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Texto de Electrónica I (ETN 503) Pág.
ELECTRÓNICA BÁSICA – I (ETN 503)
Objetivos
El énfasis en el curso es el aprendizaje de conceptos básicos de los dispositivos de estado

sólido de Diodos, Transistores y Circuitos Integrados que permitan desarrollar la teoría y el diseño
de amplificadores, tomando en cuenta las respuestas en frecuencia, mejoramientos de parámetros
aplicando realimentación, tendiente a las aplicaciones cada vez mas frecuentes de los Circuitos
Integrados.
Temas:
I DIODO EN LOS CIRCUITOS
II TRANSISTORES EN LOS CIRCUITOS
III AMPLIFICADORES
IV AMPLIFICADORES REALIMENTADOS
V AMPLIFICADORES DE POTENCIA
VI AMPLIFICADORES OPERACIONALES
VII APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
VIII FILTROS ACTIVOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Ingeniería Electrónica – U.M.S.A. Ing. David Molina Muñoz

Texto de Electrónica I (ETN 503) Pág. 2
PROGRAMA
ELECTRÓNICA BÁSICA – I (ETN 503)
1.- DIODO EN LOS CIRCUITOS
· Introducción a los semiconductores
· Diodos de unión, la ecuación del diodo, polarización directa e inversa
· Características V-I de los diodos
· Linealización de las características por tramos, rectas de carga estática y dinámica
· Circuitos con diodos, fijadores, recortadores, funciones de transferencia, etc.
· Circuitos convertidores de alterna en continua, rectificadores de media onda, onda completa,

multiplicadores de tensión
· Diodo Zener, reguladores de tensión
2.- TRANSISTORES EN LOS CIRCUITOS
· Transistores bipolares, unipolares
· Características V-I de los transistores, ecuaciones de los transistores, zonas de trabajo,

condiciones de polarización en diferentes zonas de trabajo, topologías de utilización. Base
Común, Emisor Común, Colector Común, Compuerta Común, Fuente Común, Drenador Común.
· Variación de los parámetros y hojas técnicas del fabricante de los transistores bipolar y unipolar
· Circuitos con transistores bipolares y unipolares, con tensiones y corrientes de continua y alterna,
rectas de carga de continua y alterna, circuitos de continua y alterna, principio de superposición
· Polarización del transistor bipolar, estabilización del punto de trabajo, polarización fija,
polarización colector a base, Auto polarización, técnicas de compensación
· Polarización del transistor unipolar (FET, MOSFET)
· Diseño de circuitos de polarización

3.- AMPLIFICADORES
· Circuitos equivalentes de los transistores, determinación de parámetros (híbridos, giacoleto, etc.),

variación de parámetros, ecuaciones de transformación de parámetros en las topologías: Base
Común, Emisor Común, Colector Común, Compuerta Común, Fuente Común, Drenador Común
· Diseño de amplificadores de una etapa
· Acoplamiento de amplificadores, de alterna, de continua
· Amplificadores con acoplamiento de alterna en las topologías: Base Común, Emisor Común,
Colector Común, Compuerta Común, Fuente Común, Drenador Común
· Amplificadores con acoplamiento de continua, cascodo, darlington, diferencial
· Diseño de amplificadores multietapa
4.- AMPLIFICADORES REALIMENTADOS
· Fundamentos de la Realimentación
· Condiciones ideales de los amplificadores
· topologías de los circuitos realimentados, ecuaciones de la realimentación en diferentes

topologías
· Amplificadores realimentados, ecuaciones características, Ganancia de tensión; ganancia de

corriente; impedancia de salida; impendancia de entrada, frecuencia de corte inferior, frecuencia
de corte superior
· Diseño de amplificadores realimentados
5.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA
· Amplificadores de potencia características generales, clasificación de los amplificadores
· Amplificadores de potencia clase A, tipos de acoplamiento, ecuaciones características, potencia

de entrada, potencia de salida, potencia disipada, rendimiento, factor de mérito, selección del
transistor
· Amplificadores de potencia clase B, tipos de acoplamiento, amplificadores de tensión (AV),

Amplificadores de corriente (AI), Amplificadores de transconductancia (AG)

6.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES
· El amplificador operacional (AO), especificaciones ideales del AO, circuito básico del AO,
etapas de un AO, hojas técnicas del fabricante de los AO
· Amplificador separador, amplificador inversor, amplificador no inversor.
· Comparadores de tensión, limitadores, amplificadores con histéresis.
· Amplificador sumador, restador, sumador generalizado, detector de cruce por cero con histéresis,
detectores de nivel de voltaje con histéresis, detector de nivel de voltaje con ajuste independiente
de histéresis y voltaje central.
· Amplificadores integrador, derivador, integrador y derivador compensado.
· Amplificadores logarítmicos, antilogarítmicos, logaritmo y antilogaritmo compensado.
· Amplificador de producto, cociente, exponencial.
· Diseño de amplificadores con AO.
7.- APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
· Amplificador básico de puente, diferentes aplicaciones.
· Amplificador de instrumentación.
· Amplificadores de detección y medición con AO.
· Generadores de onda senoidal.
· Generadores de onda cuadrada. Multivibrador de oscilación libre.
· Generador de onda triangular, diente de sierra.
· Convertidores de tensión a corriente con carga flotante
· Conversión de corriente a tensión
· Convertidores de temperatura a voltaje
· Desfasador, convertidor fase-amplitud
· Convertidor de impedancias negativas
· Inversor de impedancia positiva o girador
· Convertidores de impedancias positivas

8.- FILTROS ACTIVOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
· Definiciones básicas de filtros, ventajas de los filtros activos, limitaciones
· Filtros activos pasa bajo, pasa alto, pasa banda, rechaza banda.
· Filtros activos de primer orden, pasa bajo, pasa alto, pasa banda, rechaza banda.
· Filtros activos de segundo orden, pasa bajo, pasa alto, pasa banda, rechaza banda.
· Filtros activos de orden superior, Filtros en cascada
BIBLIOGRAFÍA
1. Electrónica integrada Millman y Halkias
2. Circuitos electrónicos discretos e integrados Schilling Belove
3. Ingeniería electrónica Giaccoleto
4. Colección SEEC Addler, Gray, Searly, Thornton
5. Principios de electrónica Gray, Searly
6. Electrónica teoría de circuitos Robert Boylestad,Louis Nashelsky
7. Análisis y diseño de circuitos electrónicos Donald A Neamen
8. Diseño electrónico circuitos y sistemas Savant, Roden, Carpenter
9. Circuitos con amplificadores operacionales Berlin
10.El amplificador operacional y sus aplicaciones Marchais
11.Operational amplifiers design and applications Huelsman
12.Amplificadores operacionales Nacional

CAPÍTULO I
DIODOS EN LOS CIRCUITOS
1. INTRODUCCIÓN
1.1 Elementos Sólidos
Un elemento sólido , como su nombre lo indica, es simplemente un cuerpo rígido.
Eléctricamente los elementos sólidos se clasifican por su resistividad, cuya expresión

matemática es:
A
r=R
l
También, por su diagrama de bandas , se clasifican en conductores, semiconductores y
aisladores.
Un material c onductor es aquel que permite el paso de la corriente eléctrica. Un ejemplo de

este tipo de material es el cobre (Cu) con una resistividad de 10-6 [W cm].
Un material no conductor o aislante , es aquel que no permite el paso de la corriente

eléctrica. Un ejemplo de este material es la mica, con una resistividad de 1012 [W cm].
El material semiconductor será tratado especialmente en el acápite que sigue.
1.2 Material Semiconductor
Un material semiconductor , es un material que conduce la corriente eléctrica únicamente

bajo ciertas condiciones. Ejemplos de materiales semiconductores son el Silicio (Si) con una
resistividad de 50*103 [W cm] y el germanio (Ge) con una resistividad de 50 [W cm]. Estos
materiales, por su estado de pureza se denominan Elementos Sem iconductores Intrínsecos .

1.2.1 Estructura Básica
Los semiconductores, esquemáticamente, poseen dos bandas denominadas de valencia y de

conducción ; entre ambas bandas existe una región llamada Banda Prohibida , existe también un
nivel llamado nivel de Fermi , que debe ser vencido para que el material se haga conductor.
Si se añaden elementos donadores, a través de un dopaje, el material pasa a ser de tipo N,

normalmente se añaden Arsénico, Fósforo, Antimonio; en una cantidad de 1 en 106 , con esto, el
nivel de Fermi se recorre hacia la banda de conducción, 0.01 eV para el germanio y 0.05 eV para el
silicio.
Si se añaden elementos aceptores, o se quitan portadores, nace el material tipo P, para que
esto ocurra, normalmente se añaden Boro, Galio, Indio; lográndose así el desplazamiento del nivel
de Fermi hacia la banda de valencia.
Estos dos tipos de materiales, tipo P y tipo N, se denominan materiales semiconductores

extrínsecos , debido a que ya no son puros, sino ya presentan dopajes.

2. DIODOS
2.1 Juntura PN ó NP
Es la unión de dos semiconductores Tipo P y Tipo N, ya sea dicha juntura de silicio o

germanio.
En el semiconductor tipo P se tiene dos tipos de portadores: los huecos llamados portadores
mayoritarios y los electrones , llamados portadores m inoritarios .
En el semiconductor tipo N se tienen también portadores mayoritarios y minoritarios, sólo

que en este material, los portadores mayoritarios son los electrones y los portadores minoritarios
son los huecos , es decir, de manera inversa al semiconductor de tipo P.
Cuando se realiza la unión de ambos materiales se produce la juntura PN y los niveles de

Fermi deben igualarse en ambos sistemas, dando origen a una corriente de recombinación y otra de
generación que en el equilibrio deben ser cero, así mismo se crea una barrera de energía potencial en
la unión.
I r = I rp + I rn
I g = I gp + I gn (depende de la temperatura) I g = I s
I rp = I gn ü
\ ýI + I rn = I gp + I gn
I rn = I gn þ rp
I r = I g Þ\ I r - I g = 0

2.2 Símbolo Eléctrico del Diodo
En el diodo, el material semiconductor tipo P se denomina ánodo y el material

semiconductor tipo N se denomina cátodo; el símbolo eléctrico del diodo es el siguiente:
Como puede verse, el ánodo es el borne positivo del componente y el cátodo es el borne
negativo del componente.
2.3 Ecuación del Diodo
Se puede demostrar que si Iro representa el número de portadores que inician el camino a
través de la unión, el número real de portadores que sobrepasan la barrera (Ir ) está dado por:
VB
-
kT
q
I r = I ro e
Donde: VB : Altura de la barrera en V en condiciones de equilibrio (Voltaje de arranque)
q: Carga del electrón=1.602*10-19
k: Constante de Boltzman=1.38*10-16
T: Temperatura absoluta en o K
Si no se aplica tensión externa a la unión , se tiene:
Ir = Ig
VB
-
kT
q
\ I g = I ro e
Si se aplica cierta tensión externa, se presentan dos casos de polarización: la polarización

directa y la polarización inversa.

