II

Arreglos Atómicos
y
Defectos Cristalinos
 Estructura Cristalina

Es un arreglo cristalino periódico o patrón tridimensional que se repite por muchas

distancias interatómicas (largo alcance), en el que cada átomo está enlazado a su
vecinos más cercanos.

Los arreglos de átomos y iónes desempeñan una función importante en la

determinación de la microestructura y las propiedades de un material.

La cantidad de vecinos más cercanos se denomina N° de Coordinación.

 Orden o Desorden Atómicos

Sin Orden
Los átomos de un gas en un recipiente están en total
desorden.

Orden de Corto alcance

El ordenamiento solo se extiende a
los átomos vecinos más cercanos.

Orden de Largo alcance

El arreglo atómico se extiende sobre
escalas de longitud mucho mayores a los
100nm (>1 x 10-4 mm)
 Materiales Amorfos

Son materiales que presentan un ordenamiento de corto alcance de átomos o iones.

Existen algunos materiales en los que se produce una estructura desordenada en

forma directa desde el estado líquido durante la solidificación, se llaman “vidrios”.
Si a los metales les pasa esto, se denominan "vidrios metálicos" o "metales
vítreos".

Vidrios y polímeros son buenos

ejemplos de amorfos.
Vidrios son agrupaciones de
moléculas de SiO2, que presentan un
ordenamiento de corto alcance.
 Vidrios cristalinos
Un vidrio puede llamarse cristal si tiene sobre 25% de PbO

Se denominan vidrios cerámicos con 99,9 % de cristalinidad y son bastante

resistentes, pueden ser transparentes si el tamaño de los cristales se mantiene
por debajo de 100 nm ( < 100 · 10-9 m = 10 Å)

Polímeros
Muchos plásticos también son amorfos. Las grandes cadenas de meros se
enredan entre si como spaghetti.

Sin embargo, en la fabricación de botellas poliméricas de bebidas se aplica un

esfuerzo mecánico para formar la botella de PET. Los esfuerzos radiales y
longitudinales desenredan algunas cadenas generando una cristalización parcial
inducida por esfuerzo.
La formación de “cristales” aumenta la resistencia de las botellas.
 Modelo de cristalinidad de un polímero
Ejemplos:

En la fabricación de botellas poliméricas de bebidas se aplica un esfuerzo mecánico para

darle forma a la botella de PET y las cadenas quedan semejante a la figura.

Hilo de pescar, Nylon, es altamente cristalino

 Estructura Cristalina

Los átomos al solidificar

se ordenan, según su
naturaleza, en:
- 7 sistemas cristalinos
- 14 redes

- El cristal más pequeño

que cumple con las
operaciones y
elementos de simetría
se denomina celda
unitaria.
 Ángulos y
relaciones entre
ejes

Algunas de las
propiedades dependen
de la estructura
cristalina
 Sistema cúbico

Es el sistema en el cual cristaliza la mayor parte de los elementos métálicos

 Cúbico de cuerpo centrado, bcc

Atomos por celda

4r
1 a
8 1  2 3
8
Cúbico de cara centrada, fcc

Atomos por celda

1 1
8   6  4
8 2

4r
a
2

N° de coordinación: 12
 Sistema hexagonal compacto, hcp

c 2 6
Condición ideal para celda HCP  1,633 c a
a 3

Sin embargo, para algunos metales hcp esta razón se desvía del valor ideal
1 1
N átomos por celda  2  12  3 1  6
2 6

N° de coordinación: 12
 Factor de Empaquetamiento Atómico

4 3
   r   N átomos
Vol átomos participán tes de la celda 3
FEA    
Vol celda unitaria a3

CELDA FEA
Cúbica simple 0,52
Cúbica centrada en el cuerpo 0,68
Cúbica centrada en la cara 0,74
Hexagonal compacto 0,74
La mayoría de los metales cristaliza en el sistema
cúbico y unos pocos en el sistema hexagonal.
 Densidad

La estructura cristalina permite el cálculo de la densidad teórica de un

metal o compuesto.
n = número de átomos asociados a cada celda unitaria
nA A = peso atómico

