TRANSISTORES

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se
encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
HISTORIA

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una
patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes
eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo,
ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también
solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 19262 y 1928. Sin embargo, Lilienfeld
no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan
algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de
materiales semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas
de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los
años 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un
dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro
de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de
1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos prácticos. Mientras tanto, la
experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las
explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter
Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era
posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de
tubos de vacío.
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell llevaron a
cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro
eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida
mayor que la de entrada. El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley vio
el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en gran medida
el conocimiento de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido por el
ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya
conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la propiedad
de transrresistencia que mostraba el dispositivo. Según una biografía de John Bardeen,
Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios
Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás,
los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la
idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen,
Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto de punto,
cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1946, a la
cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo. En
reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos
alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré
tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de
germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán durante
la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el
fenómeno de la "interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio
durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y
reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que
Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta
de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que
ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado "transistron"
para su uso en la red telefónica de Francia. El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó
la patente del transistor bipolar de unión y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera
patente de un transistor de efecto de campo, tal como se declaró en ese documento, en el
que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e
Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, cuya nueva
patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952. Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el
ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido
actualmente como transistor Darlington.
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de
germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco
Corporation en 1953, capaz de operar con señales de hasta 60 MHz. Para fabricarlo, se usó
un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran
grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de
sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.El primer receptor de
radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos
transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa época.
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero
1954 por el químico Morris Tanenbaum. El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin
Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir
dispositivos semiconductores. El primer transistor de silicio comercial fue producido
por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había
trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta
pureza. El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960
FUNCIONAMIENTO
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de
la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a
través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que
circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas
(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común,
colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de
puerta y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje.
Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la
tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el
responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la
corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la
tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento
del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.
TIPOS DE TRANSISTOR

Transistor de contacto puntual

Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se
basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.
Transistor de unión bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor
eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
Transistor de efecto de campo

-Símbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P
en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta.
A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente
en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se
aísla del canal mediante un dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor
Artículo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas
a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de
la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo
que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
TRANSISTORES Y ELECTRONICA DE POTENCIA
Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha
permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores
son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la
amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.
CONSTRUCCION
Material semiconductor

Características del material semiconductor

Tensión Movilidad de Máxima

Movilidad de
Material directa huecos temperatura de
electrones 2
semiconductor de la unión m /(V·s) @ unión
m2/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C 25 °C °C

Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200

Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de
microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor
de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El
material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se describe como elemental.
Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para
fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros variarán con el aumento
de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros factores
diversos.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor
bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente específica. La
corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en directa de
la unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los
mismos valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión
de la unión en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energía para
colocar en conducción al transistor. La tensión de unión en directa para una corriente
dada disminuye con el aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el
cambio es de –2.1 mV/°C.34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores
especiales (sensistores) para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del
campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel de
impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento
eléctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la
velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del material
semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del
material. En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede
funcionar más rápido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a
este respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación
con el silicio y arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los huecos
para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser
más rápido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio tiene el valor más
alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se
utiliza en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente
reciente, el transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura
(unión entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio
(AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones
que una unión de barrera GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los
HEMT se utilizan en los receptores de satélite que trabajan a frecuencias en torno a los
12 GHz. Los HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN
HEMT) proporcionan una movilidad de los electrones aún mayor y se están desarrollando
para diversas aplicaciones.
Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados
a partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida
o el transistor puede dañarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-
semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente
como diodos Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de
potencia de silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y
el drenaje como parte del proceso de fabricación. Este diodo puede ser una molestia, pero
a veces se utiliza en el circuito del cual forma parte.
EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll),
uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión
igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional
a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para
transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para
el amplificador transistorizado: emisor común, base común y colector común.
Emisor común[editar]

