GENERADORES DE BARRIDO DE TENSIÓN

GENERADORES DE BASE DE TIEMPOS BOOTSTRAP

El circuito Bootstrap se representa en la figura 14, Ri

representa la resistencia de entrada del amplificador A es la
ganancia en circuito abierto del amplificado y Ro es su
impedancia de salida procediendo de la misma manera que se
hizo en el circuito Miller y suponiendo que S se abre para t = 0,
encontramos que, para t = 0+, Vo = − RoV /( Ro + R ) , la salida Vo
tiene este mismo valor para T = 0-, es decir, no abra un salto de
la tensión de salida en el instante t = 0.

Para t= ∞, se tiene:

V ( R I A − Ro ) V
Vo ( t =∞ ) = ≈
Ri (1 − A) + Ro + R (1 − A) + R / Ri

Las aproximaciones que se hicieron en esta ecuación son

razonables, dado que el amplificador de la figura 14, será un
seguidor por emisor o bien un seguidor catódico teniéndose A≈1,
Ri>>R0 y R>>R0, además puesto que Ro<<R, se puede despreciar
el valor de Vo para t = 0+, frente a su valor para t=∞. En este
caso la amplitud de barrido esta dada por la ecuación recién
analizada y el error de pendiente es:

VS  R 
eS ( BOOTSTRAP) = 1 − A + 
V  RI 

En resumen, puede decirse que error de pendiente es, (1-

A+R/Ri) veces el correspondiente al caso en que el condensador
se cargue directamente a partir de V a través de una
resistencia. Al comparar la ecuación del error de pendiente con
la ecuación similar para el caso Miller resulta claro que es más
importante mantener pequeña la relación R/Ri en el circuito
BOOTSTRAP que en el MILLER de manera que aún suponiendo
que, A=1, si R=Ri el circuito Bootstrap no proporcionaría ninguna
mejora en la linealidad, esto significa que el integrador Miller
tiene una cierta ventaja sobre el circuito Bootstrap,
concretamente que es menos importante al contar con una alta
impedancia de entrada del amplificador.

En la figura 14, para t =0 +, Vi = 0 e I = V/(R+Ro) ≈ V/R, ya que

R >> Ro. Esta corriente circula por C de manera que la velocidad
de barrido a la entrada del amplificador es I/C y a la salida.

AI AV
Velocidad de barrido = ≈
C RC

Hemos despreciado aquí el pequeño gradiente de tensión en

Ro, puesto que A ≈ 1, la velocidad de barrido es la misma que la
que se hubiese obtenido si el condensador C se cargara
directamente a partir de V y a través de R. La velocidad de
barrido no depende de la resistencia de entrada RI.

La tensión V de la figura 15, equivale en la figura 14 a la

suma de V’ y la pequeña tensión inicial Vi a través de Re, al
cerrarse R, la desventaja práctica en la figura 15 es que ningún
lado de la tensión de alimentación V’ esta a tierra. Esta
dificultad podría remediarse si se reemplazase V’ por un
condensador cargado C1. Este condensador se carga a través
de una resistencia R1, es preciso que C1 sea lo bastante grande
para que su tensión en bornes no varíe apreciablemente durante
el tiempo del barrido. Si la impedancia del seguidor fuese
infinita, esta corriente constante Ir pasaría por C y haría que la
tensión de bornes de C (y, por consiguiente, también Vo)
aumentase linealmente con el tiempo.
VELOCIDAD Y LINEALIDAD DE BARRIDO

La velocidad de barrido esta dada por la ecuación en la cual:

R
V = VCC
R + R1
De manera que :

AVCC
Velocidad de barrido =
(R + R1 )C

Se puede calcular, también, la velocidad de barrido de otra

manera, como se indica a continuación estando S cerrado, la
corriente en régimen permanente, que circula por R es
I r = VCC /( R1 + R) cuando S se abre, esta corriente pasa por C,
puesto que la tensión en C es nula inicialmente, de manera que
la corriente que circula entonces en la resistencia Ri de entrada
es cero, de aquí se deduce que la velocidad de barrido a la
entrada del transistor es Ir/C y a la salida AIr/C, que da el mismo
resultado visto anteriormente.

