EL TRANSISTOR

El transistor, inventado en 1948 es, sin duda uno de los adelantos más significativos de
nuestra era y uno de los componentes más versátiles e importantes de la electrónica
moderna. Para ratificar esta importancia, podemos mencionarque todos los circuitos
integrados, que son los componentes fundamentales de los aparatos electrónicos
actuales, se fabrican con transistores.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una
señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés
de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales como radios,
televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi siempre dentro de los
llamados circuitos integrados.
HISTORIA
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925 una
patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes
eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo,
ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del tríodo. Lilienfeld
también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 1926 y 1928. Sin embargo,
Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus
patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la
producción de materiales semiconductores de alta calidad aún no estaba disponible por
entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un
uso práctico en los años 1920 y 1930, aunque un dispositivo de este tipo ya se había
construido.

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña un

dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro
de potasio, usando tres electrodos de conducción, con los cuales lograron la
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amplificación de señales de un 1 Hertz (Hz) de frecuencia, pero sus investigaciones no
condujeron a usos prácticos.
Mientras tanto, la experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de
óxido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por
parte del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a
William Shockley que era posible lograr la construcción de amplificadores a base de
semiconductores, en lugar de tubos de vacío.
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell llevaron
a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro
eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida
mayor que la de entrada. El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley
vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en gran
medida el conocimiento de los semiconductores.

El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en
dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la
propiedad de transresistencia que mostraba el dispositivo. Según una biografía de John Bardeen, Shockley
había propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar basado en el
efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de
Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la
propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo
que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1947 fue el primer transistor de contacto de punto, cuya
primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el día 17 de junio de 1948, a la cual siguieron
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otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo. En reconocimiento a este logro, Shockley,
Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus
investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert
Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria
francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo de
rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar
alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el
fenómeno de la "interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra.
En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio
producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en diciembre
de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes
que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso
en la red telefónica de Francia. 16 El día 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del
transistor bipolar de unión y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto
de campo, tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al
año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este
dispositivo, cuya nueva patente fue solicitada el día 31 de octubre de 1952.

Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos
transistores conocido actualmente como transistor Darlington.
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio desarrollado
por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en 1953, capaz de operar con
señales de hasta 60 MHz. Para fabricarlo, se usó un procedimiento creado por los ya mencionados
inventores mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados
con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El indio
electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor. El primer receptor de radio para
automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco, usó estos transistores en sus circuitos y
también fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa época.

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El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954 por el
químico Morris Tanenbaum. El día 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una patente
para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos semiconductores. El primer
transistor de silicio comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto
Gordon Teal quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de
alta pureza. El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el
egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.

La palabra transistor es un acrónimo de los términos TRANSFER Y RESISTOR que significa RESISTENCIA
DE TRANSFERENCIA y designa, en forma genérica, a un componente electrónico de tres terminales cuya
resistencia entre dos de ellos (colector y emisor) depende del nivel de corriente o voltaje aplicado al otro
(base).
Aprovechando esta propiedad, los transistores se utilizan como amplificadores, interruptores electrónicos,
fuentes de corriente controladas, osciladores, mezcladoras y en muchas aplicaciones de diferentes áreas.
Los transistores fueron reemplazando poco a poco a los tubos al vacío en todos sus usos, debido
principalmente a estas ventajas:
 Larga vida útil.
 Bajo consumo de energía.
 Bajo costo.
 Tamaño pequeño.
 Estructura robusta y confiable.

TIPOS DE TRANSISTORES
Existen básicamente dos grandes grupos de transistores los cuales son los siguientes:
 Los transistores bipolares.
 Los transistores de efecto de campo.
Los transistores de efecto de campo incluyen a los FET de unión (JFET) y los FET de compuerta aislada
(MOSFET). Existen en la actualidad un gran número de tipos de transistores que se utilizan en diferentes
áreas de la electrónica, siempre el lector tiene que tener la convicción de investigar y estudiar para
aumentar su conocimiento.