Emisor común.
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta al
punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal de entrada como para la de
salida. En esta configuración, existe ganancia tanto de tensión como de corriente. Para
lograr la estabilización de la etapa ante las variaciones de la señal, se dispone de una
resistencia de emisor, (RE) y para frecuencias bajas, la impedancia de salida se aproxima a
RC. La ganancia de tensión se expresa:
El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la señal de
entrada.
Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la
siguiente forma:

Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se

puede suponer que existe una tensión constante, denominada y que el valor
de
la ganancia (β) es constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es:

Y la corriente de emisor:

.
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

Despejando la corriente de colector:

La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:

Como β >> 1, se puede aproximar:

y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:

La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la restante

expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada
180º respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:

La corriente de entrada, , si puede expresarse

como sigue:
Suponiendo que , podemos escribir:

Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda

como:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor

más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
EL TRANSISTOR BIPOLAR FRENTE A LA VÁLVULA TERMOIÓNICA

Antes de la aparición del transistor, eran usadas las válvulas termoiónicas. Las válvulas
tienen características eléctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la
corriente que los atraviesa depende de la tensión en el terminal llamado rejilla. Las
razones por las que el transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias:

 Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que
son peligrosas para el ser humano.
 Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles
para el uso con baterías.
 El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos
para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a
decenas de kilos.
 El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
 Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a
funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducción.
 El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los transistores,
que son intrínsecamente insensibles a él.
 Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos
de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamaño que se ha de
considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador. Como las
válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas, la eficiencia del disipador es
mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho más
pequeño.
 Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
 Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su lanzamiento inicial y
se contó con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo continuaría
bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios,
suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus aproximadamente 18 000
válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una
organización importantes para mantener este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la
década de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes
siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins
y Drake; luego el transistor desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo en
los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes de instrumentos eléctricos
musicales como Fender, siguieron utilizando válvulas en sus amplificadores de audio para
guitarras eléctricas. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son
varias:

 Falta de linealidad: El transistor no tiene las características de linealidad a alta

potencia de la válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino hasta
varios años después.[cita requerida]
 Generación de señales armónicas: Las señales armónicas introducidas por la falta de
linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano, como demuestra
la psicoacústica, por lo que son preferidos por los audiófilos.
 Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos
electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando
válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de
fabricación soviética.[cita requerida]
 Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargo a
través de los años se desarrollaron etapas de potencia con múltiples transistores en
paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
¿Qué es un transistor?
El transistor es un componente electrónico construido por materiales semiconductores que
prácticamente revoluciono todos los aparatos electrónicos sin excepción alguna, ya que
gracias a sus pequeñas dimensiones y sus múltiples funcionalidades logro disminuir los
tamaños de todo aparato considerablemente. Gracias a los transistores también se logro la
construcción de circuitos integrados, es decir “Chips con infinidad de transistores capaces
de tener diversos circuitos eléctricos y electrónicos en encapsulados plásticos de tan solo
unos pocos centímetros”
El emisor se encarga de proporcionar las cargas eléctricas, la base controla el flujo de
corriente y por ultimo el colector recoge las cargas proporcionadas por el emisor. La
diferencia de usos entre transistores es que los NPN se utilizan para voltajes positivos y los
PNP con voltajes negativos.

¿Cómo funciona un transistor?

Los transistores tienen múltiples funcionalidades y están dadas por dos características
esenciales; una polarización correcta y por la utilización de sus diferentes regiones de
funcionamiento.
Regiones de funcionamiento
Los transistores cuentan con tres regiones de funcionamiento y cada una hace una
funciona diferente, ya sea como interruptor abierto, cerrado o como amplificador. El uso
de estas regiones se basa en la cantidad de voltaje que circule por la base del transistor.
Región de corte
Se dice que un transistor entra en región de corte cuando el voltaje de la base es nulo o
menor a 0.6v, ya que que no logra activar el paso de corriente entre el colector y el
emisor, es decir se comporta como un interruptor abierto.