Polarización Directa
Un diodo se polariza directamente cuando el borne positivo (Ánodo) se conecta al terminal

positivo de una fuente y el borne negativo (Cátodo) al terminal negativo de la misma fuente. En
estas condiciones el diodo se comporta idealmente como un cortocircuito .
Del circuito se tiene:
( VB - V )
-
kT
q
I r = I ro e
VB V
-
kT kT
q q
I r = I ro e e
123
Ig
V
kT
q
Ir = Ige
La corriente neta en la unión es
I = Ir - Ig
V
kT
q
I = Ige - Ig
V
æ kT ö
ç ÷
I = I s ç e q - 1÷ con I s = I g (1)
çç ÷÷
è ø
V
kT
q
Si e >> 1 se tiene:
V
kT
q
I = Ise (2)

Polarización inversa
Un diodo se polariza inversamente cuando el borne positivo (Ánodo) se conecta al terminal

negativo de una fuente y el borne negativo (Cátodo) al terminal positivo de la misma fuente. En
estas condiciones el diodo se comporta idealmente como un circuito abierto .
Del circuito se tiene:
( VB + V )
-
kT
q
I r = I ro e
VB V
- -
kT kT
q q
I r = I ro e e
123
Ig
V
-
kT
q
Ir = Ige
La corriente neta en la unión es
I = Ir - Ig
V
-
kT
q
I = Ige - Ig
V
æ - kT ö
ç ÷
I = I s ç e q - 1÷ con I s = I g (3)
çç ÷÷
è ø
V
-
kT
q
Si e << 1 se tiene:
I = -I s (4)

2.4 Características de Tensión y Corriente
De las ecuaciones (1) y (2) para el caso de polarización directa y de las ecuaciones (3) y (4)
para el caso de la polarización inversa, se determina la siguiente curva característica:
Existen algunas diferencias entre los diodos de silicio y germanio, tales como su voltaje de
arranque Vg y sus corrientes inversas de saturación, tal como se muestra en la siguiente gráfica:
Donde:VgSi=0.6 [V] (Voltaje de arranque de un diodo de silicio)
VgGe=0.2 [V] (Voltaje de arranque de un diodo de germanio)

Además IS no es independiente de la temperatura: I ST2 = I ST1 e k (T2 -T1 )
Tampoco es independiente la tensión sobre el diodo: VDT2 =VDT1-k(T2 -T1 ).
En un diodo de Germanio, Ico se eleva en un 8% por cada grado centígrado, y en un diodo de

silicio, este mismo parámetro se eleva en un 6% por cada grado centígrado, por la tanto se puede
concluir que en cualquier diodo, Ico se eleva en un 7% por cada grado centígrado.
De las características de tensión y corriente del diodo, se pueden ver dos zonas perfectamente
definidas que dan lugar a distintas aplicaciones del diodo. Existe una relación interesante entre la
resistencia (incremental ac) de un diodo polarizado directamente y su corriente estática:
V
æ kT ö
ç ÷
I = I S ç e q - 1÷
çç ÷÷
è ø
La conductancia dinámica para un punto específico de funcionamiento se define:
V
kT
q
1 ∆I ¶I I S e
gf = = @ =
rf ∆V ¶V kT
q
V
kT
q
De la ecuación (2): I = I S e
kT
q kT
\ rf = Þ rf =
I qI
A temperatura ambiente (T=300o K) se sabe que kT/q=26mV, entonces:
26mV
rf =
I
En condiciones de polarización directa, esta resistencia es muy pequeña, en cambio, para

polarización inversa, esta resistencia es muy grande dado que la corriente es del orden de los micro
amperios para diodos de germanio y del orden de los nano amperios para diodos de silicio, se puede
considerar que esta resistencia es infinita .

2.5 Variación de las Características con la Temperatura
Las características V/I varían con la temperatura, esto es posible de visualizar mediante la
ecuación de corrientes del diodo. Se llega a demostrar que en polarización directa la tensión de
arranque disminuye en –2.5mV/o C por cada grado centígrado de aumento de temperatura; en la
polarización inversa se demuestra que IS aumenta , es decir, se duplica por cada 10o C de aumento de
temperatura.
La tensión de ruptura en la polarización inversa, se mantiene constante para grandes

variaciones de corriente por dos mecanismos:
· Por incremento de campo eléctrico (Efecto Zener).
· Por ruptura por avalancha (Emisión secundaria).
2.6 Circuito Equivalente del Diodo en Régimen de Corriente Continua
El diodo presenta los siguientes dos modelos tanto para polarización directa como inversa:
· En polarización directa , el diodo presenta el siguiente circuito equivalente:
Donde: Rf es la resistencia dinámica del diodo.
· En polarización inversa , el diodo presente el siguiente circuito equivalente:
Donde IS es la corriente inversa de saturación, siendo esta la única corriente que circula por
el diodo, porque este idealmente es un circuito abierto.

2.6 Linealización de las Características por Tramos
Muchos circuitos equivalentes útiles para diodos se obtienen aproximando las características
V-I por segmentos. Esta aproximación se conoce como método de análisis lineal por tramos .
La curva es representada por cuatro segmentos rectilíneos; las regiones I y II corresponden a

las características en polarización directa y las regiones III y IV corresponden a las características
en polarización inversa .
El análisis se lo realiza por regiones o tramos:
Región I: Para 1<V<3 y rf1 =DV/DI=25W
Región II: Es la recta horizontal (de o a 1 V), no transmite corriente hasta que la tensión excede 1V.

Combinando los circuitos para ambas regiones se tiene:
Región III: Para –10<V<0 se tiene rf2=DV/DI=1KW
Región IV: rf3=DV/DI=2/70kW
Uniendo todos los tramos resulta:

Ejemplo.- Hallar, utilizando circuitos lineales por tramos, la solución simultanea de los ecuaciones:
y=x2 0<x<2
y=x 0<x<2
Solución:
y ® i[mA ]
x ® V[V]
dy
m1 = =0
dx
dy
m2 = = 2x x =1 = 2
dx
dy
m3 = = 2x x = 2 = 4
dx
Circuito:
1
r1 = = 500Ω
m2
1
r2 = = 500 500 = 250Ω
m4
Solución simultánea:
1
y=x (recta) y= = 1kΩ
m
Variando V = V1 Þ i = i1 \ V = V1 (» x )
V = V1 = 1[V ] i = i1 = 1[mA ]
y=x y=x2

2.7 Circuito Equivalente del Diodo en Régimen de Corriente Alterna
Cuando se hace funcionar al diodo bajo el régimen de corriente alterna, aparecen otras
características tales como el voltaje de juntura (Vj), la capacidad de difusión (CD), la capacidad de
transición (CT ), el voltaje de contacto VÆ y el factor g dado por el fabricante; además de las
características estudiadas en el régimen de corriente continua.
Existen tres modelos de diodo en régimen de corriente alterna: un modelo para frecuencias
medias, un modelo para frecuencias altas y un modelo general.
Circuito equivalente para frecuencias medias
El modelo de diodo para frecuencias medias es el siguiente:
Circuito equivalente para frecuencias altas
El modelo de diodo para frecuencias altas es el siguiente:

Circuito equivalente general
El modelo general de diodo es el siguiente:
Las ecuaciones que gobiernan estos modelos del diodo son:
I = IS e ( VjΛ
-1)
q
Λ= T = 25 o C
kT
Vj : Voltaje de juntura
Vj = V - rs I
Para V < 0 Þ I = IS e Λ (V - rs I ) - 1 + g L V ( )
Λ
Λj= para 1< η < 2
η
- Λ j ( V1 - rS I1 ) - Λ j ( V2 - rS I 2 ) - Λ j ( V3 - rS I 3 )
æ ö æ ö I S = I1e = I 2e = I 3e
(V3 - V2 )lnçç I 2 ÷÷ - (V2 - V1 )lnçç I3 ÷÷
rS = è I1 ø è I2 ø CT =
C To
γ
æ ö æ ö
(I3 - I 2 )lnçç I 2 ÷÷ - (I 2 - I1 )lnçç I3 ÷÷ æ
ç1 - V
ö
÷
è I1 ø è I2 ø ç V ÷
è φ ø
æI ö
ln çç 2 ÷÷ Si 4 = Difusión doble
Λj= è I1 ø
(V2 - V1 ) - rS (I 2 - I1 ) Ge 1 = Arsénico de galio
VÆ = Voltaje de contacto

Los parámetros de los circuitos de modelos del diodo, vienen dados por:
1
ï
g j = Λ j (I + I S )í
[
ì 1 + (ωτ )2
e ]
1
2 ü
ï
+ 1ý
2
ïî 2 ïþ
1
ï
C D = Λ j (I + I S )í
[
ì 1 + (ωτ )2
e ]
1
2 ü
ï
- 1ý
2
2
ïî 2ω ïþ
Vn2 = 4KTrS ∆f
I n2 = 4KTg j ∆f
2qI 2 ∆f
I fn2 =
Qf f
Donde: CT = Capacidad de transición, aparece en el momento en que se cambia la polaridad.
CD = Capacidad de Difusión, aparece cuando no se ha alcanzado el voltaje de arranque.
CP = Capacitancia parásita, ocasionada por la juntura.
LS = Efectos inductivos en el diodo.
Vn = Voltaje de arranque = Vj
RS = Resistencia dinámica.
g = Factor dado por el fabricante.
Lj = Resistencia de juntura.

Datos técnicos de los diodos 1N4007 y AAZ15.-
DIODO MATERIAL IS [A] h rs [W ]
1N4007 Si 4 1.19*10-11 1.35 5.54*10-2
AAZ15 Ge 1 4.36*10-6 1.86 1.1
DIODO g L [1/W ] CTo [pF] VÆ [V] g
1N4007 3*10-10 23 - 0.45
AAZ15 8*10-8 4.2 0.01 0.5
Vb en IRB Rq jc
DIODO Cp [pF] tff [ns] trr [ns] IF (max) PD(max)
[V,m A] [K/watt]
1N4007 - 0.24 3.9 1000,10 - - 75
AAZ15 0.3 - 350 75,12 0.14 0.13 450
Comentarios: Subminiatura; propósitos generales; gold, Bonded

Capacitáncia de transición o de difusión
1
Xc =
2ππf
Cuando el diodo está polarizado inversamente, aparece la capacitancia de transición CT o de

vaciamiento.
Cuando el diodo está polarizado directamente, aparece la capacitancia de difusión o de

almacenamiento.
Tiempo de recuperación en sentido inverso trr

3. APLICACIONES DE LOS DIODOS EN LOS CIRCUITOS
3.1 Circuitos Cortadores
Se utiliza el diodo en dos alternativas, fijando niveles máximos y/o fijando niveles mínimos,
de la señal de salida, tomando como referencia una tensión previamente fijada.
3.1.1 Circuito Fijador a Nivel Máximo
Ejemplo.-
La salida del circuito se denomina Vo
Si Vi > V Þ D esta polarizado directamente. (D es cortocicuito). Þ Vo =V.
Si Vi < V Þ D esta polarizado inversamente. (D es circuito abierto). Þ Vo =Vi.
Curva de transferencia:
Señales de entrada y salida:

Un circuito alternativo para lograr la misma respuesta es:
Si Vi > V Þ D esta polarizado inversamente. (D es circuito abierto). Þ Vo =Vi.
Si Vi < V Þ D esta polarizado directamente. (D es corto circuito). Þ Vo =V.
3.1.2 Circuito Fijador a Nivel Mínimo
Ejemplo.-
La salida del circuito se denomina Vo
Si Vi > V Þ D esta polarizado inversamente. (D ca). Þ Vo =Vi.
Si Vi < V Þ D esta polarizado directamente. (D cc). Þ Vo =V.

