INTRODUCCIÓN

En este laboratorio trataremos el tema sobre un dispositivo, el cual ha revolucionado la vida de

todos nosotros “el transistor”, que es sin duda uno de los mejores inventos del hombre
diseñado para operar en circuitos electrónicos como amplificador, oscilador o conmutador. El
término Transistor es un acrónimo de transfer y resistor (resistencia de transferencia) y se
compone de tres terminales: colector, base y emisor. En estos temas estudiaremos las
principales características básicas del transistor bipolar así como sus aspectos físicos, sus
estructuras básicas y las simbologías utilizadas para cada uno de ellos. Se abarcará igual el tema
de la polarización, el encapsulado y la prueba de los transistores con multímetros tanto digital
como análoga que son indispensables en estos dispositivos mencionados anteriormente.

OBJETIVOS

 Identificar los tipos de transistores NPN y PNP, utilizando el probador de diodos del
multímetro.
 Identificar los elementos que conforman un transistor, emisor, base y colector y el
probador de diodos del multímetro.
 Calcular y medir los voltajes de operación VDC que se encuentran en un circuito con
transistores.
 Comprobar el funcionamiento del transistor como interruptor.
 Aplicar una carga inductiva a la salida del transistor.
 Aplicar el transistor como interface de potencia.
 Mostrar cómo funciona un amplificador de emisor común típico y medir la ganancia de
voltaje con carga.
 Determinar el corrimiento de fase entre las señales de entrada y salida de un
amplificador de emisor común.
 Medir la ganancia de un amplificador de emisor común con condensador de desacoplo
en el emisor.
FUNDAMENTO TEORICO

Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el

transistor está constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP:

A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN, siendo el
comportamiento de los transistores PNP totalmente análogo. El emisor en un transistor NPN
es la zona semiconductora más fuertemente dopada con donadores de electrones, siendo su
ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su función es la de emitir electrones a la
base. La base es la zona más estrecha y se encuentra débilmente dopada con aceptores de
electrones. El colector es la zona más ancha, y se encuentra dopado con donadores de
electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la base.
EQUIPOS Y MATERIALES

Multímetro Diodo rectificador

Protoboard Relé

Resistencias Terminales

Computadora con el software

Osciloscopio
Multisim

OPERACION

SE OBTIENE EN EL CIRCUITO
Con ello, se logra obtener una ecuación de la recta,

20 − (1𝐾)𝐼𝑐 − 𝑉𝑐𝑒 − (0.047)𝐼𝑐 = 0

𝑉𝑐𝑒 = 20 − (1.047)𝐼𝑐

Entonces, puntos de paso en la recta,

𝐼𝑐 = 0 → 𝑉𝑐𝑒 = 20 𝑉

Con eso,

20
𝑉𝑐𝑒 = 0 → 𝐼𝑐 =
1.047

𝑰𝒄 = 𝟏𝟗. 𝟏𝟎 𝒎𝑨

PUNTO MEDIO

Por lo tanto se utilizará para el caso teórico,

𝑽𝒄𝒆 = 𝟏𝟎 𝑽

𝑰𝒄 = 𝟗. 𝟓𝟓 𝒎𝑨
Con eso, se sabe que,

𝑯𝒇𝒆 (𝒎𝒊𝒏𝒊𝒎𝒐) = 𝟕𝟓

𝑯𝒇𝒆 (𝑴𝒂𝒙𝒊𝒎𝒐) = 𝟑𝟎𝟎

OPERAMOS

circuito amplificador con el transistor 2n2222

Medición del voltaje V17

Medición del voltaje V12

Medición del voltaje V54

Medición del voltaje V34

Medición del voltaje V63
CALCULO DEL HFE MEDIDO

Para calcular el parámetro Hfe medido es necesario medir las corrientes de Ib y

Ic en el circuito elaborado, por eso,

𝑰𝒃 = 𝟎. 𝟎𝟑 𝒎𝑨

𝑰𝒄 = 𝟗. 𝟒𝟐 𝒎𝑨

Con eso, se realiza la división respectiva,

𝐼𝑐
𝐻𝑓𝑒 =
𝐼𝑏

9.42 𝑚𝐴
𝐻𝑓𝑒 =
0.03 𝑚𝐴

𝑯𝒇𝒆 = 𝟑𝟏𝟒

Con ese resultado presenta que en el circuito tiene ganancia.

TABLA DE PARAMETROS CALCULADOS Y MEDIDOS

Se tiene todo lo recolectado en la teoría y las mediciones se tiene,

V23 V23 Ib Ic Ic Hfe del Hfe

medido Calculado medido medido Calculado fabricante medido
75 mín.
10.02 V 10 V 0.03 mA 9.42 mA 9.55 mA 314
300 máx.

Realizando las mediciones indicadas en el cuadro de abajo cuando V23=10 V,

V17 V12 V54 V34 V63

16.63 V 9.82 V 1.014 V 0.463 V 0.636 V

PORCENTAJES DE ERROR

Primero Ic,

9.55 − 9.42
%𝐸 = | | ∗ 100%
9.55

%𝑬 = 𝟏. 𝟑𝟔 %
Segundo V23,

10 − 10.02
%𝐸 = | | ∗ 100%
10

%𝑬 = 𝟎. 𝟐 %

Tercero Hfe,

300 − 314
%𝐸 = | | ∗ 100 %
300

%𝑬 = 𝟒. 𝟔 %

Lo que indica una ganancia al transistor en el circuito.

OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

 Se logra observar que se tenía que cambiar el transistor TIP41 por el

transistor 2n2222 para llegar al voltaje requerido entre el colector y emisor
en el circuito elaborado.
 Se logra observar que R1 ha variado hasta 382 KΩ para regular el voltaje
entre colector y emisor en el circuito elaborado.
 Se logra observar que hubo unos inconvenientes con el multímetro al
momento de medir el voltaje y corriente, porque indicaba un valor erróneo.
 Se logra comprobar que el trimer no regula según lo operado, debido a la
baja resistencia de R1.
 Se logra comprobar una diferencia de voltaje entre la fuente alimentadora
y el valor medido en el multímetro.
 Se logra comprobar que la ganancia del transistor mínimo es 75 y máximo
300, según la hoja de datos 2n2222.
 Se logra comprobar que los porcentajes de error establecen menores al
5%, por lo cual son aceptables las dichas mediciones realizadas en el
laboratorio.