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EL TRANSISTOR BIPOLAR

Son dispositivos semiconductores formados por una capa de material tipo P emparedada entre dos capas
de material tipo N, o una de material tipo N emparedada entre dos de tipo P. en el primer caso se tiene un
transistor de tipo NPN y en el segundo caso se tiene un transistor de tipo PNP. En un transistor bipolar la
capa central se le denomina con el nombre de BASE (B) y las de los extremos EMISOR (E) y COLECTOR
(C), respectivamente.

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POLARIZACIÓN Y FUNCIONAMIENTO
Debido a la forma como se alternan las capas P y N, en un transistor existen dos uniones PN: una entre
emisor y base (EB), y otra entre colector y base (CB). Estas uniones deben polarizarse (suministrar voltajes
fijos de corriente continua en sus terminales), como se indica en la siguiente figura:

La unión de emisor-base (EB) directamente y la unión de colector-base (CB) inversamente. En este caso, la
polarización de la unión base-emisor (BE) la provee el voltaje de VBB y la de la unión BC el voltaje VCC. Por
tanto, en un transistor NPN, la base debe ser positiva con respecto al emisor y negativa con respecto al
colector. Así mismo, en un transistor PNP, la base debe ser negativa con respecto al emisor y positiva con
respecto al colector.
Como resultado de la polarización en un transistor se producen tres corrientes que son las siguientes:
 Corriente de base (IB)
 Corriente de emisor (IE)
 Corriente de colector (IC)
Debido a que la unión BE está polarizada directamente, los portadores mayoritarios de ambas regiones son
obligados por el voltaje VBB a cruzar la unión y combinarse mutuamente. En el caso de un transistor NPN,
esto significa que una parte de los electrones suministrados por el emisor (del 1% al 5%) se combinan con
los pocos huecos disponibles en la base. Esto origina una corriente de base (IB) relativamente pequeña.
Los electrones restantes (del 95% al 99%) son atraídos hacia el colector por una fuerte tensión inversa de
polarización VCC de la unión base-colector (BC). Estos electrones cruzan la unión base-colector (BC), pasan
a través de la extensa región de colector y se dirigen hacia el polo positivo de la batería VCC, creando una
corriente de colector (IC) muy intensa, en la siguiente figura notamos esta corriente:

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Las corrientes de colector (IC) y de base (IB) están relacionadas con la corriente de emisor (IE), mediante la
siguiente formula:

Esto quiere decir que, con un transistor se puede lograr la amplificación de corriente, el cual es un
fenómeno fundamental que se produce en ellos y por medio del que se logró su incorporación en la
electrónica moderna, pudiéndose fabricar así los aparatos que antes se elaboraban con tubos al vacío.
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en
inversa.6 Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una
operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada
en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la
región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la
región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base
son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan
"huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión
base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas
con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a
los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e
inductores que son elementos pasivos.

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De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se inyecta
en el emisor, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo de
circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente
de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de
cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos
parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de
Emisor, etc.
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de
corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relación tensión-corriente
de la unión base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir,
un diodo).
En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente
lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de la base.
Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es aproximadamente
constante, y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base. No obstante, para diseñar
circuitos utilizando BJT con precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemáticos del
transistor como el modelo Ebers-Moll.

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REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la
forma en que son polarizados, los cuales son los siguientes:
REGIÓN ACTIVA
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una
región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de
la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que
se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador de señal.
corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib
REGIÓN INVERSA
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en
funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles.
Debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.

REGIÓN DE CORTE
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un circuito abierto, ya que la
corriente que lo atraviesa es cero.
Un transistor está en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

REGIÓN DE SATURACIÓN
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la
diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando
el transistor esta en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende, la relación
Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un cable, ya que la diferencia de
potencial entre C y E es muy próxima a cero.
Un transistor está saturado cuando:
corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx)

