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Chequeo de transistores Bipolares, MosFet e IGBT | Kueyar.net

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Chequeo de transistores Bipolares, MosFet e IGBT

La manera mas fcil de aprender y recordar como chequear transistores, es aprendiendo a chequear los Diodos. Un Diodo es un semiconductor de dos terminales como el de la siguiente figura:

Aunque se fabrican en distintos tamaos, capacidades, caractersticas y formas fsicas; el chequeo bsico es el mismo. Consiste en averiguar que no este corto, con fugas o abierto. El anillo gris claro en uno de sus extremos, seala la terminal K que traduce a nuestro idioma Ctodo. El extremo contrario viene a ser el nodo. La siguiente figura, nos recuerda el smbolo usado en los diagramas:

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Una manera excelente de ilustrar esto es con los Diodos LED. Un Diodo LED para que encienda debe estar correctamente polarizado. Observe la siguiente captura realizada con el simulador Crocodile:

Note como el LED del lado derecho tiene invertida la polaridad del voltaje entregado por la batera, razn por la cual no conduce y por lo tanto no enciende! Ahora si pasemos a los Diodos convencionales usados comnmente como rectificadores. Dijimos que las tres pruebas a realizar son: 1. Que no este corto 2. Con fugas 3. Abierto. Repasemos como hacerlo. Coloque la llave de su Tster en la posicin para chequeos de Diodos.

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Asegrese de colocar las puntas en el plug correspondiente: Punta negra en el conector negro o COM, y la punta roja en el conector rojo o marcado V, , mA. Esto es muy importante, para obtener ms confiabilidad de los chequeos. Coloque la punta roja en el nodo y la negra en el Ctodo. Estando as, polarizamos el Diodo en prueba de modo correcto, y por lo tanto el debe conducir y el Tster nos indicar una medida aproximada de 500 a no ser que se trate de un Diodo especial como los Schottky que miden menos. Esto sea dicho de paso porque los Diodos convencionales de Silicio con una tensin directa de 0,7 V se hace conductor, mientras que los Diodos Schottky conducen con una tensin inferior que va desde los 0,2 a los 0,4 voltios. De modo que si la medida es muy baja, probablemente el Diodo este en corto. Para asegurarnos, simplemente invertimos las puntas; los Diodos polarizados inversamente no deben conducir a no ser que se trate de un Diodo Zner de tan bajo valor en Voltios, que el voltaje entregado por el Tster de su batera interna, lo alcance a activar. As que si al polarizar el Diodo en sentido contrario nos da alguna lectura, el Diodo tiene fugas; hay que reemplazarlo! Con esto ya hemos realizado las tres pruebas: Corto, fugas o que este abierto. Si, porque si el Diodo al polarizarlo de modo correcto conduce, pero al invertir su polarizacin no lo hace, el Diodo esta respondiendo correctamente a la polarizacin. Pasemos ahora a los transistores comunes de Silicio. Un transistor para efectos de prueba se puede entender como dos Diodos en contraparte. Pero antes debemos tener bien claro el tipo de polaridad del transistor, es decir si es NPN o PNP; porque de lo contrario vamos a estar perdidos para concluir al final de las pruebas, si el transistor esta bueno o malo. Las siguientes figuras ilustran el circuito equivalente nicamente para realizar las pruebas; no se quiere decir que un transistor se pueda reemplazar con un par de Diodos. El transistor del lado izquierdo es NPN y el de la
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derecha PNP.

Empecemos entonces con los transistores ms comunes, los del tipo NPN.

Si fusemos a chequear este transistor, debemos asegurarnos de los mismos tres conceptos estudiados con los Diodos: que no este corto, con fugas y que este conduciendo al polarizarlo correctamente. Veamos como hacerlo El orden no importa, pero se podra empezar por chequear la juntura C E que es la que ms se daa ponindose en corto circuito.

