Aplicaciones de los

semiconductores en la
electrónica
PROFESOR: Rolando Adriano Peña

CURSO: Óptica y Física Moderna

FECHA DE ENTREGA: 25/06/2018

INTEGRANTES:

 Balboa Huanca Maritza Marleny 15190244

 Cardenas Chavez Jose Luis 11190206
 Cueto Ccori Hiuston 14190052
 Mariños Herrera Nilton Isaías 16190286
 Rojas Carbajal Yury Michael 15190173
 Vasquez Zelaya Ruben Arturo 16190278
 CONTENIDO

APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES A LA ELECTRONICA ……..3

1.- OBJETIVOS ……………………………………………………………………….3

2.- ESTADO DE ARTE ……………………………………………………………….4

3.- DESCRIPCION ……………………………………………………………………6

3.1.- Semiconductores Electrónicos de Alta Temperatura ……………….6

3.2.- Semiconductores GaN y Si …………………………………………….9

3.2.1.- Propiedades Físicas de los Semiconductores WBG ………9

3.2.1.1.- Panorámica General ………………………………...9
3.2.1.2.- Estructura Cristalina ……………………………….10
3.2.1.3.- Características del Material ……………………….10
3.2.2.- Técnicas de fabricación y procesado ………………………10
3.2.3.- Dispositivos …………………………………………………...11
3.2.4.- Aplicaciones ……………………………………………….....11
3.2.5.- Proyectos de investigación en nitruro de
Galio y Carburo de Silicio …………………………………..12
3.2.6.- Tendencias Futuras ………………………………………….12

3.3.- Electrónica de Polímeros ……………………………………………...13

3.3.1.- Polímeros Intrínsecamente conductores

y semiconductores …………………………………………...13
3.3.2.- Compuestos Poliméricos ……………………………………13

3.4.- Circuitos integrados de Grafeno ………………………………………16

3.4.1.- Introducción …………………………………………………..17

3.4.2.- Materiales y métodos ………………………………………..18
3.4.3.- Resultado y discusión ………………………………………..18
3.4.4.- Aplicaciones de los CI de grafeno …………………………..19

3.5.- Nuevos materiales orgánicos para avanzar hacia la

Electrónica del futuro …………………………………………………..21

3.6.- Tecnología de Semiconductores Orgánicos ………………………...21

3.6.1.- Descripción del proceso de fabricación ……………………22

3.6.2.- Fabricación de los dispositivos ……………………………..23
3.6.2.1.- Fotodiodos de pentaceno …………………………24

1
 3.6.2.2.- Transistores en capa delgada
de pentaceno ………………………………………25
3.6.3.- Características eléctricas ……………………………………26
3.6.4.- Análisis y discusión de resultados…………………………..27
3.6.5.- Aplicaciones de semiconductores
Orgánicos ………………………………………………….…27

3.7.- Aplicaciones de los nanotubos ………………………………………..31

3.7.1.- Nanocircuitos …………………………………………………32
3.7.2.- Interconectores ………………………………………………32
3.7.3.- Transistores …………………………………………………..32
3.7.4.- Emisión de Campo …………………………………………..33
3.7.5.- Sensores ……………………………………………………...34
3.7.6.- Instrumentación Científica …………………………………..35

3.8.- Aplicaciones Tecnológicas de los Nanotubos de Carbono ………...37

3.9.- Microelectrónica: Nanoelectronica …………………………………...38

3.9.1.- Electrónica Molecular …………………………………..……39
3.9.2.- Nanoestructuras Semiconductoras ……………………...…39
3.9.3.- NEMS y MEMS ……………………………………….………39
3.9.4.- Interconectores ………………………………………………40
3.9.5.- Nanoestructuras Magnéticas ……………………….………41
3.9.6.- Computación Cuántica ………………………………………42

4.- CONCLUSIONES …………………………………..……………………………43

5.- REFERENCIAS ………………………………………………………………….44

2
APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES A
LA ELECTRONICA

1.- OBJETIVOS
 Presentar las aplicaciones que los semiconductores de alta temperatura
tienen, y como han dado paso a la revolución tecnológica, mejorando
tanto en el sector industrial como en los aspectos cotidianos.
 Conocer el desarrollo de la tecnología usando los semiconductores;
también se quiere dar a conocer las nuevas técnicas y avances que se ha
dado en este campo, como por ejemplo los nuevos usos que se le puede
dar a los nanotubos y otros.
 Dar a conocer las propiedades y aplicaciones de los polímeros
intrínsecamente conductores y semiconductores en óptica y biomédica.
Así como dar a conocer su proyección en el desarrollo de chips y
sensores a escala molecular.
 Dar a conocer los usos de los compuestos poliméricos y su aplicación en
la fabricación de circuitos impresos híbridos, circuitos impresos rígidos y
flexibles, en encapsulados para chips y adhesivos poliméricos.
 Presentar las aplicaciones del grafeno que es un material mucho más
versátil y eficiente que el silicio, dar a conocer sus propiedades y las
investigaciones en el uso del grafeno en transistores.
 Presentar el uso de semiconductores orgánicos en el uso de celdas
solares, veremos que con el uso de los semiconductores orgánicos la
fabricación es mucho más barata y eficiente y esto puede ser la mejor
fuente de energía confiable, limpia y renovable.
 Dar a conocer las actuales aplicaciones de los nanotubos de carbono en
la electrónica, las ventajas que presentan frente a la tecnología actual
en base al silicio; y como el actual uso y desarrollo en productos de
consumo pueden mejoran sus características y prestaciones.
 Presentar como muchas de las variadas configuraciones estructurales
de nanotubos son utilizadas en específicas áreas de la electrónica,
mejorando tanto resistencia, disipación de calor, sensibilidad,
miniaturización y eficiencia energética.
 Dar a conocer los conceptos previos sobre nanoelectronica y sus
aplicaciones en biosensores, bioimplantes, sistemas de navegación,
NEMS y MEMS, Interconectores y computación cuántica.

3
2.- ESTADO DE ARTE
El estudio de las propiedades físicas de los materiales semiconductores y sus
sorprendentes aplicaciones en el desarrollo técnico de dispositivos eléctricos,
representan una de las revoluciones científico-tecnológicas de mayor impacto
sobre nuestra sociedad. Para tener una idea de la real magnitud de esta
revolución pensemos por un momento en los transistores, probablemente la
aplicación tecnológica más importante de los semiconductores. Cualquier
habitante del mundo moderno se encuentra rodeado cotidianamente por millones
de transistores. Están en el televisor, en el equipo de música, en la máquina de
lavar, en el reloj de pulsera, en el teléfono celular. Un computador personal
puede llegar a tener algunos miles de millones de transistores. De hecho, en el
mundo existen muchos más transistores que personas. Pero, naturalmente, una
cosa es usar esta tecnología y otra muy distinta es entender cómo opera. Este
último es el objetivo que persigue este breve artículo. Sin embargo, dada la
naturaleza altamente especializada del tema y el reducido espacio disponible
para desarrollarlo, siempre que sea posible dejaremos de lado las
consideraciones de carácter técnico que obligarían a extender la discusión más
allá de lo pertinente.

