INDICE

Prefacio V
Introducción VII
Capitulo Primero.- Elemento de los Circuitos Electrónicos 1
1.1. Generalidades 1
1.1.1. Sistema electrónicos 1
1.1.2. Mecánica y electrónica 1
1.1.3. Limitaciones en frecuencias 2
1.1.4. Elementos ideales de los circuitos lineales pasivos 3
1.1.5. Teoría de los circuitos electrónicos 5
1.1.6. Diodo ideal y fuente gobernada 6
1.1.7. Notaciones 7
1.1.8. Respuesta en frecuencia 9
1.1.9. Respuesta de amplitud – distorsión de amplitud 11
1.1.10. Respuesta indicial e impusional 11
1.2. Revisión de las Propiedades de los circuitos pasivos elementales 12
1.2.1. Circuitos de primer orden: RC y LR 12
1.2.2. Coeficientes de calidad de una inductancia, de una capacidad y de 15
un circuito oscilante
1.2.3. Selectividad del circuito oscilante 18
1.2.4. Respuesta indicial de un circuito oscilante 20
1.3. Nociones sobre circuito acoplados 23
1.3.1. El acoplamiento magnético 23
1.3.2. Acoplamiento de diversos tipos 24
1.3.3. Carga vista por la f.e.m del primario 26
1.3.4. Tensión en el secundario 27
1.3.5. Transformador de hierro 34
1.3.6. Admitancia de entrada global de un sistema de circuitos acoplados 37
Resumen de las principales fórmulas 41
Capitulo Segundo.- Diodos 42
2.1. Conducción eléctrica en medios diversos 42
2.1.1. Generalidades 42
2.1.2. Conducción en los metales 43
2.1.3. Conducción en un semiconductor intrínseco 46
2.1.4. Conducción en un semiconductor extrínseco 49
2.2. Diodos semiconductores 51
2.2.1. Unión en un semiconductor 51
2.2.2. Diodo de unión 52
2.2.3. Diversas clases de diodos de unión 54
2.3. Producción de electrones e ionización 55
2.3.1. Generalidades 55
2.3.2. Emisión termoiónica 56
2.3.3. Emisión por efecto de campo 57
2.3.4. E misión fotoeléctrica 58
2.3.5. Emisión secundaria 58
2.4. Diodos de vacío y de gas 58
2.4.1. Clasificación 58
2.4.2. Diodo de vacío: Característica 59
2.4.3. Efecto de la carga espacial 60
2.4.4. Diodo de gas de cátodo caliente 62
2.4.5. Diodo de gas de cátodo frío 63
Resumen de las principales fórmulas 65
Capitulo Tercero.- Circuitos con diodos 66
3.1. Características de un dipolo 66
3.1.1. Introducción 66
3.1.2. Características de los circuitos lineales 67
3.1.3. Teorema de Théve nin 68
3.1.4. Estudio gráfico de los circuitos con diodos 70
3.2. Modelos lineales por tramos 72
3.2.1. El rectificador ideal 72
3.2.2. Modelos lineales por tramos para diodos reales 74
3.2.3. Establecimiento de un modelo lineal por tramos para un circuito no 75
lineal cualquiera
3.2.4. Análisis por tramos de los circuitos lineales 77
3.2.5. Aplicación del método de los puntos de ruptura 77
3.2.6. Aplicación del método de los estados supuestos 78
3.3. Rectificación y Aplicaciones 79
3.3.1. Rectificación sin capacidad de carga 79
3.3.2. Rectificación con capacidad de carga 80
3.3.3. Cálculo de la ondulación del montaje con capacidad de carga 83
3.3.4. Rectificadores de onda completa 84
3.3.5. Filtrado por condensador de entrada 85
3.3.6. Filtrado por inductancia de entrada 86
3.3.7. Observaciones sobre la rectificación 88
33.3.8. El detector 88
Resumen de las principales fórmulas 90
Capitulo Cuarto.- Transistores 91
4.1. Somero estudio de funcionamiento 91
4.1.1. Introducción 91
4.1.2. Funcionamiento de un transistor PNP 91
4.1.3. Funcionamiento de un transistor NPN 95
4.1.4. Ganancia diferencial en tensión y en potencia 95
4.1.5. Características 97
4.2. Modelos para transistores 100
4.2.1. Modelos con diodos ideales para el montaje en base común 100
4.2.2. Modelo con diodos ideales para el montaje en emisor común 102
4.2.3. Efectos de la resistencia de base 104
4.2.4. Modelos resistivos lineales por tramos, <<completos>> y 104
<<simplificado>>
4.2.5. Valores y variaciones de los parámetros diferenciales <<en r>> 106
4.3. Limitaciones físicas de la transistores 109
4.3.1. Efectos de la temperatura 109
4.3.2. Limitaciones respecto a la potencia 110
4.3.3. Limitaciones de tensión 112
