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Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Facultad de ciencias de la electrónica

Materia:
Fotónica

Práctica 2

Medición de la potencia de un láser pulsado.

Alumnos:
Amaro Sánchez Roxana Elizabeth
Cuateta Bonilla Ernesto
Flores Ponce Irma Karla
Mendoza Fabián José Juan

Otoño 2018

Profesor:
Dr. Plácido Zaca Morán.
12 de octubre de 2018
1. Antecedentes
1.1. Láseres de semiconductor
En este tipo de láseres el medio activo es un material semiconductor o una
unión de ellos. Los semiconductores tienen portadores de corriente libres que
pueden moverse a través de la red cristalina cuando se les aplica un campo
externo. Si los portadores son electrones (cargas negativas) se consideran
semiconductores de tipo n; si son huecos (cargas positivas), semiconductores
de tipo p. La unión de uno n y otro p se llama diodo. Estas uniones son la
base de los láseres semiconductores.

Figura 1: Láser semiconductor.

Los niveles de energı́a en un semiconductor, están ensanchados debido


al efecto de los iones de la red cristalina situados muy próximos formando
una estructura periódica. Por ello consisten en distintas bandas de energı́a.
La llamada banda de valencia es la más alta ocupada con electrones y la
de conducción la inmediatamente superior a esta. Entre ellas hay una ban-
da prohibida, o gap. Los electrones no pueden ocupar los niveles de energı́a
correspondientes al gap. En una unión p − n las bandas de energı́a están des-
plazadas de forma que los electrones en la banda de conducción del lado n
no puedan cruzar al p ni los huecos del p cruzar al n. Con la aplicación de un
campo eléctrico esa estructura se modifica, cruzando portadores al lado con-
trario y favoreciendo la recombinación (transición desde la banda superior a
la inferior), que en ciertos materiales, los llamados de gap directo, se produce
emitiendo un fotón. Ese es el mecanismo de inversión de población de un

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láser semiconductor. Cuando la inversión es suficientemente alta tendremos
emisión estimulada, que suele producirse en la dirección paralela a la unión.
Si no se alcanza la condición de umbral la emisión no es coherente y tenemos
un LED.

1.2. Láseres pulsados


Se denomina ası́ a los láseres que emiten sólo durante pequeños intervalos
de tiempo, obteniendo los denominados pulsos láser.
Un pulso de luz se puede describir (obviando el campo magnético de la ra-
diación) como un campo eléctrico que oscila a una frecuencia conocida como
portadora, y cuya amplitud de oscilación varı́a temporalmente conforme a
una función envolvente, que da forma al pulso. En el caso de pulsos cuya
envolvente tenga una duración temporal de pocos ciclos (periodos de oscila-
ción de la frecuencia portadora), la diferencia de fase entre la portadora y la
envolvente adquiere relevancia. Esa diferencia de fase, conocida como CEP
(carrier envelope phase, en inglés), da lugar a que la máxima amplitud del
campo eléctrico varı́e significativamente.

2. Objetivo
Se desea medir la potencia del láser infrarrojo de 980nm mientras se
varia la corriente con lo que se debe obtener la curva caracterı́stica del haz
de potencia en función de la corriente, y al mismo tiempo obtener la potencia
máxima que puede emitir el láser todo esto trabajando en su forma de emisión
continua.
Después se requiere observar la curva de carga y descarga del capacitor que
da el carácter de láser pulsado.

3. Materiales
Láser infrarrojo de 908nm
Colimador óptico
Osciloscopio
Fotodetector

2
BNC T - Pieza de conexión
Punta atenuada
Soporte de ajuste, 4 ejes, inserto giratorio
Controlador de diodo láser pulsado PLDC - 01
Carril de perfil de 500 nm

4. Metodologı́a
En esta práctica mediremos la curva caracterı́stica del haz láser infrarrojo
dejando fijo el láser y el colimador solamente variando la corriente.
1. Montar en el carril de perfil de 500mm el soporte e ajuste para el láser
y el colimador óptico.
2. Colocar el láser infrarrojo y el colimador en sus respectivos soportes.
3. Fijar en un extremo del carril de perfil el soporte con el láser y en el
otro extremo el fotodetector.
4. Fijar a 2cm del fotodetector el soporte con el colimador óptico.
5. Conectar el láser infrarrojo al controlador de diodo láser.
6. Conectar el fotodetector al osciloscopio.
Con esta conexión podremos variar la corriente que llega al láser. Varia-
remos la corriente en intervalos de 10mA hasta 250mA y se recabarán los
datos de voltaje obtenidos en cada medición de corriente.
Para la medición de la curva de carga y descarga
1. Activar La función de láser pulsado
2. Variar la Frecuencia de los pulsos
3. obtener la curva de carga y descarga.
Se comienza a variar la frecuencia de los pulsos en este caso para poder
observar mejor el efecto de carga y descarga se opta por la frecuencia mayor
a que se puede obtener del controlador del láser.

