TRANSISTOR MOSFET

El apunte más importante, es que los MOSFETs de las placas base, llevan siempre un
diodo integrado, conectado en anti-paralelo con la conexión D-S.
Por esa razón, los símbolos mas utilizados en nuestros esquemas serian parecidos a los
siguientes.

En esta foto aparecen diodos tipo Schottky, pero habitualmente serian diodos normales,
a base de Silicio.

Es el momento de hacer unos comentarios sobre las mediciones sobre estos transistores.
Si el terminal Gate no recibe una polarización adecuada, la conexión D-S estaría
cerrada; es decir, no indicaría nada en el multimetro, en ningún sentido.
Ahora viene la cosa interesante. Como dije, todos los MOSFETs usados en placas base
contienen un diodo, integrado en la misma capsula. Por esa razón, el multimetro nos
indicara la presencia de este diodo, si lo polarizamos correctamente.
Arriba se presenta el caso del MOSFET canal P y abajo el de canal N.
Habitualmente, se prefiere dibujar el símbolo del MOSFET de tal manera que los
voltajes más altos aparezcan en la parte superior…
En los dibujos de la izquierda, el multimetro no indicara nada. En los casos de la
derecha, el multimetro nos indicara la presencia del diodo.
Si el MOSFET lleva dentro un diodo de Silicio, el multimetro nos indicara 450-550 en
escala diodos; es la misma que zumbador en la mayoría de los multimetros.
Si lleva un diodo Schottky, la indicación estará dentro de un rango inferior, 120-250.
La idea no es conseguir siempre una indicación exacta y reproductible; es imposible y
tampoco nos interesa.
Si en alguna de las mediciones ejemplificadas, el multimetro nos indicaría 0 ohmios, o
un valor muy bajo en los dos sentidos, entonces el transistor está mal.
Se supone que el MOSFET estaba cerrado, sin que su Gate hubiera sido disparada antes;
es muy importante…

En Internet encontraran varios montajes que permiten comprobar rápidamente un

MOSFET; muy recomendable para la comodidad de su trabajo.
Para los que prefieren comprobarlos con el multimetro, voy a describir los pasos a
seguir.
Paso previo:
Recuerdan establecer el multimetro en modo diodos.
Este paso nos asegurara que el MOSFET estaría cerrado, cuando empezaremos las
mediciones efectivas; por si acaso se quedo su Gate disparada…
El multimetro no debe indicar nada en absoluto. Si nos encontraremos con algún valor,
0, 50, 100, o cualquier otro (incluso 900), el MOSFET está mal; en este caso lo tiramos
directamente, sin necesidad de mediciones suplementarias.
1. Nos aseguramos primero de la integridad del diodo interno del MOSFET.

El instrumento debe indicar según el tipo de diodo; revisen las explicaciones

anteriores…
2. Ahora es el momento para “abrir” el transistor, disparando su terminal Gate.
Manteniendo la punta negra en Drain para canal N, movemos la punta roja hasta el pin
Gate del MOSFET.
En caso del canal P, mantenemos la punta roja en Drain y movemos la punta negra en
Gate.

El multimetro no debe indicar nada en este paso. De lo contrario, damos el transistor por
mal y no hace falta seguir las mediciones…
3. Comprobaremos ahora si el canal D-S esta abierto.
Para el transistor canal N, movemos la punta roja en Source, volviendo a la
configuración del paso 1. En caso del canal P, movemos la punta negra.

(Sorprendentemente no) descubrimos que esta vez el instrumento nos indica un valor
muy bajo; hasta 0 ohms en caso de los transistores MOSFETs de potencia
(prácticamente corto)…
Si esto no pasa, repetimos el paso 2, por si acaso no hemos hecho bien contacto.
En caso de no conseguir esta lectura muy baja, el transistor esta mal.
4. Comprobaremos ahora que el canal conduce en el otro sentido también.
Para esto, invertimos rápidamente las puntas del multimetro, llegando a la siguiente
configuración.

El instrumento debe indicar el mismo valor que en el paso 3.

Si mantenemos las puntas conectadas en esta configuración más tiempo, podemos ver
que, en algunos casos, la indicación sube hasta salir fuera del rango. Esto no quiere
decir que el transistor este mal…
5. Ha llegado la hora de comprobar si el canal “cierra” correctamente.
Sin mover la punta roja del Drain, para canal N, desplazamos la punta negra hacia el
terminal Gate.
En el caso del canal P, desplazamos la punta roja hacia Gate; sin mover la punta negra
desde Drain.
Llegaremos de este modo a la misma configuración que el paso previo…

6. Nos queda por revisar si el MOSFET está realmente cerrado.

Volvemos a la configuración anterior (paso 4) y el instrumento no debe indicar nada en
absoluto.
De lo contrario, el transistor está mal.
Para esto movemos la punta negra, desde Gate, atrás en Source, para canal N.
En caso del canal P, desplazamos la punta roja.

Si nuestro transistor, bajo test, supera todas las pruebas indicadas, podemos considerarlo
en buen estado.
Para los que les parecería un poco liado todo eso, les aseguro que se necesitan menos de
10 segundos para todas esas mediciones.
Después de coger el truco, olvidaran de la necesidad de armar un probador de MOSFET
casero, o comprar uno…

Les comento ahora unas consideraciones básicas sobre el funcionamiento del transistor
MOSFET.
Deben recordar siempre que el funcionamiento de ese transistor depende de la
polarización de sus terminales Gate y Source.
Un MOSFET de canal N se dispara para un voltaje positivo G-S; es decir Vgs>0.
En cambio, el de canal P se abre para Vgs<0.
Para un MOSFET de potencia, Vgs=10V es un dato de catalogo, considerado como
referencia; es cuando el canal ya esta completamente abierto, presentando una minima
resistencia de conducción (Rds).
En catálogo aparece también el valor Rds para Vgs=4.5V y se pueden notar algunas
diferencias de comportamiento, aunque el canal esta abierto, pero no al máximo.
Existen MOSFETs que se abren completamente por solo Vgs=2.5V y se usan en las
partes alimentadas con 3.3V (habitualmente de baja potencia, como 2N7002).
Hay que recordar que el MOSFET de canal N requiere en su Gate una tensión superior a
la del terminal Source.
Por esa razón, en las etapas de entrada se usan habitualmente MOSFETs de canal P, en
vez de N.
En aquellas placas que usan MOSFET de canal N como primer transistor de entrada
(HP por ejemplo), se requiere la presencia de una tensión de 28V (+VH28) para disparar
ese MOSFET; esto asegurara Vgs=+10V…