Maracay 2019

Informe de la Práctica 1: El Transistor BJT

Emisor Común.

Adrián Ávila, Carmen García.

Laboratorio Electrónica II, Universidad Nacional Experimental de la Fuerza
Armada UNEFA– Sede Maracay.

Resumen – Con ésta práctica se pretende observar el comportamiento del transistor bipolar BJT como
amplificador, diseñando e implementando un amplificador básico mono-etapa (emisor común), también
observar las condiciones de operación de pequeña señal. Se realizarán los análisis respectivos en DC y AC
definiendo su punto Q de operación

Palabras Clave – Amplificación, Emisor común, Pequeña señal.

Abstract – This practice is intended to observe the behavior Si la intensidad de base rebasa el punto de
of the bipolar transistor BJT as an amplifier, designing and saturación la intensidad de colector no puede seguirla y
implementing one basic mono-phase amplifier (emitter la señal de salida se ve recortada.
common), also observe the conditions of small-signal Si la intensidad de base se anula también lo hace
operation. Analyzes will be carried out in DC and AC defining la de colector, recortando la señal de salida por el otro
its operating point Q. extremo.
Es importante pues, que la polarización determine
Index Terms – Amplification, Common Collector, Common el punto de trabajo en la zona media de la recta de carga
Emitter, Small Signal. para evitar así recortes en la señal de salida. Aun así, la
amplitud máxima de la señal de entrada quedará limitada
I. INTRODUCIÓN por los puntos de corte y saturación, si no queremos
recortes en la salida.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
que cumple funciones de amplificador, oscilador,
II. DESARROLLO
conmutador o rectificador.
Para ser utilizado como amplificador, el punto de trabajo A. Procedimiento Teórico
debe situarse aproximadamente en el centro de la recta de
carga debido a que si se desplaza a la zona de saturación la El circuito a analizar inicialmente en Emisor común es:
intensidad de colector se hace máxima y deja de responder a
los incrementos de intensidad de base y si se desplaza a la
zona de corte la intensidad de colector se hace cero y el
transistor no conduce.
Entre el corte y la saturación, el transistor funciona como
amplificador, ya que, a cada intensidad de base (del orden
de microamperios) corresponde una intensidad de colector
amplificada (del orden de miliamperios).
Si en la entrada del circuito provocamos mediante una
señal exterior un aumento de intensidad de base, se
produce un aumento de intensidad de colector y lo mismo
si disminuye. Las señales aplicadas a la base se ven así
reflejadas en el colector, pero amplificadas desde el orden
de microamperios al orden de miliamperios.
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Grafica 1. Circuito Amplificador Emisor Comun. 𝐼𝑐𝑄
2019
Vth = Rth* + 0.7 + RE*IcQ
𝛽

Realizando los cálculos teóricos de los valores en Vth = 10.04V.

AC a partir de la fórmula de ganancia se obtiene:

−𝛽 ∗ 𝑅𝐶||𝑅𝐿
𝑅2∗𝑉𝐶𝐶 𝑅1∗𝑅2
𝐴𝑣 = = −5 Vth = y Rth =
ℎ𝑖𝑒 + (𝛽 + 1) ∗ 𝑅𝐸1 𝑅1+𝑅2 𝑅1+𝑅2

Asumiendo una Ic:2m Sustituyendo los valores obtenidos anteriormente:

Despejando RE1 nos queda: R1 = 96.6 K𝜴.

R2 = 632.715 𝜴.
23.3𝑘−ℎ𝑖𝑒
𝑅𝐸1 = (𝛽+1)
= 86.62𝜴.

𝛽∗𝑉𝑇
Como hie = 𝐼𝑐𝑄
; hie;2470.

La máxima excursión simétrica está definida por:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝑐𝑄 =
𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶

Donde:

RAC = RC||RL + RE1

RDC = RC + RE1+RE2 B. Simulación

Quedando la fórmula de la siguiente manera: Al realizar la simulación se obtuvo lo siguiente:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝑐𝑄 =
𝑅𝐶||𝑅𝐿 + 𝑅𝐶 + 2 ∗ 𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2

Con estas ecuaciones se obtienen los siguientes valores:

Grafica 2. Simulación amplificador Emisor Común.

IcQ = 2mA C. Montaje

RE2 = 4.32k 𝜴.

Análisis en DC: Al momento de realizar el montaje se debe tener en

Con el criterio para la protección contra la
temperatura se obtiene:
cuenta que el generador de onda nos permite variar la
frecuencia y la amplitud del voltaje para alimentar la
entrada, pero la amplitud mínima que entrega es de
140mV pico a pico y este tipo amplificadores son
diseñados para pequeñas señales con un voltaje menor a
los 26 mV.

Rth = 0.1*β*RE donde RE=RE1+RE2

Rth = 83.85k𝜴.
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III. RESULTADOS EXPERIMENTALES
Al realizar el montaje se obtuvieron los siguientes valores:
Grafica 3. Montaje Emisor Común.
Al aumentar la amplitud de la señal de entrada se
comprobó si el amplificador posee máxima excursión simétrica
indicando que el punto Q del transistor se encuentra muy
cercano al punto medio.
Grafica 4. Comprobación de la máxima excursión simétrica.
IV.CONCLUSIONES
 Podemos concluir con esta práctica que hemos profundizado el
conocimiento sobre el amplificador emisor y su
comportamiento, determinando el punto de operación, las
impedancias de entrada y salida, dejando evidente que no es
posible obtener una amplificación deseada o adecuada sin la
correcta polarización dc.
 Se puede decir que al trabajar el transistor BJT en región
activa aproximadamente como un dispositivo lineal permite
separar el análisis en AC y DC con lo cual la manipulación del
circuito y de las ecuaciones se llegan a resultados más
favorables para el diseño.
 Se concluye también que en la configuración de emisor común
se obtienen elevadas ganancias en tensión lo que hace el
circuito ideal para amplificación de pequeñas señales.
 Es conveniente que el punto Q se encuentre situado en el
centro de la recta de carga y que la ganancia no sea un valor
demasiado alto esto con el fin de garantizar mayor estabilidad
en el circuito y evitar distorsiones a la salida.