VC N A VC = volumen de la celda unitaria
NA = número de Avogadro (6,023  1023 átomos/mol)

Cálculo densidad del cobre

Estructura cristalina: fcc
Radio atómico: 1,27810-8 cm
Peso atómico: 63,54 g/mol

4  63,54  g 
  23
 8,98  3 
4,7231 10  6,023 10 23
 cm 
 Ejercicio demostrativo

Supongamos un cubo de cobre de 1 cm de arista. ¿Qué distancia cubriría si

pusiéramos en línea todos los átomos contenidos en el cubo?

m Cantidad de átomos en el cubo de 1 cm de arista

  m   V
V
 g 
m  8,98  3
 1 [ cm 3
]
6,023  1023 átomos hay en 63,54 g de cobre
 cm 
m  8,98 [ g ] X átomos hay en 8,98 g de cobre

X = 8,5122  1022 átomos

Radio atómico Cu = 1,28 10-8 cm  Diámetro = 2,56  10-8 cm

Distancia total = 2,56  10-8 cm x 8,5122  1022 = 2,1791  1015 cm = 2,1791  1013 m

= 2,1791  1010 km = 20,1768 horas luz

 Direcciones cristalográficas
Dirección cristalográfica se define como una línea entre dos puntos y es un vector.

1.- Un vector de longitud conveniente se posiciona de manera que pase a través del
origen del sistema de coordenadas. Puede ser trasladado a lo largo del cristal sin
alteración, si se mantiene el paralelismo.

2.- La longitud de la proyección del vector en c/u de los tres ejes está determinada
en términos de las dimensiones de la celda unitaria a, b y c.

3.- Identificados los puntos de coordenadas, se procede a restarlos. El destino

menos el origen.
Por ejemplo (0,0,0) y (0,1,1). Operación : (0,1,1) - (0,0,0) = (0,1,1).
Entonces la dirección es [011].
Otra forma es seguir el recorrido según los ejes x, y, z.
 Direcciones cristalográficas (Índices de Miller)

4.- Si los resultados fueran fracciones, éstas

se deben reducir a los números enteros más [112]

pequeños.

5.- Los tres índices no se separan por comas,

se encierran entre paréntesis cuadrados,
[uvw], correspondiendo a las proyecciones a lo
largo de los ejes x, y, z respectivamente.

6.- Para c/u de los tres ejes existirán

coordenadas positivas y negativas según
sea la dirección positiva o negativa de
cada eje.
 Direcciones cristalográficas sistema hexagonal

Se presentan en una comparación con

el sistema cúbico.

Tiene cuatro ejes, por tanto tiene

cuatro índices.

Los primeros tres enteros de la

designación correspondientes a las
intersecciones de a1, a2 y a3 están
relacionados por la ecuación h + k = -i
 Familias de direcciones cristalinas

1.- Los índices de Miller son vectores, por ende este puede ser
positivo o negativo y con ello poseer la misma línea de acción pero
diferente sentido.

2.- Una dirección y sus múltiplos son idénticos sólo que estos aún no
han sido reducidos.

3.- Ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes, en un sistema

cúbico es ocasionado por el orden y el sentido de los vectores, ya
que es posible redefinir el sistema de coordenadas para una
misma combinación de coordenadas. Estos grupos reciben el
nombre de familia de direcciones y se denota con paréntesis  
Familias de direcciones cristalinas  a b c 

Direcciones de la familia <110>:

[1 1 0] [ˉ1 ˉ1 0]
[1 0 1] [ˉ1 0 ˉ1]
[0 1 1] [0 ˉ1 ˉ1]
[1 ˉ1 0] [ˉ1 1 0]
[1 0 ˉ1] [ˉ1 0 1]
[0 1 ˉ1] [0 ˉ1 1]
 Densidad lineal
Punto de red es la posición que ocupa un átomo en una estructura cristalina

Distancia repetitiva es la distancia entre puntos de red a lo largo de una dirección.

La densidad lineal es el número de puntos de red por unidad de longitud a lo largo

de una dirección. También es el recíproco de la distancia repetitiva.