Región de saturación
El funcionamiento de esta región es el caso contrario a la de corte, ya que cuando el
voltaje que circula por la base supera al establecido por el fabricante, satura al transistor y
este permite la circulación entre colector y emisor como si fuera un cable normal, es decir
se comporta como un interruptor cerrado.
Región activa
Este caso se logra cuando el voltaje de la base esta en un rango intermedio entre la región
de saturación y la de corte. Cuando logramos estabilizar el transistor es capaz de
amplificar las señales de entrada las veces que tenga el valor de ß ya que este multiplica la
corriente del transistor.

Configuraciones y Polarizaciones
Cuando se quiere utilizar un transistor como interruptor digital (regiones de corte y
saturación) la tarea es fácil ya que el circuito eléctrico es bastante sencillo. En caso de que
se utilicé un transistor NPN el emisor se coloca a tierra, el colector a voltaje y la base actua
como interruptor, o si bien se utiliza un transistor PNP se invierten las terminales, el colector
a tierra y al emisor se le pone voltaje.
La tarea difícil inicia cuando se utiliza un transistor como amplificador o en región activa,
ya que sus terminales se pueden configurar de tres formas diferentes y cada una de
estas configuraciones las podemos utilizar con diferentes circuitos o mejor conocidas
como polarizaciones.
Configuraciones de un transistor
Podemos encontrar tres configuraciones diferentes y cada una tiene diferentes
características, por lo tanto se utilizan para aplicaciones diferentes.

Emisor común
Esta configuración se utiliza para amplificadores de corriente y voltaje a bajas frecuencias,
debido a que tiene una alta ganancia en las dos variables. Una de sus características no
tan favorables es que el voltaje de la señal queda invertido en su salida (la corriente no se
invierte), es decir las señales quedan como si fueran un espejo. Una forma sencilla de
identificar esta configuración es por que la señal de entrada esta en la base y la de salida
en el colector. Esta configuración se puede utilizar con todos los tipos de polarizaciones.

Colector común
Esta configuración se utiliza para señales con baja potencia y las transforma en el mismo
tipo de señal pero con una mayor potencia. Esto se logra por que tiene una alta ganancia
de corriente y el voltaje lo transfiere igual ya que no tiene ganancia de voltaje. Otra
característica es que en la salida invierte solo la corriente. El colector común se utiliza
principalmente cuando se requiere poner varios amplificadores conectados en serie
debido a que en su entrada tiene mucha impedancia y en su salida disminuye.
Base común
Existen dos formas sencillas de identificar si un transistor esta configurado en base común
y estas son; por que el símbolo del transistor se utiliza acostado o porque la entrada es a
travez del emisor y la salida se encuentra en el colector. A pesar de que esta configuración
no tiene una ganancia de corriente se utiliza por que el ancho de banda es más grande
que las demás configuraciones y permite trabajar con señales VHF (very high frequency) y
UHF (ultra high frequency.

Polarizaciones de un transistor
En simples palabras las polarizaciones son circuitos que se utilizan para hacer funcionar a
los transistores como amplificadores, en estos circuitos basan su funcionamiento en las
configuraciones anteriores, ya que podemos utilizar una de emisor común y utilizar
cualquiera de las polarizaciones disponibles todo depende de la aplicación que se le dé al
transistor.
1. ¿Qué es un transistor?

Se llama transistor (del inglés: transfer resistor, “resistor de transferencia”) a un tipo

de dispositivo electrónico semiconductor, capaz de modificar una señal eléctrica de
salida como respuesta a una de entrada, sirviendo como amplificador, conmutador,
oscilador o rectificador de la misma.

Es un tipo de dispositivo de uso común en numerosos aparatos, como relojes,

lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre todo, como componente
de los circuitos integrados (chips o microchips).

