Instituto Tecnológico de Matamoros

Ingeniería Electrónica

Diodos y Transistores

Tema 2 Transistor Bipolar (BJT).

Practica No. 9
“Sistema de seguridad con transistores”

Arturo Rodríguez Casas

José Luis Pérez Santillán 18260144

H. Matamoros, Tamaulipas. Noviembre 2020
 1. Objetivo
Realizar una simulación de un sistema de seguridad usando un transistor BJT.
2. Material y equipo
• Dos transistores NPN 2N2222A
• Tres resistores de 75kΩ, 1MΩ, 1.2kΩ y 620Ω respectivamente
• Dos fuentes de 12Vcd
• Un voltímetro digital DC
3. Procedimiento
1. Consulte a la hoja de datos parcial del 2N2222A mostrada en la figura 4-50 y
determine el valor del resistor de colector R3 para limitar la corriente a 10 mA con
un voltaje de alimentación de +12V.
12 𝑉
𝑅𝐶 = = 1200 𝛺
10 𝑚𝐴
2. Con un βCD o hFE mínimo tomado de la hoja de datos, determine la corriente de
base requerida para llevar a saturación a Q1 con IC = 10 mA.
𝐼𝐶 10 𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = = = 133.33 µ𝐴
𝛽𝐷𝐶 75
3. Para garantizar la saturación, calcule el valor de R1 necesario para proporcionar
suficiente corriente de base a Q1 producida por la entrada de +12 V al sensor, R2
puede ser cualquier valor arbitrariamente alto para garantizar que la base de Q1
esté cerca de tierra cuando no haya voltaje de entrada.
12 𝑉
𝑅1 = = 90 𝑘𝛺
133.33 µ𝐴
4. Calcule el valor R4 de tal forma que se proporcione suficientemente corriente de
base a Q2 para garantizar la saturación con una carga de 260 Ω. Esto simula la
carga real de los circuitos de alarma y marcación.
𝐼𝐶 19.35 𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 = = = 258 µ𝐴
𝛽𝐶𝐷 75
11.99𝑉
𝑅4 = = 46.472 𝑘𝛺
258 µ𝐴
4. Conclusiones
Con esta práctica puedo concluir que en un circuito amplificador de transistores pre amplificado
con la corriente de colector del transistor en la etapa de pre-amplificación es necesario que éste
se encuentre alimentado para proporcionar una señal de saturación en ambos transistores,
logrando así que el actuador del circuito se active.
Evidencias de simulación