo cual es importante en el proceso de fabricación. Pero una de sus principales

desventajas era la sensibilidad a los cambios de temperatura.

 Figura 1. Germanio (Ge)

Silicio
Es uno de los elementos más abundantes en la Tierra y su ventaja es que la sensibilidad a

la temperatura es mejor que la del germanio, no obstante, el proceso de refinación para

producir niveles mas altos de pureza aún no se encontraba en sus inicios.

Figura 2. Silicio (Si)

Arseniuro de Galio
Tomando como ejemplo al transistor de GaAs, este dispositivo trabajaba a cinco veces

mas que un transistor construido con Silicio. La desventaja de este material fue que el

Silicio tenia mas ventaja en el mercado por su bajo precio, ya que era más fácil de refinar

y ofrecían la ventaja de diseños altamente eficientes. En los primeros años de desarrollo

el Arseniuro de galio tenia poco apoyo de diseño por su dificultad para obtener altos

niveles de pureza. Sin embargo, como los sistemas de comunicación necesitaban niveles
mas altos de desempeño, fue necesario que se asignen fondos para la investigación de

este material.

En la actualidad se usa como material base para diseños de circuitos integrados a gran

escala de alta velocidad.

Enlaces y valencias

Estructura del silicio. - La cristalinidad. se refiere a la disposición que tienen los átomos

en la estructura cristalina. El silicio se puede encontrar en tres estados cristalinos:

Monocristalino, Policristalino y Amorfo.

Coeficiente de absorción. - tienen los elementos sobre unas longitudes de onda. Si un

material dispone de un coeficiente pequeño significará que tiene poca absorción.

El átomo de silicio presenta un enlace covalente, cada átomo está unido a otros cuatro

átomos y compartiendo sus electrones de valencia. Necesita 8 electrones para su

estabilidad. El enlace covalente lo forman todos los elementos del grupo IV de la tabla

periódica, al cual pertenece el silicio. Al aplicarle energía externa, ya sea de calor o de

luz, se rompen los enlaces quedando un electrón libre por cada enlace roto, pero a su vez,

se tiene un hueco vacío, el que ocupaba el electrón. De esta forma se obtiene corriente

eléctrica, por el movimiento de los electrones hacía los potenciales positivos y del

movimiento de los huecos hacía los potenciales negativos.

Germanio. - Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo lustroso,

quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura

cristalina que el diamante y resiste a los ácidos y álcalis. Forma gran número de

compuestos órgano metálicos y es un importante material semiconductor utilizado en

transistores y foto detectores. A diferencia de la mayoría de semiconductores, el

germanio tiene una pequeña banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma

eficaz a la radiación infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad.

El diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por átomos de

carbono. El silicio y el germanio forman redes similares. Este tipo de elementos tienen

propiedades intermedias entre metales y no metales. En cuanto a su conductividad

eléctrica, este tipo de materiales al que pertenece el germanio, son semiconductores. El

estado del germanio en su forma natural es sólido y pertenece al grupo delos metaloides.

El número atómico del germanio es 32. El símbolo químico del germanio es Ge. El punto

de fusión del germanio es de1211,4 grados Kelvin o de 938,25grados Celsius o grados

centígrados. El punto de ebullición del germanio es de 30,3 grados Kelvin o de

2819,85grados Celsius o grados centígrados.

Galio. - El galio es un metal blando, grisáceo en estado líquido y plateado brillante al

solidificar, sólido deleznable a bajas temperaturas que funde a temperaturas cercanas a la

del ambiente (como cesio, mercurio y rubidio) e incluso cuando se sostiene en la mano

por su bajo punto de fusión (28,56 °C). El rango de temperatura en el que permanece
líquido es uno de los más altos de los metales (2174 °C separan su punto de fusión y

ebullición). Presenta una acusada tendencia a su enfriarse por debajo del punto de fusión

(permaneciendo aún en estado líquido) por lo que es necesaria una semilla (un pequeño

sólido añadido al líquido) para solidificarlo. Las cristalizaciones no se producen ninguna

de las estructuras simples; la fase estable en condiciones normales es ortorrómbica, con 8

átomos en cada celda unitaria en la que cada átomo sólo tiene otro en su vecindad más

próxima a una distancia de 2,44 Å y estando los otros seis a 2,83 Å. En esta estructura el

enlace químico formado entre los átomos más cercanos es covalente siendo la molécula

Ga2 la que realmente forma el entramado cristalino.