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Como se puede ver, la región activa es útil para la electrónica analógica (especialmente útil para
amplificación de señal) y las regiones de corte y saturación, para la electrónica digital, representando el
estado lógico alto y bajo, respectivamente.
CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Todos los transistores bipolares (BJT), ya sea NPN o PNP pueden polarizarse de manera que quede una
terminal común en su circuito de polarización; es decir, un elemento que forma parte tanto de lazo de
entrada como del lazo de salida. Este puede ser cualquiera de las tres terminales del dispositivo (Emisor,
Base, Colector). Así entonces se tiene tres configuraciones. Las cuales son las siguientes:
 Configuración Base Común.
 Configuración Emisor Común.
 Configuración Colector Común.
CONFIGURACIÓN BASE COMÚN
Esta configuración se usa en aplicaciones de alta frecuencia porque la base separa la entrada de la salida,
minimizando las oscilaciones a altas frecuencias. Tiene una alta ganancia de voltaje, relativamente baja
impedancia de entrada y alta impedancia de salida en comparación con el de colector común. La señal se
aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la señal
de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de
entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de
emisor sale por la base. La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia
de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

La configuración de emisor común se presta a la amplificación de voltaje, y es la configuración más común
para los amplificadores a transistor. La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El
emisor se conecta a las masas o “tierras” tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de entrada.

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CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN
El amplificador de colector común, a menudo llamado seguidor emisor puesto que su salida se toma de la
resistencia del emisor, es útil como dispositivo adaptador de impedancias, puesto que su impedancia de
entrada es mucho más alta que su impedancia de salida. También se le denomina "buffer" por esta misma
razón, y se usa en los circuitos digitales con las puertas básicas. La señal se aplica a la base del transistor
y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de
salida. En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior
a la unidad. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por 1/β.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y FISICAS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Además, los transistores bipolares del tipo NPN o PNP, del material con el cual se construyen o se fabrican
(germanio o silicio), los transistores bipolares se diseñan con diferentes características eléctricas
dependiendo de su uso. Las cuales son las siguientes:

VOLTAJE COLECTOR-EMISOR (VCEO)

Es el máximo voltaje que se puede aplicar entre colector y emisor con la base abierta (desconectada),
antes de que el dispositivo se averíe.

VOLTAJE COLECTOR-BASE (VCBO)

Es el máximo voltaje que se puede aplicar entre colector y base con el emisor abierto (desconectado).

CORRIENTE DE COLECTOR (IC)

Es la maxima corriente en amperios que puede circular por el colector del transistor.

GANANCIA DE CORRIENTE (hFE)

La capacidad de amplificación de un transistor se mide observando el efecto de la corriente de base (IB)
sobre la corriente de colector (IC), para un determinado valor de VCE. La relacion entre ambas cantidades
se denomina ganancia de corriente o Beta (β) y es las veces que se amplifica la corriente de la base

FRECUENCIA DE TRABAJO O DE CORTE (fT)

Es la maxima frecuencia de la señal con la cual puede trabajar el transistor como amplificador.

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POTENCIA DISIPADA (PD)
Es la maxima potencia disipada por el transistor bipolar que se determina en vatios que puede manejar el
transistor.

Las caracteristicas antes mencionadas del transistor bipolar son algunas que proporciona en el fabricante,
existen muchas, solo hemos hecho enfasis en las que mas se usak, usted amigo lector puede consultar la
hoja de datos del transistor por medio de revistas, libros, manuales o internet, donde se especificara a
profundidad todo los datos del transistor que se se este buscando.

ENCAPSULADO DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Se le llama encapsulado al soporte físico, la forma, material y tamaño del empaque físico exterior o mejor
dicho a la estructura donde se va a colocar el silicio, para la construcción o fabricacion de un transistor y
que además sirve de protección a las junturas del semiconductor para así no exponerlas ni dañarlas con el
medio ambiente en el que se van a trabajar.
Los transistores se ponen en diferentes encapsulados, dependiendo del tipo de transistor y su uso
deseado. Algunos transistores se fabrican con encapsulados de una resina plástica de alta resistencia
mecánica y térmica, la cuál permite al transistor disipar la temperatura de trabajo (disipa mejor sí el
encapsulado es colocado a un radiador de temperatura que está hecho de aluminio), pero otros,
especialmente aquellos que generan calor, llevan encapsulados de metal. Los transistores que generan
una gran cantidad de calor a menudo tienen una placa de metal para un disipador de calor o un disipador
de calor integrado.
Los transistores son construidos por diferentes fabricantes de semiconductores, los cuales se rigen por
normas universales de diseños y poder así compatibilizar sus productos. En la siguiente figura podemos
observar los datos de un transistor típico en donde se resumen las carateristicas anteriores.