Un circuito alternativo para obtener la misma respuesta es:
Si Vi > V Þ D esta polarizado directamente. (D cc). Þ Vo =Vi.
Si Vi < V Þ D esta polarizado inversamente. (D ca). Þ Vo =V.
3.1.3 Circuitos Conformadores de Onda
Utilizando diodos se puede implementar un circuito que en un curva característica (V-I)

simule una función matemática.
Por ejemplo, veamos un circuito que simule la ecuación:
x = y2
Este se realiza por tramos, por ejemplo supongamos cuatro tramos; el circuito de análisis es
el siguiente:
A B C D
1
G=
R

Se debe obtener la relación entre Vi e ii.
· Cuando Vi < V Þ D1, D2 y D3 estan polarizados inversamente. (Circuito abierto).
\ii = GVi , esto es válido desde Vi = 0 a Vi = V, con ii = GV (I).
·Cuando V < Vi < 2V Þ D1 se polariza directamente (corto circuito), D2 y D3 están

polarizados inversamente. (Circuito abierto).
En el nudo A:
i i = I1 + I 2 (1) ü
ï i = GVi + 2G (Vi - V )
I1 = GVi (2) ý i
i i = 3GVi - 2GV (4 )
I 2 = 2G (Vi - V ) (3)ïþ
En base a la ecuación (4) se realiza el siguiente análisis:
a) Si Vi = V
ii = 3GVi – 2GVi
ii = GVi Þ ii = GV (II)
b) Si Vi = 2V
ii = 3GVi – 2GVi/2
ii = 2GVi Þ ii = 4GV (III)
· Cuando 2V < Vi < 3V Þ D1 y D2 se polarizan directamente (Cortocircuito) y D3 se

polariza inversamente (Circuito abierto).
En el nudo B:
i i = I1 + I 2 + I 3(1) ü
I1 = GVi (2) ïï i i = GVi + 2G (Vi - V ) + 2G (Vi - 2V )
ý
I 2 = 2G (Vi - V ) (3)ï i i = 5GVi - 6GV (5)
I 3 = 2G (Vi - 2V ) (4 )ïþ

En base a la ecuación (5) se hace el siguiente análisis:
a) Si Vi = 2V
ii = 2GVi Þ ii = 4GV (IV)
b) Si Vi = 3V
ii = 3GVi Þ ii = 9GV (V)
· Cuando 3V < Vi Þ D1, D2 y D3 se polarizan directamente (Cortocircuito).
En el nudo C:
i i = I1 + I 2 + I 3 + I 4 (1) ü
I1 = GVi (2) ïï
i = GVi + 2G (Vi - V ) + 2G (Vi - 2V ) + 2G (Vi - 3V )
I 2 = 2G (Vi - V ) (3)ïý i
i i = 7GVi - 12GV (6)
I 3 = 2G (Vi - 2V ) (4)ïï
I 3 = 2G (Vi - 3V ) (5)ïþ
En base a la ecuación (6) se hace el siguiente análisis:
a) Si Vi = 3V
ii = 3GVi Þ ii = 9GV (VI)
b) Si Vi = 4V
ii = 4GVi Þ ii = 16GV (VII)
Tomando en cuenta las ecuaciones coincidentes en un punto para Vi :
I Û II Þ ii = GV para Vi = V
III Û IV Þ ii = 4GV para Vi = 2V
V Û VI Þ ii = 9GV para Vi = 3V
VII Þ ii = 16GV para Vi = 4V

La ecuación genérica es:
2
æV ö
i i = GVç i ÷
èVø
Graficando resulta:
3.1.4 Fijador de Voltaje
τF = (R d + R s )C
R d = Resistenci a del diodo
R s = Resistenci a de la fuente
\ τF ¯

Vs>0 D conduce, C Carga a Vp Þ Vo @0
Vs<0 D no conduce, Þ Vo=-2Vp =Vi-Vp =-Vp -Vp =-2Vp
3.1.5 Fijador de Tensión Negativa
Vs>VB D Conduce, C carga a Vp -VB´; con VB´=VB+Vg
Vs<VB D no Conduce, C se descarga por tL = RRC ; para evitar media distorsión: tL>>T/2
Rd
dV = Voltaje de descarga Þ VB´ = δV
Rd + Rs

El voltaje carga es t=Rdc el cual es rápida.
3.1.6 Conversión de Onda Triangular a Senoidal
El siguiente circuito, convierte una onda triangular en una onda senoidal en siete segmentos
con un error de 2% por distorsión de armónicos.
q1 q2 q3 q4
300 550 750 900

La onda senoidal a inscribirse en la triangular debe cumplir:
θ 1 VTmax
Vsm =
90 o senθ 1
Donde: VTm : Voltaje pico de la onda triangular = 15
Vsm : Voltaje pico de la onda senoidal = 10
Vsm senθ i Ro
La pendiente de cada segmento : S = =
VT (θ i ) R + Ro
S Vsm senθ i
Ro = Resistencia paralelo de cada segmento: R o = =
1 - S VT (θ i ) - Vsm senθ i
Para este ejemplo, Vo = 5V, q1 = 30o , R2 = 8.1 R, D2 conduce.
Para el segundo tramo: D3 conduce, Vo = 8.19V, q2 = 55o , R3 = 5.85 R; R3 ½½R2 =3.4R.
D4 conduce con Vo = 9.66V, q3 = 75o , R4 = 5.57 R, el cuarto y segmento final.
3.1.7 Discriminador de Ondas
Donde: Vc = Tensiones de comando.
Vs = Señal a discriminar.
1) Si en A=+Vc
B=-Vc
D1, D2, D3, D4 están polarizados directamente, el potencial de P1 es igual al potencial de

P2, esto sucede durante el tiempo Tc, por lo que Vo =Vs.
2) Si en A=-Vc
B=+Vc
D1, D2, D3, D4 están polarizados inversamente, los diodos son circuitos abiertos, esto
sucede durante el tiempo Tn , por lo que Vo =0.
3.2 Rectificadores
Los diodos se pueden utilizar para la conversión de señales AC con valor medio nulo, en
señales DC.
Existen Dos clases de rectificadores: el rectificador de media onda y el rectificador de onda

completa, llamados así debido a la forma de onda que se presenta en su salida.
3.2.1 Características de los Rectificadores
Todo rectificador, posee las siguientes características:
a) Corriente y tensión DC.

b) Potencia disipada por la carga Pcc (Salida).
c) Potencia suministrada Pac (Entrada. Del transformador).
d) Rendimiento n.
e) Factor de ripple o rizado.
f) Tensión de pico inverso.
g) Regulación.

3.2.2 Rectificador de Media Onda
Señal de entrada: Vi = Vm senωe
El valor medio de esta señal periódica es CERO.
Del circuito:
Vi = Vd + Vo
con Vd = irf
Vo = iR L
Vi
Vi = irf + iR L Þ i =
rf + R L
Reemplazando Vi :
Vm
i= senω t
rf + R L
de la figura de ondas resulta:
Vm Vm
1) i = senω t = I m senω t en 0 £ wt £ p
rf + R L rf + R L
2) i = 0 en p £ wt £ 2p

Esto se repite en forma periódica, la tensión de Vo tiene la misma forma de onda que la
corriente i.
Por la forma de onda, la ecuación del inciso 1) tiene valor medio distinto de cero.
Haciendo el desarrollo de la onda según la Serie de Fourier, se tiene:
Vm Vm 2V 2V
Vo = + senω t - m cos2ω t - m cos4ω t - × × ×
π 2π 3π 15π
El primer término es la componente de valor medio o componente de continua.
Ahora determinaremos las características o especificaciones del rectificador de onda media:
1 Corriente y Tensión DC
2π π 2π
1 1 1
I cc = ò i(t )dω t = ò I m senω t dω t + I m senω t dω t
2π 0 2π 0 2π òπ
144 42444 3
0
Vm
Donde: I m =
rf + R L
π
1
I cc = I m senω tdωt
2π ò0
π
Im I æ ö
I cc = - cosω t = - m ç cosπ
{ - cos0
{÷
2π 0 2π è -1 1 ø
Im Vm
I cc = o I cc =
π (rf + R L )π
Vcc = I cc R L
Im
Vcc = RL
π
Vm
Þ Vcc = RL
π(rf + R L )

2 Potencia de corriente continua suministrada a la carga
2
Pcc = Vcc I cc = I cc RL
Vm2
Pcc = 2
RL
π 2 (rf + R L )
3 Potencia total de entrada al circuito
Pca = I ef2 (rf + R L )
2π 2π
1 2 1
I ef = i (t )dω t = I 2m sen 2 ωtdωt
2π ò0 2π ò0
1 1
Pero sen 2 ωt = - cos2ω t y los límites de integración se reducen al intervalo de 0 a p,
2 2
entonces:
π
1 2 é1 1 ù 2
I ef = ò I m ê - cos2ω tdωt ú dω t ×
2π 0 ë 2 2 û 2
I 2m é π 1 π
1 ù
I ef = ê ò dω t - ò cos2ω td (2ω t )ú
2π ë 0 2 0
4 û
π π
I 2m é ωt 1 ù I 2m é π æ 1 1 öù
I ef = ê - sen2ω t ú = ê - çç sen2π
123 {÷÷ú
- sen0
2π ëê 2 0 4 0úû 2π êë 2 è 4 0 4 0 øúû
Im
\ I ef =
2
I 2m I 2m
Pca = (rf + R L ) ® Pca = 2
(rf + R L )
4 4(rf + R L )
Vm2
Pca =
4(rf + R L )

4 Rendimiento o eficiencia de Rectificación
Potencia de salida P
η= × 100% = cc × 100%
Potencia de entrada Pac
Vm2
Como Pcc = 2
RL
π 2 (rf + R L )
Vm2
y Pac =
4(rf + R L )
Vm2
2
RL
π 2 (rf + R L ) 4 RL
η= × 100% = 2 × 100%
Vm2
π (rf + R L )
4(rf + R L )
40.6
\ η= % Si RL>>rf Þ rf / RL®0; \ η = 40.6%
rf
1+
RL
5 Factor de Ripple (Rizado o zumbido)
Valor eficaz de las componentes de alterna en la carga

FR =
Valor medio en la carga
En ambos casos se refiere a la señal de salida.
I ef V
FR = % = ef %
I cc Vcc
En la resistencia de carga RL, circula una corriente continua, superpuesta con una
componente de alterna i´ por lo que:
i=Icc + i´
Nos interesa el valor eficaz de i´:
i´ = i-Icc
Donde: i = Corriente de alterna entregada en el secundario del transformador.
Icc = Componente continua o valor medio de la señal.
i´ = Componente de alterna de la señal en la carga.

