POLARIZACION ESTABILIZADO EN EMISOR COMUN

Universidad Militar Nueva Granada

Nicols Alberto Beltrn Urrego
u1802292@unimilitar.edu.co

ABSTRACT
This document was created using the IEEE
rules, and to be presented as a report to
Electronics Lab with simulation and
calculations.
Keywords:
DC circuit.

Transistor, common emitter,

Diseo de un circuito de polarizacin

con resistencia de retroalimentacin
en emisor.
Al
considerar
el
diseo
de
los
componentes de polarizacin de DC de un
circuito
amplificador
que
tiene
estabilizacin
de
polarizacin
por
resistencia de emisor. Por ejemplo:

INTRODUCCION
Gracias a la tecnologa de los transistores,
se
ha
podido
desarrollar
avances
tecnolgicos durante los ltimos aos,
actualmente la tecnologa ya est
produciendo aparatos tecnolgicos con
tamaos manomtricos, todo esto ha
influido los transistores ya que la manera
en que se pueden utilizar con diferentes
configuraciones para ahorrar e amplificar
las ganancias para un mayor rendimiento
y eficiencia en los productos tecnolgicos
actuales y del futuro.
El proceso de manufacturacin de estos
dispositivos est mejorando rpidamente
y en esta rea estamos viendo logros
importantes como la construccin de
transistores con nanotubos de carbono o
el uso de nanocables.

OBJETIVOS

Armar un amplificador con un

amplificador bjt con configuracin
en emisor comn.

Medir las diferentes corrientes y

voltajes en el circuito.

Observar el efecto del capacitor al

amplificar la ganancia de entrada
respecto a la salida.

MARCO TEORICO

http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/image_num_240.pn
g

El voltaje de alimentacin y el punto de

operacin se seleccionaran a partir de la
informacin del fabricante sobre el
transistor utilizado en el amplificador en
este caso es un transistor (NPN) 2N2222.
La seleccin de resistencias de colector y
emisor
no
puede
desprenderse
directamente de la informacin que acaba
de especificarse. La ecuacin que
relaciona los voltajes alrededor de la malla
colector-emisor,
tiene
2
cantidades
desconocidas:
Los valores de las resistencias de colector
y emisor RC Y RE. En este punto debe tener
encuentra la del nivel del voltaje de
emisor comparado con el voltaje de la
fuente aplicada. Hay que tomar en cuenta
que se debe incluir un resistor del emisor
a tierra que pueda brindar un medio de
estabilizacin de la polarizacin DC de
manera que el cambio de la corriente de
colector debido a las corrientes de fuga en
el transistor
y la de el mismo no
ocasionaran un gran corrimiento en el

caso de que sucediera en el punto de

operacin.
La resistencia del emisor no puede ser
irracionalmente grande porque el voltaje
que se genera en el limita el nivel de la
excursin del voltaje colector al emisor.
El transistor tiene un punto en la regin
activa donde se puede apresar su mximo
rendimiento y al conectar un generador de
seales se puede apreciar la onda
senoidal completamente.

CALCULOS

Tomado el 29 enero

2015, proteus 8.1

1.

Polarizacin
estable
en
emisor

Malla
Base -Emisor
1. VCC-IBRB-VBE-IERE =0
Se sabe que:
IE= (+1) IB
Sustituyendo IE en la ecuacin 1 se tiene:
VCC-IBRB-VBE-(+1) IERE = 0
Agrupando los trminos se obtiene:

http://html.rincondelvago.com/0002662895.jpg

MATERIALES

Resistencias ( 1M , 2.5K , 2K ,
1 K, 3.3 K, 12 K, 5 K)

IB(RB+(+1)RE)+VCC-VBE = 0

Multiplicamos (-1):
IB (RB+ (+1) RE)-VCC+VBE = 0
IB (RB+ (+1) RE) = VCC-VBE

Generador de Seales
(AFG 2225 GWINSTEK)

Fuente de Voltaje
(PROTECK Pl-3003T)

Transistor 2N2222

Osciloscopio
(TDS 2012B TEKTRONIX)

IB =(15V - 0.7V) / (1M+ (+1) (2K))

Capacitores (10F)