A partir de la década de 1950, los dispositivos semiconductores -conocidos

también como dispositivos de estado sólido- remplazaron los tubos electrónicos
de la industria tradicional. Por la enorme reducción de tamaño, consumo de
energía y costo, acompañada de una mucha mayor durabilidad y confiabilidad,
los dispositivos semiconductores significaron un cambio revolucionario en las
telecomunicaciones, la computación, el almacenamiento de información, etc.
Desde el punto de vista de su forma de operación, el dispositivo semiconductor
más simple y fundamental es el diodo; todos los demás dispositivos pueden
entenderse en base a su funcionamiento.

Estos se pueden clasificar en dos tipos:

 Semiconductores intrínsecos: poseen una conductividad eléctrica

fácilmente controlable y, al combinarlos correctamente adecuadamente,
pueden actuar como interruptores, amplificadores o dispositivos de
almacenamiento. Ejemplo: Si y Ge puros.

 Semiconductores extrínsecos: estos se forman al agregar,

intencionadamente, a un semiconductor intrínseco sustancias dopantes. Su
conductividad dependerá de la concentración de esos átomos dopantes.
Dependiendo de esas impurezas habrá dos tipos:

a) Semiconductores de tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen

elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrón más

4
 en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan como
impurezas donadoras de electrones o portadores negativos.

b) Semiconductores de tipo p: En este caso se introducen elementos

del grupo 13 que presentan un electrón menos en su capa de valencia,
por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.

Se han desarrollado muchos dispositivos electrónicos utilizando las propiedades

de transporte de los semiconductores; el uso de semiconductores en la industria
electrónica ha aumentado de forma importante. Así, veremos algunas de las más
importantes:

 Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad depende

de la temperatura para medir dicha temperatura. También se usan en otros
dispositivos, como en alarmas contra incendio.

 Transductores de presión: al aplicar presión a un semiconductor, los

átomos son forzados a acercarse, el gap de energía se estrecha y la
conductividad aumenta. Midiendo la conductividad, se puede conocer la
presión que actúa sobre ese material.

 Rectificadores (dispositivos de unión tipo p-n): se producen uniendo

un semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unión tipo p-n. Los
electrones se concentran en la unión tipo n y los huecos en la unión p. El
desequilibrio electrónico resultante crea un voltaje a través de la unión.

 Transistores de unión bipolar: un transistor se puede usar como

interruptor o como amplificador. El transistor de unión bipolar (BJT), se
suele utilizar en unidades de procesamiento central de computadoras por
su rápida respuesta a la conmutación.

 Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para

almacenar información en la memoria de los ordenadores. El transistor de
efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de unión
bipolar.

Otra aplicación es en las memorias semiconductoras. Las memorias

semiconductoras fueron introducidas en 1970 por INTEL y desde ese entonces
su capacidad se ha venido duplicando cada 2 años o menos, habiéndose
cumplido los pronósticos que en tal sentido hiciera Gordon Moore, uno de los
fundadores de INTEL, y que para esa época parecían demasiado optimistas.

Los primeros chips de memorias semiconductoras tenían una capacidad de 1

kilo bit. Hoy día son comunes los de 4 y 16 Megabits, pero ya se ha iniciado la
oferta de los de 64 Megabits y en 1994 fueron presentados los primeros
prototipos de 256 Megabits,- que serán comerciales a partir de 1996. Los

5
principales fabricantes de memorias ya han comenzado a desarrollar el chip de
1Gigabit, utilizando tecnologías de 0.1 micras, proyectándose su aparición
comercial para el año 2002.

Paralelamente a este proceso de crecimiento de las memorias, se ha venido

presentando otro no menos espectacular, el de los microprocesadores.

Mientras los primeros microprocesadores producidos por INTEL en 1971,

manejaban 4 bits, operaban a una velocidad inferior a 1 megaciclo y contenían
2300 transistores, los microprocesadores de hoy, como el Pentium, manejan 64
bits, operan a 100 megaciclos y contienen más de 3 millones de transistores

3.- DESCRIPCION

3.1.- SEMICONDUCTORES ELECTRÓNICOS DE ALTAS

TEMPERATURAS
En nuestros tiempos el desarrollo de la electrónica ha crecido a escalas
exponenciales, juntamente con esto, también ha incrementado la expectativa de
lo que esta puede aportar al desarrollo tanto de la industria como de avances
tecnológicos de uso social. Pero en este proceso de desarrollo tecnológico, se
han ido presentando obstáculos que impedían las mejoras tanto en rendimiento
como eficacia y eficiencia de nuestros dispositivos. Uno de esos retos u
obstáculos fue que en presencia de altas temperaturas los componentes
electrónicos funcionaban con dificultad o simplemente no operaban. Esto
conllevo a un atraso en el mejoramiento de la tecnología automovilística,
aeroespacial, sistemas industriales, etc. Debido a que en estos campos se
necesitaban de sistemas electrónicos capaces de soportas altas temperaturas
ya que los que venían usando necesitaban de un sistema de refrigeración que
les implicaban gastos de mantenimiento considerables para los empresarios.

Frente a esto, se viene desarrollando componentes semiconductores capaces

de soportar altas temperaturas que va desde los 150 °C hasta más o menos los
600 °C, donde es de vital importancia para el mejor control electrónico en
sistemas de propulsión. Es decir el avance con estos semiconductores es de
mucha relevancia para el desarrollo de la industria aeroespacial.

Se están usando módulos que usan un solo chip que es cada vez más capaz,
en algunos casos se usan multichips o microchips. También se está trabajando
en el diseño de matrices de chips inteligentes con microactuadores, esta nueva
electrónica tiene previsto proporcionar, con sus nuevos avances, la autonomía
en las comunicaciones, el procesamiento de señales, energía a temperaturas

6
elevadas. Es mas también se está avanzando en el desarrollo de una nueva
tecnología inalámbrica, que está revolucionando la industria tecnológica.

Operación de un semiconductor de alta temperatura.- Existen varios factores

tanto dentro como también fuera del semiconductor que limitan el funcionamiento
a altas temperaturas de los dispositivos y circuitos electrónicos. Para la
determinación de las aplicaciones que los semiconductores de alta temperatura
pueden tener; primero debemos tener una correcta comprensión de estos
factores. Mencionaremos algunos de los factores más importantes a
continuación:

 Los portadores intrínsecos.- los efectos de la temperatura dentro del

propio semiconductor, en primer lugar puede ser debido a sus limitaciones
físicas de un semiconductor. A medida que aumenta la temperatura
ambiente en el dispositivo semiconductor sus características propias se
degradan hasta que ya no proporciona una funcionalidad suficiente como
para las aplicaciones deseadas. Un mecanismo de degradación
temperatura se refiere a la concentración de portadores libres que
gobierna el funcionamiento del dispositivo. un control suficiente de la
concentración de portadores libres locales es vital para el funcionamiento
de cualquier dispositivo semiconductor y se lleva a cabo principalmente
durante la fabricación del dispositivo, a través de la introducción
intencional de impurezas dopantes en diversas regiones deseadas del
dispositivo.

