Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Escuela de Ingeniería Electrónica

Instituto Tecnológico de Costa Rica
Laboratorio de Elementos Activos

Introducción a la fabricación de
Circuitos Integrados

Dr. Pablo Alvarado

Adaptado de:
Moreira, Paulo “Introduction to VLSI digital design” CERN, Suiza, 2005

Cartago, Costa Rica Octubre, 2006

Pablo Alvarado 1
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Contenido
Historia
Proceso de Fabricación
Magic
IETIX
Resumen

Pablo Alvarado 2
 Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Historia
1883 Thomas Edison (“Efecto Edison”)
Experimentando con bombillos, Edison encontró que en el
vacío una corriente puede fluir del filamento luminoso a una
placa de metal polarizada positivamente pero no a una
polarizada negativamente
1904 John Ambrose Fleming (“Diodo Fleming”)
Reconoce impacto del descubrimiento de Edison, y
Audion (Triodo) demuestra la rectificación de señales CA.
1906, Lee De Forest
1906 Lee de Forest (“Triodo”)
Añade una rejilla al diodo de Fleming lo que permite
“amplificar” señales.
Los tubos al vacío continúan su evolución
Dominan industria de radio y TV hasta los 60s, y representan
la “génesis” de la industria electrónica actual. Son sin
embargo frágiles, relativamente grandes, consumen mucha
potencia y tienen altos costos de producción.

Pablo Alvarado 3
 Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia (2)
Primer transistor de contacto
puntual (germanio)
1947, John Bardeen y Walter
Brattain
Laboratorios Bell
1940 Russel Ohl (Union PN junction)
La union PN es desarrollada en los Laboratorios Bell.
1945 Labs. Bell establece grupo para desarrollar alternativa
de tubos al vacío. El grupo lo lidera William Shockley.
1947 Bardeen and Brattain (Transistor)
Se crea el primer circuito amplificador de estado sólido
utilizando un transistor de contacto puntual (Ge)
1950 William Shockley (Transistor de juntura)
Más fácil de producir que el transistor de contacto puntual.
1952 fabricación de silicio monocristalino
1954 primer transistor comercial de silicio
Texas Instruments
1954 Primer radio de transistores (Regency TR-1)
4 transistores de Texas Instruments
1955 Primer transistor de efecto de campo
Laboratorios Bell
Pablo Alvarado 4
 Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados
Historia (3)
Primer circuito integrado (Ge)
1958 Jack S. Kilby,
Texas Instruments
5 componentes entre
transistores, resistencias y
condensadores
1952 Geoffrey W. A. Dummer (concepto de CI)
En 1952 se publicó el concepto y en 1956 se hizo un intento
1954 Desarrollo de proceso de enmascaramiento del óxido
Proceso incluye oxidación, foto-enmascaramiento, corrosión
y difusión
1958 Jack Kilby (Circuito Integrado)
Oscilador con 5 componentes
1959 Invento de tecnología planar
Esta tecnología se usa aún en la actualidad
1960 Primer MOSFET fabricado
En los Labs. Bell, por Kahng
1961 Primer Circuito Integrado comercial
Fairchild and Texas Instruments
1962 Invento de TTL
1963 Primer Circuito Integrado PMOS producido por RCA
1963 CMOS inventado
Pablo Alvarado 5
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Historia (4)
1971 Primer microprocesador
Intel produce el 4004 (primer
microprocesador de 4 bits)
Conjunto de 3 chips encapsulados en DIP de
16 pines
Circuito Integrado de 2 kbit ROM
Circuito Integrado de 320 bit RAM
Procesador:
Proceso PMOS de compuertas en Si, 10 µm
~2300 transistores
Velocidad de reloj: 108 kHz
Tamaño del dado de silicio: 13,5 mm2

Pablo Alvarado 6
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Historia (5)
1982 Intel 80286
Proceso CMOS de compuertas en Si, 1,5 µm
1 capa de polisilicio
2 capas metalicas
134 000 transistores
Velocidad de reloj 6 a 12 MHz
Tamaño del dado 68,7 mm2