La salida en rampa no será exactamente lineal a causa de

los valores finitos de Ri y C1 y también por que la ganancia de
tensión A del seguidor por emisor no es precisamente la unidad,
el error de velocidad de barrido depende de Ri y A , según se ve
en la ecuación que define el error de pendiente para este tipo de
circuitos, se presenta de la siguiente manera:

VS  R
eS ( Bootstrap) = 1 − A + 
V  Ri 

R C
RI > C1 >
1− A 1− A
 Para calcular la resistencia de entrada deberemos tener en
cuenta, en principio que la carga del seguidor de emisor esta
compuesta no solo por Re y R1, sino que también por R. El grado
de carga de R sobre el seguidor por emisor se calcula como
sigue a continuación. El extremo de R unido al emisor (parte
superior) esta a una tensión que es A veces mayor que la
correspondiente al extremo unido a la base. Del teorema de
Miller, se deduce que la resistencia efectiva mirando hacia R
desde el emisor no es R , sino que es, aumentada por el efecto
Miller:
AR
RM =
A −1

Puesto que A es positivo y ligeramente menor que la unidad,

Rm es una resistencia (negativa) de alto valor. Al estar Rm en
paralelo con las resistencia R1 y Re, notablemente inferiores el
efecto de R será en general completamente despreciable.

Sw C et(t) G=1 e0(t)

Figura 14. Forma general de un circuito de barrido Bootstrap.

 Figura 15. Amplificador correspondiente a la figura 14.

GENERADOR DE BASE DE TIEMPOS BOOTSTRAP

TRANSISTORIZADO

Analizaremos ahora con cierto detalle el generador de

barrido Bootstrap de la figura 16, la entrada de Q1 es un onda
puerta procedente de un MV monoestable, (aunque podría ser
igualmente una onda repetitiva, por ejemplo una onda
cuadrada).

Condiciones de Reposo:

La tensión de bornes de C y en la base de Q2, es VCE (sat). La

tensión de salida en reposo del emisor de Q2 es inferior a la
tensión de base en la cantidad VBe2 y, por tanto, con respecto a
masa estará a una tensión Vce ( sat ) − vb 2 si despreciamos esta
tensión tan pequeña (alguna décimas de voltios negativas), así
como también la pequeña caída en el diodo, la tensión a través
de C1 y también a través de R es VCC, por consiguiente, la
corriente Ir será VCC/R puesto que la tensión de salida en reposo
es casi nula, la corriente de emisor de Q2 para t<0, es VEE/R y
su corriente de base es I V 2 ≈ VEE / RE hFE

Siendo IV2 pequeña generalmente en comparación con IC1

VCC
I C1 ≈ I R =
R

A fin de que Q1 se encuentre efectivamente en saturación

para t < 0, es preciso que su corriente de base (≈ VCC / Rb ) sea al
menos igual a I C1hFE o sea:

VCC VCC
〉
Rb h fe R Rb 〈 hFE R )

Figura 16. Circuito Bootstrap transistorizado.

Formación del Barrido:

Al aplicar la onda puerta para t = 0, Q1 se corta. La corriente

IC1 circula ahora por C, y suponiendo que la ganancia del
seguidor por emisor es igual a la unidad la salida aumenta
linealmente con el tiempo según la expresión:

VCC t
VO ≈
RC

Cuando comienza el barrido el diodo tiene una polarización

invertida, como ya se ha dicho anteriormente y la corriente que
pasa por R proviene del condensador C1, que esta cargado a la
tensión VCC, se ve en la figura 16 que, cuando V0 se aproxima a
VCC, la tensión colector - emisor tiende a cero y se entra en la
región de saturación, donde deja de comportarse ya como un
seguidor por emisor, entonces, V0 (y también VC) permanece
constante e igual a VCC, la corriente en C1 y R, VCC/R, pasa ahora
de la base al emisor de Q2. si la salida V0 alcanza el valor VCC en
un tiempo Ts < Tg, tendremos:

Ts = RC

Mientras que, si la amplitud del barrido Vs es menor que VCC,

la máxima tensión de rampa esta dada por:

VCC Tg
VS =
RC
Intervalo de Retroceso:

Al final del pulso puerta, la corriente VCC/Rb, pasa por la base

de Q1, hasta que la tensión de colector cae nominalmente a
cero, en cuyo caso el transistor Q1 entra en saturación, su
corriente de colector permanece razonablemente constante con
un valor I C1 = hFEVCC / Rb , despreciando Ib2, parte de la corriente
proviene de R y la restante ia la suministra C, mientras este
condensador se descarga, la corriente ir que pasa por R, tiene un
valor VCC/R. Es claro que es así, pues al disminuir la tensión en
C, lo mismo sucede con la tensión V0 (ya que Q2 funciona como
un seguidor por emisor), y entonces la caída de tensión en R
permanece fija e igual a VCC que es la tensión DC (despreciando
la pequeña variación en C1 durante el barrido). De aquí que:

hFEVCC VCC
I A ≈ I C1 − I R = −
RB R

Puesto que la corriente de descarga DC es constante, la

tensión DC disminuye linealmente con el tiempo. Debido a la
acción del seguidor por emisor, la salida Vo vuelve a su valor
inicial de una forma lineal, si el tiempo de retroceso es Tr,
tendremos iaTr / C = VS , o bien:

