Departamento de Física

Laboratorio de Electricidad y Magnetismo

ESTUDIO DEL EFECTO HALL EN UN

SEMICONDUCTOR DE Ge
1 Objetivos

• Estudiar y comprender el Efecto Hall.

• Medir el voltaje de Hall como función de la corriente que circula por un semiconductor
de Germanio de conductividad tipo n o p, y como función del campo magnético que lo
atraviesa.
• Determinar el coeficiente de Hall.
• Identificar el signo de los portadores de carga en función de la polaridad del voltaje de
Hall, de la dirección del campo magnético y el sentido de la corriente en el
semiconductor.

2 Fundamentos teóricos

El Efecto HALL fue descubierto por el físico Edwin Herbert Hall en el año 1879. Este consiste en
la aparición de un campo eléctrico E perpendicular a la dirección de la corriente I que
atraviesa un material (conductor o semiconductor) que se encuentra en el seno de un campo
magnético B perpendicular a dicha corriente.

2.1 Semiconductores. Generalidades.

Atendiendo a las propiedades electrónicas de los materiales relacionadas con la conductividad

σ, éstos pueden clasificarse en tres grandes grupos: aislantes, semiconductores y conductores.
Para que un material conduzca electricidad es necesario que existan electrones libres, es decir,
portadores de carga en la banda de conducción (BC), de forma que no todos los portadores
estén ligados al cristal (átomos e iones), como ocurre en la banda de valencia (BV). La
separación entre la banda de valencia y la de conducción se llama banda prohibida (BP),
porque en ella no puede haber portadores. Según la estructura de bandas:

o los conductores (metales) son aquellos en los que ambas bandas de energía se
superponen.
o los aislantes son aquellos en los que el ancho de la BP es mayor o igual que 6 eV, lo que
hace imposible que a temperaturas moderadas (E = kT) se produzcan saltos de
electrones entre BV y BC, por lo que no hay portadores libres en BC.
o los semiconductores (SC) son aquellos en los que el ancho de BP es del orden de 1 eV.
Por ejemplo, en el germanio es 0.66 eV. En este caso, la conductividad es muy
dependiente de la temperatura: a temperaturas moderadas (T~350K) los portadores
tienen suficiente energía para saltar de BV a BC, aumentando así la concentración de
portadores libres en BC, mientras que a bajas temperaturas se comportan como
aislantes perfectos, al no haber energía suficiente para crear portadores libres en BC.

Atendiendo al nivel de impurezas contenidas en los semiconductores éstos pueden clasificarse

en intrínsicos, con concentraciones de impurezas despreciables, y en general no deseadas, y
extrínsecos, con altos niveles de impurezas creados de manera intencionada en el proceso de
fabricación. Dependiendo del tipo de impureza con que intencionadamente se dope, un SC
puede tener una conductividad extrínseca por huecos (semiconductor tipo p, SCp) o por
electrones (semiconductor tipo n, SCn).

1
 En la dependencia de la conductividad en un SC
extrínseco con la temperatura podemos diferenciar
tres posibles regímenes: a bajas temperaturas
tenemos conducción extrínseca (R-I) , es decir, a
medida que la temperatura aumenta, los portadores
de carga se ionizan desde las impurezas, pasando a
la BC. A temperaturas moderadas (R-II) hablamos
de agotamiento de impurezas, puesto que casi todas
las impurezas han sido ya ionizadas y un incremento
en la temperatura no conlleva un aumento de
portadores en la BC. A temperaturas elevadas (R-
III) la conducción que predomina es la intrínseca
(ver figura 3); los portadores que llegan a la BC
proceden de la BV, es decir, son átomos ionizados
del propio material SC, no de las impurezas. En este
último régimen, la conductividad en función de la
temperatura se puede expresar como:
Figura 1. Dependencia de la conductividad
con la temperatura en un SC. ΔEp
−
σ = σ0 ⋅e 2kT
[1]

donde ΔEp es el ancho de energía de la BP del SC, k=8.625·10-5 eV/K es la constante de

Boltzmann y T la temperatura absoluta (en K).

Recordemos que:

o la conductividad es el inverso de la resistividad ρ, y sus unidades son (Ωm)-1.

o la densidad de corriente (corriente por unidad de área) es J = qnv, donde n es la
concentración de portadores, y según la ley de Ohm: J = σ E.
o la velocidad promedio de los portadores es v = μ E, donde μ es la movilidad de los
portadores.