De la definición de valor eficaz:
2π
1 2
I ef ´=
2π ò (i´) d(ωt )
0
2π
1 2
I ef ´=
2π ò (i - I ) d(ωt )
0
cc
2π
1
ò (i )
d(ωt )
2 2
I ef ´= - 2iI cc + I cc
2π 0
De la ecuación se ve que:
2π
1 2
I ef ´= i d(ωt )
2π ò0
2π
1
I cc = id (ωt )
2π ò0
\ I ef ´= I ef2 - 2I cc
2 2
+ I cc
I ef ´= I ef2 - I cc
2
I ef2 - I cc
2
I ef2
\ FR = = 2
-1
I cc I cc
Im
I ef =
2
I 2m
FR = 4 -1 = (1.57 )2 - 1
I 2m
4
FR = 1.21
Este resultado nos indica que la componente de ALTERNA es MAYOR que la de

CONTINUA.

6 Tensión de pico inverso (VIP)
Es la tensión que se presenta en el diodo cuando está polarizado inversamente.
VIP = Vm
7 Regulación
Tensión sin carga - Tensión a plena carga

Reg (% ) = × 100%
Tensión a plena carga
Se refiere a valores en la salida.
Vm
Tensión sin carga =
π
Vm R L
Tensión a plena carga =
π rf + R L
Vm Vm R L
-
π π rf + R L
Reg (% ) =
Vm R L
π rf + R L
rf
Reg(% ) = × 100%
RL
La regulación óptima se da cuando Reg®0
3.2.3 Rectificador de Onda Completa con Dos Diodos

El transformador con derivación central, nos proporciona dos señales de tensión desfasadas
en 180o , como se aprecia en el diagrama de señales, razón por la cual, este rectificador también
recibe el nombre de rectificador Bifásico.
Vi = Vm senω t
Vi = irf + iR L
Vi Vm
i= = senω t
rf + R L rf + R L
Vm
donde: I m =
r f + RL
Del diagrama de ondas resulta:
1) i = I m senω t para 0 £ ω t £ π
2) i = I m senω t para π £ ω t £ 2π
La corriente en la carga tendrá la misma forma de onda que la tensión en la carga, por lo que
la corriente en la carga tendrá la forma de las ecuaciones 1) y 2).
Haciendo un desarrollo en serie de Fourier de la forma de onda resulta:
2Vm 4Vm 4V 4V
V= - cos2ω t - m cos4ω t - m cos6ω t - × × ×
π 3π 15π 35π
El primer término es la componente de continua y es el doble que en el caso del rectificador

de media onda.

1 Corriente y Tensión DC
2π π 2π
1 1 1
I cc = ò i(t )d(ω t ) = ò I m senω t d(ω t ) + ò I m senω t d (ω t )
2π 0 2π 0 ππ
2I m 2Vm
\ I cc = o I cc = RL
π π (rf + R L )
Vcc = I cc R L
2I m
Vcc = RL
π
2Vm
Vcc = RL
π(rf + R L )
2 Potencia de corriente continua suministrada a la carga
Pcc = Vcc I cc = I cc2 R L
4 Vm2
Pcc = RL
π 2 (rf + R L )2
Por lo que se ve que es cuatro veces superior que el rectificador de media onda.
3 Potencia total de entrada al circuito
Pac = I ef2 (rf + R L )
2π
1 2 I
como I ef = ò i (t )d(ωt ) = m
2π 0 2
I 2m
Pac = (rf + R L )
2
Vm2
Pac =
2(rf + R L )

4 Rendimiento o eficiencia de rectificación
4 Vm2
RL
Pcc π 2 (rf + R L )2
η= × 100% =
Pac Vm2
2(rf + R L )
81.2
η= %
rf
1+
RL
5 Factor de Ripple (rizado o zumbido)
I 2m
FR = 2 -1
4I 2m
π2
FR = 0.48
6 Tensión de pico inverso (VIP)
Del circuito se ve que: VIP = 2Vm
3.2.4 Rectificador de Onda Completa Tipo Puente
Este rectificador, es también monofásico y todas las ecuaciones para el cálculo de sus
características o especificaciones del rectificador bifásico o de dos diodos son válidas para este, con
excepción del voltaje de pico inverso PIV que resulta ser la mitad del anterior.
PIV = Vm

3.3 Circuito Doblador de Corriente
Existen aplicaciones de circuitos con diodos que permiten obtener tensiones mayores que las
de entrada.
Vi = Vm senω t
1. Durante el semiciclo positivo:
D1 se polariza directamente.
D2 se polariza inversamente.
\C1 se carga a Vm ® VC1 = Vm
2.- Durante el semiciclo negativo:
D2 se polariza directamente.
D1 de polariza inversamente.
\C2 se carga a Vm ® VC2 = Vm

3.- La tensión sobre la carga RL, Vdc es prácticamente la suma de los voltajes sobre los
condensadores:
Vdc = VC1 + VC2

Vdc = Vm + Vm
Vdc = 2Vm
4. FILTROS PARA RECTIFICADORES
4.1 Filtro RC
4.1.1 Filtro RC para Rectificador de Media Onda
1
jω C 1
Von = VLn = VLn
1 1 + jω RC
+R
jω C
1
Von = VLn
2
1 + (nω o RC )
100
Si RC = R >> R L
ωo
VLn
Þ Von @
100n

1 1 2 2
Si la salida VLn = VLm æç + cosω t + cos2ω t - ö
cos4ω t ÷
è π 2 3π 15π ø
Por superposición:
æ1 1 2 1 ö
Von = VLm ç + cosω o t + cos2ω o t - cos4ω o t÷
è π 200 300π 3000π ø
Tensión de ondulación:
æ 1 1 1 ö
Vr = VLm ç cosω o t + cos2ω o t - cos4ω o t + × × × ÷
è 200 300π 3000π ø
1
æ 1 2π ö 2
VLm 1 1 VLm
Vref = çç ò Vr (ω o t )d (ω o t ) ÷
÷ = 2
+ 2
@
è 2π 0 ø 2 (200) (300π ) 280
Vref π
\ = @ 0.011 = FR
VLdc 280
4.1.2 Filtro para Rectificador de Onda Completa
æ2 4 4 ö
VL = VLm ç + cos2ω o t - cos4ω o t + × × × ÷
è π 3π 15π ø
4VLm æ 1 1 ö
Si ω o RC = 10 Þ Vr = ç senωe - sen4ωe + × × × ÷
3π è 200 2000 ø
V
Vref = Lm
210π
V
Þ FR = ref = 0.0024
VLdc
Tensión en vacio - Tensión a plena carga

Regulación =
Tensión a plena carga

4.2 Filtro LR para Rectificador de Onda Completa
Determinación de los parámetros para onda completa.-
æ2 4 ¥ cos2nω t ö
v = Vçç - å ÷÷
è π π n =1 (2n + 1)(2n - 1) ø
2V 4V cos(2ω t )
i= - 1
Considerando la segunda armónica
(
πR 3π R 2 + 4ω 2 L2 ) 2
2ω L
tgΦ = i = corriente instantanea en la carga
R
2 1
FR = r = 1
3 æ 4ω 2 L2 ö 2
çç1 + ÷÷
è R2 ø

4.3 Filtro Capacitivo
I∆ t
∆V =
C
Vdc
I=
R
ω = 2π f
Dt = Tiempo de descarga
DV = Voltaje de ripple, aproximadamente triangular.
∆V π
FR = =
Vdc ωR C
To 1 1 π
Para media onda: ∆t = ; fo = Þ ∆t = =
2 To 2f o ω o
To 1 1 π
Para onda completa: ∆t = = Þ ∆t = =
4 4f o 4f o 2ω o

5. DIODOS ZENER
5.1 Regulador con Diodo Zener
En RS se incluye la resistencia interna ( Ri ) de la fuente y RS , este resistor se pone para

limitar la corriente D.C. en el diodo, para evitar una disipación excesiva de potencia y para
estabilizar V0 frente a variaciones de Vi .
Como v0 representa la variación de V0 , esta componente de alterna debe ser pequeña y se

debe obtener en función de RS , rz , RL ; por lo que definimos el factor de estabilización K S .
V0
KS =
Vi
Del circuito V0 :
rz + RL
V0 = ii
rZ RL
æ r + RL ö
Vi = ii çç RS + z ÷÷
è r R
Z L ø
Por lo tanto:
rz + RL rz + RL
ii
rZ RL rZ RL
KS = Þ KS =
æ r + RL ö r + RL
ii çç RS + z ÷ RS + z
è rZ RL ÷ø rZ RL
rz + RL
De la ecuación K S se deduce que V0 será reducida si RS es grande frente a , así
rZ RL
mismo rZ < RL ; por lo tanto:
rZ
KS =
RS

Para tener un buen factor de estabilización, se debe seleccionar un RS con valor grande y rz
con valor pequeño.
En el circuito de a.c. se deduce la impedancia de salida Z 0 como el cociente entre V0 e ii

resultando:
v0 Rr
Z0 = = S Z
ii RS + rz
Por lo tanto: Z 0 @ rZ
5.2 Diseño de regulador con diodo Zener
El problema se reduce a establecer una cierta tensión de salida y mantenerla dentro de ciertos
límites, no obstante la variación de la tensión de línea (a.c.) y la carga RL , los datos de los que se
parte son:
* Vi min = V - V im
* Vi max = V + V im
Las exigencias de la corriente de carga:
· I L min
· I L max
Y las tensiones de salida:
· V o min
· V o max
El problema consiste en especificar Y z ,V z Y la disipación de potencia P z y

determinar R s .