Supongamos la dirección [110] en la estructura

cristalina del Cu (fcc). Radio atómico = 0,1278 nm
Longitud [110] = 4  r = 4  0,1278 = 0,5112 nm

N  dist. repetitiva s 2
Dens. lineal    3,91 puntos de red
longitud total 0,5112
 Planos cristalográficos
Para especificar un plano cristalino se usan los Índices de Müller como ( hkl).

El procedimiento para su determinación es como sigue:

1.- Si el plano pasa a través del origen, debe considerarse otro plano
paralelo dentro de la celda, ya sea por una traslación adecuada o
estableciendo un nuevo origen en la esquina de otra celda.

2.- El plano puede ser paralelo o cortar a alguno de los ejes, la longitud de
los planos interceptados están determinados en términos de los
parámetros de red a, b y c.

3.- Se toman los recíprocos de estos números. Un plano paralelo a un eje, se

puede considerar que lo corta en el infinito.
 Planos cristalográficos

4.- Si es necesario, estos tres números se cambian a los enteros más

pequeños, multiplicando o dividiendo por un factor común.

5.- Finalmente, los índices enteros se incluyen entre paréntesis sin comas.
Si el plano corta en el lado negativo del un eje, el índice se indica con
un signo menos sobre el índice.
Familias de planos cristalinos {x y z}
Estructuras hexagonales
 Apilamiento compacto de estructura fcc

Los centros de los átomos de la primera capa se

denominan A, los centros de la segunda capa,
formada por los átomos ubicados en las
depresiones que asemejan un triangulo con el
vértice hacia arriba, se denominan B.

Apilamiento fcc
Del tipo A B C A B C A B C…
Apilamiento compacto de estructura hcp

Apilamientos hcp
Del tipo A B A B A B A B…
 Comportamiento isotrópico y anisotrópico

A causa de diferencias en el arreglo atómico en los planos y direcciones en

los cristales, algunas propiedades varían según la dirección.

Un material es isotrópico si sus propiedades son idénticas en los ejes del

sistema.

Un material es anisotrópico si sus propiedades dependen de la dirección

cristalográfica o varían según la dirección en la que se mide la propiedad.

Ej: En aluminio E = 75,9 GPa en la dirección 111

E = 63,4 Gpa en la dirección 100

Sin embargo el Al puede comportarse isotrópico si es policristalino.

 Espaciado o distancia interplanar

Es la distancia entre dos planos de átomos paralelos adyacentes con los

mismos índices de Miller. Se individualiza dhkl y en materiales cúbicos está
dada por la ecuación general:

a0
d
h2  k 2  l 2

Donde a0 es el parámetro de red y h, k y l representan los índices de Miller

de los planos adyacentes considerados.

En el caso de sistemas no cúbicos la expresión es más compleja.

 Espaciado o distancia interplanar
En el caso de sistemas no cúbicos la expresión es más compleja
 Sitios intersticiales
Son sitios o espacios que existen, entre los átomos, en todas las estructuras
cristalinas y en los que pueden entrar átomos más pequeños.

Sitios cúbicos son los espacios ubicados en el centro de celdas cúbicas simples.
Tienen número de coordinación 8.

Sitios tetraédricos son los ubicado en posiciones 2,½,¼ de un bcc o en

posiciones ¼, ¾, ¼ de un fcc. Número de coordinación 4.

Sitios octaédricos son sitios en los centros de caras de celdas bcc o en los
centros de cuerpo o aristas fcc. Número de coordinación 6. El espacio tiene forma
de un octaedro si se unen los átomos que lo rodean con líneas rectas.
Defectos Cristalinos
 Defectos Cristalinos

Las estructuras cristalinas como condición normal no son perfectas,

presentan una serie de defectos, los que desde el punto de vista
tecnológico no son considerados como tal.

En algunos casos son útiles y en otros se requiere una cantidad mínima,

todo depende de lo que se necesita.

En general, los defectos portan dureza y resistencia a los metales, sin

embargo, en otros como el silicio monocristalino usado para chips de
computadores los defectos llamados dilocaciones son indeseables.
 Defectos Cristalinos

Se clasifican según la geometría en la que se presentan:

- Puntuales: vacancias, átomos intersticiales, sustitucionales, etc.