Estas caracteristicas son las que determinan los valores máximos de trabajo para estos dispositivos. Lo
que se recomienda en la práctica es ponerlos a trabajar con valores menosres (entre 50% y un 75%) con el
fin de garantizar su duración, ya que si se trabaja con valores máximos se puede averiar fácilmente. Estos
valores (voltaje, corriente, potencia y frecuencia de trabajo) los determinan los circuitos y componentes
externos (polarización) y las señales aplicadas a los transistores.
De acuerdo a las características anteriores los transistores se clasifican en diferentes grupos. Por ejemplo,
según la potencia de trabajo (PD) la cual tiene que ver con la corriente y el voltaje manejados, hay
transistores de baja potencia o baja señal, transistores de potencia media y transistores de alta potencia.
Según la frecuencia de trabajo (fT), hay transistores de baja frecuencia (para tareas de audio), de
frecuencia media y de alta frecuencia o RF (radiofreuencia utilizados en aparatos de radio, televisión,
comunicaciones, etc.
En la practica, los transistores se fabrican en serie, formando simultáneamente varios ientos o miles de
ellos sobre una oblea (forma circular), luego se cortan uno por uno y su tamaño real es pequeñisimo. Para
falicitar su manipulación y la conexión en los diferentes ircuitos, éstos se ENCAPSULAN o empacan con
diferentes formas y tamaños dependiendo principalmente de la potencia manejada. La cápsula aisla el
transistor del ambiente (humedad y contaminación), sirve como disipador de calor, como soporte de los
terminales, para fijarlos, etc.
En cuanto al material de la cápsula los hay de plástico o de metal. La forma de los encapsulados está
normalizada por las organizaciones JEDEC (Join Electron Device Engineering Council) y JIS (Japanese
Industrial Standards) y los principales encapsulados se enumeran a continuacion:

TABLA DE ENCAPSULADOS
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 TO-3 Se utiliza en transistores de gran potencia, es de gran tamaño debido a que tiene que disipar
bastante calor. Está fabricado de metal y al trabajar con corrientes elevadas se le suele poner un
disipador ya que desprende gran cantidad de calor. La nomenclatura proviene del JEDEC, de su
nombre en inglés Transistor Outline Package, Case Style 3. Además, este tipo de encapsulado se
utiliza para diferentes circuitos integrados como los reguladores de tensión.

 TO-18 El TO-18 se utiliza en transistores y otros dispositivos con no más de 3 pines. Para el caso de
diodos, fotodiodos y LED el encapsulado tiene únicamente dos pines. Dispositivos sensibles o
emisores de luz tienen una ventana transparente, una lente o un reflector parabólico en lo alto del
encapsulado. Por ejemplo, diodos láser como los que se encuentra en los reproductores de CD
pueden utilizan el encapsulado TO-18 con una lente. En el encapsulado tiene un pequeño saliente
que indica que la patita más cercana es el emisor.

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 TO-39 Es un poco más grande que el TO-18 y disipa más potencia. Tiene el mismo aspecto que es
TO-18, pero es más grande. Al igual que el anterior tiene una saliente que indica la cercanía del
emisor, pero también tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipación de
calor.

 TO-92 Este transistor pequeño es muy utilizado para la amplificación de pequeñas señales, es el
encapsulado más utilizado en la construcción de transistores. El encapsulado está usualmente
hecho de epoxy o plástico, y presenta un tamaño bien reducido y bajo costo. La asignación de
patitas (emisor - base - colector) no está estandarizado, por lo que es necesario a veces recurrir a
los manuales de equivalencias para obtener estos datos.

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 TO-126 Se utiliza mucho en aplicaciones de pequeña a mediana potencia y dispone de un agujero
en la parte superior que se fija generalmente a un disipador, si la tensión que maneja es importante
se suele colocar una mica aislante para aislar el disipador eléctricamente.