4.3.4. Diversos tipos de transistores 114
Resumen de las principales fórmulas 118
Capitulo Quinto.- Propiedades Generales de los Elementos Activos 119
5.1. Elementos gobernados y elementos activos 119
5.1.1. Introducción 119
5.1.2. Resumen sobre los generadores de potencia continua 119
5.1.3. Generadores de potencia variable 121
5.1.4. Elementos gubernamentales: Clasificación y propiedades 122
5.1.5. Modelos para elementos gobernados 123
5.1.6. Balance de potencia en la utilización de un elemento gobernado 126
5.2. Análisis diferencial de los cuadripolos activos 128
5.2.1. Modelos lineales totales y diferenciales 128
5.2.2. Representaciones de un cuadripolo activo 131
5.2.3. Ganancias, impedancia de entrada, impedancia de salida 135
5.2.4. Identificación de los coeficientes h 139
5.2.5. Cuadripolos constituidos a partir de un mismo tripolo 140
5.2.6. Criterio de unilateralidad 141
5.3. Transferencia de potencia 142
5.3.1. Coeficientes diferenciales complejos 142
5.3.2. Transferencia de potencia de un generador a un dipolo pasivo 142
5.3.3. Transferencia de potencia a través de un cuadripolo activo 144
5.3.4. Amplificadores de potencia 147
5.4. La realimentación en los circuitos activos 151
5.4.1. La realimentación en la electrónica 151
5.4.2. Elementos de un buele de realimentación electrónico 152
5.4.3. Estabilidad 154
5.4.4. Ganancias e impedancias en bucle cerrado 154
5.4.5. Estabilización de la magnitud de salida 157
5.4.6. Utilización de los gráficos funciona les en electrónica 159
5.4.7. Realimentación negativa no lineal 160
5.4.8. Realimentación negativa selectiva 161
5.4.9. Estabilidad en un cuadripolo 161
5.4.10. Montaje <<neutralizado>> 163
5.4.11. Efecto Miller 165
Resumen de los principales fórmulas 169
Capitulo Sexto.- Utilización de los Transistores en amplificadores 170
de Baja Frecuencia Clase A
6.1. Determinación del punto de trabajo 170
6.1.1. Generalidades 170
6.1.2. Polarización mediante dos fuentes 171
6.1.3. Polarización mediante una sola fuente 173
6.1.4. Influencia de la temperatura – Estudio cualitativo 175
6.1.5. Influencia de la temperatura (caso de transistores de germanio) 177
6.1.6. Influencia de la temperatura (caso de transistores de silicio) 178
6.1.7. Equilibrio térmico de un transistor en funcionamiento 181
6.1.8. Utilización de una sola fuente de alimentación en el 182
funcionamiento con señales variables
6.2. Coeficientes diferenciales de los transistores 184
6.2.1. Coeficientes <<h>> y coeficiente <<r>> 184
6.2.2. Aproximaciones 188
6.2.3. Utilización de los parámetros dados por el catálogo 190
6.2.4. Otras notaciones 192
6.3. Montajes amplificadores fundamentales: emisor común, colector 192
común y base común
6.3.1. Estudio, sobre características reales, del montaje en emisor 192
común
6.3.2. Características de transferencias 195
6.3.3. Impedancia de entrada y salida 196
6.3.4. Modelos diferenciales en TT 198
6.3.5. Conclusión sobre los tres montajes fundamentales 203
6.4. Comple mento sobre los amplificadores de BF 204
6.4.1. Transistor con carga repartida 204
6.4.2. Estabilización del punto de funcionamiento de un transistor 206
mediante la resistencia colector – base
6.4.3. Cálculo simplificado de una etapa en emisor común 208
Resumen de las principales fórmulas 212
Capitulo Séptimo.- Estudio de Varios Componentes 213
Introducción 213
7.1. Características y modelos de las válvulas de vacío 214
7.1.1. Funcionamiento de un triodo de vacío 214
7.1.2. Características de un triodo de vacío 214
7.1.3. Modelo lineal por tramos para el triodo de vacío 218
7.1.4. Modelo lineal diferencial y parámetros diferenciales del triodo 220
7.1.5. Funcionamiento de un tetrodo de vacío 221
7.1.6. Funcionamiento de un pentodo de vacío 224
7.1.7. Modelo lineal por tramos y parámetros diferenciales del pentodo 225
de vacío
7.1.8. Válvulas de electrodos múltiples 228
7.2. Amplificadores de BF con válvulas 229