 La fuga de juntura PN.- las corrientes de fuga en la unión son perjudiciales

para el dispositivo y el funcionamiento del circuito ya que aumenta
exponencialmente con temperatura de polarización inversa. Debido a que
los semiconductores de banda ancha prohibida tienen muchas más bajas
concentraciones de portadores intrínsecos. las corrientes de fuga son de
magnitud menor que el silicio, siempre que las uniones se realizan en
cristales de calidad estructural adecuada. Por lo tanto, los dispositivos
semiconductores de ancho de banda prohibida son capaces de operar a
temperatura mucho más alta con respecto a esta limitación fundamental,
llegando a alcanzar los 600 °C de temperatura.

 Las fugas termoiónica.- Otro mecanismo de fuga fundamental en los

dispositivos es el transporte de portadores que ganan suficiente energía
para ir por encima o por túnel a través de una barrera de energía en una
estructura del dispositivo. Este proceso aumenta la temperatura

 Movilidad del portador.- A medida que aumenta la temperatura muy por

encima de la temperatura ambiente, la capacidad de moverse a través de
un cristal semiconductor disminuye. Esto surge porque los átomos en la

7
 red cristalina tienen energía
vibracional que depende de la
temperatura esto resulta en más
colisiones con electrones en
movimiento a través del cristal,
debido a un campo eléctrico. La
disminución resultante en la
movilidad del portador a causa de
la dispersión reduce la cantidad
de corriente que un diodo o
transistor pueden llevar. En Fig1.sección transversal esquemática de
un canal n SOI MOSFET. Aislador Buried
general la resistencia del disminuye en gran medida el área de fuga
dispositivo aumenta cuando la asociado con el drenaje y la fuente,
temperatura también lo hace. diodos de unión, lo que ayuda habilitar la
operación temperatura más alta. [1]

 La tecnología SOI.- Los MOSFETs

de silicio son los que tienen implementada esta tecnología,
esquemáticamente está representada en la Fig1. Debido a que las
dimensiones de profundidad son aproximadamente de una magnitud
menor que las dimensiones laterales, el área de fuga se reduce alrededor
de un factor de 100. El enfoque SOI está ahora bien comercializado para
una variedad de aplicaciones, incluyendo la electrónica de alta
temperatura. Una variedad de circuitos integrados basados en SOI y
servicios de fundición nominales a 225°C están disponibles
comercialmente para aplicaciones digitales y analógicas de baja potencia.
Con reducción de potencia vida operativa apropiada, muchos de estos
circuitos pueden funcionar a 300 °C. Dada la capacidad de SOI a
satisfacer la necesidad de circuitos de baja potencia a temperaturas de
hasta 300 C, parece que otros semiconductores (tales como bandas
prohibidas de ancho) no son necesarios para este espacio aplicación.

En resumen, los semiconductores de altas temperaturas ofrecerán una

capacidad considerable para la automoción, aeroespacial, la producción de
energía, y otros sistemas industriales que afectará la vida cotidiana moderna.
Los semiconductores ancha banda prohibida serán utilizados en la aplicación
de alta temperatura cubriendo necesidades que no pueden ser satisfechas
con tecnologías más fácilmente disponibles, tales como SOI. Desafíos
tecnológicos significativos quedan por superar tanto para SiC y GaN, pero
SiC aparece más cerca a beneficioso ambiente alta funcionalidad
temperatura de GaN.

8
3.2.- TECNOLOGÍA DE SEMICONDUCTORES GAN Y SI
En la actualidad existen una gran variedad de materiales semiconductores que
se pueden emplear para fabricar dispositivos electrónicos y fotonicos con un
amplio espectro de características y aplicaciones, particularmente el nitruro de
Galio (GaN) y el carburo de silicio (SiC) ya que las propiedades físicas que
poseen estos materiales hacen que sean especialmente adecuados para
aplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia además resistentes
a elevadas temperaturas, la radiación y ambientes químicos extremos.

En las aplicaciones optoelectrónicas, los nitruros han hecho posible extender el

rango de funcionamiento de los LED y diodos laser hasta la región ultravioleta.
Esto conlleva una revolución en sectores como el de la iluminación, las
telecomunicaciones y la electrónica de consumo.

3.2.1.- PROPIEDADES FISICAS DE LOS SEMICONDUCTORES WBG

3.2.1.1.- Panorámica general

 Nitruros del grupo III: las razones técnicas que confieren una ventaja
competitiva de estos materiales frente a otros semiconductores es la
posibilidad de sincronización de la energía de banda prohibida desde el
infrarrojo cercano hasta el ultravioleta profundo, siendo única esta
propiedad dentro de los semiconductores, la estructura cristalina más
estable es la wurtzit en todos los binarios más comunes, siendo muy
ventajosa cuando se forman heteroestructuras ; alta resistencia a la
radiación ionizante debido a las elevadas energías d enlace del AIN,
también posee reactividad química baja, adecuada para diseñar
dispositivos que puedan operar en el espacio; alta velocidad de
saturación, adecuados para aplicaciones de alta frecuencia; alto valor
para el campo eléctrico de ruptura que permite soportar altos voltajes
como los usados en aplicaciones de alta potencia; posee propiedades
piezoeléctricas que pueden ser aprovechadas para fabricar filtros de onda
acústica superficiales; alta energía de ligadura del exciton que permite
mejorar las presentaciones de dispositivos optoelectricos incluso a
temperatura ambiente; compatibilidad del GaN con sistemas biológicos y
localización de portadores en nano estructuras formadas de manera
intrínseca.
Sin embargo, los dispositivos basados en nitruro aun presentan una serie
de problemas ya que la imposibilidad práctica de fabricar sustratos nativos
de nitruros con los medios disponibles actualmente ha conllevado al uso
de otros semiconductores basados en carbono (fundamentalmente el
grafeno).
 Carburo de silicio: posee energía de la banda prohibida grande; alta
conductividad térmica; alto campo eléctrico de ruptura; alta velocidad de

9
 saturación; alta estabilidad térmica; buen comportamiento químico entre
otras propiedades pero la diferencia con las vGaN son su alta
conductividad térmica en la estructura de bandas y la capacidad de formar
heteroestructuras.