 TO-220 Es un tipo de encapsulado de dispositivos electrónicos, comúnmente usado en transistores,

reguladores de tensión y diversos circuitos integrados. El encapsulado TO-220 trae usualmente tres
patas, aunque existen también de dos, cuatro, cinco e, incluso, siete patas. Una característica
notable de este tipo de encapsulado es el reverso metálico, que posee un agujero utilizado para
montar el dispositivo sobre un disipador. Los componentes que poseen un encapsulado TO-220
pueden manejar mayores potencias que aquellos que son construidos sobre encapsulados TO-92.

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NOMENCLATURA DE LOS TRANSISTORES
Los transistores, como los diodos y otros semiconductores, se identifican con referencias que se imprimen
sobre el encapsulado, formadas por letras y números que especifican y describen de que tipo de
dispositivo se trata. A efectos de unificar los datos que permiten conocer los parámetros de trabajo de los
distintos tipos de semiconductores que se producen y los que ya existen, se han ideado sistemas de
codificación compuestos por letras y números, mediante los cuales es posible identificar los distintos
semiconductores entre sí. De acuerdo a esto existen tres sistemas principales que son:
 SISTEMA AMERICANO.
 SISTEMA JAPONÉS.
 SISTEMA EUROPEO.
Cada sistema esta representado por una asociación de ingenieros eletricos y electronicos, que se reunen
para debatir las diferentes reglas de los transistores. El sistema americano lo representa JEDEC (Joint

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Electronic Devices Engineering Council), el sistema japones lo representa JIS (Japanese Industrial
Standards) y el sistema europeo lo representa PRO-ELECTRON.

1. JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council).

En Estados Unidos se utiliza la nomenclatura de la JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering
Council) regulado por la EIA (Electronic Industries Association), fue creado en 1960 para trabajar
junto con la EIA y NEMA, para proteger la estandarización de dispositivos semiconductores y luego
expandido en 1970 para incluir circuitos integrados. Esta nomenclatura consta de un número, una
letra y un número de serie (este último sin significado técnico). El significado de los números y
letras es el siguiente:
 1N = Diodo o rectificador.
 2N = Transistor o tiristor.
 3N = Transistor de Efecto de Campo FET o MOSFET.
Éstos toman la forma de: Letra, número de serie, [sufijo] y digitos.
 La letra es siempre 'N'.
 El sufijo (opcional) indica el grupo de ganancia (hfe) a la que pertenece el dispositivo:
 A = ganancia baja
 B = ganancia media
 C = ganancia alta
 Sin sufijo = no agrupado (cualquier ganancia).
El primer dígito es uno menor al número de terminales; excepto para el caso de "4N" y "5N", que
están reservados para optoacopladores. El número de serie va desde '100' hasta '9999' y no nos
dice algo específico acerca del transistor, excepto su tiempo aproximado de introducción.
Usted como gran lector y investigador de parametros de los transistores bipolares se recomienda
que vea la hoja de especificaciones de los fabricantes para identificar las demas medidas que
existan de los transistores.
Ejemplos- 2N3819, 2N2221A, 2N904.

2. JIS (Japanese Industrial Standards).

Los fabricantes japoneses utilizan el código regulado por la JIS (Japanese Industrial Standards), que
consta de un número, dos letras y número de serie (este último sin ningún significado técnico). El
número y letras tienen el siguiente significado:
 0 = Foto transistor S Semiconductor A Transistor PNP de A.F.
 1 = Diodo, rectificador o varicap B Transistor PNP de B.F.
 2 = Transistor, tiristor C Transistor NPN de A.F.
 3 = Semiconductor con dos puertas D Transistor NPN de B.F.
 F = Tiristor de puerta P.
 G = Tiristor de puerta N.
 J = FET de canal P.
 K = FET de canal N.