CV S / Vcc
Tr =
(hFE / RB ) − (1 / R )

Después que C se descarga la corriente de colector proviene

toda ella de R y se mantiene con un valor VCC/R.
Proceso de Recuperación:

Durante todo el tiempo T = Tg + TR , el condensador C1 se

descarga a régimen constante puesto que la corriente VCC/R
circula por C1 durante todo este intervalo de tiempo completo,
por consiguiente, el circuito no recuperara enteramente su
estado inicial hasta que C1 no haya recobrado la carga perdida.
En el instante T, cuando la tensión en bornes de C y en la base
de Q2 vuelve al valor que tenia para t < 0, la tensión de C1 es
menor que era inicialmente al comienzo del barrido. El diodo D
empieza a conducir para t = T (en realidad un poco antes) y el
extremo de C1 que esta unido a D vuelve a su potencial inicial
(≈ VCC ) , por consiguiente el otro extremo de C1 que esta
conectado al emisor de Q2, tiene un potencial mas positivo que
inicialmente y Q2 se corta. En consecuencia el condensador
debe ahora cargarse a través de la resistencia Re, que para
lograr una buena linealidad (alta impedancia de entrada), debe
tener un valor elevado esta razón es por la que Re se conecta a
la fuente alimentación -VEE, como vamos a demostrar
seguidamente.

Podemos calcular el tiempo mínimo de recuperación T1 para

C1 como sigue, puesto que la corriente de descarga de C1 es
VCC/R, durante todo el tiempo T, la perdida de carga será VCC/R,
la corriente de carga es VEE/RE, y la carga recuperada será, pues,
VEET1/R2. Igualando ambas cargas tenemos:

VCC R E
T1 = T
V EE R

Obsérvese que T1 es independiente de C1 y varia

inversamente a VEE.
 Si el barrido funciona de una forma recurrente y si el tiempo
de recuperación previsto no es adecuado, la tensión de C1 ira
siendo cada vez menor, lo cual trae consigo dos efectos
perjudiciales. Primeramente, la pendiente del barrido cambiará y
será menor que en el caso de contar con pleno intervalo de
recuperación. En segundo lugar, puesto que el transistor Q2 esta
cortado hasta que se ha terminado la recuperación, se retrasará
la aparición de una tensión de barrido Vo en la salida. Por que
cuando el transistor Q1 esta cortado y comienza a cargarse, no
aparecerá ninguna señal de Vo hasta que la tensión de base de
Q2 no haya alcanzado el punto para el cual Q2 empieza otra vez
a conducir.

El retraso en el comienzo de la conducción de Q2 se puede

impedir, como ya se ha hecho notar, colocando una pequeña
resistencia en serie con C. De esta forma cuando se abre el
transistor de conmutación Q1, aparecerá en la base de Q2 un
salto de tensión inicial, el cual hará conducir a este transistor
inmediatamente. El barrido de salida V0 ira precedido, así mismo
por un salto inicial. Sin embargo, este método no afecta a la
variación en la velocidad de barrido que resulta de un tiempo de
recuperación incompleto en consecuencia, si las condiciones
económicas lo permiten, se ganará mucho mas añadiendo un
transistor adicional, como se ve en la figura 17, lo cual ayudará
a recargar C1 mas rápidamente. En este circuito, los
transistores Q3 y Q1 se cortan al mismo tiempo mediante un
pulso de entrada de modo que se pueda dar lugar a la tensión de
barrido. Cuando, al final de barrido, Q1 conduce para descargar
C, lo mismo le pasa a Q3 y C1 puede recargarse a través de Q3.
Obsérvese que en este circuito la resistencia de emisor Re de la
figura 16, se ha eliminado por completo. El transistor Q2 no
necesita ninguna resistencia de emisor para su correcto
funcionamiento, puesto que, como se ha discutido
anteriormente, una corriente de transistor VCC/R circulará por R
a través de C1. La resistencia de emisor de la figura 16 se
utilizaba principalmente para permitir una rápida carga de C1
pero, ya que Q3 cumple ahora esta finalidad, se puede prescindir
enteramente de Re.