Los transistores tienen su origen en la necesidad de controlar el flujo de la corriente

eléctrica en diversas aplicaciones, como parte de la evolución del campo de la
electrónica. Su antecesor directo fue un aparato inventado por Julius
Edgar Lilienfeld en Canadá en 1925, pero no sería hasta mediados de siglo cuando
podría implementarse usando materiales semiconductores (en lugar de tubos al
vacío).
 Los primeros logros en este sentido consistieron en la ampliación de la potencia de
una señal eléctrica a partir de conducirla a través de dos puntales de oro aplicados a
un cristal de germanio.

El nombre de transistor fue propuesto por el ingeniero estadounidense John R. Pierce,

a partir de los primeros modelos diseñados por los Laboratorios Bell. El
primer transistor de contacto apareció en Alemania en 1948, mientras que el
primero de alta frecuencia fue inventado en 1953 en los Estados Unidos.

Estos fueron los primeros pasos hacia la explosión electrónica de la segunda mitad del
siglo XX, que permitieron, entre muchas otras cosas, el desarrollo de
las computadoras.

En la construcción de los transistores hoy en día se emplean materiales como

germanio (Ge), silicio (Si), arseniuro de galio (GaAs) o aleaciones de silicio y germanio
o silicio y aluminio. Dependiendo del material usado, el dispositivo podrá resistir una
cantidad determinada de tensión eléctrica y una temperatura máxima de
calentamiento por resistencia.

2. ¿Cómo funciona un transistor?

Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando como amplificadores

(recibiendo una señal débil y generando una fuerte) o como interruptores (recibiendo una
señal y cortándole el paso) de la misma. Esto ocurre dependiendo de cuál de las tres
posiciones ocupe un transistor en un determinado momento, y que son:

 En activa. Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o menos

corriente).
 En corte. No deja pasar la corriente eléctrica.
 En saturación. Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente
máxima).

En este sentido, el transistor funciona como una llave de paso de una tubería: si está
totalmente abierto deja entrar todo el caudal del agua, si está cerrado no deja pasar nada,
y en sus posiciones intermedias deja pasar más o menos agua.

Ahora bien: todo transistor se compone de tres elementos: base, colector y emisor. La
primera es la que media entre el emisor (por donde entra el caudal de corriente) y el
colector (por donde sale el caudal de corriente). Y lo hace, a su vez, activada por
una corriente eléctrica menor, distinta de la que modulada por el transistor.

De esta manera, si la base no recibe corriente, el transistor se ubica en posición de corte;

si recibe una corriente intermedia, la base abrirá el flujo en determinada cantidad; y si la
base recibe la suficiente corriente, entonces se abrirá del todo el dique y pasará el total de
la corriente modulada.

Se entiende así que el transistor opera como un modo de controlar la cantidad

de electricidad que pasa en determinado momento, permitiendo así la construcción de
relaciones lógicas de interconexión.

3. Tipos de transistores

Existen diversos tipos de transistores:

 Transistor de contacto puntual. También llamado “de punta de contacto”, es el

tipo más antiguo de transistor y opera sobre una base de germanio. Fue un invento
revolucionario, a pesar de que era difícil de fabricar, frágil y ruidoso. Hoy en día no
se le emplea más.
 Transistor de unión bipolar. Fabricado sobre un cristal de material semiconductor,
que se contamina de manera selectiva y controlada con átomos de arsénico o
fósforo (donantes de electrones), para generar así las regiones de base, emisor y
colector.
 Transistor de efecto de campo. Se emplea en este caso una barra de silicio o algún
otro semiconductor semejante, en cuyos terminales se establecen terminales
óhmicos, operando así por tensión positiva.
 Fototransistores. Se llaman así a los transistores sensibles a la luz, en espectros
cercanos a la visible. De modo que se pueden operar por medio de ondas
electromagnéticas a distancia.

4. Circuitos integrados

Los circuitos integrados son mejor conocidos como chips o microchips, y son estructuras
pequeñas de silicio u otros semiconductores, en un encapsulado plástico de cerámica,
que solemos hallar en los paneles electrónicos de artefactos diversos (computadores,
calculadoras, televisores, etc.).