Éstos toman la forma de: dígito, dos letras, número de serie, [sufijo]. De nuevo, el dígito es uno
menos que el número de terminales.
Las letras indican el área de aplicación y el "sabor" del dispositivo de acuerdo al siguiente código:

SA Transistor PNP HF SB Transistor PNP AF

SC Transistor NPN HF SD Transistor NPN AF
SE Diodos SF Tiristores
SG Dispositivos Gunn SH UJT
SJ FET/MOSFET canal P SK FET/MOSFET canal N

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 SM Traic SQ LED
SR Rectificador SS Diodos de señal
ST Diodos de avalancha SV Varicaps
SZ Diodos Zener

El número de serie puede ir desde 10 hasta 9999. El sufijo (opcional) indica que el tipo está
aprobado por varias organizaciones Japonesas. NOTA: Debido a que el código de transistores
siempre empieza con 2S, algunas veces (y ahora cada vez más usual) éstos son omitidos, así por
ejemplo, un transistor 2SC733 podría estar marcado como C 733.
Ejemplos:
2SA1187, 2SB646, 2SC733, 2SG150: Tiristor de puerta N

3. PRO-ELECTRÓN.
Consta de dos letras y tres cifras para los componentes utilizados en radio, televisión y audio o de
tres letras y dos números para dispositivos industriales. La primera letra precisa el material del que
está hecho el dispositivo y la segunda letra el tipo de componente. El resto del código, números
generalmente, indica la aplicación general a la que se aplica. Para la identificación de estos
dispositivos se utiliza la tabla siguiente:

 A = Germanio.
 B = Silicio.
 C = Arseniuro de Galio.
 D = Antimoniuro de Indio.
 R = Material de otro tipo.
La segunda letra indica la construcción y utilización principal del dispositivo.
 A = Diodo de señal (diodo detector, de conmutación a alta velocidad,
mezclador).
 B = Diodo de capacidad variable (varicap).
 C = Transistor, para aplicación en baja frecuencia.
 D = Transistor de potencia, para aplicación en baja frecuencia.
 E = Diodo túnel.
 F = Transistor para aplicación en alta frecuencia.
 L = Transistor de potencia, para aplicación en alta frecuencia.
 P = Dispositivo sensible a las radiaciones.
 R = Dispositivo de conmutación o de control, gobernado
eléctricamente y teniendo
un efecto de ruptura (tiristor).
 S = Transistor de aplicación en conmutación.
 T = Dispositivo de potencia para conmutación o control, gobernado
eléctricamente
y teniendo un efecto de ruptura (tiristor).
 U = Transistor de potencia para aplicación en conmutación.
 X = Diodo multiplicador (varactor).
 Y = Diodo de potencia (rectificador, recuperador).
 Z = Diodo Zener o de regulación de tensión.

La serie numérica consta:

a) De tres cifras (entre 100 a 999) para dispositivos proyectados principalmente
en aparatos de aplicación doméstica (radio, TV, registradores, amplificadores).
b) Una letra (X,Y,Z), seguida de dos cifras (de 10 a 99) para los dispositivos
proyectados para usos principales en aplicaciones industriales y profesionales.

A Diodo de RF B Variac

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 C Transistor AF, señal pequeña
E Diodo túnel
K Dispositivo de efecto Hall
N Optoacoplador
Q Dispositivo emisor de radiación
T Tiristor, potencia
Y Rectificador
D Transistor AF, de potencia
F Transistor, HF, señal pequeña
L Transistor, HF, de potencia
P Dispositivo sensible a la radiación
R Tiristor, baja potencia
U Tiristor, potencia interruptor
Z Zener o diodo regulador de voltaje

Ejemplos:
BC107 Transistor de silicio de baja frecuencia, adaptado principalmente para usos generales.
BSX 51 Transistor de silicio de conmutación, adaptado principalmente para aparatos industriales.
En algunos casos, para indicar variaciones de un tipo ya existente, la serie numérica puede ir
seguida de una letra:
BSX51A Transistor similar al BSX51, pero especificado para una tensión más alta.

