Arquitectura de computadoras

Competencia 3
Docente: Noemí Gonzáles
Alumno: Juan Manuel Ugalde Ávila
Semestre: 4 Grupo “B”
Tema 2 Memorias

2.1. ORGANIZACIÓN BÁSICA.

Las memorias se pueden clasificar atendiendo a diferentes criterios.

Revisaremos en los apartados siguientes los más significativos:

Método de acceso.
Acceso aleatorio (RAM): acceso directo y tiempo de acceso constante
e independiente de la posición de memoria.
Acceso secuencial (SAM): tiempo de acceso dependiente de la posición
de memoria.
Acceso directo (DAM): acceso directo a un sector con tiempo de acceso
dependiente de la posición, y acceso secuencial dentro del sector.
Asociativas CAM): acceso por contenido.

Soporte físico.
Semiconductor.
Magnéticas.
Ópticas.
Magneto-ópticas.

Alterabilidad.
RAM: lectura y escritura.
ROM (Read 0nly Memory): Son memorias de sólo lectura. Existen
diferentes variantes:

 ROM programadas por máscara, cuya información se escribe en el

proceso de fabricación y no se puede modificar.
 PROM, o ROM programable una sola vez. Utilizan una matriz de
diodos cuya unión se puede destruir aplicando sobre ella una
sobretensión.
 EPROM (Erasable PROM) o RPROM (Reprogramable ROM), cuyo
contenido puede borrarse mediante rayos ultravioletas para
volverlas a escribir.
 EAROM (Electrically Alterable ROM) o EEROM (Electrically
Erasable ROM), son memorias que están entre las RAM y las ROM
ya que su contenido se puede volver a escribir por medios eléctricos.
Se diferencian de las RAM en que no son volátiles.
 Memoria FLASH. Utilizan tecnología de borrado eléctrico al igual que
las EEPROM, pero pueden ser borradas y reprogramadas en
 bloques, y no palabra por palabra como ocurre con las tradicionales
EEPROM.

Volatilidad con la fuente de energía.

Volátiles: necesitan la fuente de energía para mantener la información.
No volátiles: mantienen la información sin aporte de energía.

Duración de la información.
Estáticas: el contenido permanece inalterable mientras están polarizadas.
Dinámicas: el contenido sólo dura un corto período de tiempo, por lo que
es necesario refrescarlo (reescribirlo) periódicamente.

Proceso de lectura.
Lectura destructiva: necesitan reescritura después de una lectura.
Lectura no destructiva.

Ubicación en el computador.
Interna (CPU): registros, cache(L1), cache(L2), cache(L3), memoria
principal.
Externa (E/S): discos, cintas, etc.

Parámetros de velocidad.
Tiempo de acceso.
Tiempo de ciclo.
Ancho de banda (frecuencia de acceso).

Unidades de transferencia.
Palabras.
Bloques.

2.2. ACCESO A LOS DATOS Y TEMPORIZADOR.

Para afrontar esta necesidad, se definió un canal de acceso directo a la memoria

denominada DMA (Direct Memory Access por sus siglas en inglés).

El canal DMA es un acceso a una ubicación RAM en el ordenador, al que una

"Dirección de Inicio RAM" y una "Dirección de Fin" hacen referencia. Este método
permite que un periférico utilice canales especiales que le den acceso directo a la
memoria, sin involucrar al microprocesador. Esto permite que el microprocesador
se libere de la necesidad de hacer este trabajo.
Un ordenador tipo PC cuenta con 8 canales DMA. Los primeros cuatro canales DMA
poseen 8 bits mientras que los DMA que van del cuarto al séptimo poseen 16 bits.
Normalmente, los canales DMA se asignan de la siguiente manera:

 DMA0 - libre.
 DMA1 - (tarjeta de sonido) / libre.
 DMA2 - controlador de disquetes.
 DMA3 - puerto paralelo (puerto de la impresora).
 DMA4 - controlador del acceso directo a la memoria (redirigido a DMA0).
 DMA5 - (tarjeta de sonido) / libre.
 DMA6 - (SCSI)/ libre.
 DMA7 – disponible.

Temporización.

Reloj del Sistema

El reloj de una computadora se utiliza para dos funciones principales:

Para sincronizar las diversas operaciones que realizan los diferentes

subcomponentes del sistema informático.

Para saber la hora. El reloj físicamente es un circuito integrado que emite una
cantidad de pulsos por segundo, de manera constante. Al número de pulsos que
emite el reloj cada segundo se llama Frecuencia del Reloj.