Las peores condiciones en el regulador se dan en los siguientes circuitos:
Del circuito A resulta:
Vi min = I Rs + V o min
Como
I = Iz min + I Lmax
Resulta:
Vi min = (Iz min + I Lmax) Rs + V o min 1

Del circuito
Iz min = V o min - Vz
rz
De la ecuación uno
V o min = Vi min - (Iz min + I Lmax) Rs
V o min = Vi min - (V o min - Vz + I Lmax) Rs
rz
V o min rz = Vi min rz - V o min Rs + Vz Rs - I Lmax rz Rs
V o min (rz + Rs) = Vi min rz + Vz Rs - I Lmax rz Rs
Rs + rz
Rs
V o min = Vi min + rz (Vz - I Lmax rz ) A
1 + Rs
rz
Realizamos las mismas operaciones en el circuito B obteniendoce:
Rs

V o max = Vi max + rz (Vz - I Lmin rz ) B
1 + Rs
rz
Restando la ecuación A de B resulta:
V o max - V o min = Vi max - Vi min + Rs (I Lmax - I Lmin ) C
1 + Rs
rz
En la ecuación C se obtiene dos incognitas Rs y rz para resolver de la ecuación 1

despejamos Rs resultando:
Rs = V i min - V o min D
I Zmin + I Lmax
En esta ecuación se adopta I Zmin = 1 m A o el 10% de I Lmax la que sea mayor por
lo que con la ecuación D se puede calcular el valor de Rs , luego de la ecuación C se
despeja rz resultando:
Rz = Rs .
Vi max - Vi min + Rs(I Lmax - I Lmin ) - 1 E
V o max - V o min
Con la ecuación E se calcula rz

Con la ecuación I Zmin del circuito A se calcula V z
V o min = I Zmin rz + V z
V z = V o min - I Zmin rz F
La máxima disipación en el Zener ocurrirá si se elimina la carga e IL = 0
Pzmax =Izmax2 z + Izmax Vz
Para calcular Izmax se hace en el circuito B RL = ¥
Izmax = Vimax – Vz
Rs + rz
Por lo tanto :
Pzmax = Vimax – Vz (Vimax – Vz rz + Vz)

R s + rz R s + rz
Regulador básico
Dz = 1 N 4733 o similar
I Lmin + Izmax = ILmax + I zmin = I = cte
V imin = Vz + R min (ILmax + I zmin)
V imax = Vz + R max (ILmin + I zmax)
Normalmente I zmax = 2 a 3 veces ILmax; I zmin = 10 % ILmax
Definanse K1 = V imin K2 = V imax

Vi Vi
Por lo tanto V in = Vz ( ILmin + I zmax) - (ILmax + I zmin) .
K1(ILmin + I zmax) - K2(ILmax + I zmin)
Variación 10 % K1 = 0.9 K2 = 1.1
R min= K 1 V i - Vz
(ILmax + I zmin)
R max= K 2 V i - Vz
(ILmin + I zmax)
P zmax = I zmax2 Vz
PARAMETROS BÁSICOS DEL FOTO DETECTOR

Se divide en :
1.- Detector térmico; la radiación es absorbida y transformada en calor.
2.- Detectores cuánticos, que responden a los fotones incidentes
a) Fotocuantivo cuando los fotones liberan electrones del espín
b) Fotoconductivos es la conductividad del fotosensor que basa en la luz

incidente
i) Fotoconductores intrínsecos fotoreceptores
ii) Fotoconductores dopados fotodiodos

c) Fotovoltaicos que generan una tensión al incidir la luz ejm: células
solares
Fotoconductores de una pieza
Para liberar un fotón se requiere de 0.2 a 3 ev dependiendo del material.
Una radiación de 4000 a 60000 amstrogns
ejm: foto conductores C.d.s
Fotodetectores
Materiales
Nombre Simbolo Interna de energia

A 300º K en ev
Sulfuro de cadmio Cds 2.4
Arseniuro de galio GaAs 1.4
Silicio Si 1.1
Germanio Ge 0.7
Arseniuro de indio InAs 0.43
En el caso del aire n1 = 1 entonces Sen q C = 1/ n2
Ejm: diodo led GaAs n = 3 .4 Para q > 17º no sale la luz del cristal receptor
Io = Int. De luz incidente

A = Coeficiente de abstracción critico
X = Distorción reconocido en el material
DIODOS EN SERIE
Determinar Vo e Io del siguiente circuito en serie:
Si rf 1 + rf 2 << 5.6 KW
ID = 12 –1 mA. = 1.96 mA.
5.6
Vo = 12 –1 = 11 v .
/ TK
ID = Is ( e KV –1) K = 11.600/n n = 1 Ge
n = 2 Si
/
1/ rf = d ID . = Isk eKV TK Is =corriente de saturación
dV TK Tk = Tc = 273 º

rf = 26 mv.
ID
DIODOS EN PARALELO
Determinar Vo, Ii, ID e IDZ de la configuración paralelo
Vo =0.7 V I = ID1 + ID2
I = 10 - 0.7 = 28.18 mA
0.33 K
Si D1 = D2 › ID1 = ID2 = I/2 = 14.09mA
Determine la forma de onda de salida para la red de la figura y calcule :
a) Tensión dc de salida.
b) Corriente dc de salida.
c) Potencia de entrada al circuito.
d) Potencia de salida del circuito.
e) Rendimiento.
f) Voltaje de Riple eficaz de salida.
g) Tensión inversa de cresta de cada diodo.

Si D1 conduce, entonces D2 no conduce.
a) Vdc = 2Vm = 10 = 3.18 V ; Vom = 5 V
Π Π
b) IDC = Vdc = 3.18 mA
2K 2
c) Vin = 10; Vef = 10
Pac = Vef 2 / R › R = 4 K // 2K

d) Po = V dc * I DC = (3.18)2 mW
η = P dc x 100%
P ac
f) V ref = Vo
h)PIV = Vom = 5 V.
EJEMPLO
a) Determinar el rango de Rc e Ic para que V RC sea constante e igual a 10 v.
b) Determinar la potencia máxima del diodo como regulador
a) RLmin = Rs Vz = 10 K Ω = 250 Ω
Vi – Vz 50-10
I Lmax = Vz / RLmin = 40 mA ( considerando que Izmin = 0 )

VRS = 50 – 10 = 40 I R = 40 mA
Izmin + IL min = IR › I Lmin = 40 – 32 = 8 mA
R Lmax = Vz / ILmin = 1.25 K Ω
c) Pzn = Vz Izm = 320 mW
DIODO ZENER
1N961
voltaje zener corriente de impedancia corriente voltaje de corriente de
Vz nominal prueba Izt dinámica inversa prueba regulador
(V) ( mA) (mA) (µA) ( VR ) (mA)
10 12.5 700 10 7.2 32
Vz = 10 +- 20 % = 8 a 12 V diodo al 20%

Tc = ∆ Vz % /°C
Vz ( T1 – T0)
Ejemplo : Determinar el voltaje nominal del diodo Zener 1N961 a T = 100°C
∆Vz = (0.072)(10)(100-25) = 0.54 V
100
› Vz = VZT + ∆Vz = 10.54 V
APLICACIONES DIODO ZENER
Vi fijo RL variable
VL = Vz = Vi Rs › RL min = Rs Vz
Rs + RL Vi – Vz
Esto es D Izmin RL ILmax D casi conduce › ILmax = Vz
RL
Cuando D Izmax RL ILmin D conduce

VRs = Vi – Vz Irs = VRs/ Rs Iz = IR - IL
› ILmax = IR - I zmin
RLmax = Vz / ILmin
RL fijo , Vi variable
Si D, I zmin
VL = Vz = RL Vi › Vimin = ( RL + Rs ) Vz
RL + Rs RL
Vi es max si I zmin ; D conduce :
Izmin = I R – IL › IRmax = Izmin + IL
Vimax = VRsmax + Vz = IRmax Rs + Vz
Ejemplo : Determine el margen de valores de Vi que mantiene en estado de

conducción el diodo zener
Vimin = (1.2 + 0.22 ) 20 = 23.67 V
1.2 K
IL = 20 = 16.67 mA
1.2 K

IR max = Izmin + IL = 76.67 mA
Vimax = 0.22 K x 76.67m + 20 = 36.87 V
DIODO CONECTADO ESPALDA –ESPALDA
VZ1 = VZ2 = 10 V
Ciclo positivo DZ1 conduce polarización directa
DZ2 conduce polarización inversa (avalancha)
Ciclo negativo DZ1 conduce polarización inversa (avalancha)
DZ2 conduce polarización directa
DIODOS VARACTORES (VARICAP)
CT = f (voltaje inverso aplicado a la juntura p-n)
Wd = Ancho región de raciamiento

› CT = ε A ε = permitividad
Wd A = Área de la unión p-n
CT = K r = Cte. del semiconductor
(VT + Vr)n VT = Potencial de contacto.
Vr = Voltaje de polarización aplicada.
η = 1/2 diodos unión de aleación
η = 1/3 diodos unión de difusión
diodos BB 19 Varactor VHF/FM
Símbolo caracteristicas MIN TIPO MAX unidad Condición de prueba
VR Voltaje de ruptura 30 V IR = 100µA
IR corriente inversa 10 80 nA VR = 28 V
0.1 0.5 µA VR = 28 V TA =60°C
C Capacitancia 4.3 29 6.0 pf VR=25 V; f = 1M
C3/C25 Razón de capac. 5.0 5.7 6.5 pf VR=3/25 V; f = 1M
Q Factor de merito 150 V R=3 V; f = 1M
Rs Resistencia serie 0.35 Ω C= 10 pF ; f=600M
Ls Inductancia serie 2.5 nH 1.5 mm
fo Frecuencia de 1.4 GHz VR=25 V

resonancia
FOTODIODOS
Unión polarizada inversamente

Λ = c/f c = 3 x 108 m/s
Λ = (mts)
f = (Hz)
Diodo Emisor de Luz = LED
Es una unión por polarización directamente.
Se generan fotones enriquesidos las uniones con otros materiales
TERMISTOR
Resistencia con coeficiente negativo no es un diodo de unión y se construye de

SiGe con mezcla de oxidos de cobalto o niquel.
CIRCUITO DE POLARIZACIÓN DIRECTA

I = Is (e V/KT/q – 1)
V/KT/q
δI = Is e = gf
δV KT/q
rf = δV = KT / q ‹ también I = Is e V/KT/q Para T = 300°K
δI I rf = 25 mV
CIRCUITO DE POLARIZACIÓN INVERSA
Perforación del diodo denominado roptura por avalancha
CAPACIDAD DE TRANSMICIÓN DE LA UNIÓN

R1 sube para limitar la corriente por el diodo D.
R1 alto para zener alto Q.
La región vacía es un aislador perfecto ya que esta hace de portador de carga, por
lo cual puede considerarse sin dielectrico de un condensador. Las regiones que limitan la
región vacía tienen buena conductancia debido a la presencia de portadores de carga, por
lo que pueden ser comparadas a las placas de un condensador; luego el ancho de la
región vacía con el voltaje inverso por lo tanto se tiene un capacitor que se vacía con la
tensión.
Lp = 2ε( φ0 – V)
q NA ( 1+ NA )
ND
Ln = 2ε( φ0 – V)
q ND ( 1+ NA )
ND
L = - 2 ( φ0 – V)
εo
ancho de la carga espacial
l= 2ε( φ0 – V) ( 1 + 1 )
ND NA

