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PID_00170129
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CC-BY-SA • PID_00170129 El transistor
Índice
Introducción .................................................................................. 5
Objetivos ........................................................................................ 7
Introducción
• El transistor bipolar de unión, BJT (por sus siglas en inglés, Bipolar Junction
Transistor).
Objetivos
Ahora, vamos a empezar el módulo con la estructura física del transistor BJT.
El transistor bipolar de unión (BJT) fue descubierto casi por casualidad en los Huecos
Laboratorios Bell en 1947 por Bardeen, Brattain y Shockley y constituye el
Eleh
u co representa una
primer tipo de transistor inventado. El nombre bipolar hace referencia a que, partícula con carga positiva
igual en valor absoluto a la de
en él, el transporte de corriente lo realizan tanto electrones como huecos.
un electrón.
Los descubridores del BJT fueron galardonados con el premio Nobel de Física por este
motivo en el año 1956. Posteriormente, en 1972, Bardeen fue premiado otra vez junto a
Cooper y Schrieffer con el Nobel por su teoría de la superconductividad. Así se convirtió
en la primera persona de la historia en recibir dos premios Nobel de Física.
Bloque de un material
Figura 1. Bloque semiconductor monocristalino
semiconductor al que se ha
con tres partes diferenciadas
dividido en tres partes. Cada
una de estas partes estará
dopada de una forma
determinada.
Tipos de dopaje
Figuras 2 y 3
E N P N C Representación de los
posibles tipos de dopaje de la
barra de semiconductor
dividida en tres partes, con
dopaje N en los extremos y P
al centro y viceversa: P en los
B extremos y N al centro.
CC-BY-SA • PID_00170129 11 El transistor
E P N P C
De esta forma, hemos obtenido los dos tipos de transistor BJT que hay
–el NPN y el PNP– según los tipos de dopaje empleados. Como veis,
poseen tres partes bien definidas que hacen que el BJT sea un elemento
de tres terminales:
Figura 5
C
Símbolo circuital
internacional del BJT de tipo
PNP.
B
Una regla que permite recordar el símbolo de ambos tipos de transistores es que la flecha
siempre está en uno de los terminales (en concreto en el emisor) apuntando desde el
dopaje P hacia el N. Otra forma de recordar el símbolo de los transistores es que el de
tipo PNP PiNcha porque la flecha está dirigida (pincha) al transistor, mientras que el NPN
No PiNcha al tener la flecha hacia fuera.
Fijaos, en primer lugar, en la unión PN entre el emisor y la base mostrada Ved también
en la figura 2. A través de esta unión, pasarán electrones del emisor a la base
En el módulo “El diodo.
y huecos de la base al emisor debido a los procesos de difusión. Como ilus- Funcionamiento y
aplicaciones”, ya estudiasteis
tra la figura 6, esta difusión de portadores creará una zona de carga espacial
la zona de carga espacial
(ZCE), que es una región del material donde, en situación de equilibrio del (ZCE) en relación con la
unión PN.
semiconductor, no hay portadores libres (electrones y huecos).
Semiconductores en equilibrio
ZCE ZCE
Figura 6
+– –+
Formación de zonas de carga
E N +– P –+ N C espacial (ZCE) en las dos
uniones PN que forman el
+– –+
transistor.
. .
EEB ECB
Al no haber portadores libres, las únicas cargas que permanecen en la zona Red cristalina
espacial de carga son las de los iones de la red cristalina, positivos en el lado La red cristalina está formada
del emisor y negativos en el lado de la base. Estas cargas fijas generan un por los átomos fijos del
material que forman una
campo eléctrico tal como muestra la figura 6. En la unión entre la base (B) estructura periódica en el
y el colector (C), ocurre un proceso de difusión semejante que da lugar al espacio.
El campo eléctrico generado actúa como una barrera de potencial para los Energía cinética
electrones que quieren pasar del emisor (E) a la base (B) de tal forma que
La energía cinética de un
sólo aquéllos con suficiente energía cinética pueden saltarla y pasar a la zona objeto es la energía que
de la base. Sin embargo, en el equilibrio, no hay flujo de corriente dentro del posee debido a su estado de
movimiento. En concreto, su
dispositivo, ya que los electrones internos no tienen la suficiente energía como valor depende de la
para atravesar la barrera. Será necesario proporcionarles de alguna manera una velocidad y de la masa del
objeto a través de la ecuación
energía cinética mayor. Veamos cómo podemos hacerlo. Ec = 12 mv2.
Una forma de dotar a los electrones de suficiente energía para atravesar la ba- Tensiones de las fuentes
rrera es conectar el dispositivo a unas fuentes de tensión externas como mues-
Notad que la fuente de
tra la figura 7. En ella, se han colocado dos fuentes de tensión, denominadas tensión VCC se corresponde
con el potencial existente
VEE y VCC, conectadas a los terminales de emisor y de colector respectivamente
entre la base y el colector y el
y que comparten la tierra junto con la base. potencial de fuente VEE se
corresponde con el potencial
existente entre la base y el
emisor.
Figura 7. Aplicación de fuentes de tensión al transistor
ZCE ZCE
Figura 7
IE ––++ IC
E N P –– ++ N C Representación de un BJT al
––++ que se le han colocado dos
fuentes externas de tensión
– VCC + continua. Como
VEE consecuencia, el tamaño de
IB –
+
las zonas de carga espacial ha
cambiado. La ZCE de la unión
B
emisor-base se ha reducido,
mientras que la de la unión
base-colector ha aumentado.
CC-BY-SA • PID_00170129 14 El transistor
Entonces, la energía cinética de los electrones es ahora suficiente para atra- Fuerza eléctrica
vesar la unión con un potencial menor y el emisor puede inyectar electrones
Recordad que la fuerza
a la base. Estos electrones la atraviesan y discurren hacia el colector, que los eléctrica está dada por
colecta, ya que la unión base-colector puede ser atravesada gracias a la acción Ḟ = qĖ, donde Ė representa el
campo eléctrico y q, la carga
del campo eléctrico (muy grande) que aparece en ella. Este campo eléctrico que sufre el efecto del
campo. Entonces, si q < 0,
aparece debido a la existencia de una zona espacial de carga en la unión base-
como les pasa a los
colector que se incrementa por la conexión de una fuente externa. electrones, la fuerza eléctrica
posee sentido contrario al
campo.
Es conveniente destacar que todo el proceso acaba creando una corriente eléc-
trica a través del dispositivo. La fuente externa tiene por misión proporcionar
al emisor los electrones que inyecta hacia la base. Según el valor de las tensio-
nes VEE y VCC aplicadas, las barreras disminuirán o aumentarán más o menos
y, por lo tanto, la colocación de estas fuentes permite controlar el flujo de
electrones a través del dispositivo.
Por otro lado, los electrones que pudieran llegar a la base no se precipita-
rían hacia el colector debido a que el campo eléctrico en la unión base-
colector se habría debilitado. Por lo tanto, si se conectaran las fuentes de
forma inversa, se estaría favoreciendo que el dispositivo funcione como un
aislante. De estas consideraciones, podéis deducir el papel tan importan-
te que desempeñan las fuentes y, en general, los circuitos exteriores en el
comportamiento del transistor.
En este subapartado, vamos a ver cómo afecta la base al flujo de cargas dentro
del dispositivo. Cuando, en su camino hacia el colector, los electrones entran
en la base, pueden empezar a recombinarse con los huecos que hay en ésta. Es
decir, pueden ir ocupando el espacio que han dejado vacío los huecos que han
migrado al emisor. De esta forma, no todos los electrones que han atravesado
la primera unión llegan a la segunda, sino sólo una parte de ellos. Podéis ver
este fenómeno representado en la figura 8. En ella, podéis ver que, de todo
el flujo de electrones, una parte se recombina y otra llega al colector. A la
αFlese
e alfa sub efe.
proporción de electrones que llega al colector se le llama αF.
colector más fácilmente sin recombinarse. Ésta es, de hecho, una de las carac-
terísticas de la estructura básica del BJT.
A modo de conclusión, el BJT está compuesto por tres zonas con dopa-
jes alternativos, emisor, base y colector, de tal forma que:
Como hemos visto, el BJT posee tres terminales y las características de los do-
pajes en cada zona hacen que no sean intercambiables entre sí. Por lo tanto, la
forma en la que el BJT está incluido en un circuito desempeña un papel crucial
de cara a su comportamiento. A continuación, veremos de qué formas pode-
mos incluir el BJT en circuitos eléctricos o, dicho con otras palabras, cuáles
pueden ser las configuraciones del BJT.
En general, en todos los circuitos de los que formen parte transistores BJT, los Circuitos de polarización
circuitos de polarización introducidos en el subapartado 1.2.1 compartirán un
Recordad que a los circuitos
terminal del transistor. Según cuál sea este terminal común, se dice que el BJT externos que permiten
trabaja en una configuración diferente. configurar el modo de
funcionamiento del transistor
se les llama circuitos de
polarización.
El BJT se puede encontrar entonces en una de las siguientes configura-
ciones:
Representación de un BJT en
emisor común. La entrada
C sería la base y la salida, el
colector.
B
E E
Representación de un BJT en
base común. La entrada sería
el colector y la salida, el
C E emisor.
B B
Representación de un BJT en
colector común. La entrada
E sería la base y la salida, el
emisor.
B
C C
CC-BY-SA • PID_00170129 18 El transistor
Así, vCE indica que estamos midiendo el potencial del terminal colector
(C) con respecto al emisor (E).
Fijaos en que, de acuerdo con el criterio que acabamos de definir, se tiene que
vEC = –vCE.
CC-BY-SA • PID_00170129 19 El transistor
Las características I-V relacionarán las corrientes y voltajes entre sí, pero antes
debemos tener claro de qué variables eléctricas disponemos:
Figura 12
IB
vEB vBC Representación del criterio
habitual de corrientes en un
B transistor BJT de tipo NPN.
Sin embargo, no todas las variables de corriente que acabamos de mencionar Ley de Kirchhoff de las
corrientes
son independientes entre sí, ya que se debe satisfacer la ley de Kirchhoff de
las corrientes aplicada al BJT. Esta ley implica que la suma de intensidades que La ley de Kirchhoff de las
corrientes dice que la suma
entran debe ser igual a la suma de intensidades que salen del dispositivo y, por de las corrientes que entran
lo tanto, según la figura 12 se tiene que: en un nodo es igual a la suma
de las corrientes que salen de
él. Es decir, para cualquier
nodo:
IC + IB = IE (1) X X
Ientrada = Isalida
De forma análoga, se elige el terminal común como punto desde el cual me-
dir voltajes. Así, si trabajamos en base común, los voltajes que debemos medir
serán el del colector con respecto a la base, vCB, y el del emisor con respecto a
la base, vEB. Entonces se despeja de la ecuación 2 el que falta.
Actividad
Si trabajásemos en emisor común, ¿cuál sería el terminal de referencia para los voltajes?
Por lo tanto, ¿qué voltajes tendríamos que conocer y cuál calcularíamos después? ¿Cuáles
serían las intensidades conocidas y cuál la calculada?
Notación de funciones
La notación y = f (x) indica que la variable y es una función de la variable x y se dice que
y es función de x. En ocasiones, se utiliza la propia variable y para denotar a la función y
CC-BY-SA • PID_00170129 21 El transistor
se escribe y = y(x). Del mismo modo, (IE,IC) = f (vEB,vCB) indica que las variables IE e IC
serán, cada una, dependientes de ambas tensiones, (vEB,vCB).
IE = IE(vEB,vCB) (4)
IC = IC(vEB,vCB) (5)
vEB vEB
vCB vCB
Como veis, disponemos de dos ecuaciones y cada una depende de dos va- Definición de superficie
riables, vEB y vCB. Esto significa que su representación gráfica consiste en dos
Las ecuaciones 4 y 5 definen
superficies, una por cada ecuación. dos superficies, ya que, para
cada par de valores de
tensión, existe un punto del
En la figura 13, podéis ver representadas estas superficies. En dos ejes, vemos espacio correspondiente al
valor de intensidad. La unión
los voltajes y en cada uno de los ejes verticales vemos las intensidades. De esta
de estos puntos define una
forma, a cada par ordenado (vEB,vCB) le corresponde un único valor de IC y IE. superficie en el espacio.
Lo que intentaremos lograr en este subapartado es encontrar las ecuaciones
que definen estas superficies, es decir, dar una expresión concreta para las
ecuaciones 4 y 5.
cia de electrones da cuenta del acoplamiento entre las uniones debido a los
electrones que salen del emisor, pasan por la base y llegan hasta el colector.
Bajo esta concepción, Ebers y Moll presentaron en 1954 un modelo del com-
portamiento eléctrico del BJT que resultó ser especialmente bueno para la des-
cripción del funcionamiento del dispositivo. De esta forma, obtuvieron un
esquema eléctrico que representaba al transistor en los circuitos donde apare-
cía y permitía realizar su análisis circuital.
En este punto, debéis tener en cuenta que la visión que ofrecemos del com-
portamiento interno del BJT es realmente simplificada y que, como en to-
do dispositivo de estado sólido, los fenómenos en su interior son múltiples.
Sin embargo, esta concepción del transistor representa un buen modelo para
su caracterización eléctrica. Ahora, vamos a introducir el modelo eléctrico de
Ebers-Moll y dispondremos así de las ecuaciones que ligan las variables eléc-
tricas entre sí.
• s dDiodos opuestos,
o D1 y D2 , que hacen referencia a las dos uniones PN Ved también
de las que consta el dispositivo.
Los diodos y la unión PN se
estudian en el módulo “El
• Una fuente de corriente de valor αFIDC que representa el efecto de acopla- diodo. Funcionamiento y
aplicaciones”.
miento entre uniones expuesto en el subapartado 1.1.
CC-BY-SA • PID_00170129 23 El transistor
•a U
n fuente de corriente de valor αR IDE que representa los efectos de aco- α
e Flese alfa sub efe.
plamiento entre uniones cuando la polarización de las fuentes de continua αR se lee alfa sub erre.
A partir de la figura 14, podremos deducir el modelo eléctrico del BJT a partir
de la ley de Kirchhoff de corrientes aplicada al emisor (parte 1) y al colector
(parte 2). Así, para el colector tenemos:
A continuación, sustituimos en 6 las expresiones para IDE e IDC para la carac- Ved también
terística I-V del diodo:
Las expresiones para IDE e
IDC se estudian en el
módulo 1.
I = I0 (ev/VT – 1) (7)
sdoland
ineteI nesidad que circula por el diodo y v representa la diferencia Voltaje térmico
Ved también
• vEB y vCB son los potenciales del emisor y del colector medidos desde la
base. Es decir, la caída de potencial entre emisor-base y colector-base res-
pectivamente.
◦
s• elVvole
T taje térmico de la unión PN y que a 25 C toma un valor apro- Ved también
ximado de 26 mV.
La unión PN se estudia en el
módulo “El diodo.
Funcionamiento y
De esta forma, hemos obtenido la ecuación 5 y una primera aproximación
aplicaciones”.
al modelo eléctrico del BJT. Para obtener la ecuación 4, que corresponde al
valor de IE, podemos partir, de nuevo, de la ley de Kirchhoff de corrientes
aplicada al emisor (parte 1) y sustituir las expresiones de la característica de
los diodos dadas por la ecuación 7 de la misma forma que acabamos de hacer.
El resultado final es el siguiente:
La característica I-V del BJT en base común está definida por las ecua-
ciones:
donde:
• vEB y vCB son las tensiones respectivas del emisor y colector medidas
desde la base.
• IES e ICS son los valores de la corriente inversa de saturación de un
diodo.
• VT es el voltaje térmico de la unión PN que ya visteis en el módulo
“El diodo. Funcionamiento y aplicaciones” y que a 25◦C toma un
valor aproximado de 26 mV.
• αF y αR representan la transferencia directa e inversa de electrones
respectivamente.
Actividad
Una vez que ya tenemos las ecuaciones que describen el comportamiento del
transistor con un terminal común, podemos obtener las ecuaciones corres-
pondientes al resto de terminales comunes de un modo sencillo. A modo de
ejemplo, veamos cómo quedan las ecuaciones en modo emisor común.
Las ecuaciones del BJT en modo emisor común se pueden obtener a partir de
las ecuaciones 8 y 10 mediante el uso de las ecuaciones 1 y 2.
donde:
Actividad
Como ejercicio, podéis deducir vosotros mismos las ecuaciones 13 y 14. Las ecuacio-
nes 13 y 14 se pueden obtener despejando IB de la ecuación 1 y sustituyendo las tensiones
por las nuevas variables de tensión mediante la ecuación 2.
En la figura 15, podéis ver cómo quedaría esta representación gráfica. Vemos
que en el eje horizontal están dispuestos los valores de vCE, mientras que en el
eje vertical están los de las corrientes IC e IB.