Por tanto:

J = qn μ E = σ E [2]

de donde

σ = qn μ [3]

2.2 Efecto Hall en un semiconductor.

Si un material SC de forma rectangular con una anchura h, un espesor d y una longitud l por
el que circula una corriente estacionaria I es colocado en el seno de un campo magnético
homogéneo B como muestra la figura 2, los portadores de carga negativa (electrones, q=-e) o
positiva (huecos, q=e), que se mueven con una velocidad promedio v, sienten la acción de la
fuerza magnética o de Lorentz dada por F = q (v x B). Esta fuerza hace que los portadores se
desvíen, acumulándose en la región superior (canto trasero) o inferior (canto frontal) del SC,
dependiendo del tipo de conductividad n o p de éste (ver figura 3) y del sentido de I y B.

2
 Figura 2. Efecto Hall en un semiconductor tipo n.
La acumulación de portadores en estas regiones genera un campo eléctrico denominado
campo de Hall EH, que es perpendicular a B y I y que se opone a que más portadores se
acumulen, alcanzándose el equilibrio para valores dados de I y B. Ligada a EH aparece el
voltaje de Hall, VH = EH·d, que se puede medir conectando un voltímetro como se muestra en
la figura 2. Dependiendo de si la lectura del voltímetro es positiva o negativa, y conociendo el
sentido del B y de la corriente I que circula por el circuito proporcionada por la batería,
podemos deducir si los portadores de carga en el material SC son las cargas positivas (huecos)
o las negativas (electrones). Como se puede comprobar en el caso de figura 2 los portadores
son los electrones, así como en la figura 3a), mientras que en la 3b) los portadores son los
huecos.

Figura 3. a) SC tipo n: los portadores son electrones. b) SC tipo p: los portadores son huecos.

En el equilibrio, es decir, cuando la fuerza eléctrica debida al campo de Hall FH se iguala a la

fuerza de Lorentz FL tenemos:
FH = FL ⇒ qE H = qvB ⇒ E H = vB

ya que
FH = q E H ⇒ FH = qE H y FL = q( v × B ) ⇒ FL = qvB , si v ⊥ B

Como el espesor de la muestra SC es d entonces el voltaje de Hall VH será:

VH = EHd = vB d

Sabiendo que la densidad de corriente es:

J = qnv

3
y que además, J=I/A, donde A es el área de la muestra (A=d·h), entonces:
J I
J = J = qnv ⇒ v = =
nq nqA
y podemos escribir VH como:

I IB
VH = Bd =
nq dh nq h

Si denotamos por RH al coeficiente de Hall, cuya expresión viene dada por 1/qn, y que tiene
valor positivo en el caso de huecos y negativo en el caso de electrones, tenemos finalmente:

I
VH = R HB [4]
h

Por tanto podemos rescribir la ecuación [3] utilizando el coeficiente de Hall como

μ
σ= [5]
RH

3 Para saber más...

• TIPLER P.A. y MOSCA, G., “Física para la Ciencia y la Tecnología”, Vol 2. 5ª edición.
Ed. Reverté, Barcelona, 2005. Capítulo 26. Páginas 783-785.

• SERWAY, R.A y JEWETT, W. “Física”, Vol 2, 3ª edición. Ed. Thomson-Paraninfo,

Madrid, 2003. Capítulo 2. Páginas 843.

En internet

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html

http://www.eeel.nist.gov/812/effe.htm

http://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_Hall

http://personales.upv.es/jquiles/prffi/magnetismo/ayuda/hlphall.htm

4
 4 Material

1. Módulo de Hall
2. Placa portadora del semiconductor (germanio tipo p o n)
Dimensiones del SC: d = 1 mm, h = 10 mm y l =20 mm
3. Electroimán
4. Fuente de alimentación
5. Teslámetro
6. Polímetro digital
7. Sonda para medir el campo magnético tangencial
8. Cables de conexión

4
1 5

3
7

2
8

Figura 4.Puesto de trabajo e instrumentación.

5
 5 Método experimental

5.1 Medida del potencial de Hall VH como función de la intensidad de la corriente que circula
por la muestra.
5.1.1 Con la fuente apagada (interruptor en el panel trasero del equipo) comprobar
que:
- el selector de salida de voltaje en CA (puente 1) se encuentra en la posición de
12 V.
- la posición de los controles de voltaje (2) y corriente (3) se encuentran al
mínimo.

2 3

4
6

Figura 5. Fuente de voltaje en CC y CA.

5.1.2 Conectar la salida de voltaje en CA de la fuente (4) a la entrada del módulo de

Hall (5), marcada con 12V~ y que se encuentra en la parte trasera del mismo.

14
16
15
5

17 18

Figura 6. Módulo de Hall. Vista frontal y trasera.

5.1.3 Conectar la salida de voltaje en CC de la fuente (6) a los dos extremos libres del
electroimán (uno a cada lado) (7a y 7b). Tener en cuenta que la polaridad que
se elija cambia el sentido de la corriente en las bobinas del electroimán y con
ello el sentido del campo magnético.