Propiedades de Galio. - Símbolo químico Ga. Número atómico 31. Grupo 13. Periodo 4.

Densidad 5904 kg/m3. Masa atómica 69.723 u. Radio medio 130 pm. Radio atómico 136.

Radio covalente 126 pm. Configuración electrónica [Ar]3d10 4s2 4p1. Estados de

oxidación 3. Estructura cristalina ortorrómbica. Punto de fusión 302.91 K. Punto de

ebullición 2477 K. Calor de fusión 5.59 kJ/mol. Electronegatividad 1,81Calor específico

370 J/(K·kg). Conductividad eléctrica 6,78 106S/m. Conductividad térmica 40,6

W/(K·m).

Refinado

La refinación de metales es la eliminación de impurezas de metales en bruto. Después de

la extracción de materias primas, metales en bruto son entre 96 y 99 por ciento de pureza

del principal metal, siendo el resto impurezas. Metales en bruto no puede ser utilizado por
la industria en esta etapa debido a la característica inferior en propiedades físicas,

químicas, y propiedades mecánicas. Las impurezas que se encuentran en metales en bruto

pueden tener un valor elevado en sí mismos, el oro y la plata recuperable de cobre, por

ejemplo, pagar el costo total del proceso de refinación.

Los tres métodos básicos de refinación son pirometalúrgico, electrolítico y químico.

Todos estos métodos se basan en las propiedades distintivas de los elementos

individuales, como la temperatura de fusión, la densidad, y la electronegatividad. Los

metales puros se obtienen frecuentemente mediante el empleo de varios métodos de

refinación en sucesión,

Refinación pirometalúrgica.

La refinación pirometalúrgico, que se lleva a cabo a una alta temperatura en una masa

fundida, tiene un número de variaciones. Refinación de oxidación se basa en la tendencia

de algunas impurezas para formar compuestos con O, S, Cl, F y que son más estables que

los compuestos del principal metal y estos elementos. Esta técnica se utiliza para refinar

Cu, Pb, Zn y Sn. Por ejemplo, cuando una corriente de aire es forzada a través del cobre

fundido, los óxidos se forman mezclas de Fe, Ni, Zn, Pb, Sb, As, y Sn, ya que las mezclas

tienen una mayor tendencia a reaccionar con el oxígeno que el cobre; la óxidos de subir a

la superficie del tanque y se retiran.

Fusión y separación por densidad (Licuefacción). Separación se basa en las diferencias

en las temperaturas de fusión y densidades de componentes de la aleación y en el bajo

nivel de solubilidad mutua de los componentes. Por ejemplo, cuando el plomo crudo

fundido se enfría, los cristales de cobre (escoria) separar a cabo a temperaturas

establecidas y, debido a su baja densidad, flotan en la superficie y se puede quitar. Este

método se utiliza para eliminar Cu, Ag, Au, Bi y de plomo crudo, para eliminar el Fe, Cu,

Pb y de Zinc en bruto, y para refinar estaño y otros metales.

Recristalización fraccionada. Utiliza la diferencia en las solubilidades de un aditivo

metálico en las fases sólida y líquida y la lenta difusión de impurezas en la fase sólida.

Este método se utiliza en la producción de materiales semiconductores y en la

preparación de los metales de alta pureza, sino que se emplea en la zona de fusión, la

metalurgia del plasma, la eliminación de los cristales individuales a partir de una masa

fundida, y la dirigida cristalización.