Note que hemos colocado la punta roja en el pin correspondiente al Colector y la punta negra al pin Emisor. De este modo estamos polarizando esas junturas que corresponden al equivalente a dos Diodos en serie pero en contraparte, con lo cual los Diodos nunca conducirn por no quedar completamente polarizado. Por eso el micro-ampermetro del simulador indica 0 uA. En otras palabras no hay circulacin de corriente. Lo mismo ocurrir con la prueba al invertir las puntas

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Observe que la captura indica nuevamente 0 uA. Eso nos confirma que el transistor tiene en buen estado esas junturas. Pero si nos ha dado alguna indicacin de circulacin de corriente, es porque esta con defectos o fugas. La siguiente prueba que debemos hacer, es la correspondiente a las junturas que incluyan la Base. (B E y B C) Prueba de juntura B E

Observe que hemos colocado la punta roja (+) en la terminal E y la punta negra (-) en la terminal B. Sabemos que de esta manera nos queda la juntura o (diodo equivalente) inversamente polarizado, por lo tanto no debe conducir y el ampermetro no indicara circulacin alguna de corriente si se encuentra en buen estado. Si invertimos las puntas

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Note como ahora hay circulacin de corriente y el miliampermetro indica 8,32 mA. Si no hubiese circulacin de corriente, indicara que esa juntura est abierta, o no se est activando. Vayamos ahora a la juntura B C.

Ah nuevamente la juntura o Diodo equivalente nos quedara inversamente polarizado. Por lo tanto si esta buena, no debe indicar circulacin de corriente. Cualquier indicacin mnima de circulacin de corriente, es un claro indicio que el transistor tiene problemas en esa parte. Contario a si lo polarizamos de modo correcto. Valo en la siguiente captura:

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As, el simulador indico una circulacin de corriente de 8,32 mA. Con esto podemos dar por terminada las pruebas a un transistor bipolar tipo NPN. Para los transistores tipo PNP, es el mismo procedimiento, solo que la polarizacin es inversa tal como lo indica la siguiente grafica.

MUY IMPORTANTE! Si al hacer la medicin E-C o C-E la lectura es equivalente a un Diodo, probablemente se trate de un transistor que internamente tiene un Diodo de proteccin Damper.

Obviamente el Diodo Damper registrara en la posicin correcta, es decir para el transistor tipo NPN, como el de la figura anterior. Ctodo en el Colector y nodo en el Emisor. Si es tipo PNP estar exactamente al contrario. Si en las medidas realizadas a un transistor mide una ligera circulacin de corriente o medida en ohmios de Base a Emisor, pudiera tratarse de un transistor con resistencia de B E como lo ilustra la grafica siguiente:

En este caso es una resistencia de 40 ohmios que se puede medir con el Tster en la escala para Ohmios y que lgicamente medir en ambos sentidos. Otra probabilidad que pudiera darse es que al medir entre B E no de medida alguna en ningn sentido. Esto porque se puede tratar de un transistor tipo Darlington.

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Es razonable deducir que bien podemos medir la juntura B C del primer transistor de la izquierda, mas no la juntura B E de este y mucho menos la del transistor de la derecha. Lo nico que se puede medir por el mtodo convencional en este tipo de transistor es: la juntura antes mencionada (B C; y la juntura C E del transistor del lado derecha. Y para termianr con este apartado de posibilidades, cabe mencionar los transistores llamados digitales.

Estos transistores tal como lo muestra la imagen superior, tienen dentro de su encapsulado dos resistencias. Una conectada a la Base y la otra entre Base y Emisor. Es de lgica calcular que nuestro Tester no alcance a polarizarlo y por lo tanto nos de una medida errnea de abierto. Para esos casos hay que probarlo en caliente, es decir en el mismo circuito energizado y buscar la manera de ver que este primeramente bien polarizado, y segundo que este haciendo su trabajo.

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Otra posibilidad, seria hacernos un circuito Probador dinamico para estos, junto con los Darlington. Seria lago asi como un circuito que nos permita colocarlo, polarizarlo, activarlo y verlo en accion.

Observa la captura hecha al simulador en accion:

Y ahora como seria nuestro Probador de transistores Darlington

Todo lo anterior hay que confirmarlo con la ayuda de la hoja de datos del fabricante o Datasheet para estar seguros que la medida registrada realmente corresponda a esos tipos de transistores especiales y que si estn daados. Ahora que se tiene un buen refrescamiento de cmo probar o chequear transistores, podemos pasar a aprender a chequear los transistores que pudiramos llamar de ltima generacin aunque en realidad solo lo es para la tecnologa domestica: Los transistores MOSFET e IGBT. Chequeo de transistores MOSFET e IGBT
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ltimamente nos hemos visto como tcnicos electrnicos de aparatos domesticos, enfrentados a una familia de transistores no tan comunes llamados MOSFET e IGBT. La pregunta de siempre es: Cmo se chequean? En este artculo voy a indicarle el mtodo que utilizo para saber con certeza su estado. Empezare con los transistores MOSFET. Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. La siguiente figura ilustra los smbolos usados en los diagramas:

Sus terminales fsicas se identifican as: Viendo el transistor de frente, se cuentan las terminales de izquierda a derecha donde el 1 corresponde al Gate, 2 al Drenaje 3 al Source.