Estos circuitos se componen de numerosos transistores y resistores diminutos colocados

en una lámina, para realizar de modo eficiente labores de manipulación de una señal
eléctrica, como la amplificación.
Transistores NPN y PNP
En cada transistor es importante saber dónde están situados los electrodos, para poder
conectarlos de forma correcta. Para que el transistor funcione bien, la unión base-emisor
debe estar polarizada directamente y la unión base-colector debe estar polarizada
inversamente.
Básicamente, hay dos tipos de transistores bipolares, que se conectan de diferente
manera:
Transistores NPN. Como su nombre indica, están formados por la unión de dos
semiconductores N en los extremos con un semiconductor P en el centro. Se conectan
unindo el polo positivo al colector y a la base.
Transistores PNP. Están formados por la unión de dos semiconductores P y un
semiconductor N. Se conectan uniendo el polo negativo al colector y a la base.

5.3 Aplicaciones del transistor

En un transistor se cumple que:
•La intensidad de corriente que sale del emisor es igual a la suma de las intensidades de
corriente que llegan al colector y la base: le = Ic + Ib.
•Pequeñas variaciones de la intensidad de base provocan grandes variaciones en la
intensidad de colector.
•Se pueden controlar grandes potencias en el circuito de colector, consumiendo una
pequeña potencia en el circuito de base.
•Estas características determinan las dos aplicaciones básicas de los transistores: como
amplificador y como interruptor.
 TRANSISTOR 2n2222

El transistor 2N2222 o PN2222 es otro de los transistores más usados junto con el BC548. Por
tanto, si te gusta el DIY y eres un maker, seguramente en algún momento has necesitado uno
de estos dispositivos. En este caso, el PN2222 es un transistor de silicio de baja potencia y
diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación.

El motivo de que sea tan demandado es que es bueno amplificando pequeñas corrientes y
tensiones pequeñas o medianas, además de poder trabajar con frecuencias medianamente
altas. Eso quiere decir que tiene un uso general y es bastante popular entre los aficionados de
radio. Los que lo sean sabrán que es uno de los transistores usados para la construcción del
transceptor BITX, o que permitió que el club de radioaficionados Norcal lanzara en 1999 un
desafío para construir un transceptor de radio con solo 22 transistores de este tipo sin ningún
tipo de CI adicional.

Al igual que el BC548 se fabrica mediante procesos de epitaxia. También se trata de un

transistor bipolar y de tipo NPN. En la actualidad suele tener varios encapsulados
posibles, como el TO-92 de plástico, que suele ser la forma de presentarlo más común y
también otros como TO-18, SOT-23, SOT-223, etc.
¿Que es exactamente un transistor?

Ya que la radio o transistor se llamó así debido a este dispositivo del que hablamos, me
gustaría hacer una muy breve introducción sobre qué es un transistor y un poco de
historia. Los transistores no son más que dispositivos similares a los interruptores y con
capacidad para amplificar la señal. Es decir, son los sustitutos de los primitivos tubos de
vacío o válvulas de vacío que tantos problemas daban.

Esas válvulas eran similares a las bombillas tradicionales, por lo que se podían fundir y se
debían sustituir con frecuencia. Además tenían un elevado tamaño y no permitían crear
aparatos de dimensiones reducidas. El calor que generaban también era otro problema.
Con la llegada de la electrónica de estado sólido, es decir, de los semiconductores,
permitieron la creación de este tipo de dispositivos mucho más baratos, reducidos y
fiables.

El nombre de transistor proviene de la unión de transfer y resistor, es decir, un resistor de

transferencia en inglés. Recuerda que resistor es una resistencia. Además, como sabrás, la
invención surge en Europa con las primeras patentes del físico Lilienfeld (1925). Resultó
algo adelantado a su época, ya que no econtraron aplicaciones prácticas para él en esa
década ni en la siguiente y además era un transistor de efecto de campo, un concepto más
avanzado incluso que los bipolares.