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4.1. Arreglo experimental

Figura 2: Arreglo experimental (utilizado en la realización práctica).

5. Resultados
En los diodos la corriente es la fuerza para pasar a lo largo de una pequeña
trayectoria de esta manera se determina la dirección de la amplificación (que
es proporcional al flujo de corriente) y la radiación del láser. Las mediciones
obtenidas en laboratorio se muestran en las siguientes gráficas, en la figura 3
se muestra la potencia a partir de la variación de la corriente, en la figura 4
se muestra el la potencia en función de la variación del voltaje y finalmente
en la figura 5 se gráfica el voltaje en función de la variación de la corriente.
Repetición y ancho de pulso. El ancho indicado del pulso no es el ancho
del pulso del diodo láser. de hecho, es la curva de descarga de la capacitancia
del fotodetector. sin embargo, es posible medir la tasa de repetición del diodo
láser pulsado la diferencia entre dos pulsos es t, por lo que:
1
f=
t
En la gráfica de la figura 6 y 7 se muestra la medición de los pulsos en el
osciloscopio, como se mide a frecuencias relativamente pequeñas no es posible
apreciar el efecto de carga y descarga del capacitor, pero en la gráfica de la
figura 8 se muestra a una frecuencia f = 526,31Hz con lo cual es posible
apreciar el efecto de carga y descarga.

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Potencia

10000

8000
Potencia (mW)

6000

4000

2000

0 50 100 150 200 250


Corriente (mA)

Figura 3: Gráfica de la potencia en función de la variación de corriente.

Potencia

10000

8000
Potencia (mW)

6000

4000

2000

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Voltaje (v)

Figura 4: Gráfica de la potencia en función de la variación de voltaje.

5
Voltaje

45

40

35

30
Voltaje (V)

25

20

15

10

0 50 100 150 200 250


Corriente (mA)

Figura 5: Gráfica del voltaje en función de la variación de corriente.

Amplitud

10

8
Amplitud (Volts)

0
-60.0m -40.0m -20.0m 0.0 20.0m 40.0m 60.0m 80.0m

Tiempo (segundos)

Figura 6: Emisión láser pulsado a una frecuencia f = 31Hz.

6
Amplitud

10

8
Amplitud (Volts)

0
-60.0m -40.0m -20.0m 0.0 20.0m 40.0m 60.0m 80.0m

Tiempo (segundos)

Figura 7: Emisión láser pulsado a una frecuencia f = 50Hz.

Amplitud

10.0

8.0
Amplitud (Volts)

6.0

4.0

2.0

0.0

9.0m 10.0m 11.0m 12.0m 13.0m 14.0m 15.0m

Tiempo (segundos)

Figura 8: Emisión láser pulsado a una frecuencia f = 526,31Hz.

7
6. Conclusión
Al ir variando la cantidad de corriente con la que era alimentando el
diodo láser, se observo como el voltaje iba aumentado dando ası́ su curva
caracterı́stica. Las lecturas del voltaje comenzaron a observarse cuando la
corriente fue suficiente para tener un voltaje con el que se sobrepasara los
valores de su condición umbral.
La toma de mediciones se repitió varias veces debido a que el colimador
y haz del láser no estaban bien alineados y esto nos daba valores erróneos,
otro error al tomar los datos era la escala con la que se estaba midiendo en
el osciloscopio, ya que si el valor del voltaje que estaba dando nuestro diodo
láser sobrepasaba la escala del osciloscopio este ya no daba lectura alguna de
los datos reales del láser.

Referencias
[1] Benjamı́n Alonso Fernández, Rocı́o Borrego Varillas, Carlos Hernández
Garcı́a, José Antonio Pérez Hernández, Carolina Romero Vázquez.
(2010). El láser la luz de nuestro tiempo. España: ALF-USAL.

[2] Bahaa E. A. Saleh, Malvin Carl Teich. (1 de febrero de 2007). Funda-


mentals of Photonics. U.S.A: Ed. John Wiley & Sons.

[3] Joseph T. Verdeyen. (1995). Laser Electronics. New Jersey: Prentice-


Hall, Inc.

[4] Michael A. parker, 2004. Physics of Optoelectronics.

[5] Manual de prácticas del laboratorio LD physics Leaflets.

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