- Lineales: dislocaciones de borde, helicoidales, mixtas, lazo

- Superficiales: borde o límite de grano, borde o límite de interfase

- Volumétricos: poros, inclusiones, sopladuras, grietas, rechupes, etc.

 Vacancias
Metales puros a baja temperatura: 1 vac/108 sitios atómicos
Temperaturas cercanas a Tfusión: 1 vac/103 sitios atómicos

 Qv 
N v  N  exp  
 RT 

Nv = n° de vacancias por cm3

N = n° de átomos por cm3
Qv = energía requerida para producir un mol de vacancias [cal/mol] o [joule/mol]
R = constante de los gases, 1,987 [cal/mol K] u 8,314 [joule/mol K]
T = temperatura en Kelvin
 Átomos Intersticiales y Sustitucionales

Los átomos intersticiales se forman si un átomo,

generalmente de tamaño pequeño se introduce y
aloja en un espacio intersticial. Pese a que el
átomo intersticial es de tamaño pequeño,
siempre es más grande que los sitios
intersticiales.
Ejemplo, la adición de C al Fe para obtener
acero.

Los átomos sustitucionales se forman si un

átomo impureza reemplaza a un ión o a un
átomo del solvente o matriz.

Por ejemplo la adición de Ni al Cu en metales y en cerámicos si se adiciona MgO

al NiO, los iones Mg+2 ocupan los sitios de Ni+2, los iones O-2 no se diferencian
entre si.
 Defectos Puntuales
Si se enfría rápidamente un material desde alta temperatura es posible conservar la
cantidad de vacancias.

a) Vacancia c) Átomo sustitucional pequeño e) Defecto Frenkel

b) Átomo intersticial d) Átomo sustitucional grande f) Defecto Schottky
 Defectos Puntuales Iónicos

Defecto Frenkel
Es el que se produce por el desplazamiento de un catión a posiciones
intersticiales donde se junta a otro catión. No hay cambio de carga porque
la cantidad de positivos y negativos se mantiene.

Defecto Schottky
Es un par de vacancias,
una catiónica y otra
aniónica, producidas por la
remoción de ambos iónes,
ubicándose en otras
posiciones distantes.
También se mantiene la
neutralidad de carga.
 Dislocaciones

Los primeros cálculos de resistencia de cristales perfectos entregaban

valores mucho más altos (1.000 a 10.000 veces) que los realmente
medidos.

En la década de 1930 se postuló una explicación; basada en la

existencia de defectos lineales en la estructura cristalina las
dislocaciones.

Sólo en 1950 su existencia fue verificada por observación directa

mediante microscopio electrónico.
 Defectos Lineales Dislocaciones

Conociendo la naturaleza y el rol que juegan en los procesos de deformación

plástica, se puede comprender el mecanismo de la deformación y la razón del
endurecimiento con lo que se hace posible predecir la magnitud de las
propiedades mecánicas de metales y aleaciones.

Dos cristales de LiF muestran pequeñas

marcas piramidales correspondientes a
dislocaciones que han interceptado la
superficie.
La superficie fue pulida y atacada 750 X
químicamente. El ataque químico se localizó
y de esa manera se puede apreciar la
distribución de las dislocaciones.
 Dislocación de borde

Defecto lineal centrado alrededor de una

línea definida en el extremo de un
semiplano atómico.

Un semiplano de átomos se ubica en un cristal distorsionando los

planos cercanos. Aplicando suficiente fuerza a un lado de la
estructura, el plano extra pasa a través de los otros planos hasta
alcanzar el borde de grano.

Esa línea es llamada línea de la dislocación y es perpendicular al

plano de la presentación.
En la región de la dislocación existe una distorsión de la red.

Los átomos sobre la línea de la dislocación están bajo compresión y los de

abajo, están sometidos a tracción. Cada uno de los átomos superiores se ven
forzados a moverse a posiciones de menor energía.