Oskar Heil también hizo un dispositivo similar en Alemania en 1934, y más tarde Robert
Pohl y Rudolf Hilsch también harían experimentos relacionados con este tipo de
dispositivos en una universidad alemana. De forma casi paralela, en Estados Unidos
en Bell Labs de la AT&T también se estaban haciendo experimentos sin éxito, hasta que
después de la II Guerra Mundial la suerte cambió para ellos y cuando volvieron del campo
de batalla europeo dieron con la solución al venir con las ideas “refrescadas”.

John Bardeen, Wlater Brattain y William Shockley se llevaron el mérito patentando el

primer transistor de la historia y ganando el Premio Nobel. En 1948 inventaron el
transistor de contacto, un dispositivo muy grande, muy tosco y poco práctico que era
costoso de fabricar y solía fallar a veces y había que recolocarlo en algunos casos. Desde
ese punto se evolucionarían hasta los transistores actuales.
Pero si deseas saber cómo funciona exáctamente este dispositivo que revolucionó la
electrónica y el mundo tecnológico, aquí te dejo este GIF con un símil sobre el transistor y
un sistema hidráulico, que creo que mejor que este ejemplo no vas a encontrar para
captar la idea del funcionamiento de un transistor:

Se puede apreciar que cuando se aporta una corriente a la base del transistor NPN la
corriente pasa del colector al emisor. Pero lo hace amplificada, ya que si te fijas en la
imagen, se suma el torrente de agua de la base y el del colector. Es un simil bastante
sencillo, aunque en el sistema electrónico deberías sustituir el agua por electrones…

Si deseas ver una imagen algo más esclarecedora desde el punto de vista del
funcionamiento de las zonas de semiconductores, es decir, de los portadores de carga,
aquí tienes esta otra imagen:
En la imagen se puede apreciar que cuando se aplica una tensión negativa en el emisor,
empuja a los portadores de carga negativos (electrones) y en la base los portadores de
carga positivos (huecos) “absorben” electrones para que puedan saltar al colector…

En el caso de un PNP sería similar, pero cambia las polarizaciones o formas de conectar
el transistor.

Características del 2n2222:

 2n2222A

2n2222

El 2N2222 o PN2222 es frecuentemente fabricado por Philips Semiconductor, aunque

también nos podemos encontrar de otros fabricantes como la histórica Fairchild
Semiconductor, la alemana Siemens, COMSET Semiconductor, SEMICOA, etc. Tiene
una variante denominada 2N2222A.

El 2N2222A está encapsulado en metal tipo TO-18 y cualificado para uso en aplicaciones
militares (MIL-STD) por su robustez, rango de temperaturas aceptable, etc. Si observamos
los datasheets que aportan estos fabricnates, las características que vamos a encontrar en
este transistor son:

 Voltaje de colector emisor en corte: 50V

 Corriente de colector constante: 800mA
 Potencia disipada: 500mW
 Ganancia de corriente: >100hFE, típicamente se alcanzan 150.
 Frecuencia de trabajo: 250-300 Mhz, lo que permite su aplicación en radio de alta
frecuencia
 Tipo: bipola NPN
  Encapsulados: TO-92 de plástico, TO-18 de metal, SOT-23 y SOT-223, estos dos
últimos de tipo SMD.
 Complementario (PNP): 2N2907
 Equivalente: puedes usar el BC548 que vimos en el anterior post, pero recuerda
girarlo 180º al invertir los pines de colector y emisor… También podrías usar el
2N3904 de características muy similares, pero sólo puede transportar una décima
parte de la corriente soportada en el 2N2222. Si el circuito es solo para señales
pequeñas se podría sustituir perfectamente. También el 2N2219 es similar, pero
para mayor potencia. En este caso, al tener un formato TO-39 (hasta 3w) y
soportar hasta 300 Mhz, puede ser usado en transmisores y amplificadores para
HF y VHF e incluso algunos casos de UHF con potencias de salida de 1 a 2 vatios.
 Equivalente SMD: para montaje superficial existe un transistor 2n2222 SMD con
encapsulado SOT-23.