Aparte de las nomenclaturas JEDEC, JIS y Pro-electron, otros fabricantes por lo regular introducen sus
propios tipos, por razones comerciales (por ejemplo para tener su nombre dentro del código) o para
enfatizar que el rango pertenece a una aplicación especial. Los prefijos comunes específicos de marcas
son:

J Motorolla de potencia, encapsulado de MJE Motorolla de potencia,

metal encapsulado de plástico
MPS Motorolla de baja potencia, MRF Transistor Motorolla HF, VHF y
encapsulado de plástico microoondas
RCA RCA RCS RCS
TIP Transistor de potencia Texas TIPL Transitor TI plano de potencia
Instruments (encapsulado plástico)
TIS Transistor TI de señal pequeña ZT Ferranti
(encapsulado plástico)
ZTX Ferranti

Ejemplos: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

Hay muchos sistemas de identificacion y nomenclatura de los transistores que no sigue una lógica para el
sistema de numeración. A veces se añade una letra al final (por ejemplo, BC108C) para identificar una
versión especial del tipo principal, por ejemplo una mayor ganancia de corriente o un caso diferente estilo.
Si un proyecto especifica una versión de mayor ganancia (BC108C) debe ser utilizado, pero si se le da el
código general (BC108) cualquier transistor con ese código es adecuado.
Adeás de estos sistemas de identificación algunos fabricantes tienen sus propios sistemas de numeración
para hacer énfasis en su marca, como los sufijos de MOTOROLA MJ, MJE, MPS y MRF seguido de varios
numeros, por ejemplo MJE1002, etc. Texas Instruments tiene un sistema utilizando las letras TIP, TIPL o
TIPS (Por ejemplo TIP31, TIP32, etc.). Otras empresas de semiconductores marcan sus productos con
referencias propias, solicitadas por los fabricantes de los equipos en donde éstos se utilizan con el fin de
ordenar sus sistemas de producción o de evitar la copia de sus produtos. Es por eso algunas veces se
encuentran transistores cuya referencia no esta en ningun manual de los fabricantes o en los manuales de
reemplazo.

MEDICIONES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

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El transistor es un componente semiconductor esencial en cualquier circuito electrónico activo; saber si
funciona o no, marcara la diferencia entre reparar un electrodoméstico, montar un práctico y útil proyecto
electrónico o simplemente morir en el intento.
El transistor es un componente esencial en cualquier circuito electrónico activo; saber si funciona o no,
marcara la diferencia entre reparar un electrodoméstico, montar un práctico y útil proyecto electrónico o
simplemente morir en el intento.
1. Seleccione en el multímetro la escala de diodos.
2. Observe la referencia del transistor; la mayoría de los transistores que comienzan su referencia con
las letras C y D son del tipo NPN, y los que comienzan con las letras A y B suelen ser del tipo PNP.
3. Si el transistor es NPN, entonces tome la punta positiva del tester o multímetro (punta roja) toque y
mantenga la punta sobre uno de los terminales del transistor, ahora con la punta negativa (punta
negra) toque los demás terminales.
El terminal que marque con los otros 2 terminales, será la base; de los otros 2 terminales el que
marque menor resistencia con la base, será el colector y obviamente el otro será el emisor.
Para el transistor PNP repita el mismo procedimiento pero comenzando con la punta negativa para
identificar la base del transistor.
4. Una vez identificado el transistor, fíjese en las lecturas obtenidas entre la base con el colector y el
emisor, debe medir el valor de las junturas entre los terminales que comúnmente es de 400 a 800
mV.
5. Si al realizar la prueba del transistor, la lectura es 0 v el transistor esta en corto circuito, si se
obtiene alguna lectura entre colector y emisor, el transistor tiene una fuga.
Si no obtenemos ninguna lectura se debe a que el transistor se encuentra en circuito abierto.
6. Recuerde que los transistores también poseen un parámetro llamado hfe, que representa el nivel de
ganancia del transistor. Los multímetros traen la opción de probar este parámetro; simplemente
introduzca el transistor en el orden correspondiente.

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 Leer códigos SMD en transistores
Los transistores SMD son elementos muy pequeños para poder situar sobre ellos la impresión con su
identificador. Para poderidentificar los transistores SMD los fabricantes usan códigos de dos o tres
caracteres que como se entenderá poco pueden decir sobre su real identificación.