Destilación. Se basa en la diferencia entre el punto de ebullición del metal principal y la

de las impurezas. Refinación se lleva a cabo como un proceso continuo en el que el

reflujo se repiten volatilización y condensación de la fracción que se separa muchas

veces. Rectificación se puede acelerar considerablemente si se realiza en un vacío. Este

método tiene aplicación en la eliminación de Cd de Zn o Zn de Pb, en la separación de Al

y Mg, Ti y en la metalurgia. La filtración a vacío de un metal líquido a través de filtros de

cerámica elimina las impurezas sólidas suspendidas; el proceso se utiliza en metalurgia

Sn.

Cuando el acero es refinado en una cuchara de colada con escoria sintética líquida, la

superficie de contacto del metal y la escoria es apreciablemente mayor (debido a la

mezcla), que cuando los procesos de refinación se llevan a cabo en un agregado de

fusión. Esto mejora enormemente la eficiencia de desulfuración, defosforación, y

desoxidación de metales en la eliminación de impurezas no metálicas. Los gases inertes

son soplados a través de acero fundido en un procedimiento de refinado que elimina

suspendidas partículas de escoria u óxidos sólidos del metal. Las impurezas se adhieren a

las burbujas de gas y flotan en la superficie de la masa fundida.

Refinado electrolítico

Refinación electrolítica, la electrólisis de soluciones acuosas o sal se funde, produce

metales de alta pureza. Se utiliza para la purificación completa de la mayoría de los

metales no ferrosos.

Refinación electrolítica con ánodos solubles implica la disolución del ánodo de los

metales a ser purificada y la deposición de los metales puros en el cátodo, en este

proceso, los electrones del circuito externo son capturados por iones del metal principal.

La electrólisis puede ser utilizado para separar los metales debido a que el principal metal

y mezclas de los tienen diferentes potenciales electroquímicos. Por ejemplo, el potencial

de electrodo estándar relativa de Cu a un electrodo normal de hidrógeno-toma como cero-

es + 0,346; los valores de Au y Ag son mayores, y las de Ni, Fe, Zn, Mn, Pb, Sn y Co son
negativos. Durante la electrólisis, el cobre se deposita en el cátodo, los metales nobles no

se disuelven, sino que se depositan en el fondo de la celda electrolítica como una

suspensión, y metales con potenciales de electrodo negativas se acumulan en el

electrolito, que se limpia periódicamente. Ocasionalmente-en la hidrometalurgia del zinc,

por ejemplo-refinación electrolítica se realiza utilizando ánodos insolubles. Aquí, el metal

principal es en una solución de la que las impurezas se retiran cuidadosamente de

antemano, y durante la electrólisis se deposita en el cátodo como una masa compacta.

Refinado químico.

La refinación química se basa en las diferentes solubilidades de un metal y sus impurezas

en soluciones ácidas o alcalinas. Las impurezas se acumulan gradualmente en una

solución y se eliminan por medios químicos, tales como la hidrólisis, la cementación, la

formación de compuestos escasamente solubles, y purificación por extracción o de

intercambio iónico. El refinado de metales nobles es un ejemplo de refinado químico. El

oro (Au) se refina en ebullición sulfúrico o ácido nítrico; Cu, Ag, y otras impurezas

metálicas se disuelven, mientras que el oro purificado, que es inmune al ataque con acido,

permanece como un residuo insoluble.

Lista de referencias

[1] Boylestad, Robert.,Nashelsky, Louis. (2009) Electronica: Teoria de Circuitos y

Dispositivos Electrónicos. México. Pearson Education
[2] Técnicas de fabricación de semiconductores. Félix Ramos Gutiérrez. 19, agosto,
2014.
[3] Estructura y propiedades de los metales. José Martínez Sánchez. 20 abril, 2013.
[4] Refinación de metales. Proto. 3 marzo, 2014. Disponible en:
https://mineriaurbana.org/2014/03/03/refinacion-de-metales/comment-page-1/.