La magnitud de esta distorsión, disminuye al alejarse de la línea de la

dislocaciones.
 Dislocaciones de borde o cuña

Características de las dislocaciones.-

 

1.- La dislocación es el límite entre la parte que desliza de la que no

desliza.
2.- El desplazamiento relativo de las dos mitades, causado por la
dislocación, se denomina vector b, vector de Burger. La magnitud y
dirección de la distorsión de la red asociada con dislocaciones se
expresa en términos del vector de Burgers.
3.- En una dislocación de borde, b es normal a la línea de la dislocación.
4.- Dislocaciones de signo opuesto se mueven en direcciones opuestas.
5.- Si dos dislocaciones de signo opuesto se encuentran, se anulan.
 Dislocación helicoidal

Imaginemos un corte en un cristal perfecto a lo largo

de un plano y que desliza una mitad respecto de otra
en una distancia interatómica.

Se forma la distorsión de la figura por el cizalle

aplicado.

En este caso b es paralelo a la línea de la

dislocación. Los planos atómicos forman una
espiral, así el esfuerzo requerido para mover la
dislocación es bastante bajo. En los 5 puntos
anteriores sólo cambia el 3.
Plano de deslizamiento de la dislocación helicoidal visto desde arriba.
Ο : corresponde a átomos ubicados sobre el plano de deslizamiento.

• : corresponde a los átomos bajo el plano de deslizamiento.

 Dislocaciones mixtas

La mayoría de las dislocaciones son mixtas,

es decir, están formadas por ambos tipos
con una región de transición entre ambas.

El vector de Burgers, sin embargo, se

conserva igual para todas las porciones de
la dislocación mixta.
 Energía de la dislocación

La distorsión provocada por las vacancias se extiende a cortas distancias, en

cambio el esfuerzo causado por una dislocación es significativo a distancias
sobre 100 ao.

Se consideran tres aspectos:

1.- La energía asociada con el esfuerzo alrededor de una dislocación es
bastante grande.

2.- En este extenso campo de esfuerzo, dislocaciones lejanas interactúan entre

ellas y cambian sus posiciones para disminuir la energía de esfuerzo total
de la red.

3.- En el recocido, al calentar un metal deformado en frío, lo primero que ocurre

es una disminución de la energía del metal.
 Movimiento de la dislocación

Al aplicar una fuerza cortante en

dirección b una dislocación existente
o una creada por el esfuerzo,
desliza, recorriendo el cristal hasta
producir un escalón en el exterior del
mismo.
 Deslizamiento

Este proceso de deslizamiento requiere mucho menos energía que la que se

requeriría para mover al mismo tiempo todos los átomos del plano de
deslizamiento.

En la dislocación de cuña la línea de la dislocación se mueve paralela a la dirección

de la fuerza y al vector de Burgers.

En la dislocación helicoidal la línea de la dislocación se mueve perpendicular a la

dirección de la fuerza y al vector de Burgers.
 Deslizamiento

Para mover una dislocación de una posición a otra se requiere el esfuerzo de

Peierls-Navarro
t = esfuerzo cortante requerido para mover la dislocación
k d
 d = espaciado interplanar entre los planos paralelos
  ce b b = magnitud del vector de Burgers
C, k = constantes del material
Se puede concluir que:
1. El esfuerzo  aumenta exponencialmente con la longitud del vector de Burgers

2. El esfuerzo  disminuye exponencialmente al aumentar la distancia entre planos d

3. En materiales covalentes como el Si fallan frágil antes que ocurra deslizamiento

4. Lo mismo ocurre con los compuestos iónicos, el deslizamiento afectaría el balance

de carga. Aunque algunas cerámicas en determinadas condiciones presentan
plasticidad.
 Importancia de las dislocaciones

Proveen un mecanismo de deformación plástica por acumulación de numerosas

dislocaciones.

En las cerámicas, por lo general, no hay deslizamiento por el tipo de enlace, pero
en las que pueden deformarse si hay presencia de porosidades se fracturan
prontamente.

En los polímeros es dificultoso el deslizamiento puesto que las cadenas

poliméricas presentan entrecruzamiento entre ellas, es decir una suerte de enredo.