Figura 17. Utilización de transistor para una rápida carga de C1.

El Seguidor por Emisor:

En un seguidor por emisor, varia inversamente a la

resistencia de entrada Ri. Puesto que el error de pendiente
contiene el termino 1 − A + ( R / Ri ) , es evidente que para conseguir
la linealidad optima RI debe ser tan grande como sea posible.
Una impedancia de entrada grande requiere una resistencia de
emisor también grande. En la figura 18 se muestra un circuito en
el cual, en efecto, un seguidor por emisor puede funcionar con
una resistencia de emisor mucho mayor que la que se usaría
directamente de una forma conveniente. En este caso, la
impedancia de entrada Ri4 del seguidor por emisor Q4 se utiliza
como la resistencia de carga Re2 de emisor del seguidor Q2.
Estos dos transistores juntos se llaman configuración darlington
o de transistor compuesto. Puede ser muy elevado (≈ 1 MΩ).
Incidentalmente diremos que el mayor valor posible de la
impedancia de entrada se obtiene para un valor de Re infinito, o
sea, un emisor en circuito abierto. La impedancia entre la base y
la tierra es, entonces, igual que la impedancia entre la base y el
colector, ya que el colector esta a tierra. Pero la impedancia
entre la base y el colector, con el emisor en circuito abierto, es,
por definición, 1 / hob ≈ 2 MΩ que es valor máximo que puede
conseguirse para RI.

Cuando se emplea la configuración de transistor compuesto

en un circuito de barrido Bootstrap, la salida en el emisor de Q2
proporciona la realimentación, como se indica en la figura 18, y
V0 es la señal de barrido. Tomando la salida en el emisor de Q2,
colocaría en paralelo la alta impedancia vista, hacia Q4, por la
impedancia de entrada del amplificador de barrido y
desaparecería la ventaja de la elevada impedancia Ri4, cuando
no se precisa un funcionamiento optimo en la configuración
darlington, se puede utilizar la salida V0 para proporcionar la
tensión de realimentación. Sin embargo, hay dos motivos por los
cuales no resulta ventajoso hacerlo. En primer lugar, la
ganancia del amplificador compuesto es menor que la
correspondiente a una u otra etapa, puesto que estas ultimas
son inferiores a la unidad. En segundo lugar, cuando no se
extrae ninguna señal de realimentación de Q2, la corriente de
emisor de Q2 no puede ser mayor que la pequeña corriente de
base de Q4. Esta restricción en la corriente de Q2 afectara de
manera adversa a sus propiedades como seguidor por emisor,
puesto que hfe disminuye y hie aumenta al disminuir la corriente
de emisor. Ya que tales variaciones disminuyen la ganancia y Ri
es evidentemente ventajoso aumentar la corriente de emisor de
Q2 por encima de la pequeña corriente de base de Q4. La
utilización de Q2 para proporcionar la señal de realimentación
sirve también para obtener esta corriente adicional, ya que,
como se dijo anteriormente, al comenzar el barrido se acude a la
fuente de realimentación para suministrar VCC/R que circula por
R.

Cuando se utiliza el seguidor por emisor de transistor

compuesto, la señal de realimentación se obtiene de Q2 de un
punto de alta impedancia. Es razonable preguntarse si esta
conexión de realimentación no constituye por si mismo una
carga apreciable. La carga resistiva eficaz de Q2 es Rm, y se ve
que es una resistencia (negativa) muy grande, ya que la
ganancia es casi la unidad. Por consiguiente, el efecto de carga
de R es despreciable.

La conexión de darlington agrava el problema de la

recuperación, el condensador C1 debe recargarse mediante la
corriente de base de Q4. A fin de conseguir tiempos de
recuperación razonables, deberá utilizarse el transistor Q3 de la
figura 17.

Figura 18. Circuito Bootstrap en configuración Darlington.

CIRCUITO DE COMPENSACIÓN

Una correcta definición para este tipo de generador de

barrido será, introducir un circuito de compensación para
mejorar la linealidad de los generadores de barrido Miller y
Boostrap.

Existen otros métodos para mejorar la linealidad que se

emplean principalmente para suplir la conseguida por alguno de
los circuitos de realimentación descritos anteriormente. El
circuito de la figura 19 es una configuración Bootstrap
modificada, en la que se ha dividido el condensador de barrido
en dos y se ha conectado una resistencia R2 entre la salida del
seguidor por emisor y el punto de unión de los dos
condensadores. Analizaremos ahora cualitativamente la forma
en que este circuito mejora la linealidad y deduciremos un valor
aproximado para R2.