Para poder identificar y leer los códigos SMD en transistores siempre se necesitará un buen catálogo
o el manual de servicio y diagrama eléctrico del equipo a serviciar aunque esto último no siempre es
factible de obtener.

Una lista con más de 3,500 códigos de elementos SMD ha sido desarrollada en formato HTML por el
radioaficionado norteamericano R. P. Blackwell(GM4PMK) que es de tremenda ayuda para poder identificar
los códigos detransistores SMD y otros elementos de ese tipo. Ordenados de forma alfabética el SMD
codebook es un aporte invaluable del autor y sus colaboradores para ayudar a técnicos y aficionados en
la identificación de componentes SMD.

La técnica usada para identificar códigos en transistores SMD indica que primero se debe conocer el tipo
de encapsulado del transistor SMD en que se fabrica como se describe en la tabla de la figura 2. La
denominación SOT (small-outline transistor) dice cómo es el perfil externo del transistor, es decir, su
configuración estructural externa.

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Una vez identificado el encapsulado -que la tabla anterior no los recoge todos, son solo ejemplos
relevantes de transistores SMd- se lee el código alfanumérico impreso encima del transistor SMD y para
mayor facilidad que hace una búsqueda en el SMD codebook.

En la figura o imagen que encabeza este post se tiene un código 1G sobre un encapsulado SOT-23. Este
código puede pertenecer lo mismo a un transistor BC847C que a un transistor FMMT-A06 o MMBTA06. Es
algo complicado y la última palabra siempre la dirá el manual de servicio técnico o el diagrama eléctrico
del circuito donde se inserta ese transistor SMD.

Hay que tener presente que no siempre el código coincidirá con un tipo de transistor y se tiene el ejemplo
del código 1A que puede ser lo mismo untransistor BC8476A que un transistor FMM3904. El tipo de
encapsulado con sus medidas en milímetros le puede decir la última palabra cuando compara para
diferenciar dos transistores SMD con el mismo código.

Los transistores digitales SMD (dtr) son fabricados con resistencias integradas en su encapsulado (de
ello su nombre de transistores pre-polarizados). Algunos tienen una resistencia conectada a la base, otros
al emisor y también los hay con resistencias conectadas a la base y al emisor en el mismo encapsulado del
transistor digital SMD como se muestra en la figura abajo.

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Este artículo es solo una introducción al complejo mundo de la identificación de códigos de transistores
SMD y se ofrece solo como referencia para ayudar a buscar el código correcto o que más se acerque a la
realidad del circuito que se servicia.

El SMD codebook debe ser usado con este fin así como tratar siempre de encontrar el manual de servicio
técnico del equipo pues es donde aparecerá el tipo de transistor requerido.

https://es.scribd.com/doc/224250097/PARTE1

https://es.scribd.com/doc/224250097/PARTE1

LEDS INTERMITENTES. (FLASHLIGHT)

Para experimentar el funcionamiento de un oscilador simple podemos hacer un circuito
de leds con luz intermitente, el diseño más simple lo podemos fabricar con dos
transistores C945 o similares.

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Diagrama o plano del circuito:

Dibujo del diseño electrónico para principiantes:

Debemos observar que el transistor C945 tiene el colector al centro y otros como el 2N2222 o
MPS2222A la base al centro.

También se puede hacer para un solo led variando el tiempo en los

capacitores c1 y c2 para que permanezca más tiempo encendido que apagado.
Funcionando similar a una pastilla de luces intermitentes para los automóviles

Esquema del intermitente para un led:

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Dibujo del intermitente a un led:

Podemos notar al probar cambios que este tipo de oscilador es inestable, pero para este
efecto funciona bien.
Podemos agregar un transistor PNP al proyecto para independizar la salida del oscilador y poder
conectar varias series de leds.

Diagrama del intermitente con tres transistores:

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Dibujo del intermitente con 3 transistores y 6 leds:

Incluso si conectamos otro transistor PNP a Q1 de la misma forma que a Q2 para tener 2 grupos
intermitentes.
O en lugar de los leds conectar un relay para conectar bombillas fuertes para las luces
intermitentes de un vehículo.

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