3.2.1.2.- ESTRUCTURA CRISTALINA

 GaN y materiales relacionados: la estructura más estable
termodinámicamente a temperatura y presión ambiental para el GaN es
la estructura wurtzita que se compone de dos estructuras hexagonales
compactas desplazadas entre si 3/8 de altura, la otra estructura de interés
en la que puede encentrarse el GaN es la zinc-blend.
 SiC: se pueden encontrar un gran número de politipos, los más comunes
son 3C-SiC, 4H-SiC, el número que precede indica la periodicidad de la
secuencia de apilamiento de capas atómicas.

3.2.1.3.- CARACTERISTICAS DEL MATERIAL CRECIDO

 Tecnología de GaN
La elevada temperatura y presión de fusión del GaN hacen inviable su
fabricación en lingotes de forma análoga lo que sucede con otros
materiales y esto dificulta fabricar dispositivos.
 Tecnología de SiC
Se puede fabricar en volumen ms fácilmente a diferencia de GaN; sin
embargo, el principal inconveniente es la formación de microtuberias en
densidades 100-1000 cm y el otro problema es la formación de una
estructura de mosaico observable en las medidas de rayos X y que se
debe a la diferente orientación de dominio dentro de las capas.

3.2.2.- TECNICAS DE FABRICACION Y PROCESADO

La fabricación de obles de GaN de calidad y tamaño suficiente a bajo costo es

uno de los hitos más deseados en el desarrollo de esta tecnología.

Crecimiento de sustratos nativos; existen varias técnicas, la primera (crecimiento

alta presión partir de soluciones de GaN) consiste en optimizar las condiciones
de presión y temperatura jugando con las distintas variables de estado
termodinámicas para conseguir que se sintetice el material; la segunda
(crecimiento amono térmico) consiste en depositar capas gruesas por epitaxia
en fase vapor mediante hidruros sobre sustratos de Si o Zafiro; la tercera
(crecimiento por HVPE técnicas de separación) se basa en crecer capas
epitaxiales, típicamente por deposito químico en fase vapor con precursores
metalorganicos con espesores suficientes para ofrecer unos determinados
parámetros de calidad del material.

10
Los sustratos más comunes usados son el Zafiro que tiene como principal
ventaja la posibilidad de obtener obleas de gran área bajo costo, también está
el Silicio que tiene como ventaja l capacidad de integración de dispositivos
basados en nitruros en tecnologías y por último el Carburo de Silicio que tiene
como ventaja un bajo desajuste de red y de coeficiente de expansión térmica y
elevada conductividad térmica [2].

Existen dos técnicas destacadas para el crecimiento epitaxial de estructuras

basadas en nitruros del grupo III, el deposito químico en fase vapor con
precursores metalorganicos y la epitaxia por hace moleculares.

Hay varios métodos de procesado como el de Contactos metálicos; fuente,

drenador y la puerta donde los dos primero son contactos de tipo óhmico, es
decir, de baja resistencia y comportamiento lineal que sirven para inyectar y
extraer la corriente del dispositivo y el de la puerta se forma un contacto schottky
rectificante que modula la corriente que fluye a través del transistor, entre fuente
y drenado, abriendo y cerrando el canal de GaN.

Otra de laas técnicas es el de aislamiento de dispositivos, para esto se requieren

taques anisótropos y velocidades elevadas; capas de protección y pasivado y su
objetivo es reducir o eliminar los efectos de colapso que hacen que la corriente
de los dispositivos HEMT decrezca drásticamente al incrementar la frecuencia y
reducir la corriente de fugas de la puerta y el ruido.

3.2.3.- DISPOSITIVOS

Los semiconductores basados en nitruros de grupo III han permitido desarrollar

dispositivos competitivos para aplicaciones tanto eléctricos y optoelectronicos,
en función las características de emisión se tiene dos tipos de dispositivos que
tiene estructuras diferente; el diodo electroluminiscente (LED) que se caracteriza
por tener una emisión dominada por la recombinación espontánea y el otro es el
diodo laser que emite luz de alta pureza espectral y densidad de potencia [2].

3.2.4.- APLICACIONES

Está de más decir que tiene un sin número de aplicaciones en la sociedad, dentro
de ellas las más importantes seria en el sector de defensa; electrónica de
radiofrecuencia de alta potencia y gran ancho de banda (radares,
comunicaciones, aviónica, espacio) también está la optoelectrónica de detección
UV (sistema de alarma de misiles, detectores de fuego de armas portátiles,
detección de agentes biológicos y químicos, comunicaciones seguras por satélite
UNLOS, comunicaciones ópticas submarinas, caracterización de la combustión
para el desarrollo de turbinas; optoelectrónica de emisión en UV ( purificación de
agua, aire y superficies; detección de agentes biológicos y químicos,
perturbadores, iluminación de consumo reducido); optoelectrónica de emisión y
detección en las longitudes de onda del azul y el verde (comunicaciones ópticas

11
submarinas, LIDAR para ASW y MCM, miras laser, armas no letales) y por ultimo
tenemos electrónica de potencia (propulsión hibrida o completamente eléctrica
como las plataformas navales, terrestres, aéreas y espaciales, tanto tripuladas
como no tripuladas cañones electromagnéticos, distribución de energías en
plataformas).

3.2.5.- PROYECTOS DE INVESTIGACION EN NITRURO DE GALIO Y

CARBURO DE SILICIO

Se hizo muchos proyectos de investigación como el KORRIGAN que se

desarrolló desde el 2005-200 con el objetivo de acelerar el desarrollo de la
tecnología de GaN en Europa y asegurar la independencia del suministro a las
industrias de defensa europeas para futuras aplicaciones militares; el proyecto
E3CAR que tiene como objetivo el desarrollo de tecnologías nano-electrónicas
orientadas a vehículos eléctricos e híbridos. Proyecto GREAT que se centró en
el establecimiento de una cadena europea de suministro de transistores de
potencia y MMICs y GaN para aplicaciones espaciales, evaluación de la fiabilidad
y mejora de la tecnología en HEMT Y MMIC basados en GaN y establecimiento
de un proceso de fabricación para HEMT Y MMIC de GaN, compatible con las
aplicaciones, también está el proyecto DARPA que tiene como objetivo
desarrollar las capacidades tecnológicas necesarias para la fabricación de
transmisores y MMIC basados en nitruro de galio sobre carburo de silicio que
proporcionen altas prestaciones y alta fiabilidad para sistemas militares de RF
entre otros proyectos está el proyecto GANANO, proyecto MURI, proyecto
SUVOS, etc.

3.2.6.- TENDENCIAS FUTURAS

Las tecnologías de GaN y SiC han demostrado poseer un alto potencial para
desarrollar aplicaciones de electrónica de altas prestaciones dentro de los nichos
de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura.

La demanda en este campo incluirá tanto aplicaciones militares como civiles

como los sistemas de radares, guerra electrónica (control de espectro
electromagnético demanda la actualización de tecnologías cada vez más
eficiente) en la comunicación inalámbrica y difusión de datos ya que este campo
se encuentra en plena expansión; en la electrónica de potencia, en iluminación
y fuente de luz entre otras aplicaciones muy positivas para la sociedad [2].