La frecuencia del reloj se mide en Ciclos por Segundo, también llamados Hertzios,
siendo cada ciclo un pulso del reloj. Como la frecuencia del reloj es de varios
millones de pulsos por segundo se expresa habitualmente en Megaherzios.

2.3. TIPOS DE MEMORIA.

Memoria de acceso aleatorio

La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-access memory) se utiliza
como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del
software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador
y otras unidades de cómputo. Se denominan «de acceso aleatorio» porque se
puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual
para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la
información de la manera más rápida posible. Durante el encendido del computador,
la rutina POST verifica que los módulos de memoria RAM estén conectados de
manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten los módulos, la mayoría
de tarjetas madres emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria
principal. Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test básico
sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma.

Hay dos tipos básicos de memoria RAM

 RAM dinámica (DRAM).

 RAM estática (SRAM)

Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnología que utilizan

para guardar los datos, la memoria RAM dinámica es la más común.

La memoria RAM dinámica necesita actualizarse miles de veces por

segundo, mientras que la memoria RAM estática no necesita actualizarse,
por lo que es más rápida, aunque también más cara. Ambos tipos de
memoria RAM son volátiles, es decir, que pierden su contenido cuando se
apaga el equipo.

Memoria SRAM

Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso

Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a
diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras
esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son
memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe
la alimentación eléctrica.
Características.
La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo
(especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto,
cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un
consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es
menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es
necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria
principal de los computadores personales.

Memoria DRAM
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria
dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos
de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del
sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un
dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un
ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir
memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a
una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de
posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación
eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los
sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

Funcionamiento.
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de
almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda
define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna,
consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El
principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en
el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona
como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este
mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho
muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se
basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.
Memoria de solo lectura

La memoria de solo lectura, conocida también como ROM (en inglés

de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en
ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite sólo la lectura de la
información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de
una fuente de energía.

Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no

de manera rápida o fácil. Se utiliza principalmente en su sentido más
estricto, se refiere sólo a máscara ROM -en inglés, MROM- (el más antiguo
tipo de estado sólido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de
forma permanente y, por lo tanto, su contenido no puede ser modificado
de ninguna forma. Sin embargo, las ROM más modernas,
como EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver
a programar varias veces, aun siendo descritos como "memoria de sólo
lectura" (ROM).

Memoria flash.

La memoria flash derivada de la memoria EEPROM permite la lectura y

escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación.
Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos,
permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la
tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única
celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la
tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
Memoria PROM.

(Programable Read-Only Memory) también conocida como OTP (One

Time Programable). Este tipo de memoria, también es conocida como
PROM o simplemente ROM. Los microcontroladores con memoria OTP se
pueden programar una sola vez, con algún tipo de programador. Se utilizan
en sistemas donde el programa no requiera futuras actualizaciones y para
series relativamente pequeñas, donde la variante de máscara sea muy
costosa, también para sistemas que requieren socialización de datos,
almacenados como constantes en la memoria de programas.

Memoria EPROM.

(Erasable Programmable Read Only Memory). Los microcontroladores

con este tipo de memoria son muy fáciles de identificar porque su
encapsulado es de cerámica y llevan encima una ventanita de vidrio desde
la cual puede verse la oblea de silicio del microcontrolador. Se fabrican así
porque la memoria EPROM es reprogramable, pero antes debe borrase, y
para ello hay que exponerla a una fuente de luz ultravioleta, el proceso de
grabación es similar al empleado para las memorias OTP. Al aparecer
tecnologías menos costosas y más flexibles, como las memorias EEPROM
y FLASH, este tipo de memoria han caído en desuso, se utilizaban en
sistemas que requieren actualizaciones del programa y para los procesos
de desarrollo y puesta a punto.

EEPROM.

(Electrical Erasable Programmable Read Only Memory). Fueron el

sustituto natural de las memorias EPROM, la diferencia fundamental es
que pueden ser borradas eléctricamente, por lo que la ventanilla de cristal
de cuarzo y los encapsulados cerámicos no son necesarios. Al disminuir
los costos de los encapsulados, los microcontroladores con este tipo de
memoria se hicieron más baratos y cómodos para trabajar que sus
equivalentes con memoria EPROM. Otra característica destacable de este
tipo de microcontrolador es que fue en ellos donde comenzaron a utilizarse
los sistemas de programación en el sistema que evitan tener que sacar el
microcontrolador de la tarjeta que lo aloja para hacer actualizaciones al
programa.
Bibliografía
https://sites.google.com/site/arquitecturadecomputadorass4a/home/unidad-
1/unidad-2