IC IB Representación de las
características del transistor
vBE1 en dos gráficos
bidimensionales en lugar de
vBE2 mediante dos superficies.
vBE3
vBE3
vBE2
vBE1 < vBE2 < vBE3 vBE1 < vBE2 < vBE3
vBE1
vCE vCE
“ ”
IB = (1 – αF )IES + (1 – αR )ICS e–vCE /VT evBE /VT –
IB + (1 – αF )IES + (1 – αR )ICS
evBE /VT = (19)
(1 – αF )IES + (1 – αR )ICS e–vCE /VT
IB + (1 – αF)IES + (1 – αR)ICS
vBE = VT ln (20)
(1 – αF )IES + (1 – αR )ICS e–vCE /VT
3) Cálculo de IC. Para cada valor prefijado de IB, se calcula el valor de vBE por
medio de la ecuación 20. Una vez se conocen vBE y vCE, se sustituyen en 14 y
se calcula IC.
En la figura 16, podéis ver cómo aparece la relación entre IC y vCE para dife-
rentes valores de la corriente de base IB con IB1 < IB2 < IB3 ... De esta forma,
ambas corrientes se pueden leer de la misma gráfica y disponemos de una
representación de las características del BJT mucho más sencilla de manejar.
En muchas ocasiones, se aproxima el comportamiento real del transistor, aso- Lineal a tramos
ciado a las ecuaciones no lineales del diodo, para obtener un modelo más sen-
Un modelo se dice que es
cillo que sea lineal a tramos. En este caso, la gráfica de la figura 16 se convierte lineal a tramos cuando está
compuesto por diferentes
en la de la figura 17.
tramos rectos unidos entre sí.
CC-BY-SA • PID_00170129 29 El transistor
Zona lineal
Figura 17
IC
En la figura 17, se puede apreciar cómo el tramo de subida del primer cuadran-
te se ha sustituido por una línea recta que recoge el hecho de que la corriente
es pequeña para valores pequeños de la tensión vCE. Además, se ha unificado
la tensión a partir de la cual la característica de transistor es plana. Es decir, se
ha dibujado una línea vertical de donde salen todas las demás líneas horizon-
tales que aparecen en el primer cuadrante. Al valor de la tensión vCE a partir del
cual ocurre esto se le llama tensión de saturación, vCE,sat, y para transistores de
silicio tiene un valor aproximado de vCE,sat ≈ 0,2 V.
• Por un lado, el eje de las abscisas (el eje horizontal) representa la caracte-
rística del transistor cuando IB = 0 e indica que IC = 0 independientemente
del valor de la tensión vCE; entonces no hay corriente a través el dispositivo
y se dice que el transistor está en corte.
• Las rectas horizontales del primer cuadrante representan un valor de IC, re-
lacionado con un valor de IB, que no cambia con vCE; decimos que el tran-
sistor está en activa directa. Fijaos en que éste es precisamente el principal
interés del transistor, que el valor de IC está controlado por el valor de IB.
• La recta vertical corresponde al valor de vCE,sat ≈ 0,2 V. Sobre esta recta, para
ese valor constante de tensión, se consiguen diferentes valores de IC en
función de la corriente IB. Se dice entonces que el transistor está en
saturación.
De hecho, cada región de operación está caracterizada por la forma en la que Polarizar
están conectadas las fuentes de continua exteriores que definían los circuitos Polarizar un circuito significa
de polarización introducidos en el subapartado 1.2.1. Dado que tenemos dos añadir fuentes de tensión en
determinados puntos de un
fuentes de tensión externas, tenemos cuatro posibles tipos de polarizaciones circuito para que elementos
en función de la orientación de cada una de ellas. De esta forma, se distinguen circuitales cercanos a ellos
dispongan en sus terminales
las cuatro regiones diferentes de funcionamiento del BJT. de un determinado nivel de
tensión.
– VEE VCC +
+ IB –
B
CC-BY-SA • PID_00170129 31 El transistor
Como podéis observar en la tabla 1, el parámetro que distingue entre los di- Tensión umbral
ferentes tipos de polarización no es cero sino la tensión Vγ, que representa la La tensión umbral de un
tensión umbral de la curva característica del diodo. La tensión umbral diferen- diodo es el valor de potencial
a partir del cual empieza a
cia la situación de conducción y de corte de cada una de las dos uniones PN circular una corriente
que conforman el transistor. Esta tensión depende del tipo de material semi- apreciable por el diodo. Es la
tensión que aparece en los
conductor con el que se ha fabricado el diodo y que para el silicio suele estar modelos lineales estudiados
en torno a Vγ ≃ 0,7 V. en el módulo “El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones”.
En este subapartado 1.5, vamos a estudiar con detalle qué comportamiento
tiene el transistor en cada uno de estos modos de funcionamiento. Sin em- El símbolo a ≃ b indica que a
tiene un valor muy parecido a b.
bargo, es interesante resaltar aquí el hecho de que el comportamiento del
transistor es cualitativamente muy diferente en cada una de las regiones. Por
lo tanto, en los circuitos basados en transistores deberemos tener muy presen-
te en qué región está actuando el dispositivo para comprender intuitivamente
el funcionamiento del circuito completo. De ahí que en este subapartado nos
vayamos a detener con detalle en ellas.
Para cada una de las regiones podremos simplificar las ecuaciones no lineales
del transistor y obtener una versión reducida de las mismas aplicable en su
región que nos permitan entender intuitivamente qué hace el BJT en cada una
de ellas. Comenzaremos el estudio por la región activa directa y proseguiremos
por las regiones de corte y saturación.
El BJT se encuentra en la región activa directa cuando vBE ≥ Vγ y vBC ≤ Vγ. Para Relación de reciprocidad
simplificar las ecuaciones 8 y 10, podéis empezar escribiéndolas únicamente
Recordad que la relación de
en términos de IS y αF a través de la relación de reciprocidad introducida en la reciprocidad viene dada por
ecuación 8. Así, el número de constantes independientes en las ecuaciones 8 la ecuación αF IES = αRICS = IS
donde ICS e IES son las
y 10 disminuye y son más fáciles de manejar. Así, las ecuaciones 8 y 10 se corrientes inversas de
convierten en: saturación de los diodos que
componen el modelo de
Eberss-Moll.
CC-BY-SA • PID_00170129 32 El transistor
IS
I = I (e–vEB /VT – 1) – (e–vCB /VT – 1) (21)
C S
αR
IS
I = (e–vEB /VT – 1) – I (e–vCB /VT – 1) (22)
E
αF S
En la región activa directa e–vEB /VT es habitualmente mucho mayor que la uni-
dad y por lo tanto podemos simplificar (e–vEB /VT – 1) a únicamente e–vEB /VT ,
mientras que e–vCB /VT es mucho más pequeño que la unidad y, por lo tanto,
(e–vCB /VT – 1) es aproximadamente –1. Es decir, haremos que:
Recordemos el
(e–vCB /VT – 1) ≈ –1 (24) comportamiento de las
exponenciales. Cuando
x → ∞ se tiene que:
ex → ∞
Con estas aproximaciones, podemos reescribir las ecuaciones 21 y 22 en la e–x → 0.
siguiente forma más simplificada:
IS (25)
IC≈ I e–v EB/VT
+
S
αR
IS (26)
IE≈ e–vEB/VT + I
αF S
IS /VT
<< I e–vEB (27)
αR S
IS
I << e–vEB /VT (28)
S
αF
IS
IE ≈ e–vEB/VT (30)
αF
IC = αFIE (31)
(1 – αF )IS
IB = e–vEB/VT (33)
αF
que junto con las ecuaciones 29 y 30 completa el modelo eléctrico del BJT en
la región activa directa.
El modelo simplificado del BJT válido para la región activa directa está
definido por:
IC = ISe–vEB/VT (34)
IS – / TV
v EB
IE = e (35)
αF
(1 – α F)
IB= ISe –v EB/ TV (36)
αF
donde:
• IS = αF IES = αRICS
• IES e ICS son corrientes de saturación inversa de los diodos del modelo
de Ebers-Moll.
• αF y αR son los coeficientes de transferencia inversa y directa.
• VT = kT
qes
el potencial térmico donde k es la constante de Boltz-
mann, T es la temperatura y q es la carga del electrón en valor abso-
luto.
En este punto, es importante que os deis cuenta de que las ecuaciones 34-
Ecuaciones lineales
36 son ecuaciones no lineales y que, por lo tanto, el comportamiento del
Una ecuación es lineal
BJT en esta región no es lineal. Para muchas aplicaciones, sin embargo, es
cuando la relación entre sus
suficiente con utilizar una aproximación lineal de las ecuaciones 34-36. Una variables es de la forma
y = ax, donde a es una
de estas aplicaciones es la amplificación de pequeña señal, que será tratada
constante.
en el apartado 2, donde estudiaremos el modelo lineal aproximado en esta
región.
En este subapartado, vamos a calcular cuánto vale vBE cuando el BJT está fun-
cionando en la región de activa directa. Para obtener su valor, partiremos de
la ecuación 20 repetida aquí por comodidad:
IB + (1 – αF)IES + (1 – αR)ICS
vBE = VT ln (37)
(1 – αF )IES + (1 – αR )ICS e–vCE /VT
No obstante, lo que haremos será calcular vBE en función de vCE para diferentes
valores constantes de IB y realizar su representación gráfica. De esta forma,
podremos representar la ecuación 37 en un gráfico bidimensional.
El rango de valores de vCE que usaremos es vCE > 0,2 V puesto que, como
vimos al analizar la figura 17, ese rango es el que caracteriza la región activa
directa. Al realizar la representación gráfica de 37 para diferentes valores de
la corriente de base, se obtiene la figura 19. Cada una de las líneas que veis
dibujadas se corresponde con un valor diferente de IB.
0,6
0,55
0,5
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
vCE
CC-BY-SA • PID_00170129 35 El transistor
El valor en torno al cual están las gráficas depende del dispositivo, ya que está
relacionado con las corrientes inversas de saturación y con los coeficientes
de transferencia directa e inversa ( αF y αR). En este caso, ha salido de 0,7 V
debido a que se estaban utilizando los datos para el silicio en la ecuación 37.
Para otros materiales, este valor será diferente. Por ejemplo, para el germanio,
que es otro material semiconductor típico, es de 0,2 V. Dado que la variación
de vBE con IB es pequeña, podemos suponer en una primera aproximación que
vBE tiene el mismo valor de 0,7 V independientemente de IB.
IS
IE = e–vEB/VT (39)
αF
(1 – αF )IS
IB = e–vEB/VT (40)
αF
CC-BY-SA • PID_00170129 36 El transistor
αF
IC= I eS–vEB/VT = I e–vEB/VT =
αF S
I (41)
= αF S e–vEB/VT = α I
αF FE
IC = αFIE (42)
α
I = FI (43)
C
1 – αF B
El cociente α1–
F
que
α
relaciona ambas corrientes en la ecuación 43 recibe un
F
Parámetro β
IC = βIB (45)
CC-BY-SA • PID_00170129 37 El transistor
IE = (1 + β)IB (46)
que muestra cómo se pueden poner unas corrientes en términos de otras por
medio de ecuaciones sencillas ligadas mediante αF y β. Fijaos en que en el
denominador de la ecuación 44 aparece la diferencia (1 – αF). Detengámonos
un poco más en ella.
Ésta, la amplificación de corriente, será la característica que más nos interese Ved también
del BJT, ya que le va a permitir formar parte de circuitos de amplificación.
Estudiaremos más
detenidamente cómo diseñar
circuitos de amplificación
Para finalizar, es importante recalcar que, como β toma valores mucho mayo- basados en el BJT en el
res que uno, β >> 1, entonces en muchas ocasiones es válida la aproximación: apartado 2 de este módulo.
1+β ≈ β (47)
IC = βIB (48)
IC = αFIE (50)
donde
αF
• β = 1– es la ganancia de corriente.
αF
Ejemplo 1
Disponemos de un BJT de silicio con un valor de β = 125 que opera en su región de activa
directa con IB = 2 · 10–5 A. Calculad las corrientes IC e IE y la diferencia de potencial v BE .
Solución
La variable más sencilla de calcular es la diferencia de potencial vBE. El motivo es que nos
dicen en el enunciado que el transistor opera en su región de activa directa, lo que signi-
fica, según el subapartado 1.5.1, que vBE tiene un valor aproximadamente constante en
esa región que depende únicamente del tipo de dispositivo. Como se trata de un BJT de
silicio, entonces vBE ≃ 0,7 V. Fijaos en cómo hemos utilizado esta propiedad estudiada
en el subapartado 1.5.1 para poner directamente el valor de vBE sin necesidad de efectuar
ningún cálculo.
y la corriente IE como:
Es decir, la aproximación comete un error menor que el 0,8 % del valor de la corriente
de emisor que es un error pequeño. Por este motivo, usaremos con frecuencia la aproxi-
mación (1 + β) ≃ β en los cálculos realizados a lo largo del módulo.
La región de corte está caracterizada porque los dos diodos que describen el
modelo de Ebers-Moll en la figura 14 se encuentran en inversa. Para ello, es
necesario que:
Si ambos están en inversa, no circula corriente por ellos y por lo tanto se El diodo en inversa se estudia
en el módulo “El diodo.
comportan como circuitos abiertos. Fijaos en que este comportamiento es el Funcionamiento y
que se corresponde al del diodo en inversa. aplicaciones” de esta
asignatura.
CC-BY-SA • PID_00170129 39 El transistor
B C Figura 21
IES mencionadas al deducir la curva característica del BJT en las ecuacio- nes Podría ocurrir que, debido a
8 y 14. la variación de β, el punto de
operación esté tan alejado
del inicialmente planteado
que el valor de los
Este efecto se puede despreciar debido a que ese valor suele ser muy pe-
potenciales y corrientes en el
queño como para que dé lugar a un efecto apreciable en los circuitos. La resto del circuito sean muy
diferentes a las deseadas por
temperatura actúa aumentando ligeramente ese valor. diseño y que no se encuentre
siquiera en la región de
interés. Entonces, se dice que
• Al valor del potencial térmico, que tiene como expresión VT = kT/q, donde el comportamiento del
k representa la constante de Boltzmann, T es la temperatura en kelvin y q transistor es inestable.
es la carga del electrón en valor absoluto.
Este efecto hace que el valor del potencial vBE se reduzca con el aumento
de la temperatura. Por ejemplo, para el silicio (cuyo valor de vBE es habi-
tualmente de 0,7 V) se reduce aproximadamente 2 mV por cada kelvin de
aumento de la temperatura. Esto se debe a que el potencial térmico VT está
situado en la exponencial y, por lo tanto, la variación de su valor influye
en el potencial al que el diodo pasa de conducción a corte. A medida que la
temperatura es mayor, los electrones poseen una energía cinética mayor y
es más fácil que puedan atravesar por ellos mismos la barrera de potencial
entre las uniones, por eso se reduce la tensión umbral.
l• vaA
lor de la transferencia directa de electrones αF , definido en el subapar- Fenómenos microscópicos
tado 1.2, que da cuenta de los efectos microscópicos de movimiento y re-
Se denominan fenómenos
combinación de electrones en la base.
microscópicos a los que
acontecen a escala atómica
dentro del semiconductor.
Esta dependencia de β con la temperatura es la que puede cambiar el com-
portamiento del transistor y, por lo tanto, del circuito del que forma parte.
Esto se debe a que un aumento de la temperatura causa que los electrones
tengan una vida media mayor en la base antes de la recombinación, de ahí
que el parámetro αF aumenta con la temperatura y se hace más cercano a la
unidad. Esta variación tiene como consecuencia que β, que es la ganancia
de corriente del transistor, definida por la ecuación 44, aumente su valor y,
por lo tanto, según la ecuación 43:
αF
I= I = βI (55)
C
1 – αF B B
Ejemplo 2
Disponemos de un BJT de silicio que opera en su región de activa directa con un valor de
IB = 2 · 10–5 A. Calculad la corriente de colector para los valores de β1 = 120 y β2 = 200 y
su variación relativa.
Solución
La corriente de colector, IC, se puede calcular a partir del valor de β y de IB por medio de
la ecuación 49 del subapartado 1.5.1. Así, para los dos valores de β que nos proporcionan
en el enunciado tendremos:
es decir, que la corriente de colector para el caso β2 es un 66,7 % más grande que para el
caso de β1, lo que demuestra la influencia que tiene el parámetro β en las corrientes del
transistor.
1.7. Recapitulación
Con todo esto, ya disponéis de los conocimientos sobre el BJT necesarios para
que podáis enfrentar en el siguiente apartado el diseño de circuitos de ampli-
ficación basados en BJT.
CC-BY-SA • PID_00170129 43 El transistor
Imaginad ahora que queremos amplificar una señal de tensión que varía con Polaridad de la señal
el tiempo y que, por ejemplo, toma valores positivos y negativos. No podría-
Se llama polaridad de la señal
mos aplicar directamente esta señal al BJT, ya que al ser variable su polaridad a su signo, positivo o
estaríamos cambiando el modo de funcionamiento del BJT en cada ciclo de negativo.