12
3.3.- APLICACIONES A LA ELECTRONICA DE POLIMEROS
La aplicación de polímeros a la electrónica pasa por una etapa de desarrollo
acelerado, las razones son muchas: economía, nuevas tecnologías, etc. Los
nuevos polímeros intrínsecamente conductores o semiconductores se utilizan en
aplicaciones ópticas y médicas, con una proyección a desarrollar una nueva era
de chips y sensores a una escala molecular.

Así también los compuestos poliméricos conductores y adhesivos han mejorado

sus propiedades, aplicándose en la fabricación de circuitos, encapsulados y para
la conexión de componentes SMT y chips. Parte de los polímeros utilizados en
electrónica son aislantes y se utilizan en forma de lámina rígida como sustrato
de circuitos impresos y módulos multichip (MCM).

3.3.1.- Polímeros intrínsecamente conductores y semiconductores.-

Fueron desarrollados en la década de los 70 y tienen estas propiedades debido

a la estructura molecular del polímero o al material con que se dopa.

Su conductividad va desde la de un metal a la conductividad y estructura

equivalente a la unión p-n de los semiconductores inorgánicos. Estos polímeros
son la base de la electrónica molecular.

Con cadenas poliméricas, se crean en laboratorio, hilos conductores y diodos a

escala molecular que permita formar puertas lógicas AND, OR, XOR en un área
de 3nm x 4nm, lo que permitirá realizar cualquier dispositivo lógico en un tamaño
un millón de veces inferior al de los componentes actuales [5].

La ventaja de estos materiales es el tamaño, la potencia que consume y su

posibilidad de integración en sistemas orgánicos (músculos artificiales). Su
limitación es la falta de estabilidad sometidos a agua o al oxigeno [6].

Otro método para realizar diodos y transistores a mayor escala es dopar

determinados polímeros con Na, K y Li para semiconductores tipo n y I2. PF4,
BF4, AsF6 para tipo p, consiguiéndose diodos y transistores [6].

3.3.2.- Compuestos Poliméricos.-

Son la mezcla de un polímero con material base, un solvente y una fase funcional
que proporciona las características buscadas. La fase funcional está formada por
partículas de un metal (Ag, Au, Cu), un material resistivo (carbón, grafito) o un
material dieléctrico. Las propiedades del compuesto en forma de pasta o tinta
permiten su aplicación por extrusión o serigrafía, en estado líquido permiten su
aplicación por aerosol.

13
Su desarrollo comenzó en la década de los 40 para realizar conductores en
circuitos impresos e híbridos. Ahora permiten circuitos multicapa con un proceso
sencillo y sobre todo tipo de sustratos.

Actualmente se desarrollan adhesivos conductores y aislantes para protección

de chips, en estos campos los avances son importantes debido a la posibilidad
de modificar el compuesto en busca de las características ideales [4].

Las razones para utilizar pastas poliméricas en la fabricación de circuitos

impresos, híbridos y MCM son que resultan económicas, el aumento de la
densidad del circuito y necesidades específicas. En el campo de los
encapsulados de componentes, su utilización es generalizada. Como adhesivo
conductor permite la conexión de componentes SMT y chips. Se consigue
conectar encapsulados con gran densidad de integración, es ecológico (no
contiene plomo) y cura a bajas temperaturas [3].

 Circuitos realizados con tintas polimeras.-

Para la realización de circuitos se utilizan tres tipos de pastas polimeras:
conductoras, resistivas y dieléctricas.
El proceso de fabricación de un circuito multicapa con tintas polimeras es
aditivo, se serigrafía la tinta que formara el conductor, las capas de
conductor se separan con capas de dieléctrico y finalmente se serigrafían
las resistencias integradas en el circuito. La pasta endurece curándola a
una temperatura entre 85oC y 210oC durante un tiempo variable que
depende del fabricante y del tiempo de curado [3].
El espesor de cada capa del circuito es de 10 – 30µm y la anchura mínima
de pista es de 200µm.
Los conductores tienen una conductividad mínima de 10mΩ/cuadro y las
tintas resistivas se venden en toda la gama de valores, pero tienen una
estabilidad inferior a las resistencias carmet del circuito hibrido (Figura 1)
[7].

Fig2. Circuito de tintas polimeras sobre alúmina, para

ensayos de fiabilidad de tintas resistivas polimeras. [3]

14
 Circuitos impresos rígidos y flexibles.-
Las principales aplicaciones de las PTF son: teclados sobre sustratos
rígidos y flexibles, interruptores, potenciómetros, paneles de coches con
tintas polimeras luminiscentes, así como la realización de resistencias
integradas en sustrato para aumentar la densidad y abaratar los circuitos
[3]
La PTF es habitual en la realización de circuitos flexibles que incluyen
LCD y teclados sobre el mismo circuito, teléfonos, agendas de bolsillo y
juegos.

Fig3. Teclado realizado con PTF conductoras

de carbón sobre circuito impreso.

 Encapsulados para chips.-

Los polímeros se utilizan en forma de gel, silicona o epoxy como relleno
de encapsulados no herméticos para hacer encapsulados moldeados y
para protección de chips conectados con wire-bonding [3].
También se utilizan polímeros para el relleno del espacio entre el sustrato
de los BGA. El montaje del chip con tecnología flip-chip se consigue con
la creación de protuberancias sobre los pads del chip al que se da vuelta
y se conectan las protuberancias al circuito.

 Adhesivos poliméricos.-
Las mejoras que se están realizando a los adhesivos poliméricos son
conseguir compatibilidad con cualquier acabado de terminales de
componentes y aumentar la fiabilidad cuando son sometidos a pruebas
de envejecimiento [8]
Una aplicación muy común es la adhesión de LCD o chips a circuitos
impresos mediante interposición de una película anisotropía conductora.

15
 Los LCD tienen alta densidad de conexiones y son sensibles a las
temperaturas de soldadura, por lo que se utilizan polímeros que realizan
la interconexión por la combinación de presión y temperatura (Figura 3).

Fig4. Aplicación del adhesivo polímero anisotropico

conductor en película, para conectar un chip con
tecnología flip-chip.

3.4.- CIRCUITOS INTEGRADOS DE GRAFENO

El presente artículo de investigación describe una de las aplicaciones basadas
en el uso de Grafeno, un material semiconductor mucho más versátil y eficiente
que el Silicio. La electrónica moderna tiene sus inicios en los ensayos realizados
mediante tubos de vacío a comienzos del siglo XX. Mediante estos elementos
se hizo posible la manipulación de señales, algo que no podía realizarse con la
tecnología existente en ese momento [9].

