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MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
Hay dos tipos bsicos de RAM:
DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica
SRAM (Static RAM), RAM esttica
Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos.
La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que
la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms
rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que
significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin.
SRAM es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM
(Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser
refrescada menos veces que la RAM dinmica.
Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30
nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de 30, y las
memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos.
Un bit de RAM esttica se construye con un circuito flip-flop que permite que la
corriente fluya de un lado a otro basndose en cul de los dos transistores es activado.
Las RAM estticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs
dinmicas, pero precisan ms espacio y usan ms energa. La SRAM, debido a su alta
velocidad, es usada como memoria cach.
DRAM es un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente
refrescada (re-energizada) o perdera su contenido. Generalmente usa un transistor y
un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados
cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips
firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinmica y
esttica) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentacin. Contrasta
con la RAM esttica.
Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinmica se indica errneamente
como un tipo de encapsulado; por ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando
deberia decirse "DIPs, SIMMs y SIPs" los tres tipos de encapsulado tpicos para
almacenar chips de RAM dinmica.
Tambin algunas veces el trmino RAM (Random Access Memory) es utilizado para
referirse a la DRAM y distinguirla de la RAM esttica (SRAM) que es ms rpida y ms
estable que la RAM dinmica, pero que requiere ms energa y es ms cara
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Las caractersticas de las memorias son:

Localizacin. Dependiendo de dnde est ubicada fsicamente la memoria se distinguen
tres tipos:
Memoria interna del procesador. Memoria de alta velocidad utilizada de forma
temporal, por ejemplo, en el banco de registros. Es muy rpida.
Memoria interna. Es la Memoria Principal y es ms rpida que la secundaria, por
ejemplo, se ubica donde estn los programas para ser ejecutados.
Memoria externa. Es la Memoria Secundaria y es ms lenta que la principal; se
emplea para almacenar grandes cantidades de informacin, por ejemplo, unidades zip,
CD's y DVD's.
Capacidad. La capacidad es la cantidad de informacin que puede almacenar el
sistema de memoria y se mide en mltiplos de bit.
Los distintos mltiplos y unidades de capacidad son los siguientes:
1 bit 1 Mb = 1024 Kb = 220 bits
1 nibble = 4 bits 1 Gb = 1024 Mb = 230 bits
1 byte = 1 octeto = 8 bits 1 Tb = 1024 Gb = 240 bits
1 Kb = 1024 bits = 210 bits
Unidad de transferencia. Es igual al nmero de lneas de datos de entrada y salida
del mdulo de memoria, por ejemplo, 8 en MaNoTaS. Esta descripcin lleva consigo
una serie de conceptos asociados:
Palabra. El tamao de la palabra es generalmente igual al nmero de bits utilizados
para representar un nmero entero y la longitud de una instruccin. Depende del
nmero de lneas con el que est trabajando en la memoria, por ejemplo, 8 en
MaNoTaS.
Unidad direccionable. Es el tamao mnimo que podemos direccionar en la memoria.
El tamao puede coincidir con el ancho de palabra como, por ejemplo, en la MaNoTaS
con 8 bits, pero tambin puede NO coincidir como ocurre, por ejemplo, en el 8086.
Unidad de transferencia. Para la memoria principal es el nmero de bits que se leen
o escriben en memoria a la vez, lo mximo que puedo leer. Por ejemplo, en MaNoTaS
es de 8 bits.
Mtodo acceso. Es la forma de localizar la informacin en memoria. Existen diversos
tipos:
Acceso secuencial (SAM: Sequencial Access Memory). Se emplea por ser de gran
capacidad de almacenamiento, por ejemplo, cintas de audio. Es una memoria lenta.