7.2.1. Polarización de un triodo 229
7.2.2. Polarización de un pentodo 232
7.2.3. Funcionamiento con señales variables 233
7.2.4. Identificación de los coeficientes diferenciales 235
7.2.6. Montaje placa a masa 236
7.2.7. Montaje rejilla a masa 238
7.2.8. Comparación de las válvulas y los transistores 239
7.3. Diodos especiales 242
7.3.1. Diodos zener: características 242
7.3.2. Diodos zener: modelo y utilización 243
7.3.3. El diodo túnel 245
7.4. Tiratrones 246
7.4.1. Tiristores: características estáticas 246
7.4.2. Limitaciones físicas de los tiristores 248
7.4.3. Ejemplos de utilización de los tiristores 248
7.4.4. Tiratrones a gas 250
7.5. Transistores especiales 251
7.5.1. Transistores uniunión: características estáticas 251
7.5.2. Modelo lineal por tramos para el transistor uniunión 252
7.5.3. Estabilización de la tensión de cresta de un transistor uniunión 255
7.5.4. Utilización de los transistores uniunión 257
7.5.6. Modelo lineal por tramos para el transistor de efecto de campo 259
7.6. Componentes optoelectrónicos 260
7.6.1. Generalidades 260
7.6.2. Clasificación general de los detectores 262
7.6.3. Ruido y detectividad 262
7.6.4. Detectores por fotoemisión 263
7.6.5. Detectores fotovoltaicos 264
7.6.6. Detectores de fotoconducción 265
7.6.7. Diodos de recombinación 266
Resumen de las principales fórmulas 268
Capitulo Octavo.- Banda Pasante de los Amplificadores 269
Introducción 269
8.1. Modelo de alta frecuencia para los trabajadores 270
8.1.1. Elementos parásitos a frecuencias elevadas 270
8.1.2. Esquema en TT para el montaje E 273
8.1.3. Frecuencias características 277
8.1.4. Órdenes de magnitud y simplificación del modelo nen TT (emisor 277
común)
8.1.5. Parámetros <<y>> 279
8.1.6. Estabilidad intrínseca 280
8.2. Modelos de alta frecuencia para válvulas y otros componentes 282
8.2.1. Efecto de las capacidades parásitas en las válvulas de vacío 282
8.2.2. Conductancia de entrada, debida a la inductancia de cátodo y al 286
tiempo de tránsito, de los electrones en un pentodo
8.2.3. Modelo en HF parea el diodo túnel 289
8.2.4. Modelo en HF para el transistor de efecto de campo 289
8.2.5. Modelo en HF parta el transistor uniunión 290
8.3. Propiedades generales de la selectividad 290
8.3.1. Definiciones 290
8.3.2. Modelo común a la válvulas y a los transistores en HF 291
8.3.3. Banda pasante del modelo común simplificado 293
8.4. Amplificador de resistencia capacidad y derivados 297
8.4.1. Limite inferior debido a las capacidades de acoplamiento 297
8.4.2. Límite infe rior debido a las capacidades de desacoplo de la 298
polarización automática
8.4.3. Límite superior en el caso del transistor montado en emisor común 299
8.4.4. Límite superior en el caso de un triodo en el montaje cátodo a 303
masa
8.4.5. Amplificador de video 305
8.4.6. Límites debidos a los transformadores de BF 307
8.5. Amplificadores selectivos 310
8.5.1. Amplificador con circuitos oscilante sintonizado 310
8.5.2. Amplificadores con circuitos acoplados 316
8.5.3. Amplificadores de banda ancha 318
Resumen de las principales fórmulas 320
Capitulo Noveno.- Amplificadores de c.c 321
9.1. Amplificadores de acoplamiento directo 321
9.1.1. Problemas específicos a los amplificadores de corriente continua 321
9.1.2. Ajuste de los ceros por alimentación doble 324
9.1.3. Compensación de la tensión base – emisor 325
9.1.4. Utilización de transistores complementarios 327
9.1.5. Utilización de la realimentación negativa 328
9.1.6. Amplificadores por <<recordado>> 328
9.2. Amplificadores diferenciales 328
9.2.1. Principio de funcionamiento 328
9.2.2. Funcionamiento en modo diferencial y en modo común 330
9.2.3. Esquema real de una etapa diferencial y modelo utilizado 333
9.2.4. Estudio de la etapa diferencial perfectamente simétrica 334
9.2.5. Estudio de la tensión de desplazamiento 337
9.2.6. Influencia de la temperatura 340
9.2.7. Influencia de las tensiones de alimentación 341