Aplicaciones que se realizaban con los tubos de vacío era amplificar las señales
de radio y de sonidos débiles, permitiendo superponer señales de sonido a las
ondas de radio. El avance tecnológico de los tubos de vacío, posibilitó el rápido
avance de las telecomunicaciones antes de la II Guerra Mundial y el desarrollo
de las primeras computadoras. Actualmente los tubos de vacío has sido
reemplazado por el transistor. El transistor permite las mismas funciones que el
tubo de vacío, pero con un costo, peso y potencia más bajos, y una mayor
fiabilidad. El grafeno, derivado del grafito, es carbono en estado puro. Con
propiedades entre semiconductor y metal. Se trata de un material muy resistente,
200 veces más que el acero, extremadamente flexible y un excelente conductor
de electricidad.

16
3.4.1.- INTRODUCCIÓN

El presente artículo de investigación se realizó teniendo en cuenta que en la

actualidad poco o nada se sabe sobre el uso del Grafeno como material
semiconductor. Aquí se expone el análisis realizado desde el punto de vista de
ingeniería, para demostrar una aplicación del

Grafeno, que es un material que dará mucho que hablar en la presente década.

Podemos considerar que el primer transistor se inventó en 1947, cuando William

Shockley, John Bardeen y Walter Brattain lo desarrollaron para la compañía Bell
Telephone. Dadas sus características permitió el desarrollo de los circuitos
integrados y las computadoras. Los transistores se basan en las propiedades de
conducción eléctrica de materiales semiconductores, como el germanio o el
silicio.

Particularmente, el transporte eléctrico en estos dispositivos se da a través de

uniones, formadas por el contacto de materiales semiconductores.

Las propiedades de conducción eléctrica de las uniones se ven modificadas

dependiendo de la polaridad y de la magnitud del voltaje aplicado, donde se
reproduce el efecto amplificador que se obtenía con las válvulas de vacío.

Los principales desarrollos en la tecnología de los transistores se producen

posteriormente en la década de los 60 y 70, gracias a la investigación asociada
a la era espacial, permitiendo el desarrollo del circuito integrado.

Estos dispositivos pueden contener centenares de miles de transistores en un

pequeño trozo de material, permitiendo la construcción de circuitos electrónicos
complejos, como los de los microordenadores o microcomputadoras, equipos de
sonido y vídeo, y satélites de comunicaciones. El primer circuito Integrado fue
creado por Jack Kilby en la empresa Texas

Instruments en el año de 1959. A partir de 1966 los Circuitos Integrados

comenzaron a fabricarse por millones y en la actualidad se considera una pieza
esencial en los aparatos electrónicos.

Actualmente, en febrero de 2010, científicos de IBM crearon un transistor de

grafeno capaz de funcionar a una frecuencia de 100 GHz.

Construyendo el primer circuito integrado con transistores de este revolucionario

material, que permitirá fabricar microprocesadores, sensores y sistemas de
comunicación mucho más veloces que los actuales. El avance, desvelado en la
revista Science, consiste en un mezclador de radiofrecuencia de banda ancha a
10 GHz y está construido sobre una oblea de silicio. Esto supone el primer paso
para fabricar circuitos integrados de grafeno de la misma manera en que se
fabrican los de silicio, ya que el proceso es el mismo para ambos materiales [10].

17
3.4.2.- MATERIALES Y MÉTODOS

Se usó el método descriptivo. Para llevar a cabo la investigación, se requiere

trabajar con una bibliografía especializada y poco común ya que éste material no
es totalmente comercial y la literatura es muy escasa al respecto.

Con el fin de alcanzar los objetivos planeados y contrastar la hipótesis formulada

se han elegido las técnicas e instrumentos mostrados en la tabla 1

Tabla1. Técnicas e instrumentos.

3.4.3.- RESULTADO Y DISCUSIÓN:

El grafeno es una estructura laminar plana, de un átomo de grosor, compuesta

por átomos de carbonos densamente empaquetados en una red cristalina en
forma de panal de abeja. Este nuevo material se caracteriza por poseer una alta
conductividad térmica y eléctrica y por combinar una alta elasticidad y ligereza
con una dureza extrema.

Fig5. Estructura del Grafeno.

Ahora, IBM ha sido la responsable de fabricar el primer circuito integrado con

transistores de este material que pueden funcionar a una frecuencia de 10 giga
hertzios y hasta 125 ºC de temperatura. Básicamente, este nuevo circuito, un
mezclador de radiofrecuencia de banda ancha, consiste en un transistor de
Grafeno y un par de bobinas compactas en su interior integradas en una fina
oblea de carburo de silicio.

18
T.C. Chen, vice presidente de Ciencia y Tecnología de investigación de IBM: a
unos días de conmemorar los 100 años de IBM, nuestros científicos han logrado
un hito en nanotecnología (...) esta investigación supone un gran paso adelante
sobre el rendimiento de los componentes de comunicación para que permitan a
las personas interactuar con más eficiencia.

Elisa Martín Garijo, directora de Tecnología e Innovación de IBM en España: Es

un hito importante. Supone el primer paso para demostrar que ya podemos
fabricar circuitos integrados de grafeno. Y de la misma manera en que se
fabrican los de silicio, porque el mismo proceso sirve para ambos materiales. El
próximo paso será fabricar el chip de grafeno.

Los investigadores comentan en una edición de la revista Science que el grafeno

tiene el potencial para hacer transistores que sean capaces de funcionar a
velocidades del orden de los Terahertz y que podrían en un futuro, no muy
lejano, reemplazar al silicio como base para los microprocesadores utilizados en
ordenadores. Algo necesario, ya que los circuitos convencionales de silicio se
espera que empiecen a llegar a sus límites a finales de esta década.

El grafeno es un material capaz de convertirse en monitor (porque es

transparente) y procesador (diez veces más rápido que el de silicio) a la vez, que
se enrolla y se pliega, que es tan irrompible como el diamante y que tiene un sólo
átomo de grosor.

Fig6. Modelo de un circuito integrado de

grafeno.

3.4.4.- APLICACIONES DE LOS CI DE GRAFENO

Aplicaciones que se realizaban con los tubos de vacío era amplificar las señales
de radio y de sonido débiles, permitiendo superponer señales de sonido a las
ondas de radio. El avance tecnológico de los tubos de vacío, posibilitó el rápido

19
avance de las telecomunicaciones antes de la II Guerra Mundial y el desarrollo
de las primeras computadoras.

Actualmente los tubos de vacío han sido reemplazados por el transistor. El

transistor permite las mismas funciones que el tubo de vacío, pero con un costo,
peso y potencia más bajos, y una mayor fiabilidad.

Podemos considerar que el primer transistor se inventó en 1947, cuando William

Shockley, John Bardeen y Walter Brattain lo desarrollaron para la compañía Bell
Telephone. Dadas sus características permitió el desarrollo de los circuitos
integrados y las computadoras.
Los transistores se basan en las propiedades de conducción eléctrica de
materiales semiconductores, como el germanio (1948) o el silicio (1954).
Particularmente, el transporte eléctrico en estos dispositivos se da a través de
uniones, formadas por el contacto de materiales semiconductores, donde los
portadores de carga son de distintos tipos: huecos (tipo P) o electrones (tipo N)
[11].