¿Qué podemos hacer ante esta circunstancia? Una solución podría ser añadir
a la señal oscilante que queremos amplificar una componente de continua
de amplitud suficientemente grande de tal forma que, aunque la señal por
amplificar cambiara con el tiempo, la polaridad que sienten los terminales
no cambiara. Así, el BJT siempre trabajaría en la misma región de funciona-
miento, que en este caso queremos que sea la de activa directa, que es la que
conviene para amplificación.
CC-BY-SA • PID_00170129 44 El transistor
E
irlccuito o red de polarización es el encargado de proporcionar la
tensión de continua que se superpone a la señal de interés con objeto de
que el BJT no cambie de región de operación a pesar de las variaciones
temporales de la señal.
Por lo tanto, lo primero que veremos en el subapartado 2.1 es cómo son y có-
Ved también
mo diseñar estos circuitos de polarización. De esta forma, podremos garantizar
Recordad que el circuito de
que el BJT siempre se encuentra en su región de activa directa.
polarización ya fue definido
en el subapartado 1.2 de este
módulo.
Como acabamos de mencionar, la amplitud de la señal continua debe ser más
grande que la amplitud de la señal oscilante para que la polaridad no cambie
o, dicho con otras palabras, la amplitud de la señal por amplificar debe ser
más pequeña que la amplitud de la señal de continua. En este sentido, dire-
mos que el amplificador funciona en pequeña señal: sólo amplifica una señal
más pequeña que la componente de continua. Estos conceptos de pequeña
señal y de frecuencia intermedia (a los que hace referencia el título del apar-
tado) serán tratados en el subapartado 2.2. De esta forma, estableceremos las
limitaciones de aplicación de los amplificadores que vamos a presentar.
En este subapartado, vamos a ver cómo determinar el punto de operación de Terminales del transistor
un BJT conocido el circuito de polarización utilizado. Para ello, seguiremos los
Recordad que los terminales
pasos que debemos dar en un ejemplo concreto pero suficientemente repre- del transistor reciben los
nombres de colector (C),
sentativo del procedimiento. Consideremos el circuito de la figura 22.
emisor (E) y base (B).
CC-BY-SA • PID_00170129 46 El transistor
IC Figura 22
C
B RC
Circuito eléctrico que sirve de
VCC
ejemplo para el cálculo del
RB IB E IE punto de trabajo del BJT. En
VBB
Malla concreto, el circuito se llama
salida de polarización de base. El
Malla punto de trabajo está
entrada determinado por las
tensiones y corrientes de
continua en sus terminales.
Para determinar las corrientes y tensiones que circulan por el transistor, vamos
a seguir los siguientes pasos:
Mediante estos pasos, podemos determinar todas las corrientes y voltajes del
BJT en la región activa. Básicamente, vemos que la determinación del punto
de operación viene dada si fijamos los valores de (IC,vCE) de tal forma que nos
referiremos al punto de trabajo únicamente mediante estos valores.
Figura 23. Obtención del punto de operación mediante la recta de carga Figura 23
IC,Q IB,Q
vCE,Q vCE
No obstante, hay dos motivos que pueden hacer variar el punto de trabajo:
Figura 24
Recta de carga 1
Se muestra cómo el punto de
Recta de carga 2
trabajo cambia su posición
Recta de carga 3 debido a que hay una señal
IC periódica a la entrada que
cambia el valor de la
Punto de operación corriente de base. Entonces,
en continua la recta de carga intercepta
iC (t) en diferentes posiciones las
características del transistor,
IC,Q
lo que da lugar a un punto
de trabajo que varía en el
tiempo.
vCE,Q
vCE
Movimiento
punto de operación
vC (t)
ctaard
L e e carga dinámica es la recta de carga que cambia con el
tiempo debido al cambio con el tiempo de la corriente de base IB.
Existen diferentes topologías de circuitos que permiten lograr los objetivos Objetivos de los circuitos
de polarización
planteados en el subapartado 2.1.1. No analizaremos todas con detalle sino
que nos centraremos, a modo de ejemplo, en dos de ellas: la polarización Recordad que los objetivos de
de base y la de división de tensión en emisor común. El resto de topologías los circuitos de polarización
son básicamente dos:
se pueden analizar de un modo equivalente a como lo vamos a hacer con 1) Fijar el modo de
estas dos. funcionamiento del BJT.
2) Conseguir que el punto de
operación sea lo más
insensible posible a las
Polarización de base variaciones de β.
Como veis, es el mismo circuito que hemos tomado de ejemplo al comienzo Valor de vBE
del subapartado 2.1. Por lo tanto, para calcular el punto de operación, no
Recordad que en la región de
tenemos más que seguir los pasos mostrados en el subapartado 2.1.2. Veamos activa directa, para el silicio,
con un ejemplo cómo se calcula. vBE tiene un valor típico de
0,7 V.
Ejemplo 3
Solución
Para calcular el punto de operación, seguimos los pasos indicados en el subapartado 2.1.1:
12 – 0,7
IB = = 2 · 10–5 A (64)
560 · 1 3
0
Unidades
De esta forma, ya hemos calculado el valor de la corriente de base. Todas las unidades deben
estar en el Sistema
3) El paso siguiente es calcular IC según la ecuación 49: Internacional de Unidades,
por lo tanto los kiloohmios de
RB se han pasado a ohmios.
IC = βIB = 120 · 2 · 10–5 = 2,4 · 10–3 A = 2,4 mA (65)
β
I = (V –v ) (68)
C CC BE
RB
Ejemplo 4
Supongamos que estamos ante el mismo circuito que en el ejemplo 3, pero que ahora
β = 240. Calculemos el nuevo punto de operación.
Solución
12 – 0,7
IB = = 2 · 10–5 A (69)
060 · 1 3
5
El punto de operación es, por lo tanto, Q = (IC = 4,8 mA,vCE = 3,28 V). Si se compara
este punto de operación con el obtenido en el ejemplo 3 se observa que ¡es un punto de
operación muy diferente!
IC
C
B
VCC
IB E IE
R2 RE
En ella, el punto de operación del BJT está determinado por el valor de las Valor de IB
resistencias R1 y R2 como vamos a ver. El motivo de su utilización es la me-
El valor de IB es muy
jora que se obtiene en la estabilidad del punto de operación en comparación pequeño frente al resto de
con la polarización de base que hemos estudiado en el subapartado 2.1.2. La corrientes y por eso, cuando
esté sumada a otras
razón física de esta mejora se encuentra en la utilización de una resistencia de corrientes, se despreciará.
emisor RE. Esto es, IB + IC ≈ IC .
CC-BY-SA • PID_00170129 53 El transistor
La estabilidad del punto de operación se refiere a la variación del punto de operación con
respecto a las variaciones en β ocasionadas por la temperatura o bien por la dispersión
de valores entre transistores con la misma denominación.
operación del transistor de tal forma que, si hay factores externos que tienden El concepto de
a mover su posición, la acción de RE tiende a oponerse. Analicemos primero el realimentación se estudia en
el módulo “Realimentación y
punto de operación del circuito de la figura 26 y luego su dependencia con β. osciladores” y consiste en
comparar la salida deseada
con la salida obtenida para
Este circuito es diferente del utilizado como ejemplo en el subapartado 2.1.2. disminuir la desviación entre
ellas.
Sin embargo, podremos seguir unos pasos completamente análogos para el
cálculo del punto de operación. Veamos en qué se traducen esos pasos para
este circuito.
Figura 27. Cálculo del equivalente Thévenin del circuito de entrada Figura 27
Modificación en la posición
de los elementos R1 y R2 de
RC la figura 26 para poder
calcular más fácilmente el
equivalente Thévenin del
IC circuito de entrada.
C
B
VCC
R1 IB E IE
VCC
R2 RE
Equivalente
Thèvenin
En el anexo de la asignatura,
R1R2 tenéis el procedimiento de
RTh = (72) cálculo del equivalente
R1 + R2
Thévenin.
V =V R2 (73)
Th CC
R1 + R2
VTh
Malla
Malla RE salida
entrada
Después de haber hecho esta simplificación, resulta mucho más sencillo seguir
los pasos mencionados en el subapartado 2.1.2:
VTh – vBE
BI = (76) Recordad que el valor de vBE es
RTh + βRE aproximadamente 0,7 V.
CC-BY-SA • PID_00170129 55 El transistor
VTh – vBE
IC = βIB = β (77)
RTh + βRE
de donde podemos despejar vCE para obtener el punto de trabajo del BJT.
Ejemplo 5
• R1 = 22 kΩ, R2 = 11 kΩ
• RE = 1 kΩ, RC = 1,2 kΩ
• VCC = 9 V
• β = 120 y vBE = 0,7 V
Solución
Seguimos los pasos indicados para el cálculo del punto de operación. En primer lugar,
calculamos los equivalentes Thévenin del circuito de entrada mediante las ecuaciones 72
y 73:
R1R2
RTh = = 7.333 Ω (79)
R1 + R2
R2
V =V =3V (80)
Th CC
R1 + R2
Una vez que ya tenemos los equivalentes Thévenin, continuamos con los siguientes
pasos:
3 – 0,7
IB = = 1,81 · 10–5 A (84)
7.333 + 120 · 1.000
V Th – vBE
I=
C (89)
RTh
β
+ RE
V Th – vBE
IC ≃ (90)
RE
IC disminuya; así, por lo tanto, actúa como una realimentación negativa, tal
como estudiasteis en el módulo “Realimentación y osciladores”.
Ejemplo 6
Solución
Los equivalentes Thévenin de la malla de entrada son los mismos que en el ejemplo 5,
así que podemos pasar directamente al cálculo de IB, IC y vCE. Para ello:
3 – 0,7
IB = = 9,3 · 10–6 A (93)
7.333 + 240 · 1.000
Como podéis observar, la variación del punto de operación hasta un primer decimal es
inapreciable, con lo que se consigue uno de los objetivos que queríamos con la red de
polarización, que es que presenta insensibilidad frente a variaciones de β. La razón de
esta insensibilidad radica en el hecho de que la corriente de base ahora cambia con el
valor de β y, mediante esta forma, el producto βIB se mantiene prácticamente constante.
CC-BY-SA • PID_00170129 58 El transistor
RTh
R = 10 (98)
E
βmin
donde βmin representa el valor de β más pequeño que puede tener el BJT de
la familia que se esté usando. A modo de ejemplo, podéis ver en la tabla 2
algunos valores característicos de β de algunas familias de transistores donde
podéis observar la enorme dispersión de sus parámetros y, por lo tanto, la
importancia de un buen circuito de polarización.
Finalmente, notad que la clave para lograr la estabilidad del punto de opera-
ción ha sido incluir una resistencia de emisor RE debido a que desempeña un
papel de realimentación negativa. Este hecho podría haberse extendido tam-
bién a la polarización de base que vimos en el subapartado 2.1.2 incluyendo
en el diagrama una resistencia en el emisor. Sin embargo, uno de los tipos de
polarización más usados es el de división de tensión que hemos visto en este
subapartado.
IC Punto de operación
en continua Figura 29
iC (t)
Representación de un punto
de operación en continua al
que se le ha superpuesto una
IC,Q
señal externa periódica
descrita por la señal
sinusoidal IC , dibujada en la
parte derecha del dibujo.
Entonces, el punto de
vCE operación también se mueve
periódicamente. En
Excursión simétrica consecuencia, los valores de
máxima
las corrientes y tensiones en
los terminales lo hacen. En la
figura, podéis ver la tensión
vCE como una señal sinusoidal
vCE en la parte inferior del dibujo.
IC,Q IB,Q
Los pasos que hemos de seguir con objeto de diseñar una red de polari-
zación son los siguientes:
vR E
RE= (100)
IC
CC-BY-SA • PID_00170129 61 El transistor
Ecuación 101
i5m
) eDnsionar la fuente Thévenin en la forma
El valor de 0,7 V que aparece
en la ecuación 101 es debido
VTh = 0,7 + vRE (101) a que vBE ≈ 0,7 V para
transistores de silicio.
V CCRTh
R1 = (103)
VTh
V R
R2 = VCC –ThV (104)
CC Th
V CC – vCE – ICRE
RC = (105)
IC
Ejemplo 7
Solución
Seguimos los pasos mencionados en el recuadro gris. En primer lugar, debemos tener
disponibles los datos iniciales:
vE
R 1
RE = = = 400 Ω (107)
IC 0,0025
7) Una vez que ya tenemos los equivalentes Thévenin dados por las ecuaciones 108
y 109, calcularemos las resistencias R1 y R 2:
V CCRTh 10 · 4.000
R1 = = = 2,353 · 104 Ω (110)
VTh 1,7
VCCRTh 10 · 4.000
R2 = = = 4.819 Ω (111)
VCC – VTh 10 – 1,7
V CC – 10 – 5
RC = vCE – RE = – 400 = 1.600 Ω (113)
0,0025
IC
Por lo tanto, ya tenemos todos los parámetros que definen la red de polarización buscada.
Ahora, como ejercicio, podéis analizar el circuito con los parámetros encontrados para
comprobar que el punto de operación obtenido es prácticamente el deseado.
Este hecho será muy importante, ya que si el resto del circuito es lineal en-
Ved también
tonces podremos calcular su salida mediante el principio de superposición.
Para saber más sobre el
El principio de superposición afirma que la salida de un circuito lineal ante
principio de superposición
una entrada que sea una suma de tensiones se puede calcular como la suma podéis consultar el anexo de
la asignatura.
de las salidas que ofrecería el circuito para cada una de las tensiones como
si estuvieran aplicadas por separado. Así, el análisis del mismo se simplifica
notablemente.
Por otro lado, el título del apartado también establece que trabajaremos a
frecuencias intermedias, pero ¿qué significa frecuencia intermedia? Recor-
CC-BY-SA • PID_00170129 64 El transistor
El motivo por el que establecemos esta distinción es que las señales de conti-
nua definen el punto de trabajo del transistor y su región de operación. En-
tonces, si la señal de entrada posee componente de continua, podría ocurrir
que el punto de operación del transistor fuera cambiando de región y que no
estuviera situado siempre en la región de activa directa. Precisamente, esto es
lo que queremos evitar con el circuito de polarización y la especificación de los
valores de continua y por eso quitamos las señales de continua del conjunto
de señales externas.
El siguiente paso será, por lo tanto, obtener modelos lineales del BJT en torno
al punto de trabajo determinado por el circuito de polarización. Será lo que
hagamos en el siguiente subapartado. En este punto, merece la pena recordar
que el BJT es realmente un dispositivo complicado y por eso, antes de enten-
der sus aplicaciones como amplificador, tenemos que pasar por todos estos
pasos intermedios que son el diseño de redes de polarización y la obtención
de modelos lineales. No debemos perder de vista lo que queremos: conocer y
analizar circuitos de amplificación.
En este subapartado, vamos a ver dos de los modelos lineales más extendidos
del BJT y que son de uso habitual en el análisis de circuitos basados en él. En
concreto se trata del:
CC-BY-SA • PID_00170129 65 El transistor
donde:
• vBE(t), IC(t), vCE(t) e IB(t) son las tensiones y corrientes variables en el tiem-
po que describen el comportamiento del BJT.
CC-BY-SA • PID_00170129 66 El transistor
• vBEQ , ICQ , vCEQ y IBQ son los valores de las variables en el punto de trabajo
del BJT.
• vBE(t), IbC(t), vCE(t) y IBb(t) son las variaciones de las variables eléctricas del
b
BJT alrededor del punto de trabajo del BJT.
En el modelo lineal, tan sólo nos interesa hallar una relación entre las varia-
bles con sombrero, ya que las variables del punto de trabajo las determina el
circuito de polarización externo al trabajar en la región de frecuencias inter-
medias y no poseer término de continua la señal de entrada. Por lo tanto, el
modelo de parámetros h sólo relaciona las variables con sombrero.
b
vBE + bhB
= h I 11 12 b
vCE (118)
donde h11, h12, h21 y h22 son números que definen los parámetros hí-
bridos del BJT para el punto de trabajo seleccionado.
Ésta es la representación del BJT mediante sus parámetros híbridos. En nume- Parámetros híbridos
rosas ocasiones, también recibe el nombre de representación mediante pará-
Los parámetros híbridos son
metros h al ser esta letra la utilizada para representarlos. datos proporcionados por el
fabricante del dispositivo en
las hojas de características,
Fijaos en un detalle importante y es que no todos los parámetros h tienen las datasheets.
mismas dimensiones:
Parámetros h
• El parámetro h11 tiene dimensiones de resistencia.
Los parámetros h también se
• El parámetro h22 tiene dimensiones de admitancia, es decir de inverso de denotan de la siguiente
forma alternativa:
resistencia.
• Los parámetros h11 y h22 son adimensionales, es decir, no tienen dimensio- h11 = hie
h12 = hre
nes. h21 = hfe
h22 = hoe
De aquí que los valores grandes o pequeños de estos parámetros tengan dife-
rente significado. A modo de ejemplo, veamos qué significa que los paráme-
tros h11 y h22 tengan valores pequeños:
• Que el parámetro h11 tenga un valor pequeño significa que es una resisten-
cia con un valor pequeño y se puede sustituir por un cortocircuito.