Despreciando la pequeña corriente suplementaria de

realimentación if (comparada con iR) se halla, que la tensión del
condensador de barrido entre la base y tierra es
aproximadamente:

VCC t  t  VCC t VCC t 2 es

v BN = 1 − es  = −
RC  2Ts  RC 2 RCTs

Siendo C = (C 2C3 ) /(C 2 + C3 ) y estando eS. Esta tensión se ve que

es la suma de un término lineal en t y otro cuadrático que tiene
signo negativo. Podemos, ajustando R2 adecuadamente, lograr
una caída de tensión en C2 que sea exactamente igual al
segundo término de la ecuación anterior, aunque de signo
contrario. Los dos términos cuadráticos se anularán y la falta de
linealidad quedará, entonces, fuertemente reducida.
 Despreciando la tensión base-emisor, la caída de tensión en
R2 es:
C2 C 2 VCC t VCC t
v ep = v BP = v BN ≈ =
C 2 + C3 C 2 + C 3 RC RC3

La caída de tensión ∆r2 en C2 originada por el paso de una

corriente i f = v EP / R2 es:

1 VCC t 2
C2 ∫
∆r2 = i f dt =
2C 2 R2 RC3

Igualando el término cuadrático de esta ecuación

obtenemos:
Ts
R2 =
(C 2 + C3 )es

Utilizando los mismos valores de los parámetros en el

ejemplo ilustrativo de la sección precedente para un circuito
con seguidor por emisor único, siendo es = o, o16.Ts = 500µs y
C 2 = C3 = 2C = 0,2 µF se tiene:

500
R2 = Ω = 78 KΩ
(0,4)(0,016)
Se puede colocar el diodo en paralelo con R2 (con el ánodo
en el punto P, de manera que el diodo tenga polarización inversa
durante la formación del barrido), permitiendo así una descarga
rápida de los dos condensadores cuando se cierra S al final del
barrido.
 Figura 19. Circuito de compensación para mejorar la linealidad
de un circuito de barrido.

CIRCUITO INDUCTIVO

Para este caso, se utiliza un circuito serie RLC para

conseguir una carga del condensador más lineal que la que
resulta posible sin el uso de una bobina.

Se puede utilizar una bobina de inductancia L para mejorar

la linealidad de un simple circuito de barrido RC, como se ve en
la figura 20. La bobina permite también obtener un barrido cuya
amplitud sea mayor que la tensión de alimentación debido a la
naturaleza oscilante del circuito. La mejora de linealidad
proviene de la ausencia del término cuadrático en el desarrollo
en serie de potencias de t para la tensión del condensador,
como vamos ahora a demostrar.

De la figura 20 se deduce, estando S cerrado, vs = 0 e

i = V / R . Supongamos que S se abre en el instante t=0. Entonces,
puesto que ni la tensión del condensador ni la corriente en la
bobina pueden cambiar instantáneamente, debe ser v s = 0 e
i = V / R también para t=0+, puesto que:

di
V =L + iR + v s
dt

Se deduce que, para t = 0 +,

di V di
V =L + R+0 =0
dt R dt

dVs di
Puesto que i = C , = 0 significa que d 2 vs / dr 2 = 0 para t=0+.
dt dt
Si la segunda derivada de una función es nula para t=0, es claro
que su desarrollo en serie de potencias no puede incluir ningún
término cuadrático. Se pueden hallar los dos primeros términos
del desarrollo, que son:
Vt  t2 
vs = 1 − 
RC  6 LC 

La corriente en la bobina es menor al final del barrido que al

principio. La corriente inicial en la bobina depende del periodo
de restauración permitido entre barridos y, por consiguiente, la
velocidad de barrido será función de la frecuencia de repetición
del mismo. La constante de tiempo correspondiente al periodo
de restauración es L/R, pero por otra parte, la diferencia en
tanto por ciento entre la corriente de la bobina al principio y al
final del barrido es pequeña. Por consiguiente, el periodo de
restauración no necesita ser grande en comparación con L/R
para ser que la corriente inicial por la bobina sea independiente
de la frecuencia de repetición aproximadamente.
 Figura 20. Circuito básico del tipo inductivo.

Se puede utilizar en cualquiera de los circuitos anteriores

transistores u otros elementos semiconductores, según sea la
aplicación, conveniencia, velocidad y otras consideraciones
prácticas.