En los materiales amorfos no poseen arreglo periódico por tanto no se producen

dislocaciones.

En metales blandos, recocidos la densidad de dislocaciones es alrededor de 106

cm/cm3 y deformados pueden alcanzar hasta 1012 cm/cm3.
 Ley de Schmid (Deslizamiento en monocristales)
Aplicando una fuerza unidireccional F a un cilindro de metal
monocristalino.

El plano de deslizamiento se orienta de manera tal que forma un ángulo 

entre la fuerza F y la normal al plano.
La dirección de deslizamiento ocurre en un ángulo  respecto de la fuerza F.
 +  no necesariamente suman 90° y si ocurre no existe esfuerzo cortante.

Para que la dislocación se mueva debe producirse una fuerza de corte que actúe
en la dirección del deslizamiento.
Se denomina Fuerza de corte resuelta, Fr:
Fr  F cos 
 Ley de Schmid
A0
Dividiendo por el área del plano de deslizamiento A
cos 
Fr F cos Fr F
Se obtiene    cos   cos 
A A0 A A0
cos 

Finalmente  r   cos   cos  Ley de Schmid

Porque  r  Fr es el esfuerzo de corte resuelto

A
F
  es el esfuerzo normal aplicado al cilindro
A0

Esfuerzo cortante resuelto crítico, tcrc es el esfuerzo cortante requerido para que
ocurra el deslizamiento.
Se produce deslizamiento cuando  r   tcrc
 Influencia de la estructura cristalina
Se pueden comparar las propiedades de los metales según su estructura
cristalina.

En la tabla se presentan los valores, pero sólo es válido para monocristales y

debido a esto más las diferentes orientaciones de cristales en los materiales
policristalinos la ley de Schmid no se puede aplicar a estos.
Factores que afectan el deslizamiento en estructuras metálicas
Factor fcc bcc hcp (c/a 1,633)
tcrc 50 - 100 5000 - 10000 50 – 100a
12 {110} <111>
N° sists. de deslizamiento 12 {111} <110> 24 {123} <111> 3b
12 {112} <111>
Deslizamiento cruzado Puede ocurrir Puede ocurrir No puede ocurrirb
Propiedades Dúctil Resistente Relativamente quebradizo
a
Para el deslizamiento en los planos basales.
b
Al alear o calentar a altas temperaturas se activan sistemas de deslizamiento adicionales en los hcp, lo
que permite que ocurra un deslizamiento cruzado y por tanto mejore la ductilidad.
 Sistemas de deslizamiento
Las dislocaciones no se mueven con igual facilidad en diferentes planos ni en distintas
direcciones.
Existen planos preferidos y en éste, direcciones preferidas, los que se denominan
planos y direcciones de deslizamiento que son los planos más compactos y las
direcciones más compactos.
La combinación de ambos se llama Sistema de Deslizamiento.
Sistemas de deslizamiento para fcc, bcc y hcp
Plano de Dirección de N° de sistemas de
Metales
deslizamiento deslizamiento deslizamiento
Los planos más Cúbico de Cara Centrada (fcc)
compactos son Cu, Al, Ni, Ag, Au 1 1 1 1¯1 0 12
también los más Cúbico de Cuerpo Centrado (bcc)
separados. -Fe, W, Mo 1 1 0 ¯1 1 1  12
-Fe, W 2 1 1 ¯1 1 1  12
-Fe, K 3 2 1 ¯1 1 1  24
Hexagonal Compacto (hcp)
Cd, Zn, Mg, Ti, Be 0 0 0 1 1 1¯2 0 3
Ti, Mg, Zr 1 0 ¯1 0 1 1¯2 0 3
Ti, Mg 1 0 ¯1 1 1 1¯2 0 6
 Monocristales

Lingotes monocristalinos de Silicio

Proceso Czochralski
Procedimiento para la
obtención de lingotes
monocristalinos.
Fue desarrollado por el
científico polaco Jan
Czochralski en 1916.
Se usa en la producción de
lingotes de silicio.
 Monocristales

Monocristal de granate
(Ca,Fe,Mg,Mn)3(Al,Fe,Mn,Cr,Ti,V)2(SiO4)3

Monocristal de Calcita CaCO3

 Defectos superficiales Bordes de Grano

Agrupaciones atómicas mínimas (celdas

cristalinas) se juntan a otras similares en el
momento de la solidificación y aumentan
progresivamente en número.