CC-BY-SA • PID_00170129 67 El transistor
b
vBE = h11bIB (121)
IB IC Representación esquemática
del significado de las
ecuaciones simplificadas del
modelo de parámetros h.
vBE h11 h21IB vCE
I B
rB
B
rE
Es importante que notéis cómo están dispuestos los terminales del transistor
en la figura 32, ya que cuando sustituyáis el BJT por su modelo deberéis respe-
tar cómo está conectado.
C Figura 33
Modelo de parámetros r
simplificado en el que se ha
eliminado la resistencia de
I B base al caer en ella una
tensión muy pequeña con
respecto a la tensión vCB.
B
rE
• ina
F rEl.mente, la resistencia rE se denomina resistencia dinámica de emi- Ved también
sor y es la resistencia que corresponde a un diodo en directa en torno al
Lasisrtencia dinámica de
e
punto de operación elegido. Esta resistencia captura el efecto de la unión emisor se estudia en el
módulo “El diodo.
PN que hay entre el emisor y la base. Su valor es:
Funcionamiento y
aplicaciones” de esta
0
,026 asignatura.
rE = (123)
IEQ
Ved también
donde IEQ es el valor de la corriente de emisor en el punto de operación. Podéis consultar el módulo
“El diodo. Funcionamiento y
aplicaciones” para la
Ejemplo 8 explicación de la
ecuación 123, en el que os
Calculad el valor de la resistencia dinámica de emisor para un BJT si su corriente de emi- explicamos la aparición del
sor en el punto de operación es IE = 2,5 mA. valor 0,026.
Solución
0,026 0,026
rE = = = 10,4 Ω (124)
IEQ 0,0025
Como veis, se trata habitualmente de un valor pequeño y más pequeño que el valor de
las resistencias que forman parte del circuito de polarización.
Ya tenemos definidos todos los parámetros que definen el modelo r del BJT. Fi-
jaos en cómo cada uno de estos parámetros responde a un hecho físico concre-
to del BJT: la ganancia en corriente (β), la resistencia de base(rB) y la unión PN
(resistencia rE). Por este motivo, el modelo de parámetros r es un modelo más
intuitivo que el modelo de parámetros h presentado en el subapartado 2.3.1.
CC-BY-SA • PID_00170129 70 El transistor
0,026
rE = (125)
I EQ
Ahora que ya conocéis diferentes modelos lineales del BJT, estamos en dispo-
sición de presentar y analizar diferentes topologías utilizadas en aplicaciones
de amplificación basadas en BJT. En primer lugar, vamos a presentar el proce-
dimiento general de análisis y luego veremos ejemplos concretos de circuitos
amplificadores. Veamos en primer lugar cuál es el método general de análisis.
En el subapartado 2.1.2 ya vimos cómo calcular el punto de operación del Frecuencia intermedia
BJT y establecer los valores de continua de las tensiones y corrientes. Ahora, Recordad que entendemos
estaremos interesados únicamente en ver cómo se comporta el transistor ante por frecuencia intermedia el
rango de bajas frecuencias al
señales de entrada de frecuencia intermedia. que se le ha excluido las
componentes de continua.
análisis de alterna.
3) Sustituir el BJT por su modelo lineal equivalente. Para ello, se deberán iden-
tificar claramente los terminales del transistor y se comprobará que el modelo
lineal tiene situados los mismos terminales en el mismo sitio que el BJT inicial.
El resultado es un circuito lineal equivalente.
Topología básica de un
circuito amplificador en
+ emisor común.
VCC –
R1 RC Salida
C
CB vo (t)
B
vi (t)
R2 RE CE
Entrada
Polarización por división
de tensión
CC-BY-SA • PID_00170129 72 El transistor
todos los condensadores en circuitos abiertos. Si volvemos a la figura 34 y Recordad que la impedancia
convertimos todos los condensadores en circuitos abiertos, obtenemos un cir- de un condensador es
tados en ese subapartado podemos calcular el punto de trabajo del BJT, como y, por lo tanto, cuando
ω → 0 (que es el caso
hicimos en los ejemplos 5 y 6.
de continua) se vuelve
En este punto, podemos interpretar la topología del amplificador en emisor muy
grande y el condensador se
común representada en la figura 34 de la siguiente forma: comporta como un circuito
abierto.
a) Vemos que la topología del amplificador es coger un circuito de polariza-
ción por división de tensión, acoplarle una señal de entrada y tomar como
salida la tensión en el colector.
Salida
Figura 35
Entrada
ebn
) tIid
fi camos la configuración en la que trabaja el BJT: emisor común. La forma
de determinar la configuración en la que trabaja el transistor con- siste en
mirar el circuito de alterna que se pretende analizar y que está
representado en la figura 35. Entonces, vemos que hay un terminal, que es
el emisor, que está conectado a masa y éste se comparte entre la entrada y
la salida. También vemos que la salida se toma en el terminal de colector.
Por lo tanto, encaja con la representación de la figura 9 en la que el termi-
nal de emisor se compartía entre los circuitos de entrada y de salida y la
salida se tomaba en el colector. Entonces, estamos ante una configuración
de emisor común.
c) Sustituimos el BJT por un modelo lineal. En este caso, utilizaremos a modo
de ejemplo el modelo de parámetros r representado en la figura 33. Pa-
ra ello, eliminamos el BJT del circuito original y ponemos en su lugar el
modelo lineal como muestra la figura 36.
Figura 36. Proceso de sustitución del BJT por su modelo lineal Figura 36
Engancha
Entrada
CC-BY-SA • PID_00170129 74 El transistor
En la figura 36, podéis ver cómo hemos quitado el BJT y colocado el mo-
delo lineal de tal forma que se respetan los terminales de enganche entre
el modelo y los originales del BJT. Es importante que tengáis mucho cui-
dado en este punto, ya que de esto depende ejecutar el análisis del circuito
correctamente. Para ello, podemos fijarnos en el terminal común y así no
confundirnos al introducir el modelo. El resultado del enganche aparece
en la figura 37.
IE
Entrada
Ganancia en voltaje
vo
Av = (126)
vi
vo = –ICRC (127)
donde el signo menos hace referencia a que la corriente IC circula del potencial
menor al mayor, en lugar del mayor al menor. No obstante, la corriente IC es
la misma que circula por la fuente de corriente de la figura 37 y por lo tanto
se tiene que
IC = βIB (128)
vo = –βIBRC (129)
vi = IErE (130)
vi = (1 + β)IBrE (132)
v o –βIBRC βR (133)
Av = = =– C
vi (1 + β)IBrE (1 + β)rE
CC-BY-SA • PID_00170129 76 El transistor
Por otro lado, vemos que aparece un signo menos en la ecuación 133. Enton-
ces, la señal de salida tiene el signo opuesto que la señal de entrada; se trata
de un amplificador inversor, ya que cambia la polaridad de la señal.
β >> 1 (134)
y, por lo tanto,
(1 + β) ≃ β (135)
βRC βRC R
Av = – ≃– =– C (136)
(1 + β)rE β rE rE
Ejemplo 9
Calculad la ganancia en voltaje del circuito de la figura 34 con los siguientes valores de
los parámetros:
• R1 = 22 kΩ, R2 = 11 kΩ
• RE = 1 kΩ, RC = 1,2 kΩ
• VCC = 9 V
• β = 120 y vBE = 0,7 V
Solución
La ganancia en voltaje del circuito de la figura 34 viene dada por la ecuación 136. Para
poder calcular esa ganancia, es necesario conocer la resistencia RC y la resistencia diná-
mica del emisor rE. La resistencia RC la conocemos, puesto que es un dato del ejercicio,
pero la resistencia rE no y debemos calcularla. El valor de rE se puede calcular por medio
de la ecuación 123:
0,026
rE = (137)
IEQ
CC-BY-SA • PID_00170129 77 El transistor
Vemos que, para emplear la ecuación 137, necesitamos conocer la corriente de emisor del
punto de trabajo. Entonces, ahora deberíamos calcular el punto de trabajo del transistor
para conocer esa corriente, ya que es prácticamente igual a la corriente de colector. Por Corrientes de colector y
suerte, no es necesario que hagamos esto ahora, ya que lo hicimos en el ejemplo 5 puesto emisor
que utilizamos los mismos datos que en él. El punto de trabajo viene dado por Q = (vCE =
4,2 V,IC = 2,17 mA). Entonces, la resistencia dinámica de emisor es: Recordad que se considera
que las corrientes de colector
y emisor son prácticamente
0,026 0,026 iguales, es decir, IE ≈ IC. Por
rE = = = 11,98 Ω (138) lo tanto, donde aparece la
IEQ 0,00217
corriente de emisor, IE,
podemos utilizar la corriente
de colector, IC.
Por lo tanto, la ganancia en voltaje es:
1.200
Av = – = –106,17 (139)
11,98
De este ejemplo, podemos extraer dos aspectos importantes que son genera-
les:
• La ganancia habitual del circuito presentado suele ser del orden de la cen-
tena.
vi
Ri= (140)
ii
C
vo(t) Figura 38
Ri
IB Circuito simplificado utilizado
ii IB
B en el cálculo de la resistencia
de entrada para el
rE
amplificador en emisor
RC
común. La salida debe estar
E
en circuito abierto, que en
vi (t) este caso se cumple al no
R1 R2 IC
haber ninguna carga
IE conectada a vo.
IE
′
Si conocemos Ri , la resistencia de entrada se calculará entonces como la aso-
ciación en paralelo de R1, R2 y R′,i tal como podéis ver de la figura 40.
vi (t)
R1 R2 Ri
CC-BY-SA • PID_00170129 79 El transistor
′ v′
Ri = ′i (141)
ii
′
vi = (1 + β)IBrE (142)
′
Ahora podemos calcular el valor de Ri :
′ (1 + β)IBr E
Ri′ = vi = = (1 + β)rE ≃ βrE (143)
′
ii IB
donde hemos usado que β >> 1. Por lo tanto, la resistencia de entrada se Asociación en paralelo
βR r2 +
E βR1 rE+ R1R2
Ri = (146)
βR1R2rE
Ejemplo 10
Solución
′
Ri ≃ βrE = 120 · 11,3 = 1.356 Ω (147)
Ri = 1.144 Ω (148)
vo
Ro = (149)
io
Ro Circuito utilizado en el
C cálculo de la resistencia de
vo (t) salida. En este caso, la
entrada se deja en circuito
io
IB abierto.
IB
B
rE
RC
E
R1 R2 IC
IE
CC-BY-SA • PID_00170129 81 El transistor
v o βIBRC
Ro = = =R (150)
βIB
C
io
Ejemplo 11
Solución
Ro = RC = 1,2 kΩ (151)
Con este parámetro, ya tenemos todos los que queríamos estudiar y tenemos
analizado el circuito amplificador en emisor común.
En la figura 42, podéis ver que tenemos el mismo circuito de amplificación que
hemos venido considerando, circuitos externos de entrada y de salida y entre
el amplificador y cada circuito externo dos condensadores, CB, que reciben el
nombre de condensadores de desacoplo.
Figura 42
+
VCC – Manera como el circuito de
amplificación en emisor
común se podría conectar a
R1 RC un circuito más grande. Para
ello, se disponen dos
CB condensadores de desacoplo,
C uno en la entrada y otro en la
CB B Circuito salida del mismo.
de
Circuito salida
de E
entrada
R2 RE CE
Como hemos visto en los ejemplos 10 y 11, ése no es el caso del amplifica-
dor en emisor común. De aquí que tengamos que seguir investigando otras
posibles topologías de circuitos para averiguar si alguna cumple con estos re-
quisitos.
CC-BY-SA • PID_00170129 83 El transistor
R1 RC
CB E C
vo (t)
B
vi (t)
RE
CB R2
Figura 44
+
VCC
–
Análisis en continua del
amplificador en base común.
RC R1 Se observa que la
polarización se corresponde
con una de división de
tensión.
vo (t) C
B
Cb
R2
RE
Ahora que hemos visto cómo queda el circuito en continua, seguimos con al
análisis en alterna. Para ello, seguimos una vez más el procedimiento expuesto
en el subapartado 2.4:
Circuito lineal de
rE IB amplificador en base común.
E C
vo (t) El BJT se ha sustituido por su
IC modelo de parámetros r.
vi (t) IE
RE B IB R1 RC
Parámetros r
4)orA
h a que ya tenemos el circuito lineal, podemos aplicar cualquier técnica
de análisis de circuitos lineales para conocer el funcionamiento del circuito.
Como hemos hecho antes, calcularemos los tres parámetros que nos interesan:
ganancia de voltaje, resistencia de entrada y resistencia de salida de forma
separada. Comenzamos con la ganancia en voltaje.
vo
Av = (152)
vi
vi = IErE (153)
vo = ICRC (156)
vo = βIBRC (157)
Finalmente, lo único que nos quedará por hacer para conocer la ganancia es
realizar la división de la ecuación 157 entre la 155.
v o βIBRC βRC
Av = = = (158)
vi (1 + β)IBrE (1 + β)rE
β
≃ 1 (159)
1+β
CC-BY-SA • PID_00170129 87 El transistor
RC
Av = (160)
rE
Vemos que, en este caso, queda con signo positivo, es decir el amplificador
no invierte la polaridad de la señal de entrada, al contrario de lo que hacía
el amplificador en emisor común en la ecuación 136. Calculemos ahora las
resistencias de entrada y salida.
REre
R = R //re = (161)
in E
RE + re
re << RE (162)
debido a que la resistencia dinámica de emisor toma valores bajos como vimos
en el subapartado 2.3.2, entonces el valor de la resistencia de entrada será del
orden de re:
Rin ≃ re (163)
REr e
Rin= R //
E re= ≃ re (164)
RE + re
Ro = RC (165)
Circuito amplificador en
colector común, también
+ conocido con el nombre de
VCC – seguidor de tensión.
R1
CB C Salida
B
E vo (t)
vi (t)
R2 RE
Entrada
Polarización por división
de tensión
CC-BY-SA • PID_00170129 89 El transistor
El proceso de análisis del circuito sigue los mismos pasos que hemos dado en
los subapartados 2.4.1 y 2.4.2. En primer lugar, analizamos la componente de
continua y diseñamos la red de polarización adecuada. A continuación, anali-
zamos el circuito en alterna; para ello, obtenemos el circuito lineal equivalen-
te mediante el modelo de parámetros r presentado en el subapartado 2.3.2 y
mostrado en la figura 32. El resultado está representado en la figura 48.
IB
B IB
Salida
re
E vo (t)
vi (t)
R2 RE
Entrada
v o RE//Rl (166)
Av = =
vi (/RE / l ) + re
CC-BY-SA • PID_00170129 90 El transistor
RE//Rl
Av = ≃ 1 (168)
(/RE / l ) + re
Este valor se corresponderá con una resistencia de entrada muy alta. Por ejem-
plo, si β = 150 y RE = 2,2 kΩ entonces la resistencia de entrada es de 330 k Ω,
que es un valor elevado. Por lo tanto, nos va a interesar, ya que en una resis-
tencia de entrada muy alta implicará que este circuito es una carga pequeña
para el circuito al que se conecte. Veamos qué ocurre con la resistencia de
salida.
CC-BY-SA • PID_00170129 91 El transistor
Símbolos //
La resistencia de salida del amplificador en colector común toma el va- Recordad que los símbolos //
lor siguiente: indican la asociación en
paralelo de resistencias.
R1// R2
Ro= R //(
E + r e) (170)
β
Este valor se corresponde con una resistencia de salida muy pequeña que se
acerca al valor ideal de la resistencia de salida deseada para un circuito eléctri-
co que sería cero. El funcionamiento de un circuito que se conecte a su salida
estará muy poco influido por el amplificador en colector común. En conclu-
sión, tenemos un circuito con una ganancia en tensión prácticamente de uno
y buenos valores de impedancias de entrada y de salida. Se trata de un cir-
cuito adecuado para actuar de separador entre dos circuitos de tal forma que
no haya cargas entre ellos y, por lo tanto, actúa de adaptador de impedancias.
Debido a estas propiedades tan buenas, esta configuración de colector común
recibe el nombre de seguidor de tensión o buffer.
Con esto hemos llegado al final del estudio de las aplicaciones del BJT al dise-
ño de circuitos de amplificación.
2.5. Recapitulación
En este apartado:
Dado que el cometido del dispositivo es el mismo que el del BJT, se podrá usar
con los mismos objetivos que éste dentro de un circuito electrónico: como
interruptor o amplificador, por ejemplo. En particular, en el apartado 2 estu-
diamos la aplicación del BJT como amplificador, mientras que su uso como
interruptor no se trató en detalle. Será en este apartado donde exploraremos
cómo se comporta el FET como interruptor mientras que no nos detendre-
mos apenas en su aplicación como amplificador al ser ésta muy similar a la ya
explicada en el apartado 2 para el BJT.