Como ya vimos en anteriores post (Grafeno, material del futuro y Grafeno:

propiedades, características y aplicaciones), el grafeno, derivado del grafito, es
carbono en estado puro. Con propiedades entre semiconductor y metal.

Se trata de un material muy resistente, 200 veces más que el acero,

extremadamente flexible y un excelente conductor de electricidad.

Fig7. Uso del grafeno en circuitos: conductividad y flexibilidad

20
3.5.- NUEVOS MATERIALES ORGANICOS PARA AVANZAR
HACIA LA ELECTRONICA DEL FUTURO
Investigadores del Laboratorio de Fabricación y Caracterización de Transistores
de Efecto de Campo de la universidad de Málaga (UMA) liderados por Roció
Ponce trabajan enfocándose en una tecnología económica, plástica y
sostenible, elaboran materiales orgánicos teniendo en cuenta la caracterización
fisico-quimica y su comportamiento en componentes electrónicos. Para así en
definitiva reemplazar al material actual de los transistores, el silicio.

El equipo con la colaboración de investigadores de la South University of Science

and Technology en China ha desarrollado un sistema muy eficiente y novedoso
como semiconductor tipo n (aquel que transporta cargas negativas) lo que llevo
a ser reconocido y lograr un gran impacto en el área de Química

La principal ventaja de estos nuevos materiales es superar la rigidez de los

inorgánicos a través de una electrónica biodegradable basada en sistemas en
plásticos y transparente por lo cual se pueden doblar o poner en la mano.

En la actualidad ya hay dispositivos orgánicos en el mercado utilizadas por el

sector militar de Estados Unidos, también empleadas en pantallas comerciales.

Un paso muy importante para estos investigadores es mejorar el ciclo de vida de

estos materiales inorgánicos ya que es más corto en comparación con los de
materiales inorgánicos.

La investigadora que cuenta con varios reconocimientos como el Premio

Jóvenes Investigadores 2015 de la Real Sociedad Española de Química aclara
que si ya es una realidad la impresión de circuitos a partir de impresoras
modificadas que utilizan una disolución de materiales orgánicos

Se ha creado una estructura molecular rígida compuesta por grupos ricos y

grupos deficientes en electrones. Modificando las propiedades electrónicas del
sistema se logró semiconductores tipo n que debido a su "planaridad
molecular" son muy eficientes en el transporte de carga, además este nuevo
material puede ser utilizado como unidad estructural para conseguir otros. Las
moléculas implicadas son hidrocarburos aromáticos de tipo escalera con hasta
15 anillos.

3.6.- TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES ORGANICOS

Un semiconductor orgánico es un compuesto orgánico bajo la forma de
un cristal o un polímero, que muestra propiedades similares a las de
los semiconductores inorgánicos. Los semiconductores orgánicos se pueden

21
dividir en dos familias: polímeros (formados por largas cadenas de monómeros)
y oligómeros (formados por una o pocas moléculas). La obtención de capas
delgadas por medio de estos semiconductores es diferente según se trabaje con
polímeros o moléculas pequeñas.

Estas propiedades son la conductividad eléctrica por los electrones y los huecos,
y la presencia de una banda prohibida. Estos materiales han dado lugar a
la electrónica orgánica, o electrónica de los plásticos. Por orgánica se entienden
las moléculas que se basan en el carbono, las moléculas básicas para la vida.
Se llama orgánica en oposición a los semiconductores inorgánicos, como
el silicio.

A continuación, describiremos como se han desarrollado las prácticas de

laboratorio realizadas en las que se han fabricado y caracterizados dispositivos
electrónicos basados en semiconductores orgánicos. Con la realización de este
tipo de prácticas se persiguen varios objetivos. Por una parte, los alumnos
participan activamente en la fabricación de un dispositivo semiconductor, ya sea
un transistor o un fotodiodo. Posteriormente miden algunas de las características
eléctricas más relevantes: para el transistor la característica de salida y para el
fotodiodo la curva corriente-tensión, por ejemplo. Las prestaciones obtenidas en
los dispositivos fabricados se comparan con las de dispositivos similares
reportados en la literatura científica. Así, podemos distinguir las siguientes
etapas o apartados en esta actividad:

• Descripción del proceso de fabricación

• Fabricación de los dispositivos

• Caracterización eléctrica

• Análisis y discusión de los resultados

A continuación se describen en detalle los diferentes apartados de la práctica.

3.6.1.- Descripción del proceso de fabricación

Es conveniente dedicar una primera sesión a describir el proceso de fabricación.

En una presentación se muestra a los alumnos la estructura de los dispositivos
y se identifican las distintas capas de materiales que deberán depositarse, tal y
como se mostraron en la figura 1. Se introduce la sencilla tecnología que van a
utilizar y se compara con los recursos que necesitarían si quisiesen fabricar
dispositivos basados en los clásicos semiconductores inorgánicos como el silicio.

Posteriormente se visita el laboratorio y se presentan los diferentes equipos que

van a utilizar a lo largo de la práctica.

22
En particular se describe el funcionamiento de la evaporadora y del spinner
(Fig.8). No es necesario extenderse demasiado porque en las sesiones de
fabricación tendrán tiempo de familiarizarse con el uso de estos equipos. Si bien
existe una amplia documentación bibliográfica sobre las tecnologías de depósito
de materiales en capa delgada [7], no es necesario profundizar en los
fundamentos básicos de técnicas como el spin-coating o la evaporación en vacío.
Este no es el objetivo principal de esta actividad y los procesos pueden
entenderse de forma bastante intuitiva a partir de la explicación del profesor.

Fig8. A la izquierda se muestra el interior de la evaporadora que se utilizará

para depositar tanto las capas de semiconductor orgánico de pequeña
molécula como los contactos metálicos de los dispositivos. En primer plano
se observa el crisol de evaporación fabricado manualmente y las barras
roscadas que actúan como pasante de corriente. A la derecha se observa
el spinner comercial que utilizarán los alumnos para depositar el dieléctrico
PMMA de los transistores en capa delgada.

3.6.2.- Fabricación de los dispositivos

En cuatrimestres alternos se han fabricado fotodiodos y transistores en capa

delgada utilizando siempre pentaceno como semiconductor orgánico para la
capa activa de los dispositivos. En el futuro se planea diversificar los trabajos de
manera que, en un mismo cuatrimestre, grupos de alumnos fabriquen distintos
tipos de dispositivos. Para dar todavía mayor riqueza a la experiencia, se prevé
además ir incorporando paulatinamente nuevos semiconductores orgánicos.
Éstos materiales pueden obtenerse comercialmente en forma de polvo apto para
la técnica de evaporación de compañías como Sigma–Aldrich
(www.sigmaaldrich.com).