9.3. Circuitos integrados lineales 342
9.3.1. Indicaciones internos y clasificación de los circuitos integrados 344
lineales
9.3.2. Amplificadores operacionales 346
Capitulo Décimo.- Amplificación no Lineal y Auto – Oscilación 349
10.1. Generalidades 349
10.1.1. Clase de amplificación 349
10.1.2. Descrestado 349
10.1.3. Osciladores 351
10.1.4. Observaciones concernientes a las cuestiones de la polarización 352
10.2. Amplificación en clase C 353
10.2.1. Principio de funcionamiento 353
10.2.2. Cálculo del rendimiento teórico y de la ganancia 355
10.2.3. Eficacia del filtrado 357
10.2.4. Estudio sobre características reales 357
10.3. Amplificadores simétrica en clase B 362
10.3.1. Principio de funcionamiento 362
10.3.2. Ventajas del montaje simétrico en clase B (o AB) 364
10.3.3. Estudio del funcionamiento sobre características reales 364
10.3.4. Impedancia de salida y respuesta en frecuencia 366
10.4.5. Calculo práctico de un oscilador en clase C 377
10.4.6. Estabilidad en frecuencia 377
10.4.7. Oscilador Colpitts 378
10.4.8. Oscilador Hartley 381
10.4.9. Osciladores de acoplamiento magnético 382
10.4.10. Oscilador a cristal 383
10.4.11. Oscilador a diodo túnel 385
10.4.12. Oscilador con desface 386
Capitulo Undécimo.- Circuitos y Básculas 387
11.1. Propiedades generales de los circuitos digitales 387
11.1.1. Definiciones 387
11.1.2. Resumen del algebra de Boole 388
11.1.3. Funcionamiento estático de un inversor a transistor 391
11.1.4. Funcionamiento dinámico de un inversor a transistor 393
11.1.5. Puertas con diodos 396
11.1.6. Clasificación de los circuitos digitales 399
11.1.7. Condiciones de asociación en cascada de dos circuitos digitales 399
11.1.8. Condiciones generales de asociación de los circuitos digitales. 401
Cargabilidad de entrada y cargabilidad de salida
11.1.9. Circuitos digitales integrados 402
11.1.10. Tiempo de propagación y potencia consumida 403
11.2. Las familias de circuitos digitales y potencia consumida 403
11.2.1. Familia DTL (Diode – transistor- logic) 403
11.2.2. Familia TTL (Transistor – transistor – logic) 405
11.2.3. Familia RTL (resistor – transistor - logic) 406
11.2.4. Familia ECL (emmitter – coupled - logic) 407
11.2.5. Familia CTL (complementary – transistor - logic ) 408
11.2.6. Comparación entre las familias de circuitos integrados 409
11.3. Sistemas de relajación y básculas 409
11.3.1. Resistencia negativa 409
11.3.2. Principio de las básculas biestables 411
11.3.3. Básculas biestables a diodo túnel 412
11.3.4. Principio de las básculas monoestables 413
11.3.5. Univibrador con transistor uniunión 415
11.3.6. Principio de las básculas astables 417
11.3.7. Efectos de un tiempo de transición no nulo en una báscula 419
astable
11.3.8. Multivibrador con transistor uniunión 421
11.3.9. Características negativa de un dipolo activo con dos transistores 421
11.3.10. Báscula bienestable a transistores 424
11.3.11. Báscula de Schmitt 427
11.3.12. Univibrador a transitores 430
11.4. Circuitos combinatorios elementales 432
11.4.1. Circuitos combinatorios elementales 432
11.4.2. Sumador binario 434
11.4.3. Báscula RS 435
11.4.4. Básculas sincronizables 437
Ejercicios 441
Ejercicios sobre el capitulo primero 441
Ejercicios sobre el capitulo tercero 443
Ejercicios sobre el capitulo quinto 445
Ejercicios sobre el capitulo sexto 446
Ejercicios sobre el capitulo séptimo 451
Ejercicios sobre el capitulo octavo 453
Ejercicios sobre el capitulo noveno 454
Ejercicios sobre el capitulo décimo 455
Ejercicios sobre el capitulo undécimo 455
Soluciones escuetas de los ejercicios 457
Ejercicios sobre el capitulo primero 457
Ejercicios sobre el capitulo tercero 457
Ejercicios sobre el capitulo quinto 459
Ejercicios sobre el capitulo sexto 461
Ejercicios sobre el capitulo séptimo 462
Ejercicios sobre el capitulo octavo 467
Ejercicios sobre el capitulo noveno 469
Ejercicios sobre el capitulo décimo 472
Ejercicios sobre el capitulo undécimo 473