La solidificación produce normalmente

sistemas policristalinos, es decir compuesto
de muchos cristales.

Ordenamientos en distintos puntos del

líquido, orientados al azar, generan zonas de
encuentro, los límites de granos.
La zona de encuentro entre granos presenta desajuste y por
tanto se produce una zona de mayor energía que reacciona con
mayor intensidad en contacto con un reactivo.
 Bordes de grano

Un grano es una porción de material que

tiene un determinado arreglo cristalino.
Bordes de grano son zonas de desajuste
en el ordenamiento atómico debido a las
diferentes orientaciones de cada grano.
 Tamaño de grano

Según la American Society for Testing and Materials, ASTM, el tamaño de grano
está definido por:
n 1
N 2
N : número promedio de granos/pulg2 a 100x
n : número de tamaño de grano
 Tamaño de grano y límite elástico

Al reducir el tamaño de grano se incrementa la cantidad de ellos y en consecuencia

la cantidad de límites de grano. Las dislocaciones podrán desplazarse sólo
distancias cortas incrementando la resistencia, límite elástico y dureza del material.

 y   0  Kd 1 / 2
Ecuación de Hall-Petch relaciona el
tamaño de grano con el límite elástico.
σy = límite elástico
σ0, K = constantes para el metal
d = diámetro de grano
Esta ecuación no es valida para granos
muy grandes o ultrafinos.

Efecto del tamaño de grano sobre el límite

elástico del acero a temperatura ambiente.
 Otros defectos superficiales

- Límites de grano de ángulo pequeño

- Fallas de apilamiento
Secuencia ABCABCABC
cambia a ABCABABCABC,
por ejemplo.

 Límites de macla
 Importancia de los defectos

Defectos como defectos puntuales, dislocaciones y límites de grano funcionan

como obstáculos al movimiento de dislocaciones, lo que vuelve más resistente al
metal, con mayor dureza y en general variando prácticamente todas las
propiedades mecánicas.

Entonces, es posible controlar las propiedades de los metales o aleaciones por lo

siguiente:

 Endurecimiento por deformación

 Endurecimiento por solución sólida

 Endurecimiento por tamaño de grano

 Variación de las propiedades eléctricas: Ej. Átomos sustitucionales como

dopantes
 Defectos Volumétricos

Los defectos de volumen pueden producirse por una de estas dos razones:

- Defectos Introducidos en la producción

Inclusiones no metálicas: Material correspondiente a una segunda fase de
otra estructura cristalina y otra composición, como partículas de
refractarios, sulfuros, carburos, nitruros, óxidos, hidruros, etc. y que tienen
una gran variedad de formas y tamaños. Estos se producen cuando el
metal está fundido.

- Defectos Introducidos en la fabricación

De colada tales (rechupes y porosidades)
Por trabajo mecánico o forja (grietas)
Por soldadura
 Defectos Volumétricos

En los defectos de colada aparecen cavidades producto de la contracción

que acompaña a la solidificación o porosidades por el desprendimiento de
gases durante la solidificación.

Las cavidades, generalmente, se encuentran en el centro donde ocurre la

solidificación final y el líquido remanente no es capaz de llenar la cavidad
creada por el cambio de volumen.

La porosidad puede ser muy fina a cavidades mayores y son causados por
gases disueltos en el material fundido.

Las grietas surgen por deformación mecánica severa, en la unión por

soldadura y por tensiones térmicas.
Rechupes

La zona más caliente es la

que solidifica al último y es
donde se produce la cavidad
por contracción.
Defectos Volumétricos
Ejemplo

Porosidades
 Influencia de las imperfecciones

Cualquier alteración al ordenamiento cristalino es un obstaculo

al desplazamiento de las dislocaciones y por lo tanto un efecto
endurecedor del metal o aleación.

1

 y   0  kyd 2