En primer lugar, vamos a ver en el subapartado 3.1 cuáles son los parecidos
y diferencias entre los transistores de efecto de campo y los BJT del apartado
1. A continuación, pasaremos a estudiar ambos tipos de transistores, los JFET
y los MOSFET. Para estudiar los transistores de efecto de campo, seguiremos
para cada tipo los mismos pasos que se dieron en el apartado 1:
Una vez hayamos estudiado los JFET, pasaremos a estudiar el otro tipo de tran-
sistor de campo, los MOSFET. Para ellos, de nuevo no presentaremos todos los
puntos tocados en el caso del JFET, ya que son muy semejantes y contendrían
un material casi idéntico. Lo que haremos en el subapartado 3.6 será centrar-
nos en exponer las diferencias fundamentales de funcionamiento con los JFET
y los modelos eléctricos que los representan para que los conozcáis y tengáis
a mano. Donde sí nos detendremos un poco será en ver cómo se puede sacar
partido del modo de funcionamiento de los MOSFET como interruptores en
el diseño de circuitos electrónicos digitales, eso se hará en el subapartado 3.7.
Con esto terminará el módulo y habréis obtenido una panorámica general
de algunos tipos de transistores muy utilizados en electrónica, sus principios
básicos de funcionamiento y algunos circuitos típicos realizados con ellos.
En este subapartado, vamos a abordar inicialmente algunos parecidos y dife- Ved también
rencias de los FET con el transistor bipolar de unión, el BJT. Podríamos resumir
El transistor bipolar de unión
los principales parecidos y diferencias en los siguientes puntos: se estudia en el apartado 1
de este módulo.
• Principales parecidos:
• Principales diferencias:
– En comparación con los BJT, en los que la conducción está basada en am- Portadores mayoritarios
bos tipos de portadores, mayoritarios y minoritarios, en los FET la conduc- y minoritarios
ción tan sólo está basada en los mayoritarios. Por lo tanto, son dispositivos
Los portadores mayoritarios
unipolares. en un semiconductor de tipo
N son los electrones,
mientras que los minoritarios
– Así como los BJT son dispositivos controlados por corriente, de hecho por son los huecos. En un
semiconductor de tipo P, la
la corriente de base IB, los FET son dispositivos controlados por tensión. situación se invierte y los
mayoritarios son los huecos,
mientras que los minoritarios
– Los FET presentan en general una resistencia de entrada muy alta, mucho son los electrones.
mayor normalmente que la que presentan los BJT y por lo tanto les otorga
una posición de ventaja con respecto a los BJT en este sentido para aplica-
ciones de amplificación.
– La estructura física de los FET permite que se puedan fabricar más peque-
ños que los BJT y por lo tanto son más adecuados para su utilización en
circuitos integrados.
Como veis, existen bastantes diferencias entre ellos. Además de estas consi-
deraciones, podéis deducir el motivo por el que muchos circuitos integrados
(como pueden ser los microprocesadores, por ejemplo) se realizan utilizando
tecnología de tipo FET: se pueden fabricar a un tamaño muy pequeño y de
una forma relativamente sencilla.
G P P G
Uniones Canal de
PN S tipo N
CC-BY-SA • PID_00170129 97 El transistor
Como veis en la figura 49, la mayor parte del dispositivo la conforma una barra
rectangular de material semiconductor dopado de tipo N a cuyos laterales
existen dos regiones dopadas de tipo P. De esta forma, entre ambas regiones
parece que queda un canal que une los otros dos extremos del dispositivo, el
superior y el inferior.
G N P N G
Uniones Canal de
PN S tipo P
De la misma forma que antes, parece que hay un canal entre los extremos
superior e inferior del dispositivo. De hecho, es el dopaje de este canal el que
se usa para diferenciar a las dos alternativas de JFET que hemos presentado: el
JFET de canal N y el JFET de canal P.
a. b.
D
Figura 51
P Comparación de las
estructuras de los dos tipos
de transistores estudiados, el
JFET en la figura a y el BJT en
la b. Se puede apreciar que
G N P N N P N ambos están basados en el
E C concepto de unión PN. Aquí
no se han representado las
zonas espaciales de carga,
aunque existen, con objeto
Uniones
PN de hacer más evidente la
B semejanza entre las
estructuras.
Uniones S
PN
JFET BJT
canal P NPN
Ambos transistores tienen dos uniones PN, pero la conexión de los terminales
es diferente. Veamos qué terminales tiene el JFET y qué diferencias presenta
con respecto al BJT en el movimiento de electrones dentro del dispositivo.
• puerta, gate, G
• drenador, drain, D
• fuente, source, S
a. D b. D Figura 52
– – –
faig
. Luara representa el
– movimiento de electrones
– – que se produce dentro de un
– JFET de canal N. En él, los
electrones entran por la
– – fuente, atraviesan el
––
N dispositivo y salen por el
G P N P G P –– P
– – drenador. La facilidad con la
– que los electrones pasan a
– – través del canal está
– controlada por medio de la
– tensión de puerta.
– – b. La figura muestra el efecto
–
de aplicar una tensión de
puerta que hace que la zona
– – – – de carga espacial aumente y
S S dificulte el paso de los
electrones. Por lo tanto, la
corriente está controlada por
la tensión de puerta.
En los BJT, la corriente atraviesa las uniones PN, mientras que en los
JFET la corriente se mueve a lo largo del canal sin atravesar en ningún
momento las uniones. Para ello, las uniones PN deberán estar polariza-
das siempre en inversa.
D D Figura 53
Símbolos circuitales
G G internacionales de los
transistores JFET.
S S
Terminales del JFET
Al igual que los BJT, los JFET pueden usarse en tres configuraciones diferentes,
según sea la fuente, el drenador o la puerta el terminal común a los circuitos
de entrada y de salida.
Una vez ya os habéis hecho una idea del modo de funcionar de los JFET, sus
símbolos circuitales y sus posibles configuraciones, vamos a analizar con un
poco más de detalle su principio de funcionamiento para obtener las caracte-
rísticas de intensidad-voltaje.
CC-BY-SA • PID_00170129 101 El transistor
podéis ver los contactos que definen los terminales, las uniones PN y la Recordad que un
zona espacial de carga alrededor de la unión. semiconductor llega a un
estado de equilibrio cuando
no hay fuentes externas
conectadas a él.
Figura 55. Estructura física del transistor JFET de canal N
Zona de
carga espacial D
Figura 55
JFET en ausencia de
excitación externa. El
N dispositivo está en equilibrio
y existe una determinada
zona espacial de carga
alrededor de las unciones PN.
G P P G
Uniones Canal de
PN S tipo N
CC-BY-SA • PID_00170129 102 El transistor
Figura 56. Transistor JFET al aplicar una tensión positiva vDS Figura 56
+
VDS
G P P –
S IS
– El drenador empieza a atraer electrones hacia sí, ya que el polo positivo Sentido de la corriente
de la fuente al que está conectado los atrae. Como resultado, aparece una
Recordad que la corriente
corriente ID que atraviesa el canal desde la fuente. Por lo tanto, como por eléctrica tiene, por convenio,
las uniones PN no pasa corriente, la corriente de puerta es cero, IG = 0 y la el sentido contrario al
movimiento de los
corriente de fuente coincide con la de drenador IS = ID. electrones.
Caída de potencial
Si la tensión vDS es pequeña, el estrechamiento no será muy grande y, para Ved también
incrementos pequeños de tensión, la corriente también se incrementará:
Podéis consultar la ley de
el dispositivo se comportará como una resistencia. Por lo tanto, habrá una Ohm en el anexo de la
relación lineal entre la tensión aplicada y la intensidad que circula por el asignatura.
Zona espacial
de carga Figura 57
D ID D ID
Proceso que ocurre dentro
del material al aumentar la
N tensión vDS. Al aumentar vDS,
las ZCE se ensanchan hasta
+ + que llega un momento en el
vDS vDS que se produce el
G P N P – G P P – estrangulamiento del canal
en la figura c. Entonces, la
corriente a través del
dispositivo permanece
constante.
S IS S IS
D ID D ID
+ +
vDS vDS
G P N P – G P P –
S IS S IS
Las tensiones vDS mayores que la tensión de saturación provocarían que las
zonas espaciales de carga se juntaran cada vez más como muestra la figu-
ra 57.d). Estas tensiones mayores, sin embargo, no causan un incremento
en la corriente y por lo tanto se llega también a la corriente de saturación,
IDsat . Esta corriente de saturación es la mayor corriente que podemos tener
en un transistor JFET.
En la figura 58b podéis ver que, a medida que nos vamos acercando a la ten-
sión de saturación, se pierde ese comportamiento lineal y la relación entre la
CC-BY-SA • PID_00170129 105 El transistor
ID
D ID
+
vDS
G P N P –
S IS
vDS, sat vDS
b. vDS = vDS, sat
ID
D ID
ID, sat
+ Saturación
vDS
G P P –
N
S IS
vDS, sat vDS
c. vDS > vDS, sat
Para completar el estudio de las características del JFET, vamos a estudiar el Uniones polarizadas en
inversa
comportamiento del mismo cuando vGS < 0, es decir, cuando la tensión de la
puerta medida desde la fuente es negativa. Notad que, en este caso, las uniones Una unión PN está polarizada
en inversa cuando el
PN están polarizadas en inversa, que es el caso que nos interesa, ya que lo que
potencial de la parte N es
se quiere es que los portadores circulen por el canal desde la fuente hasta el mayor que el de la parte P.
drenador y no que atraviesen las uniones, como veis en la figura 59. Por lo
tanto, sólo estudiaremos el caso de tensiones vGS negativas.
Comportamiento deseado
para los electrones que se
mueven desde la fuente, S,
D
– hasta el drenador, D, sin
poder salir por la puerta, G.
–
–
–
N
G P – P
–
– –
S –
Ved también
Cuando vGS < 0, las uniones PN están polarizadas en inversa y por lo tanto la La polarización de las uniones
PN y la región de carga
región de carga espacial alrededor de ellas se hace más grande. Por lo tanto, espacial alrededor de ellas se
estudian en el módulo “El
en este caso el canal se vuelve más estrecho. En la figura 60, podéis ver este
diodo. Funcionamiento y
proceso. aplicaciones”.
CC-BY-SA • PID_00170129 107 El transistor
Zona espacial
de carga
D
G P P
vGSoff
c. vGS = vGSoff
En la figura 60a, podemos ver las zonas espaciales de carga de las uniones
cuando vGS = 0. Si ahora aplicamos una tensión vGS < 0, vemos en la figu-
ra 60b cómo las zonas espaciales de carga se han ampliado. Si continuamos
disminuyendo vGS, llega un momento en el que las uniones se han ensanchan-
do tanto que acaban fundiéndose en una única como muestra la figura 60c.
Veamos cómo afecta esta modificación de las zonas espaciales de carga al paso
de electrones.
Mientras la tensión aplicada no sea muy grande en valor absoluto, las zonas
espaciales de carga no se ensanchan lo suficiente como para dificultar dema-
siado el paso de los electrones y éstos todavía pueden atravesar el canal. En
este caso, su flujo es mayor cuanto mayor sea la diferencia de potencial vDS. Por
lo tanto, el JFET se sigue comportando como una resistencia (con una depen-
dencia lineal entre voltaje y corriente), pero en este caso con una pendiente
menor que cuando vGS = 0, como ilustra la figura 61, en la que se muestran
las rectas que caracterizan el dispositivo para diferentes tensiones vGS y cómo
varía su pendiente.
A medida que vGS es menor (es decir, aumenta en valor absoluto, ya que es
negativa) la pendiente es menor, ya que los portadores encuentran más resis-
CC-BY-SA • PID_00170129 108 El transistor
tencia al paso en el canal. Esto hace que en la figura 61, las rectas correspon-
dientes a una tensión vGS menor estén por debajo de la recta correspondiente
a vGS = 0.
Si vGS es muy negativa, igual o menor que una tensión umbral, vGSoff , entonces La tensión vGSoff es una tensión
la pendiente de la recta ha descendido tanto que se convierte en el eje hori- característica de cada JFET y su
valor lo debe proporcionar el
zontal como veis en la figura 61. En consecuencia, no puede circular corriente fabricante.
por el dispositivo. Decimos entonces que el JFET está en estado de corte.
Estado de corte
Llegados a este punto, si la tensión vGS se vuelve demasiado negativa, enton- No debéis confundir el
ces llega un momento en el que las uniones PN se pueden perforar. Estaremos estado de corte con la
tensión umbral. Corte
entonces en la región de ruptura del dispositivo. Es importante destacar que, representa un estado del
una vez la tensión vGS ha descendido por debajo de vGS , la corriente que cir- transistor mientras que
off
umbral hace referencia a un
cula por el dispositivo es prácticamente nula. Por lo tanto, el hecho de dismi- valor concreto de la tensión
nuir todavía más la tensión vGS (muy por debajo de vGSoff ) no causa ninguna vGS.
En la figura 62, podéis ver las curvas características para un JFET de canal N.
En ellas, podéis observar la corriente de drenador ID representada frente a la
tensión vDS para distintos valores de la tensión de puerta vGS. Como podéis ver,
son curvas muy parecidas a las de la figura 58c pero desplazadas verticalmente
debido al aumento de resistencia que supone la aplicación de una tensión de
puerta negativa que polariza inversamente las uniones PN.
CC-BY-SA • PID_00170129 109 El transistor
Zona
ruptura
Zona Zona
lineal saturación
ID
vGS = 0
IDss
vGS = –1V
vGS = –2V
vGS = –3V
Vp vDS
Vr
vDS,sat = vGS – vGSoff Zona Vr – 1
corte
También podéis ver en la figura 62, el valor de vDS que hace que se alcance la
saturación cuando vGS = 0. Este valor concreto de tensión se denomina algunas
veces Vp de pinch-off porque hace referencia al momento en el que comienza
el estrangulamiento. Para muchos dispositivos, el valor de vGSoff coincide en
valor absoluto con Vp , pero es de signo opuesto de tal forma que vGSoff = –Vp .
debido a que podemos considerar que ambas tensiones vGS y vDS suman sus Tensiones en las
ecuaciones
efectos para producir el estrangulamiento. Por lo tanto, la diferencia de va-
lores en la ecuación 171 es la responsable de la saturación en corriente del Recordad que, en todas las
ecuaciones, las tensiones
dispositivo. deben participar con sus
respectivos signos. Así, la
tensión vGSoff en la
ecuación 171 es negativa y
debe entrar en ella con ese
Las zonas de trabajo del transistor JFET están representadas en la figu- signo. Como resultado, estará
ra 62 y son las siguientes: sumada a vGS.
En este subapartado, vamos a analizar con un poco más de detalle las zonas de
trabajo de un transistor JFET obtenidas en el subapartado 3.3.2 y representadas
en la figura 62.
Zona de corte
El transistor opera en la zona lineal cuando, para un valor fijo de vGS, la tensión
vDS es superior a la tensión de saturación.
Zona de saturación
!2
v
ID = IDss 1 – GS (175)
vGSoff
De esta forma, ya tenemos la ecuación que liga ambas variables, ID y vGS, entre
sí. Finalmente, la última zona de trabajo en la que nos detendremos es la zona
de ruptura.
Zona de ruptura
Como habéis visto en el subapartado 3.2, el transistor JFET está compuesto de Polaridad de vGS
dos uniones PN polarizadas en inversa. Además, esa polarización inversa es
Recordad que vGS tiene que
tanto mayor cuanto menor sea el valor de vGS. ser negativo para que las
uniones estén en inversa y
por lo tanto, cuanto más
Cuando una unión PN se encuentra polarizada en inversa entonces la zona pequeño sea ese valor, más
en inversa estarán polarizadas
espacial de carga aumenta. Sin embargo, esta tensión inversa no se puede au-
las uniones.
mentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensión
de ruptura, Vz, característico de cada unión y que suele proporcionar el fabri-
Ved también
cante en sus hojas de características) la unión se perfora, lo que produce la
ruptura del dispositivo. La unión PN se estudia en el
módulo “El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones” de esta
Las uniones se encuentran más fuertemente polarizadas en el lado del drena- asignatura.
dor, ya que la caída de tensión drenador-puerta es mayor que la de puerta-
fuente. Entonces, se producirá la ruptura de las uniones cuando
Topología de polarización
VDD para el transistor JFET de
+ – canal N que hace que la
región de operación del
ID transistor sea la de
RD
saturación.
Malla
RG D salida
– G S
VGG IG
+
Malla
entrada
CC-BY-SA • PID_00170129 114 El transistor
Para el caso de los JFET, los pasos para analizar el circuito de polarización son
los siguientes:
2m
o) C
o la impedancia de entrada del JFET vista desde la puerta, G, es muy
alta debido a que la unión PN de la puerta está polarizada en inversa, podemos Resistencia RG
suponer que la corriente que circula por la resistencia RG es muy pequeña,
La resistencia RG no tiene
IG ≈ 0, y por lo tanto de la ecuación 178 obtenemos: ningún papel al ser el valor
de la corriente IG muy
pequeño. No obstante, se
coloca en el circuito para
vGS ≈ –VGG (179) representar el efecto de las
resistencias colocadas en el
terminal de puerta del
transistor que siempre hay en
El objetivo de este paso es despejar de la ecuación 178 el parámetro que actúa
un circuito real.
controlando la salida: en este caso, es la tensión vGS y, en el caso del BJT, era
la corriente de base IB.