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Acceso directo (DAM: Direct Access Memory). Es una memoria en la que primero se
produce un acceso directo y luego uno secuencial.
Acceso aleatorio (RAM: Random Access Memory). Igual tiempo de acceso menos
directo siempre.
Acceso asociativo (CAM: Content Addressable Memory). Modo de acceso por contenido
y funciona de la siguiente forma: se busca en toda la memoria al mismo tiempo y,
cuando se encuentra lo que buscamos, se da la direccin donde se ha encontrado
como, por ejemplo, en redes neuronales.
Velocidad. Para medir el rendimiento se utilizan tres parmetros:
Tiempo de Acceso (TA). Segn el tipo de memoria que se trate tendremos dos tipos de
TA:
Si se trata de una aleatoria como la RAM: tiempo que transcurre desde el instante en
el que se presenta una direccin a la memoria hasta que el dato, o ha sido
memorizado, o est disponible para su uso (es decir, desde que doy la direccin hasta
que L/E en memoria).
Si es otra memoria como la CAM o la SAM: tiempo que se emplea en situar el
mecanismo de L/E en la posicin deseada, es decir, tiempo que tarda en el registro.
Tiempo de Ciclo de memoria (TC). Tiempo que transcurre desde que se da la orden de
una operacin de L/E hasta que se puede dar otra orden de L/E porque si no NO le da
tiempo a responder y creara un tiempo muerto que nos interesa que sea lo menor
posible.
Dispositivo fsico. Los sistemas de memorias empleados en los computadores utilizan
diferentes dispositivos fsicos. Antiguamente se empleaba la memoria de ferrita que
era una memoria de lectura destructiva y muy lenta ya que tenan que volver a escribir
lo que se lea, sino seran muy rpidas.
Actualmente los tipos ms usados son:
Para la memoria principal se utilizan memorias semiconductoras.
Como memoria secundaria, ya que responden a la necesidad de almacenar grandes
cantidades de informacin, se emplean:
Memorias magnticas, cintas, discos, etc.
Memorias pticas, utilizadas.
Memorias magneto-pticas.
Aspectos fsicos .Las principales caractersticas fsicas a tener en cuenta para
trabajar con determinados tipos de memoria son:

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Alterabilidad. Esta propiedad hace referencia a la posibilidad de alterar el contenido de

una memoria, las hay de lectura slo o de lectura / escritura. Memorias ROM (Read
Only Memory) y RWM (Read Writable Memory).
Permanencia de la informacin. Relacionado con la duracin de la informacin
almacenada en memoria:
Lectura destructiva. Memorias de lectura destructiva DRO (Destructive Read Out) y
memorias de lectura no destructiva NDRO (Non Destructive Read Out).
Volatilidad. Esta caracterstica hace referencia a la posible destruccin de la
informacin almacenada en un cierto dispositivo de memoria cuando se produce un
corte en el suministro elctrico. Memorias voltiles y no voltiles.
Almacenamiento esttico/dinmico. Una memoria es esttica SRAM (Static Random
Access Memory) si la informacin que contiene no vara con el tiempo. Una memoria es
dinmica DRAM (Dynamic Random Access Memory) si la informacin almacenada se va
perdiendo conforme transcurre el tiempo; para que no se pierda el contenido habr
que recargar o refrescar la informacin.
Organizacin.Hace referencia a la disposicin fsica de los bits para formar palabras. La
organizacin depende del tipo de memoria que se trate. Para una memoria
semiconductora distinguimos tres tipos de organizacin:
Organizacin 2D.
Organizacin 21/2D.
Organizacin 3D.
Organizacin 2D.
Bus de Datos: Do-Dn, por el entran los datos a la memoria semiconductora.
Bus de Direcciones: Ao-An, por aqu se realiza el direccionamiento.
OE (Output Enable): Terminal de lectura, habilita la memoria para que en la salida este
lo que voy a leer.
WE: (Write Enable): Terminal que permite la escritura en la memoria.
CS(Chip Select): Terminal que permite la activacin o desactivacin de la memoria.
Tipos de memoria
Memoria de Datos (Permite la escritura y la lectura, OE y WE as como el CS para su
activacin).
Memoria de programa (Permite solo la lectura y la habilitacin, OE y CS).
Formas de acceder a la memoria.

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Estructura de la Memoria Semiconductoras.

CLASIFICACION DE MEMORIAS

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Celdas Bsicas de las memorias semiconductoras

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Mdulo SDRAM
Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede tanto leer como escribir
informacin. Es una memoria voltil, es decir, pierde su contenido al desconectar la
energa elctrica. Se utiliza normalmente como memoria temporal para almacenar
resultados intermedios y datos similares no permanentes. Se dicen "de acceso
aleatorio" o "de acceso directo" porque los diferentes accesos son independientes entre
s. Por ejemplo, si un disco rgido debe hacer dos accesos consecutivos a sectores
alejados fsicamente entre s, se pierde un tiempo en mover la cabeza hasta la pista
deseada (o esperar que el sector pase por debajo, si ambos estn en la misma pista),
tiempo que no se pierde en la RAM.
Su denominacin surge en contraposicin a las denominadas memorias de acceso
secuencial. Debido a que en los comienzos de la computacin las memorias principales
(o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias
secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas), es
frecuente que se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal
de una computadora. En estas memorias se accede a cada celda (generalmente se
direcciona a nivel de bytes) mediante un cableado interno, es decir, cada byte tiene un
camino prefijado para entrar y salir, a diferencia de otros tipos de almacenamiento, en
las que hay una cabeza lectograbadora que tiene que ubicarse en la posicin deseada
antes de leer el dato deseado.
Las RAMs se dividen en estticas y dinmicas. Una memoria RAM esttica mantiene su
contenido inalterado mientras est alimentada. En cambio en una memoria RAM