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Las terminales que soportan el paso mayor de corriente son el D (Drenaje) y el S (Source). En otras palabras como estos transistores son usados comnmente como suiches, el interruptor estar entre esas terminales. La terminal Gate (puerta) es la de control. La falla mas comn de los transistores MOSFET es que se corto-circuite sus terminales D S quedando como un interruptor siempre cerrado. De modo que lo primero a chequear en la escala para Diodos es que esa juntura este infinita o en algunos casos, que mida un Diodo Damper con el Ctodo en la terminal D y el nodo en la terminal S para los de canal N. En los de canal P, el diodo estar inverso. La presencia o no del Diodo Damper la confirmara el Datasheet como ya menciono arriba. Sin embargo habr casos en los que necesitemos asegurarnos que el transistor se est activando al recibir la orden de disparo. La manera de hacerlo es como a continuacin se la describo: Primero mido en la escala para Diodos que no haya corto circuito entre las terminales D y S. Si tiene Damper (no todos los tienen), dar un valor alrededor de 500. Si no lo tiene, debe indicar infinito; lo mismo que al invertir las puntas.

Luego sin retirar la punta COM (negra), colocamos la punta Roja en la terminal G del transistor en prueba.

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Esto con el fin de cargar la compuerta o terminal G, de modo que cuando volvamos a colocar la punta roja en la terminal D, encontremos el transistor activo al menos por unos segundos.

Si corto-circuitamos las terminales G S, el MOSFET volver a su estado de reposo, es decir que al tomar la medida entre D y S indicara infinito o nuevamente el Damper si lo tiene. Y con los IGBT?

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Buena noticia! Exactamente lo mismo!!!

La imagen superior ensea los diferentes smbolos usados en los diagramas, y al lado derecho, un circuito equivalente para entender lo que se dice de los IGBT; que son una combinacin de transistor bipolar con los MOSFET. ADVERTENCIA: Si tu Multmetro no alcanza a activar los MOSFET o lo IGBT, es porque el voltaje entregado es muy bajo. Los ms ptimos son los que internamente tienen batera de 9V. Pero no se preocupe! El transistor lo puede activar con una batera de 9V desechada, que al menos este entregando unos 6V.

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29 respuestas a Chequeo de transistores Bipolares, MosFet e IGBT

JOHN dijo:
julio 7, 2013 en 11:00 pm

Excelente aporte, lo felicito muy didactico, aprendi mucho en la unversidad a veces no ensean como debe ser Muchas cosas quedan incognitassaludos
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kueyar dijo:
julio 8, 2013 en 5:06 am

John, Gracias por su comentario!

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john jairo serna dijo:

junio 24, 2013 en 4:07 pm

Como siempre tus aportes excelentes, amigo Omar.

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kueyar dijo:
junio 25, 2013 en 7:16 am

John Jairo,
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Muchas gracias por su comentario! Es motivador cuando se le reconoce el esfuerzo.

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SEVERO C ABANILLAS VILLANUEVA dijo:

junio 22, 2013 en 10:00 am

gracias al ing. Omar, por sus aportes para el conocimiento de componentes utilizados en la electrnica de potencia. Muchas felicidades.
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kueyar dijo:
junio 25, 2013 en 7:17 am

Hola Severo, Para usted y los suyos, tambin muchas felicidades!

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Jos Luis Cruz dijo:

junio 18, 2013 en 12:24 pm

Gracias al Ing. Omar por sus explicaciones breves, sencillas pero muy entendibles, a m me sac de muchas dudas sobre el chequeo de stos transistores , sobre todo de los mosfet y del igbt. Espero que nos siga instruyendo por que lo necesitamos cada da ms.
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angel rojas caso dijo:

junio 10, 2013 en 11:34 am

Ing Omar Kuellar Bueno ante todo agradecerle por ser tan entendible su forma de expresar los contenidos. Gracias, que tenga buen dia.
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emilio dijo:
junio 9, 2013 en 6:23 pm

Gracias por estos aportes me sirvieron bastante. Con gente como el ingeniero es la paz de Colombia. Excelente
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