! 2
v GS
ID = IDss 1 – (180)
vGSoff
! 2
v GS
vDS = VDD – IDRD = VDD – IDss 1– RD (182)
vGSoff
Ejemplo 12
Calculad el punto de operación del JFET en el circuito de la figura 63 para los siguientes
datos:
Solución
vGS = –2 V (185)
!2
vGS
ID = IDss 1– (186)
vGSoff
„ –2 «2
ID = 0,005 1 – = 9,2 · 10–4 A (187)
–3,5
4) Ahora que ya tenemos ID, tan sólo nos queda hallar v DS. Para eso, aplicamos la ley de
Kirchhoff de voltajes a la malla de salida (ecuación 181):
Observad que vDS ≥ vDSsat = vGS – vGSoff = –2 – (–3,5) = 1,5 V y por tanto el transistor se
encuentra en su zona de saturación.
Como veis, éste es un método de cálculo del punto de trabajo directo y ana-
lítico y será el que más utilicéis para resolver circuitos con transistores. Sin
CC-BY-SA • PID_00170129 116 El transistor
vGS = 0
vGS = –2V
vGS = –3V
vDS
vDS,Q
trabajo se leen como las proyecciones en los ejes del punto de intersección.
De esta forma, calculamos el punto de trabajo de una manera gráfica.
Este circuito nos ha servido para ilustrar el procedimiento de análisis del pun-
to de polarización del transistor e introducir una topología para ello. Sin em-
bargo, el circuito no se utiliza mucho debido a que, además de necesitar dos
fuentes, las VGG y VDD, es bastante inestable, ya que no garantiza que este-
mos trabajando siempre en la región de saturación. Para paliar estas desventa-
jas, disponemos de la polarización por división de tensión que veremos en el
subapartado siguiente. De este modo, dispondréis de dos ejemplos de análisis
del punto de operación para circuitos diferentes que os ayudará a calcular el
punto de trabajo para cualquier otro tipo de circuito de polarización sin más
que adaptar el método propuesto en este subapartado.
R1 RD
Figura 65
R2
RS
Equivalente
Thèvenin
En este caso, tan sólo necesitamos una fuente de alimentación, dada por VDD,
y las cuatro resistencias que forman parte del circuito. Para elaborar el análisis,
podemos seguir los mismos pasos que en el subapartado 3.4.1. No obstante,
para simplificar el procedimiento, lo primero que hacemos es calcular el equi-
valente Thévenin de los componentes marcados en la figura 65. Para proceder
CC-BY-SA • PID_00170129 118 El transistor
Figura 66. Redibujo del circuito de polarización por divisor de tensión Figura 66
VDD
R1 D
–+
G
S
R2
RS
Equivalente
Thèvenin
V =V R2 (191)
Th DD
R1 + R 2
R1R2
RTh = (192)
R1 + R2
Figura 67 Figura 67
RTh D
Malla
+ IG
G S salida
VTh
–
IS RS
Malla
entrada
CC-BY-SA • PID_00170129 119 El transistor
Ahora estamos en disposición de enumerar los pasos que hemos de seguir para
determinar el punto de operación:
2) Como la impedancia de entrada del JFET vista desde la puerta es muy alta
debido a que la unión PN de la puerta está polarizada en inversa podemos
suponer que IG ≈ 0 y, por lo tanto, IS ≈ ID puesto que la ley de Kirchhoff de
corrientes establece que: IS = IG + ID. Bajo esta aproximación, la ecuación 193
se convierte en:
! 2
v GS
ID = IDss 1 – (195)
vGSoff
Las ecuaciones 194 y 195 forman un sistema de dos ecuaciones con dos in-
cógnitas que nos permiten despejar vGS e ID.
Ejemplo 13
Calculad el punto de trabajo del transistor en el circuito de la figura 65 para los siguientes
valores de los parámetros:
Solución
Primero, calculamos los valores del equivalente Thévenin del circuito de entrada me-
diante las ecuaciones 191 y 192:
R2
V =V = 2,48 V (198)
Th DD
R1 + R2
R1R2
RTh = = 24,8 kΩ (199)
R1 + R2
Una vez que ya disponemos de los valores del equivalente Thévenin proseguimos con el
resto del procedimiento:
Tenemos una ecuación con dos incógnitas, vGS e ID. Para determinar ambas variables,
necesitamos una ecuación más, que será la que obtengamos en el siguiente paso.
3) Escribimos la relación entre la entrada y la salida descrita por la ecuación 195:
!2
vGS
ID = IDss 1– (203)
vGSoff
„ 2
ID = 0,0048 1S + «
vG (204)
1,76
Tenemos un sistema de dos ecuaciones (202 y 204) con dos incógnitas (vGS e ID). Para
resolverlo, sustituimos la expresión para ID de la ecuación 204 en la ecuación 202:
CC-BY-SA • PID_00170129 121 El transistor
„ 2
«
2,48 = vGS + 1.500 · 0,0048S1 + vG (205)
1,76
Para que el transistor no esté en corte, es necesario que vGS ≥ vGSoff que en este caso es
de vGSoff = –1,76 V. Por lo tanto, el valor que buscamos es vGS = –0,60 V. El valor de ID
se puede obtener ahora mediante la ecuación 204:
„ «
vGS 2
ID = 0,0048 1 + = 2,1 mA (208)
1,76
Una vez que tenemos los valores en continua de la señal, fijados por el circuito
de polarización, el siguiente paso será añadir a la señal de entrada una señal
que varíe en el tiempo. En el siguiente subapartado, vamos a ver cómo se
comporta el JFET ante señales de entrada que varíen en el tiempo y cómo
quedan algunas topologías sencillas de circuitos de amplificación con el JFET.
Por otro lado, la señal que superpongamos deberá ser también de baja fre- Baja frecuencia
cuencia, como ya hicimos en el caso del BJT. Así, podremos despreciar fenó-
Recordad que por baja
menos más complejos que ocurren dentro de los semiconductores y quedar- frecuencia entendemos el
nos con el comportamiento del transistor presentado en el subapartado 3.2. conjunto de frecuencias de la
señal de entrada cuya
Sin embargo, no incluiremos los términos de continua al realizar el análisis del longitud de onda es mucho
transistor como amplificador, ya que, si la señal de entrada posee términos de más pequeña que las
dimensiones del circuito.
continua, éstos moverán el punto de operación de posición y podría pasar que Además, también incluye las
se pudiera alterar su región de trabajo, lo que no nos interesa. Por lo tanto, tra- señales continuas.
Como podéis ver, estamos exactamente ante las mismas condiciones que ya
tratamos en el apartado 2 para el BJT en aplicaciones de amplificación. El
análisis del circuito con señales alternas se ejecuta de la misma forma que se
hizo para el BJT en el apartado 2. La región que suele ser de interés en los
JFET es la de saturación, que es la región en la que están utilizados los JFET en
las aplicaciones de amplificación. En esta región de operación, la corriente de
drenador, ID, está gobernada por la tensión de puerta, vGS.
De las curvas características del JFET mostradas en la figura 62, podéis com-
probar que el dispositivo tiene un comportamiento no lineal. Sin embargo, si
la amplitud de la señal superpuesta es lo suficientemente pequeña, entonces
podemos suponer que alrededor del punto de trabajo tiene un comportamien-
to lineal. Así que el primer paso es encontrar el modelo lineal que describe al
JFET en su región de funcionamiento de saturación. Una vez dispongamos del
modelo lineal de pequeña señal, podremos sustituir el JFET por su modelo y
analizar el circuito resultante mediante las técnicas habituales de teoría de cir-
cuitos. Fijaos en que es exactamente el mismo procedimiento que el que ya
seguimos en el apartado 2 para el BJT. Por este motivo, no vamos a desarro-
llar este subapartado con todo detalle, sino que nos limitaremos a mostrar el
modelo lineal del JFET y a mostrar una topología de amplificación. El análisis
de la misma lo podéis hacer vosotros mismos a través de los pasos vistos en el
apartado 2.
CC-BY-SA • PID_00170129 123 El transistor
S S
Bipuerta
Las variables eléctricas del JFET serán la corriente que entra por el ter-
minal de entrada, IG, y por el terminal de salida, ID, mientras que los
voltajes serán los referidos a la fuente, vGS y vDS. El objeto del modelo
de pequeña señal es el de establecer qué relación hay entre ellas.
G gmvgs
gd
vDS
vGS
S S
Entrada Salida
CC-BY-SA • PID_00170129 124 El transistor
Analicemos con un poco más de detalle este modelo. De la figura 69, podemos
deducir que la corriente de puerta es cero, IG = 0, debido a que el terminal de
puerta termina en un circuito abierto. Como ya hemos indicado en el subapar-
tado 3.4.1, este valor es razonable, ya que la polarización inversa de la unión
impide el paso de corriente a través de la puerta. El valor del voltaje vGS es el
que se controla y se decide libremente desde la entrada.
Por otro lado, en la parte de la salida, que es la parte derecha de la figura 69,
aparece una fuente de corriente controlada por tensión con una ganancia gm
que recibe el nombre de transconductancia. Además, aparece una admitan-
cia, gd, (que es el inverso de la resistencia) y que desempeña el papel de la
resistencia que ofrece el canal al paso de corriente. De esta forma, la ecuación
que describe el lado derecho de la bipuerta es la siguiente:
donde
1) gm es la transconductancia.
gd ≈ 0 (212)
2q
gm = ∓ IDIQ DSS (213)
VT
Representación en forma de
ID
bipuerta del modelo reducido
de pequeña señal y baja
D frecuencia del JFET.
IG
G gmvgs
vDS
vGS
S S
Entrada Salida
Topología de un circuito de
VDD amplificación basada en el
Condensadores
de desacoplo + – transistor JFET de canal N.
R1 RD C2
C1
Rg D
G S
R1
R2
vi (t) C3
RS
Circuito de amplificación
basado en BJT. Se observa
+ que los circuitos de
VCC – amplificación basados en BJT
y JFET tienen la misma
topología salvo porque el
R1 RC Salida transistor utilizado es
diferente.
C
CB vo (t)
B
vi (t)
R2 RE CE
Entrada
Polarización por división
de tensión
Como veis, ¡se trata del mismo esquema! salvo que el BJT se ha remplazado
por un JFET. Por lo tanto, todos los procedimientos que vimos en el aparta-
do 2 para el análisis del circuitos de amplificación siguen siendo válidos aquí
salvo que, en lugar de utilizar el modelo del BJT, deberéis utilizar el modelo
de pequeña señal que acabamos de ver para el JFET en el subapartado 3.5.
Los valores de los parámetros del modelo deben ser los asociados a la zona de
saturación, que es la zona en la que se polariza el JFET para aplicaciones de
amplificación. Así, no nos vamos a detener a analizar con detalle el funciona-
miento del amplificador. Lo que sí vamos a hacer es comprobar una caracte-
rística de los amplificadores con JFET que los diferencia de los amplificadores
basados en BJT. Se trata de su resistencia de entrada. Además, podréis ver cómo
se utiliza el modelo de pequeña señal del JFET.
C2
D
Rg C1
gmvgs
G S
R2 R1 vo (t)
vi (t)
RS C3
Rg D
Circuito amplificador basado
gmvgs
G en JFET en el que se ha
RD R1 vo (t) sustituido el transistor por su
R1 R2 modelo de pequeña señal
vi (t) alrededor de un punto de
operación. Para realizar el
análisis en alterna ponemos
las fuentes de tensión
continua a cero y
cortocircuitamos los
transistores. El resultado es el
circuito lineal de la imagen.
CC-BY-SA • PID_00170129 128 El transistor
R1R2
Rin = (214)
R1 + R2
que no depende de ningún parámetro del dispositivo, tan sólo de las resisten-
cias del circuito de polarización. En cambio, el circuito amplificador basado
en BJT en emisor común considerado en el subapartado 2.4.1 ofrecía una re-
sistencia de entrada dada por:
que depende explícitamente del tipo de dispositivo utilizado a través del pará-
metro β. De esta forma, es más sencillo lograr resistencias de entrada altas para
amplificadores basados en JFET, ya que su valor sólo depende de resistencias
seleccionables por nosotros.
Para finalizar el módulo de transistores, vamos a ver otro gran grupo de tran-
sistores de efecto de campo: los transistores MOSFET. Existen dos tipos de
transistores MOSFET:
P SS
G
Contactos
Contacto
S N
Capa aislante
Metal
S N
Aislante Semiconductor
Los símbolos circuitales de los transistores MOSFET son los que podéis ver en
la figura 77 y que se utilizan como su representante en los circuitos electró-
nicos.
D D
SS
G G
S S
Mosfet de acumulación
de canal N
D D
SS
G G
S S
Mosfet de acumulación
de canal P
Una vez que ya conocéis la estructura física básica de los transistores de tipo
MOSFET y sus símbolos circuitales, el siguiente paso será dar unas pinceladas
sobre su mecanismo de funcionamiento interno. A partir del conocimiento
de este funcionamiento seremos capaces de obtener sus características I-V y
su modelo de pequeña señal con el que podréis realizar el análisis de circuitos
que contengan un transistor MOSFET.
En este subapartado, vamos a dar unas breves pinceladas del modo de fun-
cionamiento interno de un MOSFET. Cuando conozcamos de forma intuitiva
su funcionamiento interno, estaremos en condiciones de intentar deducir las
características I-V del dispositivo. A partir de estas características, podremos
obtener su modelo eléctrico, lo que nos permitirá ejecutar el análisis de los
circuitos electrónicos donde aparezca.
CC-BY-SA • PID_00170129 132 El transistor
Para llevar a cabo el estudio del modo de funcionamiento del transistor, repa-
semos en primer lugar a través de la figura 78 el número de variables eléctricas
de las que disponemos.
vGS
Comencemos con las tensiones independientes. Debido a que se tiene que Ved también
verificar la ley de Kirchhoff de voltajes, deberá ocurrir que:
Para saber más sobre la ley de
Kirchhoff de voltajes,
consultad del anexo de la
vGS + vDG = vDS (216) asignatura.
Con respecto a las intensidades, como el terminal de puerta está aislado del
resto del circuito debido a la capa de aislante, en continua:
IG = 0 (217)
ID = IS (218)
de donde sólo hay una corriente independiente, que se suele tomar ID.
CC-BY-SA • PID_00170129 133 El transistor
El MOSFET es un dispositivo
controlado por tensión, ya
que será la tensión de puerta
Influencia de vGS
la que controle la corriente
que atraviese el dispositivo.
Creación de un campo
eléctrico dentro del
dispositivo a consecuencia de
D aplicar una tensión vGS > 0.
N P
+ –
G
SS
VGS +
–
r
S E
N
Fuerza eléctrica
Figura 80
D Movimiento de los
N P portadores de carga, que son
r los electrones, cuando se
+ – E + –
– + – aplica una tensión vGS > 0.
G ++ – + –
+ – + – SS Los electrones se dirigen a la
+ – –+ + – puerta y quedan acumulados
VGS + + – + –
– allí.
S
N
Electrones Huecos
Las cargas quedan detenidas en estas posiciones debido a que por la puerta
no puede circular corriente al encontrarse aislada. Para valores pequeños
de esa tensión, la acumulación de cargas será pequeña, pero a partir de un
cierto valor umbral de tensión (threshold en inglés), vGS ≥ vGST , la acumula-
ción de electrones se hará lo suficientemente importante como para que su
efecto sea semejante al de tener una zona N. Es decir, diremos que se for-
mará un canal de tipo N que unirá los terminales de drenador y fuente
como ilustra la figura 81.
Electrones Huecos
No hay canal
Figura 82
Huecos Electrones
Influencia de vDS
ID Figura 83
D Modificación de la anchura
N
P del canal en función de los
vGD valores de vGS. A medida que
+ vGS aumenta, el canal se hace
G v DS más grande.
SS –
+
vGS1
– S
N
ID
D
N
P
vGD
+
G v DS
SS –
+
vGS2
– S
N
Como vDS > 0 esto implica que vGS > vGD y, por lo tanto, la anchura del
canal será más pequeña en el lado del drenador que en el de la fuente tal
como muestra la figura 84.
D
N P
vGD
G +
SS v
– DS
vGS+
– S
N
CC-BY-SA • PID_00170129 137 El transistor
Tal como vimos en el caso del JFET en el subapartado 3.3, para valores
pequeños de vDS, este estrangulamiento del canal no será muy importante,
pero a medida que la tensión vDS aumente, el estrechamiento empezará a
ser importante como se ve en la figura 85.