Cj = - d Q = - d Q - dl
dV dl dv
dl = - ½ [ 2ε ( φo – V)( 1 + 1 )]-1/2 2 ε( 1 + 1 )
dv q ND NA q ND NA
Q = q NA lP por lo tanto Q = q l NA ND
NA + ND
Entonces:
dQ = q NA ND
dl NA + ND
por lo tanto
Cj = ε = ε
2ε (φo – V) ( 1 + 1 ) l
q ND NA
V = Potencia aplicada
φ o= Potencia de contacto
Diodo varactor

Cj α 1 3 < Cj< 100 pF diodos tipo aleación
V1/2 Cj< 1 pF puntas de contacto
Capacidad de difusión
Supongamos que en un diodo se tiene el material p mas dopado que el n si

polarizamos directamente los huecos se difunden hacia el material n antes de
recombinarse con los electrones, por lo tanto ahora se polariza inversamente.
Se ve que I no cae directamente a Is si no que debe existir un intercambio

comprensible para llegar a Is..
En el instante en que se aplica polarización inversa la región n es rica en agujeros

inyectados por la región p, los cuales deben ser arrastrados retrocediendo para difundirse
a través de la unión antes que I llegue a Is por lo tanto la región n momentaneamente
aparece como un depósito de huecos por lo que este efecto puede ser considerado un
condensador llamado capacidad de difusión.
Circuito equivalente del diodo:
Rf KTq = resistencia de difusión o directa.
RL = Resistencia de perdida
En polarización directa Cd >> Cj : RL >> rf
En polarización inversa Cj >> Cd en inversa RL

Polarización directa polarización inversa
rB = rD + rN
APLICACIÓN A ELECTRÓNICA LINEAL (RECTIFICACIÓN)
Características de los rectificadores

CIRCUITOS RECTIFICADORES
A) Circuito rectificador de media onda.
Por Fuorier:
Vo(t) = a0/2 + Σan cos(nωt) + bnsen(nωt)

ao = 2/T Vo(t)dt an = 1/T Vo(t) cos(nωt)dt bn = 1/T Vo(t) sen(nωt)dt
por lo tanto:
Vo = Vm [1/n + ½ senωt – 2/πΣ cos2nωt ]

(2n+1)(2n-1)
Valor medio = Vo(t) = 1/T Vo(t) dt = a0 /2
Por lo tanto
Máximo valor dc. = Vo(t) = Vdc = Vm/π
Factor de forma F = VoRms = Vm/2
VDC
Por lo tanto: F = π/2
Eficiencia del rectificador:
ηr = Pdc Pdc = Vdc2/RL Pac = Virms2/RL
Pac
ηr = Vdc2 = Vm2/π 2 = 4
Virms2 (Vm2/2)2 π2
ηr = 40.5 %
Ejemplos
1)

Ei = Avpp; f = 1 KHz
Potencial de contacto V 21 = VT Ln NA ND
Ni2
Para si η i = 1.5 x 1010cm -3
NA =ND = 5 x 1015cm -3 VT = KT = 25.9 mV
qc
Vo = 659 mV T = 300°K
VDsi (0.5 a 0.75)V
Par Ge: η i = 2.5 x 1010cm -3
NA =ND = 4.4 x 1015cm -3
Vo = 268 mV T = 300°K
Vo Ge(0.2 a 0.3)V
Polarización directa I = Is(e V/KT/q – 1) Is nA Si
VT = KT/q = 25.9 mV µ A Ge

Si Is = 10 nA
Rf = δV KT/q = 25mV T = 300°K
δI I I I = 5 mA
por lo tanto
rf = 5Ω Vd = 0.7 V
eo= ei = 1 Vpp
2) Si la señal alterna ei = 0.1 cos ωot
a) Hallar el punto de reposo del diodo y la corriente del diodo.
b) Continuar la recta de carga de corriente alterna,
c) Determinar la resistencia dinámica del diodo
d) Calcular VL

IDQ = 1.5 mA VDQ = 1V iD = 2x 10-2 VD2 VD 0
rf = 2.5 0 VD < 0
1.5
VL = 0 cos ω0t 150 .
150 +100
PROBLEMA FIJADOR DE TENSIÓN
t=0 C descargado D conduce
Vo =10 Rf = 5V

Rf + Rs
Rf = Rs
T= 0 C carga Ґc = ( Rs + Rf) = 200µseg T = 200 µ seg
e i = 5 ( 1 – e –T/2Ґ) = 4 V
por lo tanto Vo = 5e–T/2Ґ = 3 V t = T/2 ei = 0 D no conduce
por lo tanto R>>Rs › Vo = - 4V
Ґ = C(R + Rs) = 10000 µ seg > T/2 t = T ei = 10V D conduce
Vc = 4V › Vo = 3V
Vo = 3 e –T/2Ґ = 1.8V
Por lo tanto Vc = -6.4 V
Circuito básico de un diodo capacitivo
Receptor sintonizado por medio de un diodo varactor
Una variación de lo anterior

FIJADOR DE TENSION
Determinar Vo para la entrada indicada:
Sol. t1 = 0.5 ms. t2 = 1ms.
Se analiza en t1 < t < t2 donde Vi = -20 v. Por lo tanto D conduce
-20 + Vc – 5 = 0 entonces Vc = 25 v. Entonces Vo = 5v.
En t2 < t < t3 Vi = 10 v. Entonces D no conduce Vo = 35 v.

t = Rc = 10 ms.
Tiempo de descarga total = 50 ms. = 5t >> T/2 entonces la salida permanece

identica

PROBLEMA.- en un circuito rectificador de onda completa con filtro RC se usa para

suministrar una tensión DC; Edc a una resistencia RL ; con un filtro de capacitancia C
Calcular:
a) La corriente ac en el diodo.
b) La tensión de salida sobre e C.
c) El valor Edc en la salida del filtro
d) La variación de la tensión de rizado.
e) Factor de rizado
f) La I b max en el diodo.
Sol.-

Si conducen D1 o D2 θ1 ωt θ2
› ib = iR + iC iR = ec /RL ic = C d ec
ec = Em sen ω t dt
› ib = Em sen ω t + Em ω c cos ωt
RL
Pero si tg θ = ω RLC› sen θ = ωC cos θ = 1/RL
Ib = ωRC [ Em cos ωt + E m sen ωt] (ωRC) 2 + 1
R ωC (ωRC)2 + 1

Ib = E m (ω RLC)2 +1 sen (ω t + Φ)
RL
Φ = tg-1 ωRL C θ1 ωt θ2
En θ2 ωt θ1 + π > ic = - iR
› C dec + ec = 0
dt R
sol.-
ec = Ae-t/RC
si ω t = θ2 › ec = Em sen θ2 con lo cual

e-(ωt – θ2)/WRC
ec = Em senθ2 θ2 ωt π+θ1
en ωt = π + θ1 › D2
Em senθ2 e-(ω t – θ2)/ωRC = Em sen θ1
Sen θ1 = sen θ2 e-(ω t – θ2)/ωRC
Pero Φ= tg -1 ωRC = π – tg-1(-ωRC) = π – θ2
› ib = Em ( ωRC) 2+1 sen (θ2 – ωt ) θ1 ωt θ2
›E dc = 1/π Em sen ωt d ωt + 1/π Emsen θ2 e –(ωt - θ2)

d ωt
ωRC
Edc = Em (ωRC) 2 + 1 ( 1 – cos (θ1 – θ2 )
Pero si ω RC >> 1 › θ1 – θ2 › 0
ib max = Em ( ω RC)2 +1 Em ω C

R
d ec = ER = 1 dq ; dq = Idc
dωt θ 1 + π – θ2 ωC dt dt
ER = ( π + θ1 – θ2) Idc
ωC
valor eficaz de la onda triangular
Eac = ER = ( π + θ1 – θ2) Idc
2 3 2 3 ωC
F.R. = Eac = - π + θ1 – θ2
Edc 2 3 ωC
Ejemplo .- Determinar Edc. PIV, Ibmax, FR para
R = 100 K; C = 100µf f= 50 Hz

ωRC = 3140 > Edc = Em = 2 200 = 280 V
PIV = 560 V
FR = π
2 3 ωRC
FR = 29 x 10 -3
Eef = 280 x 29 x 10 -3
Eef = 81 mV = ER
2 3
› ER = 280.26 mVpp rizada
ibmax = EmωRC
ibmax = 8.7 A
ejemplo .- Hallar Edc , PIV, Ibmax , F.R.

ωRC = 324.7
E1 max = 2 x50 = 70.5
E2max = 2 x 200 = 280
Ґ = RC = 1.035 seg
Ecdesc = 280 e –t/1.035 = 280 e -10-2/1035
= 70.5 V › no conduce D1
› Edc = Emax = 280
PIV D! = 250 2 = 560
Ibmax D2 = ω RC Em = 280 x 324 mA
R 22

I max D1 =0
F.R. = Eef = π = 0.0056
Edc 2 3 (324.7)
Ejemplo.-

Ejemplo ,. Determinar la tensión de salida eo para los siguientes circuitos, como
varía eo siЗ carga RL.
a)
e o = 2 Em doblador de tensión
b)

eo = 2Em doblador de tensión
c) multiplicardor de tensión

Tema N° 2 FUENTES DE ALIMENTACIÓN
2.1 INTRODUCCIÓN
Electricidad control reles
Electrónica dispositivos electrónicos
2.2 DIAGRAMA EM BLOQUES DE UNA FUENTE DE ALIMENTACIÓN
Rectificador filtro regulador carga

FURNTE DE ALIMENTACIÓN no regulada
Transformador
Rect. m. o. R.T.P.
o. c.

Idc = 0.827 Vm/R Vdc = 0.827 Vm =1.117 Vef
Vdc = 1.117 Vrms Ief = 0.838 Em/R
Vrms= Vm/ 3 3 I ef rms = Idc
PIV = 3 Em
Filtro FR = π Filtro RC media onda
ωRC
Filtro LR
FR = R
3ωL 2
· doblador

Reguladores
C. FILTRO CON CAPACITOR
v = Vm (1 – e –t/Ґ)
∆v Vdc ∆t Ґ = RC

∆v = Vdc = ∆t
R C
∆v = Idc ∆t Idc = Vdc
C C
∆t = tiempo de escoya
∆t = T = 1/f = 2π/ω (media onda)
Por lo tanto ∆v = vdc * 2π
R ωC
FR = ∆v = 2π
Vdc ωRC
∆t = T/2 = 1/ 2f = π /ω ( onda completa )
Por lo tanto
FR = π
ω RC
D. FILTRO CON CONDUCTANCIA
v = Vm [ 2/π – 4/ π cos 2nω t sen L
(2n+1)(2n-1)
considerando solo el segundo armónico) ZL si f
i = 2Vm - 4 Vm cos (2ω t – θ)

πR 3π (R2 + 4ω 2L2)1/2
i = valor instantáneo de la corriente en la carga A
FACTOR DE RIZADO FR
FR = vac rms
vdc
Vorms = Vac rms2 + Vac2 por lo tanto Vac rms2 = Vorms2 – Vdc2
FR = Vo rms2 + Vac2 = (Vorms)2 - 1
Vdc Vdc
FR = F2 – 1 = (π /2)2 -1
FR = 1.21

B. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
PIV = 2 Em
vot = Vm [ 2/π – 4/ π cos 2nωt ]
(2n+1)(2n-1)
PIV = Em
ηr =Vdc2 = (V m/π )2 = 8/π2 = 0.81
Vrms2 (Vm/ 2)2
F = Vo rms = Vm/ 2 = π/2 2 =1.11

Vdc 2Vm/π
FR = F2 -1 = 48%
RECTIFICACIÓN DE POTENCIA
Aplicaciones:
Instalaciones electroquímicas, regulación de velde motores de CC, equipos de

soldadura, equipos de calentamiento inductivo y capacitivo, equipos para carga de batería.
Rectificación monofásico, bifásico, trifásico, etc.
Rectificador n fásico de media onda.
M = n° de fase : Vm = valor medio de la tensión de carga.
Vfm = valor máximo de la tensión de fase.
Vf = valor instantáneo de la face.
Rectificador trifásico de media onda
Rectificador hexafásico de media onda.