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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Historia (6)
2000 Pentium 4
Proceso CMOS de compuertas en Si, 0,18µm
1 capa de polisilicio
6 capas metálicas
Fabricación: 21 capas / máscaras
42 millones de transistores
Reloj: 1,400 to 1,500 MHz
Tamaño del dado: 224 mm2

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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Historia (7)
Historia de los microprocesadores de Intel
(Tomado de http://www.intel.com/pressroom/kits/quickreffam.htm)

Año Chip L Transistores

1971 4004 10µm 2,3k
1974 8080 6µm 6k
1976 8088 3µm 29k
1982 80286 1,5µm 134k
1985 80386 1,5µm 275k
1989 80486 0,8µm 1,2M
1993 Pentium 0,8µm 3,1M
1995 Pentium Pro 0,6µm 15,5M
1999 Mobile PII 0,25µm 27,4M
2000 Pentium 4 0,18µm 42M
2002 Pentium 4 (N) 0,13µm 55M
2005 Pentium 4 (EE) 90nm 169M

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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Ley de Moore
En 1965 Gordon Moore ¿Qué motiva este ritmo de
(entonces en Fairchild Corp.) desarrollo en tecnologías de
notó que: integración?
“La complejidad de ¿El deseo de superación y
integración se duplica cada motivación de las personas
3 años” involucradas con tecnología?
Esta afirmación se conoce y / o ¿es una motivación
comúnmente como la “Ley económica la mayor
de Moore” directriz?
Ha resultado “correcta” Ventas de la industria de
hasta este momento semiconductores:
1962, > $1000 Millones
1978, > $10 000 Millones
1994, > $100 000 Millones

Pablo Alvarado 10
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Motivador: Economía
Tradicionalmente, el costo por función en un CI se
reduce de un 25% a un 30% por año.
– Esto le permite al mercado de la electrónica a crecer
un 15% por año
Para lograrlo, el número de funciones por CI debe
crecer, lo que requiere:
Incremento del número de transistores
incremento de la funcionalidad
Incremento de la velocidad de reloj
más operaciones por unidad de tiempo = incremento de la
funcionalidad
Disminución del tamaño de características
si se mantiene el área se mantiene el precio
mejora en el desempeño

Pablo Alvarado 11
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Motivador: Economía (2)

Incremento de la productividad
Incremento del desempeño del maquinaria de producción
Incremento en la producción (yield)
Incremento en el número de chips en una oblea de silicio (wafer):
reducción del área de un chip:
− menor tamaño de características smaller y rediseño
Uso del mayor tamaño de oblea disponible

Ejemplo de un producto efectivo en costo

(tipicamente DRAM): el área en el CI se reduce en
un 50% cada 3 años y en un 35% cada 6 años.

Pablo Alvarado 12
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

¿Hay un límite?
Fábrica con gran volumen de producción
Capacidad total: 40 000 obleas iniciadas por mes (Wafer Starts Per
Month, WSPM) (180 nm)
Inversión total capital: $2700 Millones
Maquinaria y equipo de producción: 80%
Servicios, Facilidades: 15%
Sistemas de manejo de materiales: 3%
Información y control de fábrica: 2%
Ingresos mundiales del mercado mundial de semiconductores en
el 2000: ~$180 000 Millones
Tasa de crecimiento del mercado de semiconductores ~15% / año
Tasa de crecimiento de mercado de equipo: ~19.4% / año
Al 2010 los costos para equipo excederán el 30% de los ingresos del
mercado de semiconductores!
Limitaciones tecnológicas (tamaño de las estructuras,
velocidades de transmisión, etc.)