Datasheet:

Un datasheet es un documento, normalmente un PDF, con las características detalladas

del dispositivo electrónico. Los crea el propio fabricnate con las peculiaridades de su
producto, por tanto, podemos encontrar que no hay los mismos parámetros en dos
datasheet sobre un 2n2222 de fabricantes distintos.

CONCEPTO
El 2N2222, también identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja
potencia de uso general.
Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar
pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar
potencias bajas (no mayores de medio vatio). Puede trabajar a frecuencias medianamente
altas.
Por todas esas razones, es un transistor de uso general, frecuentemente utilizados en
aplicaciones de radio por los constructores aficionados de radios. Es uno de los
transistores oficiales utilizados en el BITX. Su versatilidad ha permitido incluso al club de
radioaficionados Norcal lanzar en 1999 un desafío de construir un transceptor de radio
utilizando únicamente hasta 22 ejemplares de este transistor - y ningún circuito integrado.
La res máximos garantizados 500 miliamperios, 50 voltios de tensión de colector, y hasta
500 milivatios de potencia. La frecuencia de transición es de 250 a 300 MHz, lo que
permite utilizarlo en aplicaciones de radio de alta frecuencia (hasta 50 MHz).
La beta (factor de amplificación, hFe) del transistor es de por lo menos 100; valores de 150
son típicos.
El 2N2222 es fabricado en diferentes formatos, los más comunes son los TO-92, TO-
18, SOT-23, y SOT-223.
Su complemento PNP es el 2N2907. Otro transistor de características similares, pero de
mayor potencia es el 2N2219. Es un transistor en formato TO-39, con una frecuencia de
transición de 300 MHz, por lo cual puede ser usado en transmisores y amplificadores para
HF, con una potencia de salida de 1 a 2 watts, sabiendo que la máxima potencia que
puede llevar a cabo es de 3 watts. Su complementario PNP es el 2N2905 al igual que el
2N2907.

Transistor 2N2222. Es un transistor de silicio y baja potencia, diseñado para aplicaciones

de amplificación lineal y conmutación. Uno de sus principales fabricantes es la Philips
Semiconductors. Identificado también como PN2222 por otros fabricantes.
DESCRIPCIÓN
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido
mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación
lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o
medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en diferentes formatos,
los más comunes son los TO-92,TO-18,SOT-23, y SOT-223.
PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS

 Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)

 Corriente de colector constante 800mA (Ic)
 Potencia total disipada 500mW(Pd)
 Ganancia o hfe 35 mínima
 Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
 Encapsulado de metal TO-18
 Estructura NPN
 Su complementario PNP es el Transistor 2N2907

En la figura I. se muestran sus dimensiones y distribución de pines. Aunque como se

mencionó anteriormente se pueden encontrar con diferentes encapsulados.

PRINCIPALES FABRICANTES

 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
 SEME-LAB
 SIEMENS
 COMSET SEMICONDUCTOR
 SEMICOA SEMICONDUCTOR
 PHILIPS SEMICONDUCTORS

APLICACIONES

 Transmisores
 Amplificadores de HF y VHF
 Radiofrecuencia
 Aplicaciones de conmutación
 ¿2N2222 que es?

 El 2N2222 es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por

sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio
para amplificar señales de voltaje o corriente. Este transistor es de tipo “NPN”,
formado por dos capas de material tipo “N”, separadas por otra de tipo “P”. El
 2N2222 esta protegido por un encapsulado de plastico color negro conocido como
TO-92 y cuenta con 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se
encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los
electrones y el colector se encarga de colectar electrones.

 Este transistor es de propósito general y esta diseñado para aplicaciones lineales y

de conmutación, es utilizado comúnmente como amplificador de media potencia.