ID
D
N P
vGD
G +
SS v
– DS2
vGS+
– S
N
ID
D
N P
vGD
G +
SS v
– DS,sat
vGS+
– S
N
• anCdo
u vDS alcance una tensión de saturación vDSsat , el canal se habrá ce-
rrado por completo. A partir de ese instante, la corriente ID permanecerá
igual a un valor constante independientemente del valor de vDS, que será
mayor que vDSsat .
Para valores más grandes de vGS, ocurrirían los mismos fenómenos que hemos
expuesto, pero con valores más grandes de la intensidad de drenador, ya que
al aumentar vGS el canal se hace más ancho y favorece el paso de corriente.
ID
vGS = 6V
vGS = 5V
vGS = 4V
vGS = 3V
p
vDS
Vr
vDS,sat = vGS – VT Zona
corte
CC-BY-SA • PID_00170129 139 El transistor
Como podéis ver en la figura 86, las curvas para diferentes valores de vGS son
las mismas, pero desplazadas hacia arriba. También aparece marcado en la
figura 86 que existen cuatro regiones de funcionamiento, de la misma forma
que para el JFET del subapartado 3.3.3.
1) zona de corte,
3) zona de ruptura,
Zona de saturación
donde K es una constante que depende del dispositivo. Podemos utilizar esta
ecuación para establecer el comportamiento eléctrico del transistor en esta
región. Para conseguir que el MOSFET se encuentre en una región u otra,
es necesario recurrir a circuitos de polarización, como es habitual en todo
el desarrollo que hemos hecho en este módulo. Veamos, a continuación, un
ejemplo de circuito de polarización.
En la figura 87, podéis ver la forma en la que los transistores MOSFET se deben
polarizar para trabajar en aplicaciones de amplificación, tanto para el caso de
canal N como para el caso de canal P.
CC-BY-SA • PID_00170129 140 El transistor
Para el caso del transistor de canal P, tan sólo deberemos cambiar las polari-
dades de las fuentes para obtener una polarización entre drenador y fuente
negativa, vDS < 0, al igual que entre puerta y fuente, vGS < 0. Fijaos en cómo
se ha generado el circuito de polarización para el transistor de canal P: a través
de la regla de cambio de polaridades de las fuentes. Éste es un procedimiento
general que sirve para extender a transistores de canal P los resultados que
hemos obtenido a lo largo de estos subapartados para el caso de canal N.
Por otro lado, como hemos visto en los subapartados 2.1.1 y 3.4.1, es conve- Punto de trabajo del
MOSFET
niente incluir resistencias que ayuden a mantener la estabilidad del punto de
trabajo frente a variaciones en los parámetros del transistor. Por este motivo, El punto de trabajo de un
MOSFET está descrito por las
una de las topologías de circuitos más usadas vuelve a ser la del tipo divisor
variables Q = (vGS,ID,vDS).
de tensión mostrada en la figura 88.
+
VDD
–
R1 RD
ID
D
G
S
IS
R2 RS
CC-BY-SA • PID_00170129 141 El transistor
El análisis del punto de trabajo del transistor en este circuito se lleva a cabo de
un modo semejante al realizado en los subapartados 2.1.2 para el BJT y 3.4.1
para el JFET y por este motivo no nos detendremos con detalle en este punto.
No obstante, veremos en el siguiente ejemplo cómo realizar su cálculo.
Ejemplo 14
Calculad el punto de trabajo del MOSFET de canal N del circuito de la figura 88 para los
siguientes valores de los parámetros:
• VDD = 15 V
• R1 = 150 kΩ y R2 = 100 kΩ
• RD = 40 kΩ y RS = 5 kΩ
• La constante característica del MOSFET es K = 10 µA/V2 y VGST = 1 V
Solución
Como hacemos siempre que usamos una topología por división de tensión, en primer
lugar calcularemos el equivalente Thévenin del circuito de entrada mostrado en la figu-
ra 89a.
Figura 89. Parte del circuito para sustituir por su equivalente Thévenin Figura 89
a. b. Como es habitual,
+ + buscaremos el equivalente
VDD Thévenin del circuito de
– VDD – entrada. En particular,
R1 RD buscaremos el equivalente
RD
Thévenin de los elementos en
ID ID el recuadro discontinuo de a
que representamos de una
D R1 D manera más conveniente en
G G la figura b para el cálculo del
S S equivalente Thévenin.
IS + IS
VDD R2
R2 RS – RS
Equivalente Equivalente
Thèvenin Thèvenin
El resultado es el circuito equivalente mostrado en la figura 90, con unos valores equiva-
lentes de:
R1R2
RTh = = 60 kΩ (222)
R1 + R2
R2
V =V =6V (223)
Th DD
R1 + R2
Ahora podemos seguir con el cálculo del punto de operación a través de los siguientes
pasos:
VDD
+ – Figura 90
+ G S
VTh IG
–
IS RS
Malla
entrada
2d
a ) oD
que IG = 0 y, por lo tanto, IS = ID , podemos escribir la ecuación 224 como:
La ecuación 226 contiene dos incógnitas, vGS e ID. Para poder despejar ambas, nece-
sitamos otra ecuación.
3) La ecuación que utilizaremos será la 221, que relaciona ambas variables en la región
de saturación:
Las ecuaciones 226 y 227 forman un sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas
que permite encontrar el valor de ambas. Para ello, sustituimos el valor de ID dado
por la ecuación 227 en 226 y resolvemos la ecuación cuadrática correspondiente. Sus
soluciones son las siguientes:
Como vGS debe ser un valor positivo, la solución con la que nos debemos quedar es
la segunda, vGS = 4,45 V. Con este valor podemos calcular ID:
vGS
5) Si ahora hacemos en la ecuación 232 que la corriente de fuente sea igual que la de
drenador, IS = ID, podemos despejar el valor de v DS:
Como veis, el procedimiento de cálculo del punto de operación es muy parecido en todos
los tipos de transistor.
G SS
S N
Por lo tanto, existe una conexión de fabricación entre los terminales de dre-
nador y fuente. En la figura 92, podéis ver cuáles son los símbolos circuitales
más utilizados para denotar el transistor MOSFET de deplexión.
CC-BY-SA • PID_00170129 144 El transistor
Figura 92
D D
Símbolos circuitales
SS internacionales para el
G G transistor MOSFET.
S S
Mosfet de deplexión
de canal N
D D
SS
G G
S S
Mosfet de deplexión
de canal P
Figura 93. Comparación de los símbolos de los MOSFET de deplexión y acumulación Figura 93
SS SS
G G G G
S S S S
Mosfet de acumulación Mosfet de deplexión
de canal P de canal P
Si los MOSFET utilizados para construir el circuito integrado son de canal N, Semiconductores
compuestos
se dice que la tecnología es del tipo N-MOS mientras que, si son de canal P,
hablamos de P-MOS. Si se utilizan a la vez transistores de tecnologías N-MOS Se llaman semiconductores
y P-MOS se dice que la tecnología utilizada es CMOS (nomenclatura que vie- compuestos a aquellos
materiales compuestos que
ne de MOS complementaria). Existen diferentes motivos tanto tecnológicos son semiconductores. El
como económicos que hacen más recomendable el uso de una tecnología u arseniuro de galio es uno de
ellos ya que, para ser
otra según la aplicación y las condiciones. semiconductor, necesita la
composición de ambos,
arsénico y galio, en
A modo de ejemplo, se podría decir que las tecnologías se diferencian en los contraposición al silicio o al
germanio que son
aspectos siguientes: semiconductores en sustancia
pura.
• La familia tecnológica de las CMOS es de las más rápidas y de las que menos
energía consume, pero tiene en su contra que el diseño y la fabricación
son más complicados y, por lo tanto, es la familia que resulta más cara de
fabricar y de diseñar. Las funciones lógicas
En este subapartado, vamos a resumir brevemente algunos conceptos básicos Circuitos digitales
sobre electrónica digital antes de pasar a la realización de las puertas lógicas
Los circuitos digitales se
mediante transistores MOSFET. Los circuitos digitales presentan dos posibles denominan también circuitos
entradas. Ambas entradas reciben el nombre de 0 lógico y 1 lógico. binarios dado que sólo
trabajan con entradas de dos
valores diferentes.
Estos dos valores simbólicos, (0, 1), están asociados a dos valores de tensión
concretos. En todo lo que sigue, supondremos que el 0 lógico corresponde a
una tensión de 0 V (cero voltios) y el 1 lógico corresponde a una tensión al-
ta (por ejemplo, la tensión de alimentación del circuito digital, VDD). Por lo
tanto, lo que procesa el circuito, y que será la entrada al transistor MOSFET,
será una señal de tensión que toma valores únicamente de 0 V y de VDD V.
Estos dos valores de tensión provocan que el MOSFET tenga un comporta-
miento como interruptor: el transistor cambia de modo de operación entre
los estados de corte y de saturación. Ésta es la característica básica del MOS-
FET funcionando en un circuito digital. Si la tensión de entrada tiene un valor
intermedio entre estas dos, el circuito digital interpretará o un valor de 0 o de
1 en función del umbral permitido para cada valor.
Veamos con dos ejemplos en qué consiste una tabla de verdad. Utilizaremos
los casos de las puertas NOT y NAND:
1) Consideremos la función lógica NOT. Esta función tiene una única variable
de entrada y la operación que ejecuta es intercambiar su valor. De esta forma,
si a la entrada hay un 0, coloca a la salida un 1 y viceversa: si hay un 1 a la
entrada, entonces coloca a la salida un 0. En la figura 94, podéis ver el símbolo
circuital de la función NOT y, en la tabla 4, tenéis la tabla de verdad de esta
función.
Entrada Salida
CC-BY-SA • PID_00170129 147 El transistor
Como veis en la tabla 4, ésta cuenta con dos columnas. En una de ellas, están
colocadas todas las opciones de valores de entrada, que en este caso sólo son
dos: 0 y 1. En la otra columna, está el valor de la salida, para cada una de las
entradas que, como veis, se invierte con respecto al de entrada. La tabla 4 es
la tabla de verdad de la función NOT.
Salida (S)
Entrada 2 (B)
Como veis en la tabla 5, las dos primeras columnas recogen todas las posi-
bilidades de entradas binarias que puede haber. En este caso, al haber dos Posibilidades binarias
variables, son cuatro. En la última columna, podéis ver la salida que ofrece Si se tienen un conjunto de n
esta puerta para cada combinación de variables de entrada. variables binarias, existe un
total de 2n combinaciones
distintas.
Debemos tener presente que los valores de 0 y 1 corresponden en realidad a los
valores de tensión de 0 y VDD voltios respectivamente y que 0 y 1 son sólo sus
representaciones simbólicas.
Lo que haremos a continuación será ver cómo se pueden sintetizar estas dos
puertas (NOT y NAND) mediante circuitos basados en MOSFET. El circuito que
planteemos deberá comportarse siguiendo la tabla de verdad correspondiente.
Como se ha indicado en la introducción del subapartado 3.7, esta elección
no es casual: las puertas NOT y NAND permiten sintetizar cualquier función
CC-BY-SA • PID_00170129 148 El transistor
lógica. Por lo tanto, mediante los circuitos que describen estas puertas seremos
capaces de sintetizar cualquier otro. No obstante, no nos detendremos aquí en
ver cómo expresar cualquier función lógica por medio de las operaciones NOT
y NAND. Esto se reserva para la electrónica digital.
En este subapartado, vamos a ver cómo implementar una puerta NOT, es decir
una negación o inversión de la señal mediante el transistor MOSFET de acu-
mulación de canal N. Para el caso de MOSFET de canal P, sería todo igual salvo
que la señal de alimentación VDD sería negativa.
El circuito inversor o puerta NOT está representado en la figura 96. La señal de Señales vi y vo
entrada está dada por vi , mientras que la salida está etiquetada mediante vo.
Las señales de entrada y
salida reciben esos nombres
por input y output
Figura 96. Puerta NOT fabricada con MOSFET respectivamente.
de acumulación de canal N
VDD
+ –
Figura 96
RD
Circuito construido a base de
transistores NAND que realiza
la operación correspondiente
F
a la puerta NOT.
vo
vi
funcionamiento del circuito para ver si se comporta como una puerta NOT,
es decir, si responde a la tabla de verdad dada por la tabla 4. Comprobaremos
cuál es la salida del circuito para las dos posibles entradas de 0 y 1 lógicos:
cia de valor muy alto. Podemos decir que prácticamente no circulará corriente
Los subíndices i = 1,2 en las
por el drenador de T1, ID1 = 0,(ni tampoco por el de T2, ID2 = 0, ya que están variables que utilicemos en
este subapartado hacen
conectados en serie).
referencia a los transistores T1
y T2 respectivamente.
VDD
Figura 97
+ –
D Esquema que representa
cómo se implementaría una
puerta NOT realmente en un
G T2
circuito integrado. La
resistencia se sustituye por
S otro transistor MOSFET
F
completo.
D
vo
G T1
A
S
vi
Para ver la situación real de T1, supondremos tanto una opción como la otra y
veremos cuál de las dos nos lleva a un resultado incoherente. De esta manera, Un procedimiento
habitual
podremos determinar cuál es la situación real de T2.
En muchos campos de la
ingeniería, es habitual operar
Plantearemos dos suposiciones: que T2 está en la zona de corte y que T2 está como veremos en este
en la zona lineal. Y veremos entonces cuál de las dos da un resultado incom- ejemplo: se entabla una
hipótesis de trabajo y se
patible con la hipótesis de que la corriente de drenador es cero en ambos verifica si es correcta. En el
transistores: caso de que no lo sea, se
hace una nueva suposición y
se analiza. Un ejemplo de
este método ya lo visteis al
a) Supongamos que T2 está en la zona de corte. Entonces, la corriente por el analizar circuitos con diodos
drenador es nula, es decir, ID1 = 0. En este caso, ambos MOSFET se compor- en el módulo “El diodo.
Funcionamiento y
tan como resistencias de alto valor y podemos afirmar lo siguiente: aplicaciones”.
CC-BY-SA • PID_00170129 151 El transistor
• Sin embargo, si tanto vGS2 como vDS2 están a VDD/2, el transistor no está
en zona de corte, sino en zona de saturación. Basta con ver que vGS2 es
mayor que cero y, por este motivo, se crea canal, además vDS2 es también
positiva, con lo que tiende a circular corriente por el canal creado. Sin
embargo, no puede estar en zona de saturación, ya que hemos dicho
que ID2 = 0. Por lo tanto, la suposición es incorrecta: T2 no está en zona
de corte.
En este subapartado, vamos a ver cómo realizar una puerta NAND utilizando
tecnología MOS. El circuito que implementa la puerta NAND está represen-
tado en la figura 98. Podéis ver en ella cómo aparece de nuevo la fuente de
tensión constante VDD y ahora dos señales de entrada que reciben el nombre
de A y B. También podéis ver un transistor que se encuentra en la parte supe-
rior de la figura. Este transistor tiene el papel de una resistencia implementada
por medio de un transistor, al igual que en el subapartado 3.7.3, ya que resulta
más fácil implementar transistores que resistencias en circuitos integrados.
vo
A
Debemos tener presente, al observar la figura 98, que el símbolo del MOSFET
de acumulación de canal N está dado por la figura 99.
Figura 99 Figura 99
Fijaos en que el MOSFET que hace de carga activa en la figura 98 tiene ahora su
puerta conectada a su fuente, en lugar de como pasaba en la puerta NOT, que
CC-BY-SA • PID_00170129 153 El transistor
• Si una de las dos señales, A o B, es cero (o cercana a cero). Este caso recoge
las tres posibilidades correspondientes a que ambas entradas sean cero, que
A = 0 y B = 1 y que B = 0 pero A = 1. Entonces el transistor (o transistores)
correspondiente está en la región de corte debido a que no hay tensión
aplicada entre su puerta y fuente y no se ha formado canal. Como todos
los elementos están situados en serie, por ellos no circula corriente, no cae
potencial en ninguno de los elementos y por lo tanto la tensión de la salida
es vo = VDD. Es decir, a la salida hay un 1 lógico.
De esta forma, se puede implementar una puerta NAND utilizando tecnolo- Como lectura adicional, se
gía MOS. puede consultar el libro
Física de los dispositivos
electrónicos de Gustavo
López y José M.a García para
Con esto hemos llegado al final del módulo y disponéis de una visión general
conocer la implementación
de los transistores, de su modo de funcionamiento y de sus posibles aplica- de otras puertas lógicas y
otro tipo de tecnologías. En
ciones. particular, también podríais
ver cómo quedarían las
implementaciones en
3.8. Recapitulación tecnología P-MOS y en una
de las más extendidas en el
diseño de circuitos digitales
¿Qué hemos aprendido? en la actualidad: la CMOS.