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dinmica la lectura es destructiva, es decir que la informacin se pierde al leerla, para

evitarlo hay que restaurar la informacin contenida en sus celdas, operacin
denominada refresco.
Las memorias se agrupan en mdulos, que se conectan a la placa base de la
computadora. Segn los tipos de conectores que lleven los mdulos, se clasifican en
Mdulos SIMM (Single In-line Memory Module), con 30 72 contactos, mdulos DIMM
(Dual In-line Memory Module), con 168 contactos y mdulos RIMM (RAMBUS In-line
Memory Module) con 184 contactos.
Introduccin
Cuando compramos memoria RAM en nuestra tienda de informtica, comprobamos
cmo estos pequeos chips no se encuentran sueltos, sino soldados a un pequeo
circuito impreso denominado mdulo, que podemos encontrar en diferentes tipos y
tamaos, cada uno ajustado a una necesidad concreta (SIMM, DIMM, SO-DIMM,
RIMM).
Sobre ellos se sueldan los chips de memoria, de diferentes tecnologas y capacidades.
Ahora bien, mientras que los ensambladores de mdulos se cuentan por centenas, la
lista de fabricantes de los propios chips de memoria son un nmero menor y slo
encontramos unas pocas empresas como Buffalo, Corsair, Kingston o Samsung, que en
cualquier caso no superan la veintena.
Nota : Para calcular el ancho de datos de las memorias se sigue la frmula: ancho de
bus en Bytes * frecuencia efectiva de trabajo en MHz. Por ejemplo, la DDR200 se llama
tambin PC1600 porque
64 bits / 8 bits * 200 MHz = 1600 MB/s = 1'6 GB/s
que es la 'velocidad' de la memoria.
Memoria DRAM
La memoria DRAM ("Dynamic RAM") es una memoria RAM electrnica construida
mediante condensadores. Los condensadores son capaces de almacenar un bit de
informacin almacenando una carga elctrica. Lamentablemente los condensadores
sufren de fugas lo que hace que la memoria DRAM necesite refrescarse cada cierto
tiempo: el refresco de una memoria RAM consiste en recargar los condensadores que
tienen almacenado un uno para evitar que la informacin se pierda por culpa de las
fugas (de ah lo de "Dynamic"). La memoria DRAM es ms lenta que la memoria SRAM,
pero por el contrario es mucho ms barata de fabricar y por ello es el tipo de memoria
RAM ms comnmente utilizada como memoria principal.
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Tambin se denomina DRAM a la memoria asncrona de los primeros IBM-PC, su

tiempo de refresco era de 80 70 ns (nanosegundos). Se utiliz en la poca de los
i386, en forma de mdulos SIMM o DIMM.
FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)
Memoria asncrona, ms rpida que la anterior y con tiempos de acceso de 70 60 ns.
Esta memoria se encuentra instalada en muchos sistemas de la primera generacin de
Pentium. Incorpora un sistema de paginado debido a que considera probable que el
proximo dato a acceder este en la misma columna, ganando tiempo en caso
afirmativo.
EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
Memoria asncrona, esta memoria permite a la CPU acceder ms rpido porque enva
bloques enteros de datos; con tiempos de acceso de 40 30 ns.
BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
Memoria asncrona, variante de la anterior, es sensiblemente ms rpida debido a que
manda los datos en rfagas (burst).
SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
Memoria sncrona (misma velocidad que el sistema), con tiempos de acceso de entre
25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los
Pentium 2, as como en los AMD K7. Dependiendo de la frecuencia de trabajo se
dividen en:
PC66: la velocidad de bus de memoria es de 66 Mhz, temporizacin de 15 ns y ofrece
tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.
PC100: la velocidad de bus de memoria es de 125 Mhz, temporizacin de 8 ns y ofrece
tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.
PC133: la velocidad de bus de memoria es de 133 Mhz, temporizacin de 7,5 ns y
ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.