 ¿2N2222 como funciona?

 Este transistor es de pequeña señal NPN, al igual que un PNP puede funcionar en
tres regiones, las cuales son: corte, saturación y amplificación, este transistor se
activa con voltajes y corrientes positivas.

 Se puede aplicar una pequeña corriente en la región base, para controlar una
corriente mayor que fluirá entre las regiones (emisor y colector). Este transistor es
de bajo costo, practico para conectarlo a un protoboard o soldarlo a cualquier PCB
y suficientemente robusto para ser usado en experimentos electrónicos. Lo puedes
aplicar en tus proyectos como interruptor electrónico o amplificador de señales,
como ejemplo lo puedes usar para controlar un motor, accionar un revelador y
producir sonidos en una bocina.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

 Tipo de Transistor: NPN

 Serie: 2N2222
 Encapsulado: TO-92
 Pines: 3
 Altura: 18 mm
 Longitud: 4.19 mm
 Ancho: 3.45 mm
 Peso de la unidad: 200 mg
 Tensión VCBO Máxima Colector-Base: 75 V
 Tensión VEBO Máxima Emisor-Base: +6 V
 Tensión VCEO Máxima Colector-Emisor: 40 V
 Corriente del Colector Ic: 600 mAdc
 Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
  Capacitancia de entrada: 25 pF
 PD Disipación del dispositivo: 625 mW
 Impedancia de entrada: 8.0 kΩ
 Frecuencia Máxima de Funcionamiento: 300 MHz
 Temperatura de Funcionamiento Máxima: +150 ºC
 Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55 °C
 ¿2N2222 como interruptor?

 El 2N2222 se puede usar como interruptor para impedir o permitir el paso de

corriente en un circuito, cuando se polariza en la región de corte se impide el paso
de corriente, cuando se polariza en la región de saturación se permite el paso de la
corriente, de esta manera el transistor 2N2222 funciona como un interruptor digital
en el que solo hay dos estados lógicos 0 y 1.

 ¿2N2222 como amplificador?

 Para usar el 2N2222 como amplificador debes de tener en cuenta que hay diferentes
tipos de amplificación y se dividen en 3 clases:

 -Amplificador CLASE A: Amplifica el ciclo completo de la señal.

-Amplificador CLASE B: Amplifica medio ciclo de la señal.
-Amplificador CLASE C: Amplifica menos de medio ciclo de la señal.

 De acuerdo a las características de tu proyecto elegir el tipo de amplificación y la

polarización que necesitas para que el transistor 2N2222 funcione como
amplificador de señal.

COMO INTERRUPTOR CON ARDUINO UNO

El Transistor 2N2222 puede ser usado como un switch para controlar una carga a un
voltaje distinto del Arduino. También puede administrar más corriente que la que se
podría obtener de cualquier pin de Arduino (25mA). En este tutorial aprenderemos a
configurar al transistor como interruptor usando un Arduino.

INTRODUCCIÓN 2N2222

Básicamente, el 2N2222, es un transistor de unión bipolar NPN, por lo tanto, de baja

potencia de uso general. Ten en cuenta que sirve tanto para aplicaciones de amplificación
como de conmutación. Por tanto, puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones
pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas . Puede trabajar a
frecuencias medianamente altas.
 El 2N2222 es fabricado en diferentes encapsulados los más comunes son los TO-92, TO-18,
SOT-23, y SOT-223. Por lo general, se utiliza y en este tutorial usaremos el transistor
2N2222 encapsulado TO-92 como switch o interruptor que es controlado por medio de la
salida digital 13 de nuestro Arduino UNO.

MATERIALES

Primeramente, ten en cuenta que puedes adquirir los materiales en nuestra tienda virtual,
el transitor 2N2222 no es el único que sirve para este proyecto. Básicamente puedes
utilizar cualquier NPN de pequeña señal, como el 3904 por ejemplo:

 Comprar transistor
 Arduino UNO
 Multimetro (opcional)