Rectificador trifásico de onda completa puente trifásico.
ANALISIS DE LOS CIRCUITOS CON DIODOS
1.0 introducción a los diodos: El diodo es el mas sencillo de los dispositivos no

lineales, produciéndose en una amplia variedad, utilizado en varias ramas de la
tecnología. Los cuales incluyen diodos el vacío, a gas, diodos rectificadores metálicos,
semiconductores, tunel , etc.
Estudiando el diodo de unión
Se estudiará sus características, técnicas gráficas, para proporcionar una visión del
funcionamiento del circuito. Las técnicas gráficas incluye análisis con cc y ca.
1.1 Propiedades no lineales – el diodo ideal

Para un diodo ideal se característica es:
Vo > 0 › io › Vo = 0
Vo < 0 › i0 › Vo = Vi
EJEMPLO 1.1 – 1rectificador de media onda. Una de las principales aplicaciones

del diodo es la producción de una tensión continua a partir de una fuente de alimentación
de corriente alterna, proceso llamado rectificación. Un subproducto a veces útil de la
rectificación, consiste es señalar de frecuencias que son múltiples integrales de la
frecuencia de alimentación.
Ri = 1Ω
RL= 9 Ω
a) La tensión se la fuente es senoidal Vi = Vin cos ωot donde Vin = 10 V
Hallar y dibujar la forma de onda de la tensión de carga.
Hallar su valor medio (cc.)
b) repetir (a) si vi = -5 +10 cos ωot
sol) a) Vi = id ri + VD +iDRL
i D = ri – VD = Vin cos ωot Vi > 0

ri +RL ri + RL
0 Vi< 0
› VL = RL iD RL Vin cos ω ot Vi > 0
ri +RL
0 Vi< 0
VLdc = 1/T Vi d (ω ot) = VLm = 9/π = 2.86 V
VL(t)= VLm ( 1/π + ½ cos ω ot + 2/3π cos2 ω ot - 2/15π cos 4ω ot + ...)
O sea el diodo a generado lo continuo mas una serie de armónicos, luego pasa a
eliminar estas se requiere un filtro.
En el circuito un filtro RC pasa bajos si se ajusta tal que RC = 100/ωo y si R>>RL

entonces la amplitud de la tensión de salida Vo a la frecuencia nωo
Von= VLm = VLm n> 1
1+ (nω oRc )2 100 n
para VL2 = 2 VLm = Vo = VL Xc
3π Xc + R
utilizando el principio de superposición, la tensión de salida será:
Vr = VLm ( 1/200sen ω ot + 2/300π sen2 ω ot + ...)

La relación entre el valor eficaz de la tensión de ondulación y la tensión continua es
una medida de al eficacia del filtro en la separación de la tensión atenúa de los armónicos.
Par el filtro RC del ejemplo.
(vr)rs = [ 1/2π [ Vr( ω ot)]2d ( ω ot)]1/2
= VLm/ 2 1/(200)2 + 1/ (300π)2+ ..... VLm/280
(vr)rms π/280 0.011
VLdc
b) Si Vi = 0
- 5 + 10 cos ωot = 0 cos ωot1 = 0.5
ω ot1 =+- π/3
Ejemplo 1.1-2
Rectificador de onda completa. La tensión de ondulaciones en el rectificador de

media onda se debe principalmente a la componente de la señal de frecuencia
fundamental ωo . El rectificador de onda completa de una tensión en la carga que tiene
una modulación cuya frecuencia menor es 2 ω o y además la componente de cc es el
doble. Este tipo de circuito, es el mas eficiente para la producción de tensión continua con
pequeña ondulación.
6.- Cuanto marcará un voltímetro de dc conectado a través de los terminales de

salida
7.- Dibujar un circuito lineal equivalente por tramos para el diodo de las figura.

100
2.4 Análisis de los circuitos simples con diodos
Recta de carga de corriente continua
Circuito rectificador de media onda con diodo real.
El método se base en:
1.- El comportamiento del diodo esta completamente determinado a bajas

frecuencias por su característica de r que generalmente existe en forma gráfica en las
especificaciones de los fabricantes.
2.- Los otros elementos del circuito, siendo lineales pueden ser reemplazados por el
equivalente Thevening unidos en los terminales del diodo.
Elemento no lineal iD = f(vD)

101
Equivalente de Thevening. V D = v t - i D RT
Solución gráfica
Ejemplo VT = 1.5 V RT = 50 Ω
V D = 0.7 V iD = 15mA (Q1) id = 40 mA
Si VT = 2 con Rt cte
Si VT = Vm sen ω t
VTm = 1.5 v

102
2.5 ANÁLISIS DE SEÑAL DEBIL – CONCEPTO DE RESISTENCIA DINÁMICA
La variación total cresta a cresta (excursión) de la señal de corriente alterna es a

menudo en una pequeña fracción de la corriente continua, de de aquí el nombre de señal
débil, utilizandose métodos gráficos.
Del ejemplo
VT = Vdc +Vi > VDC + Vi sen ωt
Donde Vin << VDC
Debido que se realiza un ajuste lineal. Las variables asociadas con los ejes serán:
Corriente : id = iD – IDQ
Tensión : Vd = VD - VDQ

103
Resistencia dinámica rd = ∆ vD
∆ iD
Calculo de rd
iD = Io (evD/26mv/°C - 1 )
rd = ∆ vD = ( Io e vD/26mV)-1 = 26 mV (Ω)
∆ iD 26 mV Io eVD/26mV
Ejemplo.-Hállese utilizando circuitos lineales por tramos la solución simultanea de

las ecuaciones.

104
Y = X2 0<X<2
Y=X 0<X<2
Ejemplo.- Utilizar el resultado anterior par resolver
dx + x2 = f(x)
dt
con x(o) = o y f(t) = 4
Análisis de señal débil recta de carga de c.a.
Vx = 1.5 V R1 = 90 Ω
Vm = 20 mV RL = 200 Ω
ri = 10 Ω C = 100 µ F
ω = 104 rad/seg

105
a) La recta de carga continua
m = -1/(ri +R2 )
b) Recta de carga de alterna
m = - 1/(ri + R1 | R L)
P(IQ,VQ)
Por lo tanto I - IQ = m
V - VQ
a) mcc = - 1/100 = - 10 -2
recta de carga cc Vdc = Idc (ri +R1) + VD
vd = 1.5 V si idc = 0
id = 15 mA si vd = 0
b) mac = - 0.016
I - IQ = m si I = 0 › V =1.215
V - VQ

106
Análisis de señal intensa - distorsión y desplazamiento del punto
Q
iD = 0 VD < 0
VD 0<VD<1
2VD-1 1< VD
a) continua b)

107
1.- Para calcular el valor medio de la distorsión Id
a) Suponer Id1 = IdQ (atenuación de distorsión)
b) Hallar la forma de onda iD1 a partir de la característica de Vi
c) Para calcular el valor medio de la distorsión Id
Id 2 = 1/T iD(t)dt = 1.88/2 = 0.94 A
Si Id2 Id1 › Id = id2
Pero si Id2 Id1
2.43 Un diodo zener tiene una caída de tensión fija de 18 V mientras iZ se

mantenga entre 200 mA y 2 A.
a) Hallar ri de modo que VL se mantenga en el valor de 18 V mientras Vdc puede

variar de 25 a 28 V.
b) Hallar la potencia máxima disipada por el diodo

108
2.44 Para regular la tensión aplicada a un resistor de carga variable se
utiliza un diodo zener de 10v. La tensión de entrada Vi varía entre 10 y 85 mA. La
corriente mínima de el zener es de 15mA
a) Calcular el valor máximo de Vi
b) Calcular la potencia máxima disipada por el diodo zener utilizando este valor de
vi
2.45 La tensión de una fuente de alimentación no regulada varía entre 20 y 25 V y

la impedancia interna de la fuente es de 10 Ω un diodo zener de 10 V debe regular esta
tensión para su utilización en un magnetófono. El magnetófono absorve 30mA mientras
graba y 50mA mientras reproduce
El diodo zener tiene una resistencia de 10 Ω para una corriente zener de 30 mA. El
codo de la característica zener se representa a 10mA.
El diodo puede disipar una potencia máxima de 800 mw.
a) Hallar ri de modo que el diodo regule continuamente.
b) Hallar el valor de cresta máxima de la modulación de salida.
Circuito rectificador
Vdc = Vm/π Idc = 2Vm/πRL Idc = Vm/πR L
Idc = Vm/πR L
Filtrado

109
Vi = Vm sen ω t
∆v = Vm(1- e-T/RLC)
∆v = Vm T
RLC
Ejemplo.-
f= 60 Hz; Vo = 12 V con carga que consume 10mA rizado pico a pico inferior al
0.1% de tensión continua de salida, es decir que sea menor a 12 mV valor del filtro.
RL = 12/10mA = 1200
F = 2π /ω = 1/f =16.7 mseg.
Rizado relativo <10-3(0.1%)› Ґ = 103 T
RLC = 16.7 › C = 1.4x10-2 F
Intensidad máxima en el diodo ipp = IL 2π
2∆V/Vm
WAT = 2∆V = 2x10-3 = 4.5x10-2 = 2.6
Vm
∆V = 10-3 › iDp = 10mA * 2π /4.5x10-2 =1.4 A
Vm

110
FUENTES DE ALIMENTACIÓN
Tipos básicos de reguladores
Si RL › IL ˘ ›Eo IL ˘ › Eo ˘
Rv › Eo ˘ Э compenzación Rv ˘› IRv › I1˘
Rv usese un TR IRS = cte › Ein – ERS = cte
Si Rs › IL ˘ ›Eo ˘ Rv utiliza diodo zener
Rv˘ › IL › Eo
Estudio y diseño de fuente de alimentación con semiconductor estabilizado mediante diodo

zener
Circuito con diodo zener

111
Análisis en ac.
K = Factor de regulación = eo/ei =RL | r z / RL| r z + R´s
RL >> rz › K = rz /R´s
K˘ = R´s rz ˘ › buena estabilización
Análisis en dc
IL › Eo a través de Zo que ve IL
Zo = - eo/IL = - Rs rz /Rs + rz
Rz << Rs › IL › Eo ˘
Ejemplo.- Estimar la tensión dc de salida y el rizado de salida si hay 2 v de rizado

en 36 V dc de línea. Determinar también la Z de salida del regulador y la potencia nominal
en el diodo zener. Estimar la corriente máxima que puede dar el regulador en que
condiciones de carga disipa el diodo la potencia máxima supongase rz = 10 Ω ; VBD = 8V.