6
 8

7a 7b

Figura 7. Electroimán.

5.1.4 Colocar la parte superior del núcleo de hierro del electroimán (8).

5.1.5 Calibración del teslámetro:

- Conectar la sonda (medidor del campo magnético

tangencial) en la clavija correspondiente del
teslámetro (9) y encender éste mediante el
interruptor en la parte trasera del equipo.
11 12 - Comprobar que el selector de campo magnético
10
(10) está en continuo (Direct Field).
13 - Alejar la sonda del electroimán lo máximo
posible.
9 - Colocar el selector de escala (11) en la escala de
1000 y ajustar con el control fino (12) hasta que
la medida del campo sea cero. Bajarlo de escala
progresivamente (a 200 y a 20) y realizar el
mismo ajuste. En caso de que no se consiga
ajustar la lectura del campo a cero, utilizar el
botón rojo (13) situado bajo el selector de escala.
Mover este botón delicadamente.

Figura 8. Teslámetro.

5.1.6 Retirar la parte superior del núcleo de hierro del electroimán situada frente al
semiconductor, insertar delicadamente la sonda en la ranura del módulo de Hall
hasta el final, con la etiqueta del mando de espaldas al observador, y comprobar
que la punta del sensor queda justo enfrente de la muestra semiconductora.
Volver a colocar la cabeza del electroimán. ¡Atención! La sonda no debe quedar
presionada contra la muestra.

5.1.7 Conectar el polímetro como voltímetro respetando la polaridad en la salida del

voltaje de Hall (14), etiquetado con UH en el módulo de Hall, encenderlo y
seleccionar la escala de 200 mV en CD.

5.1.8 Encender la fuente y comprobar que en el módulo de Hall, la lectura de la

pantalla corresponde a corriente (led mA (15) encendido). En caso contrario,
seleccionar con el botón (16) marcado con Display la medida de corriente.

7
5.1.9 Ajustar el control de corriente (3) en la fuente a 2A; no sobrepasar este valor.
Aumentar V con el control de voltaje (2) de la fuente hasta conseguir que la
lectura del valor del campo magnético en el teslámetro sea de 300mT. El
selector de escala del teslámetro ha de estar en 1000.

5.1.10 Con el control de corriente (17) en la muestra semiconductora, marcada con Ip

en el módulo de Hall, ajustar hasta que la lectura de la corriente en la pantalla
del módulo sea 0, y con el control (18) marcado con UH comp (voltaje
compensador de Hall), ajustar hasta que la lectura del polímetro, en la escala de
200 mV, sea lo más cercana a cero posible. Ver figura 9.

Figura 9. Montaje para la medida de VH frente a I.

5.1.11 Variar la corriente en la muestra utilizando el control Ip (17) desde – 60 mA

hasta 60 mA en pasos de 10 mA. En ningún caso superar estos valores y mover
el control con mucha delicadeza. Tomar la lectura del voltaje de Hall para cada
paso. Con estos valores construir una tabla de VH frente a I.

5.1.12 Representar gráficamente VH frente a I. Realizar un ajuste por mínimos

cuadrados.

5.1.13 Interpretar los valores de los parámetros de ajuste, utilizando para ello la
ecuación [4]. Decir cuál es el signo del portador de carga. Obtener el valor del
coeficiente de Hall RH y de la concentración de portadores n o p a partir de los
parámetros de ajuste.

8
5.2 Medida del potencial de Hall VH como función de la intensidad del campo magnético.

5.2.1 Fijar el valor de la corriente en la muestra con el control Ip (17) a 20 mA.

5.2.2 Con el control de V de la fuente (2) aumentar la intensidad del campo magnético
en la muestra hasta 350 mT, en pasos de 50 mT y tomar la lectura de VH para
cada paso. No sobrepasar en ningún caso el valor de 350 mT. Ver figura 10.

Figura 10. Montaje para la medida de VH frente a B

5.2.3. Invertir el sentido del campo magnético en el electroimán. Para ello,

intercambiar los cables en las entradas (7a) y (7b). Comprobar que el signo en
la lectura del campo magnético en el teslámetro ha cambiado, y
consecuentemente lo ha hecho el signo de VH. Repetir el paso 5.2.2. desde 0
hasta –350 mT.

5.2.4 Construir una tabla de VH frente a B.

5.2.5 Representar gráficamente VH frente a B. Realizar un ajuste por mínimos

cuadrados.

5.2.6 Interpretar los valores de los parámetros de ajuste, utilizando para ello la
ecuación [4]. Obtener el valor de la concentración de portadores n o p a partir
de los parámetros de ajuste y compararlo con el obtenido en el apartado 5.1.13.
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