Punto de memoria Punto de memoria

- Capacidad de la memoria : Capacidad de la memoria : N
- Organizacin: Organizacin: N = m x = m x n1
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Palabra : m Palabra : m
Longitud de la palabra: Longitud de la palabra: n1
- Seleccin o direccionamiento: Seleccin o direccionamiento:
m= m= 2n

Memoria DDR SDRAM

Fu una de las memorias ms utilizadas anteriormente, sin lugar a dudas, la cual se
caracteriza por estar sincronizada y funcionar enviando los datos por duplicado en cada
ciclo de reloj.
Esto permite que la memoria obtenga el doble de velocidad de procesamiento que el
propio bus del sistema, ofreciendo un rendimiento adecuado del equipo.
Cabe destacar que fsicamente el mdulo DIMM de las memorias DDR SDRAM poseen
184 contactos de conexin con la motherboard.
Memorias DDR2
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Las memorias del tipo DDR2 son en realidad un avance en la tecnologa de las
memorias DDR, que gracias a una serie de cambios estructurales han permitido
aumentar la performance del componente.
Se trata de un mdulo DIMM que dispone de 240 contactos, que se caracteriza por
alcanzar un velocidad duplicada de las frecuencias, en comparacin con las del tipo
DDR, posibilitando de esta manera la realizacin de cuatro transferencias por cada
ciclo de reloj, al contrario de las DDR que slo permiten hasta dos transferencias.
Esta caracterstica ha logrado que las memorias DDR2 sean actualmente las ms
utilizadas en el mercado, por lo que desde hace tiempo las motherboard disponen de
zcalos compatibles con esta tecnologa.
No obstante, se estima que en el futuro cercano, las memorias del tipo DDR2 sean
suplantadas por su sucesora: la DDR3. Esta nueva tecnologa se caracteriza por ofrecer
mejoras notables en el comportamiento y rendimiento de la memoria RAM de los
equipos.
Memorias DDR3
En estas se ha incorporado un sistema que les permite ofrecer un considerable
rendimiento con un escaso nivel de voltaje, ofreciendo as la posibilidad de reducir
drsticamente el consumo de energa.
Si bien las memorias DDR3 son mdulos del tipo DIMM con 240 pines, al igual que las
DDR2, lo cierto es que ambas son incompatibles, por lo que las motherboard ms
modernas y sofisticadas incorporan zcalos especiales para memorias DDR3.
Por ltimo, existe otro tipo de memoria que se caracteriza por ser uno de los modelos
ms costosos debido al fantstico rendimiento que proporcionan.
Memorias Rambus DRAM
Conocidas tambin como RDRAM, las cuales funcionan bajo un protocolo
propietario desarrollado por la compaa Rambus.
Debido a sus elevados costos, el mercado de usuarios comunes no suelen utilizar este
tipo de memoria, por lo que ha ganado mayor popularidad la del tipo DDR.
En la actualidad las memorias RDRAM son por lo general utilizadas en grandes
servidores y viene incorporada a la famosa consola de videojuegos PlayStation 3 y 4.
Se trata de un mdulo del tipo RIMM, que dispone de 184 contactos, y funciona de
manera totalmente diferente a las memorias convencionales DDR, ya que trabaja
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elevando las frecuencias de los chips, para de esta manera evitar los cuellos de botella
que pueden reducir la velocidad de transferencia de datos, alcanzando as un mayor
rango de rendimiento.
Cabe mencionar que cuando adquirimos una memoria RAM, la misma dispone de una
serie de nmeros que nos informa las caractersticas que posee el mdulo, por lo cual
es importante conocer qu significa dicha informacin.
MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO: Random Random-Access Access-Memory
Memory

MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO

- Ejemplo de operacin de Ejemplo de operacin de lectura lectura:
1. Cdigo binario del registro de direcciones al bus de direccio 1. Cdigo binario del
registro de direcciones al bus de direcciones nes
- Decodificacin de ese cdigo Decodificacin de ese cdigo
2. Orden de lectura 2. Orden de lectura
3. Copia del 3. Copia del bit bit (no destructiva) se carga al registro de datos

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- Organizacin de la memoria: Organizacin de la memoria: 2D o lineal 2D o lineal

-Un nico decodificador Un nico decodificador
- Terminales de salida del Terminales de salida deldecodificador = decodificador = m

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- Organizacin de la memoria: Organizacin de la memoria:

3D 3D o por coincidencia o por coincidencia- 2 Decodificadores

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Ejemplo organizacin 3D 3D
Diagrama lgico y Configuracin de la matriz de memoria SRAM de 32 K x 8.
NOTA: El bus de datos tiene buffers triestado (permiten que las lneas de
datos acten como entrada y como salida)
NOTA: tenemos tres lneas de control activas por bajo: CS (chip select), WE
(write enable), OE (output enable)

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-RAM RAM ESTATICA ESTATICA SRAM (Static Random Access Memory)

-Se compone de celdas formadas por flip-flops (biestables) construidos
generalmente con transistores MOSFET.