Pablo Alvarado 13
Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Fabricación de un
Circuito Integrado

Pablo Alvarado 14
 Inversor CMOS

A Y VDD
0

A Y

A Y
GND
Paulo Moreira Introduction 15
 Transistor n-MOS

• 4 terminales: compuerta, surtidor, drenador

y sustrato
• Compuerta – oxido – sustrato conforman un
condensador
– Compuerta y sustrato son conductores
– SiO2 (oxido) es un excelente aislador
– Se denomina condensador MOS, aún cuando la compuerta
no es metálica Source Gate Drain
Polysilicon
SiO 2

n+ n+

p bulk Si

Paulo Moreira Introduction 16

 Transistor p-MOS

• Similar, pero dopado y tensiones invertidas

– Sustrato conectado a VDD
– Compuerta en bajo: transistor encendido
– Compuerta en alto: transistor apagado
– Círculo en la compuerta denota comportamiento
invertido
Source Gate Drain
Polysilicon
SiO 2

p+ p+

n bulk Si

Paulo Moreira Introduction 17

 Sección transversal del inversor

• Usualmente se utiliza un sustrato de tipo p

para los transistores n-MOS
• Se requiere un „pozo“ n para los
transistores tipo p-MOS
A
GND VDD
Y SiO 2

n+ diffusion

p+ diffusion
n+ n+ p+ p+
polysilicon
n well
p substrate
metal1

nMOS transistor pMOS transistor

Paulo Moreira Introduction 18

 Conección a pozos y sustratos

• Sustrato debe ser conectado a GND y pozo n a VDD

• La conexión entre metal y un semiconductor
levemente dopado forma una conexión eléctrica
deficiente (en realidad, un diodo Shottky).
• Se utiliza entonces para la conexión contactos
fuertemente dopados
A
GND VDD
Y

p+ n+ n+ p+ p+ n+

n well
p substrate

substrate tap well tap

Paulo Moreira Introduction 19

 Máscaras del inversor

• Transistores y conecciones se definen a través de

máscaras
• La sección transversal se tomó en la línea punteada

GND VDD

nMOS transistor pMOS transistor

substrate tap well tap

Paulo Moreira Introduction 20

 Vistas detalladas de las máscaras

• Seis máscaras
– n-well
n well

– Polysilicon
– n+ diffusion Polysilicon

– p+ diffusion
– Contact n+ Diffusion

– Metal
p+ Diffusion

Contact

Metal

Paulo Moreira Introduction 21

 Pasos de fabricación

• Inicio con una oblea „en blanco“

• Construir inversor de abajo hacia arriba
• Primer paso: formar el pozo n (n-well)
– Cubrir la oblea con una capa protectora de óxido de silicio
(SiO2)
– Eliminar capa en el sitio donde debe construirse el pozo n
– Implantar o difundir dopantes n en la oblea expuesta
– Eliminar SiO2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 22

 Oxidación

• Producir SiO2 en la parte superior de la oblea

– 900°C – 1200°C con H2O o O2 en horno de oxidación

SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 23

 Photoresist

• El Photoresist es un polímero orgánico sensitivo a la

luz.
• Se suaviza en los sitios expuestos a la luz

Photoresist
SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 24

 Litografía

• Exponer photoresist a través de la máscara del pozo

n
• Eliminar photoresist expuesto

Photoresist
SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 25

 Decapado (etch)

• Decapar el óxido con ácido hidrofluórico (HF)

• Solo solo se ataca al óxido donde el resist ha sido
expuesto

Photoresist
SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 26

 Eliminar Photoresist

• Eliminar el fotoresist remanente

– Se utiliza una mezcla de ácidos denominado “decapado
piraña”
• Esto es necesiario para que el resist no se deshaga
en los próximos pasos

SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 27

 Pozo n (n-well)

• Pozo n se forma por difusión o por implantación de

iones
• Difusion
– Colocar la oblea en horno con arsénico gaseoso
– Calentar hasta que los átomos de As se difunden
en el Si expuesto
• Implantación de iones
– Se dispara a la oblea con un rayo de iones de As
– Los iones bloqueados por el SiO2, solo entran al Si
expuesto
SiO 2

n well

Paulo Moreira Introduction 28

 Eliminar óxido

• Eliminar óxido remanente utilizando HF (ácido

hidrofluórico)
• Estamos de vuela con una oblea „en blanco“ con un
pozo n
• Los pasos siguientes involucran pasos similares

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 29

 Polisilicio

• Depositar capa delgada de óxido para compuertas

– < 20 Å (6-7 capas atómicas)
• Deposición química de vapor (Chemical Vapor
Deposition, CVD) de una capa de silicio
– Colocar oblea en horno con gas silano (SiH4)
– Forma muchos cristales pequeños denominados polisilicio
– Fuertemente dopado para que sea buen conductor