En este apartado:
4. Problemas resueltos
4.1. Enunciados
Problema 1
Calculad el punto de operación del BJT del circuito de la figura 100 para los
siguientes valores de sus parámetros:
• R1 = 18 kΩ, R2 = 12 kΩ
• RE = 1,2 kΩ, RC = 1,5 kΩ
• VCC = 12 V
• β = 180 y vBE = 0,7 V
R1 RC
IC
C
B
VCC
IB E IE
R2 RE
Problema 2
Calculad el punto de operación del circuito de la figura 101 para los siguientes
valores de sus parámetros:
CC-BY-SA • PID_00170129 156 El transistor
• RB = 11 kΩ
• RE = 20 kΩ, RC = 1,1 kΩ
• VCC = 12 V
• β = 100 y vBE = 0,7 V
RB RC
VCC
IC
IB C
B
IE E
RE
Problema 3
Problema 4
Un JFET de canal N tiene una tensión de corte |vGSoff | = 3,2 V y una corriente de
saturación de IDss = 10 mA. Calculad la corriente ID que circula por el
dispositivo si le aplicamos una tensión |vGS| = 1,7 V cuando la tensión vDS es
tal que está en saturación.
Problema 5
Problema 6
RG
VDD
D
RG G
S
VGG
Problema 7
5V
+ –
8k RD
2k
Problema 8
Datos:
• R1 = 18 kΩ, R2 = 12 kΩ
• RE1 = 200 Ω, RC = 1,5 kΩ, RE2 = 1 kΩ
• VCC = 12 V
• β = 180 y vBE = 0,7 V
+
VCC –
R1 RC Salida
C
CB vo (t)
B
RE1
vi (t)
R2
Entrada RE2 CE
Problema 9
Datos:
• h11 = 4,5 kΩ
• h21 = 330
CC-BY-SA • PID_00170129 159 El transistor
+
VCC –
R1 RC Salida
C
CB vo (t)
B
vi (t)
R2 RE CE
Entrada
4.2. Resolución
Problema 1
Seguimos los pasos indicados en el subapartado 2.1.2 para el cálculo del pun-
to de operación. En primer lugar, calculamos los equivalentes Thévenin del
circuito de entrada mediante las ecuaciones 72 y 73:
R1R2
RTh = = 7.200 Ω (236)
R1 + R2
R2
V =V = 4,8 V (237)
Th CC
R1 + R2
Una vez que ya tenemos los equivalentes de Thévenin, seguimos con los si-
guientes pasos:
4,8 – 0,7
I = = 1,837 · 10–5 A (241)
B
7.200 + 180 · 1.200
Problema 2
RC
IC
RB IB C
VCC
B
E
IE
Malla
salida
VCC
Malla RE
entrada
12 – 0,7
I = = 5,62 · 10–6 A (249)
B
11.000 + 100 · 20.000
Problema 3
Primero, recordemos que el circuito por división de tensión está dado por la
figura 107.
R1 RC
IC
C
B
VCC
IB E IE
R2 RE
1) Conocer el punto de trabajo del transistor. En este caso, nos indican que
IC = 2,1 mA pero no nos dicen nada del valor de vCE. Sin embargo, sí nos dicen
que la excursión simétrica ha de ser máxima. Eso implica que el punto de
trabajo se tiene que localizar en un lugar central de las características del BJT
y por lo tanto debemos seguir la recomendación dada en el subapartado 2.1.3
por medio de la ecuación 99 para la elección de vCE. Entonces, vCE = 0,5VCC =
6 V y ya tenemos el punto de trabajo deseado.
3) Conocer el valor de βmin. En el enunciado nos dicen que βmin = 120. Ahora
que ya tenemos presentes todos los datos necesarios, podemos comenzar con
la fase de diseño propiamente dicha.
v RE 1,2
R = = = 571,43 Ω (255)
E
IC 0,0021
CC-BY-SA • PID_00170129 163 El transistor
V CCRTh 1 2 · 6.857,1
R1 = = = 4,33 · 104 Ω (258)
VTh 1,9
VCCRTh 1 2 · 6.857,1
R2 = = = 8.146,9 Ω (259)
VCC – VTh 12 – 1,9
12 – 6
V CC – vCE = – 571,43 = 2.285 Ω (261)
RC= –R E
IC 0,0021
Problema 4
Como vDS es tal que el dispositivo está en saturación, sabemos que es la ecua-
ción 175 la que modela al dispositivo:
! 2
v
ID = IDss 1 – GS (262)
vGSoff
Dado que conocemos todos los datos, podemos sustituirlos en la ecuación 262
y obtener:
„ «2
–1,7
ID = 10 1– = 2,197 mA (263)
–3,2
Fijaos en que, dentro de la ecuación, hemos sustituido los valores de las ten-
siones con su signo, que debe ser negativo si está en saturación.
CC-BY-SA • PID_00170129 164 El transistor
Problema 5
Fijaos en cómo, de nuevo, las tensiones aparecen con sus respectivos signos.
Problema 6
En primer lugar, redibujamos el circuito problema con las mallas que vamos a
usar para resolverlo.
RD ID
+
VDD
–
RG D
G
IG S Malla
2
IS
– VGG Malla
+ 1
En la ecuación 267, conocemos VDD y RD pero no conocemos ID, así que no po-
demos calcular el valor de vDS. Necesitaríamos conocer el valor de ID, ¿cómo
podemos hallarlo? Para un JFET en la región de polarización de saturación,
existe una relación entre ID y vGS, que está dada por la ecuación 262:
CC-BY-SA • PID_00170129 165 El transistor
! 2
v GS
ID = IDss 1 – (268)
vGSoff
Como IG = 0 entonces,
Ahora que ya tenemos calculado vGS, llevamos su valor a la ecuación 268 para
hallar ID:
! 2 „ «
v GS –
1,5 2
ID = IDss 1 – = 5 1– = 1,7 mA (271)
vGSoff –3,6
Una vez que conocemos ID, llevamos su valor a la ecuación 267 y obtenemos
finalmente el valor de vDS, que es lo que nos pedían en el enunciado:
Problema 7
5V
+ –
RD
D
8k G
S
+
5V
– 2k
Equivalente Thèvenin
CC-BY-SA • PID_00170129 166 El transistor
Para hacer más sencillos los cálculos, podemos reemplazar los componentes
conectados a la puerta por su equivalente Thévenin mostrado en la figura 110,
donde los valores del equivalente Thévenin son:
R1R2
RTh = = 1,6 kΩ (273)
R1 + R2
5R2
VTh = =1V (274)
R1 + R2
5V
+ –
RD
D
1,6 k G
S
+
1V
– Malla
entrada
Equivalente Thèvenin
Problema 8
seguirá presente en el modelo lineal del circuito. Veamos cómo afecta este he-
cho al cálculo de la ganancia y de la resistencia de entrada (especialmente) del
circuito de amplificación.
Para analizar el circuito problema, seguimos los mismos pasos que en el sub-
apartado 2.4.1. En primer lugar, vamos a llevar a cabo el análisis de continua.
Para ello, sustituimos los condensadores por circuitos abiertos y obtenemos el
circuito de polarización por división de tensión dado por la figura 111.
R1 RC
IC
C
B
VCC
IB E IE
R2 RE
En esta figura, la resistencia de emisor es la suma RE = RE1 + RE2. Con los datos
del ejercicio, vemos que se trata del mismo circuito de polarización que el
resuelto en el problema 1. Ya calculamos entonces el punto de operación de
este circuito que viene dado por:
Salida
C
vo (t)
B
vi (t) RC
R1 R2 RE1
Entrada
C
vo (t)
Ri
IB
ii IB
B
rE
RC
E
vi (t)
R1 R2 IC
IE RE1
Como podéis ver en la figura 113, lo que ha ocurrido ahora es que la resistencia
de emisor ya no es sólo re, sino que también aparece RE1.
que sustituir la resistencia de emisor por el nuevo valor. El resultado es: donde re era la única
resistencia conectada al
emisor.
Rc
Av = – (277)
re + RE1
RE1 >> re
CC-BY-SA • PID_00170129 169 El transistor
Rc
Av = – (278)
RE1
El resultado final es una ganancia más pequeña que la obtenida sin la división
de la resistencia de emisor en dos, pero tenemos una ventaja: ahora la ganan-
cia sólo depende de los parámetros de la red de polarización, no depende de
ningún parámetro del BJT, ya que ahora no depende de re, que viene determi-
nado por la polarización y el valor de β. Con los datos del enunciado, el valor
aproximado de la ganancia en tensión es:
Rc
Av = – = –7,5 (279)
RE1
puesto que la caída de potencial en una resistencia es, según la ley de Ohm,
el producto de la intensidad por la resistencia. Ahora debemos dividir este
valor entre la corriente de entrada al BJT, que es IB . Entonces, la resistencia de
entrada del BJT resulta ser:
(1 + β)IB(re + RE1)
R = = (1 + β)(re + R 1) ≃ βR (281)
inBJT E E1
IB
Esta resistencia de entrada resulta ser más grande que cuando no se divide
la resistencia del emisor en dos partes y esto es algo positivo puesto que lo
más interesante en un circuito es que presenta una resistencia de entrada
lo más grande posible para que no cargue apenas al circuito precedente. Tene-
mos, pues, que la ganancia no depende del BJT y que la resistencia de entrada
aumenta como rasgos positivos. En contrapartida, la ganancia total baja.
CC-BY-SA • PID_00170129 170 El transistor
Si queremos tener todas las propiedades del amplificador, tendremos que recu-
rrir a amplificadores multietapa que compondrán los llamados amplificadores
operacionales, que estudiaréis en el módulo siguiente.
Problema 9
R1R2
RTh = = 100 kΩ (285)
R1 + R2
R2
V =V =4V (286)
Th CC
R1 + R2
CC-BY-SA • PID_00170129 171 El transistor
A continuación:
IE ≈ βIB (288)
VTh – vBE
IB = = 7,67 · 10–6 A (290)
RTh + h21RE
Entonces:
R1 RC Salida
C
vo(t)
B
vi (t)
R2
Entrada
R1 RC Salida
C
vo (t)
h21IB
IB
B
vi (t) h11
R2
Parámetros h
E
Entrada
CC-BY-SA • PID_00170129 173 El transistor
Fijaos en cómo se han tenido en cuenta los terminales del modelo de paráme-
tros h representado en la figura 31 a la hora de sustituir el modelo. Para poder
trabajar con este modelo lineal más fácilmente, lo redibujamos de una forma
más conveniente en la figura 116.
Salida
IB
vo (t)
B
C
vi (t) h11
R1 R2 h21IB RC
E Parámetros h
vo
Av = (295)
vi
Veamos ahora qué corriente circula por esa resistencia. La corriente que
circula por la resistencia se puede calcular aplicando la ley de Kirchhoff de
corrientes al nodo del emisor y resulta ser:
Ih11 = IB (297)
de donde:
vi = IBh11 (298)
CC-BY-SA • PID_00170129 174 El transistor
donde el signo menos aparece debido a que la corriente circula del poten-
cial menor al mayor de la resistencia de colector.
vo h 21IBRC h 21RC
Av = =– =– ≈ –146 (300)
vi IBh11 h11
Ro = RC = 2 kΩ (302)
c) Finalmente, la salida ante una entrada de la forma vi(t) = 0,7 sen(2t) se pue-
de calcular mediante superposición. La salida total será la salida en continua
más la salida a esta señal en alterna. La salida en continua era vCE, mientras
que la salida en alterna es:
Resumen
En primer lugar, hemos comenzado con la estructura física de los BJT. Los BJT
son dispositivos de tres terminales que reciben el nombre de emisor (E), base
(B) y colector (C). Su principio de funcionamiento básico consiste en que el
terminal de base controla la corriente que pasa por los otros dos.
Para ser capaces de analizar circuitos con BJT, obtuvimos un modelo eléctrico
a través de las ecuaciones de Ebers-Moll. El comportamiento global del BJT es
no lineal, lo que da lugar a diferentes zonas o regiones de funcionamiento:
• activa directa,
• activa inversa,
• saturación,
• corte.
Uno de los circuitos de polarización más usados para obligar a que el BJT
permanezca en la región de activa directa es el basado en el divisor de tensión.
La principal ventaja de este circuito es que hace que el punto de operación sea
insensible a las variaciones del parámetro β del transistor. De esta forma, el
punto de operación es el mismo para transistores con diferente valor de β.
Una vez que ya tenemos los circuitos de polarización, hemos visto en el apar-
tado 2 topologías de circuitos de amplificación. Para ellos, nos restringimos al
caso de pequeña señal y frecuencia intermedia. Esto significa que no ampli-
ficábamos el término de continua y que la señal de entrada tenía una amplitud
más pequeña de la señal del punto de operación. Bajo estas circunstancias, el
transistor podía representarse de forma lineal. Hemos visto dos modelos linea-
les del BJT. El modelo de parámetros híbridos y el modelo de parámetros r.
físico y construido especialmente para el BJT. Con este modelo, hemos anali-
zado las configuraciones de amplificadores en emisor común, base común y
emisor común. En las configuraciones de emisor y base común se conseguía
ganancia en tensión, mientras que en colector común la ganancia en tensión
era prácticamente la unidad. Para cada una de estas configuraciones, presen-
tamos también el valor de sus resistencias de entrada y de salida.
Los transistores FET son dispositivos de tres terminales llamados fuente (S),
drenador (D) y puerta (G). En general, la corriente de puerta es prácticamente
cero y la corriente de drenador coincide con la de fuente. El principio básico de
funcionamiento de los FET es que la corriente de drenador se puede controlar
mediante la tensión aplicada a la puerta. Por lo tanto, se trata de dispositivos
controlados por tensión.
Ejercicios de autoevaluación
1. Si las tensiones entre los terminales de un BJT son vBE < Vγ y vBC < Vγ, entonces el BJT
está en la región...
a) activa directa.
b) de corte.
c) de saturación.
d) activa inversa.
5. En un transistor BJT,...
a) la base está mucho más dopada que el emisor y el colector.
b) todas las partes tienen el mismo tamaño.
c) los terminales de emisor y colector son simétricos.
d) la base es mucho más estrecha que el emisor y colector.
Figura 117
9. Además de la zona adecuada para amplificar señales alternas, ¿qué otras zonas encontra-
mos en las características I-V de un dispositivo FET?
CC-BY-SA • PID_00170129 178 El transistor
Figura 118
1 3
13. Si se desea un amplificador con una resistencia de salida muy baja, la configuración del
BJT debe ser...
a) base común.
b) colector común.
c) emisor común.
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.
15. La ganancia en voltaje del amplificador en emisor común basado en la red de polariza-
ción del problema 1 es...
a) –220,7.
b) 190.
c) –80,75.
d) –192,3.
CC-BY-SA • PID_00170129 179 El transistor
Solucionario
1. b; 2. b; 3. c; 4. c; 5. d; 6. c; 7. a; 8. d; 9. c; 10. a; 11. c; 12. c; 13. b; 14. c; 15. d;
Glosario
αF f Se lee ”alfa sub efe” y representa el coeficiente de transferencia directa de electrones.
bipuerta f Elemento circuital de cuatro terminales entre los que existe una relación alge-
braica entre sus variables.
BJT m Siglas del transistor bipolar de unión, Bipolar Junction Transistor. Posee tres terminales,
base (B), emisor (E) y colector (C). En los BJT, la corriente de base controla la corriente que
circula por los otros dos terminales.
corriente de saturación, IDsat f Corriente constante que aparece en los dispositivos FET
cuando el canal está estrangulado.
drenador, D m Terminal de los transistores FET. Es por donde salen los electrones que
circulan por el transistor en los FET de canal N y por donde salen los huecos en los de
canal P.
FET m Siglas del transistor de efecto de campo, Field effect transistor. Dispositivos de tres
terminales, drenador (D), puerta (G) y fuente(S). La tensión de puerta controla la corriente
que circula por los otros dos terminales.
fuente, S f Terminal de los transistores FET. Es por donde entran los electrones que circulan
por el transistor en los FET de canal N y por donde entran los huecos en los de canal P.
hueco m Partícula abstracta con carga positiva igual en valor absoluto a la de un electrón.
JFET m Siglas del transistor de efecto de campo de unión, Juction FET. La corriente a través
del terminal de puerta se impide por medio de una unión PN polarizada en inversa.
puerta, G f Terminal de los transistores FET. Es el terminal cuya tensión controla la corriente
que circula por el drenador y la fuente de los FET.
recombinación f Proceso que tiene lugar dentro de los materiales semiconductores y por
el que electrones libres ocupan huecos y dejan de estar libres.
red cristalina f Asociación de átomos fijos del material que forman una estructura perió-
dica en el espacio.
tensión umbral, vGS off f Tensión a partir de la cual se produce el estrangulamiento de canal
en los transistores de tipo FET.
tensión umbral de un diodo f Es el valor de tensión a partir del cual empieza a circular
una corriente apreciable por el diodo. Se le denota por Vz.
zona de corte f Región de funcionamiento de los BJT y FET en la que no circula corriente
a través del dispositivo.
Bibliografía
Casilari, E; Romero J. M.; De Trazenies, C. (2003). Transistores de efecto campo. Ediciones
de la Universidad de Málaga (Serie “Manuales”).