IB = 10.98 A

Potencimetro (10K )

IC = (IB)

Simulador Proteus 8.1

IC = 150 (10.98 A)

Resolviendo para IB se obtiene:

IB = (VCC-VBE)/(RB + (+1) RE)
Obteniendo experimentalmente el Beta
del transistor se obtuvo un = 150.
Reemplazamos:

IC = 1.64 mA

Obteniendo de esta ecuacin VC:

Malla Colector - Emisor
VCE = VC - VE
IERE+VCE+ICRC-VCC= 0
VC = VCE + VE
Sustituyendo IE = IC y agrupando trminos:
VC = 7.58V + 3.4 V
VCE-VCC+IC (RC + RE) = 0
VC = 10.98 V
Y
VCE= VCC - IC (RC +RE)

Para calcular los capacitores del circuito

se utiliza la siguiente formula:

Reemplazando:
XC = 1/ (2 F C)
VCE = 15V - (1.64mA) (2.5k + 2k)
VCE = 7.62 V
Para demostrar que el transistor est en la
zona se aplica:

Suponiendo XC = 1, La frecuencia es
10KHz
C = 1/ (2 F)
Reemplazando:

VCE/VCC = Regin Activa

C = 1 / (2 10KHz)
Reemplazando:
C = 15.91 F
(7.62 V) /(15V) = 0.5
0.508 = 0.5
El transistor est en la regin activa.
VE=VB-VBE
Reemplazando:
VB = IBRB
VB = 10.98V
VE = 10.98V - 7.62 V
VE = 3.36 V
Entonces:
IE = (VE)/ (RE)
IE = 3.36V / 2K
IE = 1.68 mA

Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

Se tomaron los datos de acuerdo al

primer circuito de polarizacin
estable en emisor,
En este caso se puede apreciar que
el condensador de emisor no est lo
cual permite que la amplificacin se
reduzca.

Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

Tomado el 29 enero 2015, open choice

Tomado el 29 enero 2015, open choice

Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

2. Polarizacin sin CE
Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

3. Polarizacin sin Ci
Se tomaron los datos de acuerdo al
primer circuito de polarizacin
estable en emisor,
En esta configuracin se puede
apreciar que el condensador de
entrada no se encuentra, como
consecuencia la amplificacin no se
puede
apreciar
ya
que
el
condensador de entrada es el que
permite el funcionamiento del
circuito en AC.

Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

4. Polarizacin
Voltaje

Divisor

de

Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

RTH = R1 // R2
RTH = 2.64 K
Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

Aplicando la ley del divisor de voltaje se

obtiene:
ETH = VR2 = (R2 (VCC))/ (R1 + R2)

Tomado el 29 enero 2015, open choice

ETH = (1K (15v))/ (2K + 1K)

ETH = 3.31 V
Aplicando
determina:

la

ley

de

Kirchhoff

se

ETH IBRB VBE IERE = 0

Sustituyendo IE = ( +1) IB y resolviendo
para IB se obtiene:
IB = (ETH VBE)/ (RTH + (+1) RE)
IB = (3.31v 0.7v)/ (2.64k + (200+1)
1K)
IB = 12.81 A
Tomado el 29 enero 2015, open choice

Sabemos que IC = (IB) entonces:

IC = 150 (12.81A)
IC = 2.56 mA
VCE = VCC IC (RC + RE)
VCE = 15v 2.56mA (2K + 1K)
VCE = 7.32 V
Para demostrar que el transistor est en la
zona se
Aplica:
(VCE)/ (VCC )= Regin Activa
Reemplazando:
(7.32 V) / (15V) = 0.5

Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

BIBLIOGRAFIA

[ONLINE]
Blog de Ciencia y Tecnologa
Fundacin tcnica. Disponible:

0.508 = 0.5
El transistor est en la regin activa.
Tomado el 29 enero 2015, proteus 8.1

http://blogs.creamoselfuturo.com/na
no-tecnologia/2011/09/10/la-

nanotecnologia-y-la-industria-de-lossemiconductores/

Robert L.
Boylestad
Louis
Nashelsky, Decima Edicin, Teora
de
Circuitos
y
Dispositivos
Elctricos, (2003).