112
Aplicando Thevening en X-Y
Eo = 8 + (12-8 ) 10 = 8.19 V
10+200
corriente zener estática es:
Iz = 8.19 - 8 = 19mA
10
Potencia disipada del zener es Pz = Iz VBD + Iz 2rz = 156mW
ILmax = Ein - VBD = 46.5 mA = 36 -8
Rs 0.6 K cuando el zener se apaga

entrega una tensión = VBD ; Iz = 0

113
Corriente de carga permisible < 46.5 mA
Rizado es: eo = rz ein = 0.033 V = 33 mV
Rz + Rs
Zo = rz = 10 Ω
Diodo zener disipa máxima potencia si t < = 0
Izmax = 36 – 8 = 46mA Pz max = VBDIzmax+ Iz 2 maxrz
600+10
Pzmax = 8(46mA)+ (46mA)210 = 387 mW
Problema estimar el rizado de:
rz1 = rz2 = 10Ω
Rs1 = rs2 =500 solución 400 µV rizado
Diseño de reguladores
1.- suponer Izmin = 10%ILmax Pmin = Einmax – Eo max
Izmax + ILmin

114
2.- Rs = Ein min – Eo min Eomax = Ein max +(Rs /rz )(VBD
–Ilminrz )
Izmin+ IL max 1+ Rs /rz
3.- rz = Rs
Ein max - Einmin + Rs (ILmax –ILmin) - 1
Eomax - Eomin
4.- VBD = Eomin – Izminrz Eomin = Eimin + RS/rz (VBD – ILmax Vz )
1 + Rs /rz
5.- Pzmax = I2zmax rz + Izmax VBD
6.- Izmax = Einmax – VBD (Einmax – VBD – rz + VBD)
RS+rz R s + rz
Ejemplo una fuente dc sin regulador con 9Ω de resistencia interna produce una
salida (incluyendo el rizado) que esta entre 20 y 30V se desea utilizar esta alimentación es
unión de un regulador zener de modo que la salida regulada se mantenga entre 8 y 8.4 V
no obstante variación en la carga entre o y 100mA y fluctuaciones en la entrada.
Determinar las elementos del circuito y especificar las características del zener.
Solución
Ein max = 30 Eo max =8.4 ILmax = 0.1
Ein min = 20 Eo min = 8 ILmin = 0
Izmin = 10% ILmax = 0.01 A
Rs = 109 Ω rz = 2.13 Ω
VBD = 8 V Pz max = 1.6 W
Iz max = 0.19 A
Rsmin = 30 – 8.4

115
Izmax + 0
Rsmax = 20 – 8 = 109 Ω
0.1 + 0.01
Vz = 2.13 Ω
VBD = 8 V
Iz = 0.19 A
Pz = 1.6 W
Problema 17
Tipos básicos de reguladores
Regulador de tipo serie Regulador de tipo paralelo
IL ˘ debido RL › Eo pero IL ˘ ›Eo
Si Rv › eRV tendencia › Eo ˘ pero Rv ›se deriva corriente
› compensaría el Eo por Rv › IRp = cte es decir
RV ( se simula usando un transistor) IRlmin = IRLmin + IRV max
›E in - IRi Ri = Eo seria cte
Rv ( se simula con un TR o un diodo)

116
Regulador básico con zener
Aproximación por tramos
El circuito en que incremental total es
Ri + Rs = Rs ´ limitar corriente por el diodo dc estabilizar Eo debido a variaciones en

Ein
es = rizado › Ks = factor de estabilización = eo / ein = rz | RL
Rs + rz | RL
eo / ei < 1 si Rs << rz y rz ˘ también RL ˘
generalmente RL>> rz › Ks = rz / Rs
circuito para analizar Eo para IL

117
Zo = eo/ iL = - Rs rz
Rs + rz
rz << Rs › Zo - rz
El signo menor › I L › Eo ˘
› Un factor común sea hacer Ks y Zo con rz ˘
circuito incremental para analizar temp.
eT = Tc T
Tc = coeficiente de temp. De Vz en % Vz en °C
T = cambio de temperatura °c
si Tc > 0 › eT> 0 para T>0 › eT › V´z
Tc < 0 › T < 0 › e T < 0 › V´z ˘

118
Ejemplo.- dado el circuito de la figura, calcular la máxima variación de
tensión sobre la carga y la potencia que debe disipar el diodo en la peor condición de los
casos que se detallan a continuación tensión de entrada nominal y variación de la misma
del 10% es mas y menor y cargado con RL, 2RL y ¼ RL. Indicar si todos los casos son
posibles y si no lo son justificarlos.
DATOS
Ep = 15 +- 10% V RL = 18 Ω E2 = 5 V
Pdz= 0.5 Watt R = 30Ω rz = 10Ω
SOL.-
Cálculo de la tensión dc de salida
Aplicando Thevenin en a-b
Vab = RL 15 V = 5.624 V ; RL = 18 Ω Zab = 11.25 Ω
RL + 30Ω 8.18182 V ; RL = 36Ω Zab = 16.3636Ω
1.95652 V ; 1/4RL = 4.5 Ω Zab = 3.91304Ω
Zab = RL | 30Ω = RL 30

119
30 + RL
Eo = 5 + ( Vab – Vz ) rz = 5.29412 ; RL = 18Ω
Rz + Zab 6.2069 ; 2RL = 36 Ω
Eo = 5 + ( Vab – 5 ) 10 2.8125 ; ¼ RL = 4.5 Ω
10 + Zab
corriente zener nominal (estática es)
Iz = Eo – Vz = 29.412 mA; RL = 18 Ω
Rz 20.690mA; 2RL= 36Ω
Iz = E o – 5 -218.750mA;1/4 RL = 4.5 Ω
10
potencia de disipación del zener es:
Pz = Iz Vz + I2z rz = 155.756 mW ; RL = 18 Ω
Pz = 5 Iz + 10 I2z 479.11 mW ; 2RL = 36Ω
615.234 mW ; ¼ RL = 4.5 Ω
No regulada para ¼ RL . Regulación es crítica en RL la corriente máxima que puede

entregar el regulador regulándola es la que se tiene la corriente en RL que hace que la
tensión a circuito abierto que ve el zener < Vz .
Es decir zener se apaga › Voc = V BD e Iz = 0

120
› Voc = E on – Rs ILmax = Vz
› ILmax = Ein – Vz = 333.333 mA
Rs

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Texto de Electrónica I (ETN 503) Pág.

ELECTRÓNICA BÁSICA – I (ETN 503)

El énfasis en el curso es el aprendizaje de conceptos básicos de los dispositivos de estado

I DIODO EN LOS CIRCUITOS

II TRANSISTORES EN LOS CIRCUITOS

VII APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES

VIII FILTROS ACTIVOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Ingeniería Electrónica – U.M.S.A. Ing. David Molina Muñoz

1.- DIODO EN LOS CIRCUITOS

· Introducción a los semiconductores

· Diodos de unión, la ecuación del diodo, polarización directa e inversa

· Características V-I de los diodos

· Linealización de las características por tramos, rectas de carga estática y dinámica

· Circuitos con diodos, fijadores, recortadores, funciones de transferencia, etc.

· Circuitos convertidores de alterna en continua, rectificadores de media onda, onda completa,

· Diodo Zener, reguladores de tensión

2.- TRANSISTORES EN LOS CIRCUITOS

· Transistores bipolares, unipolares

· Características V-I de los transistores, ecuaciones de los transistores, zonas de trabajo,

· Polarización del transistor unipolar (FET, MOSFET)

· Diseño de circuitos de polarización

Ingeniería Electrónica – U.M.S.A. Ing. David Molina Muñoz

· Circuitos equivalentes de los transistores, determinación de parámetros (híbridos, giacoleto, etc.),

· Diseño de amplificadores de una etapa

· Acoplamiento de amplificadores, de alterna, de continua

· Amplificadores con acoplamiento de continua, cascodo, darlington, diferencial

· Diseño de amplificadores multietapa

4.- AMPLIFICADORES REALIMENTADOS

· Condiciones ideales de los amplificadores

· topologías de los circuitos realimentados, ecuaciones de la realimentación en diferentes

· Amplificadores realimentados, ecuaciones características, Ganancia de tensión; ganancia de

· Diseño de amplificadores realimentados

5.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA

· Amplificadores de potencia características generales, clasificación de los amplificadores

· Amplificadores de potencia clase A, tipos de acoplamiento, ecuaciones características, potencia

· Amplificadores de potencia clase B, tipos de acoplamiento, amplificadores de tensión (AV),

Ingeniería Electrónica – U.M.S.A. Ing. David Molina Muñoz

· Amplificador separador, amplificador inversor, amplificador no inversor.

· Comparadores de tensión, limitadores, amplificadores con histéresis.

· Amplificadores integrador, derivador, integrador y derivador compensado.

· Amplificadores logarítmicos, antilogarítmicos, logaritmo y antilogaritmo compensado.

· Amplificador de producto, cociente, exponencial.

· Diseño de amplificadores con AO.

7.- APLICACIONES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES

· Amplificador básico de puente, diferentes aplicaciones.

· Amplificadores de detección y medición con AO.

· Generadores de onda senoidal.

· Generadores de onda cuadrada. Multivibrador de oscilación libre.

· Generador de onda triangular, diente de sierra.

· Convertidores de tensión a corriente con carga flotante

· Conversión de corriente a tensión

· Convertidores de temperatura a voltaje

· Desfasador, convertidor fase-amplitud

· Convertidor de impedancias negativas

· Inversor de impedancia positiva o girador

· Convertidores de impedancias positivas

Ingeniería Electrónica – U.M.S.A. Ing. David Molina Muñoz

· Definiciones básicas de filtros, ventajas de los filtros activos, limitaciones

· Filtros activos de orden superior, Filtros en cascada

1. Electrónica integrada Millman y Halkias

2. Circuitos electrónicos discretos e integrados Schilling Belove

3. Ingeniería electrónica Giaccoleto

4. Colección SEEC Addler, Gray, Searly, Thornton