-RAM RAM DINAMICA DINAMICA DRAM (Dinamic Random Access Memory)

-Se compone de celdas de memoria construidas con condensadores.
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-Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin a

las SRAM, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.

- Memorias Memorias pasivas pasivas (no voltiles): (no voltiles):

- Memorias totalmente pasivas ( Memorias totalmente pasivas (Read Read Only Only
Memory Memory, ROM ROM)
-La escritura se realiza en el proceso de fabricacin La escritura se realiza en el
proceso de fabricacin
- Memorias pasivas Memorias pasivas programables (PROM) programables (PROM):
- Solo lectura ( Solo lectura (Programmable Programmable Read Read Only Only
Memory Memory, PROM PROM)
-nico nico proceso de programacin : proceso de programacin : hilos fusibles hilos
fusibles
- Memorias pasivas programables ( Memorias pasivas programables (Erasable Erasable
Programmable Programmable Read Read
Only Only Memory Memory, UV UV-EPROM EPROM)
- Disposicin Disposicin circuital circuital especial y escritura con tensiones elevadas
especial y escritura con tensiones elevadas
- Memorias programables de slo lectura Memorias programables de slo lectura
borrables borrables elctricamente elctricamente
(Electrically Electrically Erasable Erasable Programmable Programmable Read Read
Only Only Memory Memory, EEPROM EEPROM)
-Memorias programables de slo lectura Memorias programables de slo
lectura borrables borrables elctricamente elctricamente
(Electrically Electrically Erasable Erasable Programmable Programmable Read Read
Only Only Memory Memory, EEPROM EEPROM)
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MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO

- Una memoria FLASH Una memoria FLASH

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FUNCIONALES BLOQUES FUNCIONALES

- Integracin de memorias en bloques de una cierta capacidad Integracin de
memorias en bloques de una cierta capacidad
- Combinacin de bloques para lograr el nmero de posiciones y bi Combinacin de
bloques para lograr el nmero de posiciones y bits ts de posicin deseado de posicin
deseado
CMO COMBINAR LOS CMO COMBINAR LOS BLOQUES? BLOQUES?

EL NMERO DE BITS POR POSICIN AUMENTAR

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AUMENTAR EL NMERO DE POSICIONES Y EL NMERO DE BITS: AUMENTAR EL

NMERO DE POSICIONES Y EL NMERO DE BITS: 1K x 8 1K x 8

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expansin de memorias expansin de memorias

MODULOS MODULOS SIMM SIMM y DIMM DIMM
- Tarjetas de circuito impreso donde se montan las Tarjetas de circuito impreso donde
se montan las
memorias con las conexiones a un terminal de borde memorias con las conexiones a
un terminal de borde
- Van insertadas en zcalos Van insertadas en zcalos
- Mdulos SIMM: Single In Mdulos SIMM: Single In-line line Memory Memory Module
Module 30 contactos (256kb, 1Mb,.., 16Mb) y 30 contactos (256kb, 1Mb,.., 16Mb) y n
1= 8 bits = 8 bits
- 72 contactos (1 Mb, 2Mb, ., 32 Mb, 64 Mb) 72 contactos (1 Mb, 2Mb, ., 32 Mb, 64
Mb) y n
2= 32 bits = 32 bits
- Mdulos DIMM: Dual In Mdulos DIMM: Dual In-line line Memory Memory Module:
Module:
- 64 bits y mayor capacidad 64 bits y mayor capacidad
- Contactos elctricos separados en cada lado del Contactos elctricos separados en
cada lado

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MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL: MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL:

ORGANIZACIN de la informacin ORGANIZACIN de la informacin
- Bit Bit a bit bit:
- Se colocan en serie las posiciones y los bits de cada posicin Se colocan en serie las
posiciones y los bits de cada posicin
- nico terminal de entrada y otro de salida nico terminal de entrada y otro de salida
- Terminal de control: desplazamiento Terminal de control: desplazamiento

DRAM 16 MEG X 4 BIT

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