Polysilicon
Thin gate oxide

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 30

 Conformación del Polisilicio

• Usa mismo proceso litográfico anterior para dar

forma al polisilicio

Polysilicon

Polysilicon
Thin gate oxide

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 31

 Proceso autoalineado

• Utilizar óxido y máscaras para exponer los sitios

donde los dopantes n+ deberán ser difundidos o
implantados
• La difusión n forma la fuente y drenador del
transistor n-MOS y el contacto con el pozo n

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 32

 Difusión n

• Dar forma al óxido y conformar las regiones n+

• Proceso auto-alineado donde la compuerta bloquea
la difusión
• Polisilicion es mejor que el metal para las
compuertas autoalineadas porque no se deshace en
procesos posteriores

n+ Diffusion

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 33

 Difusión n (2)

• Históricamente los dopantes eran difundidos

• En la actualidad se usa implantación de iones
• A pesar de eso a las regiones se les denomina
„difusión“

n+ n+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 34

 Difusión n (3)

• Eliminar óxido para terminar la conformación.

n+ n+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 35

 Difusión P

• Serie similar de pasos se utiliza para conformar las

regiones de difusión p+, usadas en fuente y
drenador del transistor p-MOS y en el contacto del
sustrato

p+ Diffusion

p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 36

 Contactos

• Ahora deben interconectarse los dispositivos

• Se cubre al chip con una capa gruesa de óxido
• Se decapa el óxido donde los cortes para contactos
se requieran

Contact

Thick field oxide

p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 37

 Metalización

• Depositar aluminio sobre toda la oblea

• Conformar para remover exceso de metal, dejando
solo las conexiones

Metal

Metal
Thick field oxide
p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 38

 Layout
• Chips se especifican con un conjunto de máscaras
• Las dimensiones mínimas de las máscaras
determinan el tamaño del transitor (e
indirectamente velocidad, costo y potencia)
• Tamaño característico f = distancia entre drenador
y surtidor
– Dado por el ancho mínimo del polisilicio
• Tamaño característico se mejora un 30% cada 3
años aproximadamente

Paulo Moreira Introduction 39

 Reglas de diseño simplificadas

• Reglas conservadoras para iniciar

Paulo Moreira Introduction 40

Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Niveles de abstracción
en el Diseño VLSI
Alto
High
System Specification
Especificación del sistema

Sistema
System
de Abstracción
of Abstraction

Módulo funcional
Functional Module +
NivelLevel

Compuerta
Gate

Circuito
Circuit

G
Dispositivo
Device S D

Bajo
Low
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 Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Dominios de Descripción
de Diseño VLSI
Dominio Comportamental Dominio Estructural

Aplicaciones Procesador RISC

Sistemas Operativos
Programas
Sumadores, compuertas, registros
Subrutinas
Transistores

Instrucciones

circuital
Transistores RTL, lógico

Celdas arquitectural

Módulos
Niveles de abstracción
Chips
Tarjetas
Dominio Físico Pablo Alvarado 42
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El flujo de diseño “analógico”

Simulación
Ingreso del
Especificación del Layout
Diseño
Pre-layout

● Velocidad Crear esque-

● ●Simulación del ●Distribución
mático circuito
● Potencia ●Ubicación
●Dimensiona- ● Rediseño
● Ancho de Banda miento de dis-
●Enrutamiento
● Área ... positivos

Front end Back end

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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Flujo de diseño (2)

Extracción de
Extracción del Simulación del
Verificación Elementos
Diseño Post-layout
Parásitos

●Comprobación ●Extracción
de reglas de ●Extracción de ●Simulación del
diseño ●Layout vs elementos circuito
Esquemático parásitos
●Comprobación ●Rediseño
de reglas
eléctricas

Front end Back end

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Introducción a la Fabricación de Circuitos Integrados

Referencias
Moreira, Paulo “Introduction to VLSI digital design” CERN, Suiza, 2005
●

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