Los metales utilizados para los electrodos, aluminio u oro de gran pureza,
también pueden obtenerse comercialmente de la compañía Goodfellow

23
(www.goodfellow.com). Obviamente, estas compañías se indican a modo de
ejemplo y existen otras que también pueden servir estos materiales. A
continuación pasamos a describir brevemente las tareas que realizan los
alumnos en las sesiones de fabricación de los dispositivos [12].

3.6.2.1.- Fotodiodos de pentaceno

La estructura de los fotodiodos de pentaceno se muestra en la parte inferior de

la figura 1. Para la actividad en el laboratorio, el alumno partirá de un sustrato de
vidrio ya recubierto previamente con un electrodo transparente. En nuestro caso,
utilizamos portaobjetos de microscopio con una capa de ITO (óxido de estaño
dopado con indio) depositada por la técnica de pulverización catódica en
nuestras propias instalaciones de investigación. El ITO es un óxido conductor de
gran transparencia (transmisión óptica del 90% en el visible) a la vez que elevada
conductividad eléctrica (resistividad menor de 1 mΩ·cm). Por motivos de tiempo
y complejidad este proceso queda fuera de la experiencia con los alumnos,
aunque sí se les explica el proceso de preparación y se les enseña el equipo
utilizado.

Alternativamente, también sería posible obtener directamente substratos de este

tipo comerciales, por ejemplo de la compañía Sigma-Aldrich.

El trabajo inicial de los alumnos consistirá en practicar con el equipo de

evaporación y realizar algunos depósitos de prueba tanto de capas de pentaceno
como de aluminio (Fig. 9).

Los crisoles de evaporación se fabrican manualmente moldeando piezas de

chapa de molibdeno de 50 μm de espesor que pueden obtenerse en ferreterías
especializadas.

Las muestras de pentaceno depositadas sobre vidrio desnudo se utilizan para

medir la transmisión óptica y determinar, por ejemplo, el gap del semiconductor.
En las capas de aluminio el profesor enseña a los alumnos a medir el espesor
de las capas metálicas por la técnica de perfilometría. Estas actividades
acostumbran a ocupar toda una sesión completa de laboratorio.

En la siguiente sesión los alumnos ya podrán fabricar con total confianza el

dispositivo completo. El primer paso consistirá en evaporar una capa de
pentaceno de forma controlada y a un bajo ritmo de depósito (<10 Å/s) sobre los
substratos de vidrio recubiertos con ITO. Posteriormente, la evaporadora se
prepara para evaporar aluminio y sobre la muestra se coloca una máscara de
sombra para definir el área de los dispositivos.

24
 Fig9. Grupo de alumnos familiarizándose con el uso del equipo de
evaporación en vacío. Habitualmente se realizan ensayos para
obtener capas de pentaceno y de aluminio sobre substratos de
vidrio antes de fabricar el dispositivo completo. El contacto
ITO/pentaceno es de tipo óhmico mientras que el contacto
rectificador se forma en la unión pentaceno/aluminio.

3.6.2.2.- Transistores en capa delgada de pentaceno

La estructura de los dispositivos fabricados se muestra en la parte superior de la

figura 1. Como se ha comentado anteriormente, la primera sesión se dedica a
que los alumnos se familiaricen con el uso de los equipos. En este caso, además
de la evaporadora los alumnos utilizarán el spinner para expandir el dieléctrico
polimérico polimetil metacrilato (PMMA) sobre el electrodo de puerta. En
cualquier caso, la técnica de spin-coating es extraordinariamente sencilla y
apenas introduce complejidad adicional. En cambio el proceso es muy visual y
resulta atractivo para los alumnos.

En la siguiente sesión de fabricación los alumnos dispondrán directamente de un

substrato de vidrio sobre el que se ha evaporado previamente una capa metálica
que actuará como electrodo de puerta (Gate). De esta manera se gana algo de
tiempo y, en cualquier caso, este paso no es importante porque los alumnos
volverán a evaporar metales posteriormente para obtener los electrodos del
dispositivo. En primer lugar los alumnos deberán obtener por spin-coating una
capa uniforme de PMMA que actuará como dieléctrico de puerta.
Posteriormente, utilizando una máscara de sombra para aislar entre sí los
dispositivos evaporarán una capa de pentaceno. Finalmente, con la máscara
girada 90º depositarán los contactos de drenador (Drain) y fuente (Source)
también por evaporación térmica de oro en este caso. El dispositivo así obtenido
se comporta como un transistor en capa delgada de canal p. En próximas
actividades también se introducirán nuevos substratos como papel de aluminio

25
que actuará directamente como electrodo de puerta, así como plásticos
metalizados que permitirán fabricar dispositivos flexibles (Fig.10). Las pruebas
realizadas con este tipo de substratos han sido positivas por lo que prevemos
incorporar próximamente este aspecto novedoso en las experiencias de
laboratorio [13].

Fig10. Nuevos substratos que se incorporarán en el futuro como

opciones de bajo coste en las experiencias de laboratorio. Por un lado,
papel de aluminio que puede actuar directamente como substrato y
electrodo de puerta. Alternativamente, láminas de plástico
metalizadas para obtener dispositivos flexibles. Las pruebas previas
realizadas han tenido éxito, por lo que estos substratos pueden
comenzar a utilizarse en los próximos cuatrimestres en que de nuevo
se realice la experiencia.

3.6.3.- Caracterización eléctrica

Una vez fabricados los dispositivos, la siguiente sesión se dedica a una

caracterización eléctrica básica. Para ello disponemos de un trazador de
características HP4145 y de unas sencillas puntas de contacto adquiridas en
Microbyte (www.microbyte.es). El tamaño del orden de milímetros de los
dispositivos permite contactarlos sin necesidad de microscopio y tampoco se
requiere una mesa de prueba específica. Los alumnos están relativamente
habituados a la medida de características eléctricas por lo que esta actividad no
les resulta complicada. De todos modos, una vez contactados los dispositivos el
sistema de medida está completamente automatizado y es muy sencillo obtener
las características eléctricas.

Las principales medidas a realizar dependerán del dispositivo que se está

estudiando. En el caso del fotodiodo nos fijaremos en la característica corriente-
tensión medida en oscuridad que muestra un evidente efecto rectificador.

A partir de ella los alumnos determinarán la corriente de saturación del diodo, su

factor de idealidad, las resistencias parásitas serie y paralelo, etc. En el futuro

26
podría incorporarse la medida bajo iluminación e incluso la respuesta espectral
del dispositivo si se consigue desarrollar un sistema de bajo presupuesto. En el
caso de los transistores en capa delgada, la curva más significativa que miden
los alumnos es la característica de salida del transistor que se muestra en la
figura 4. También puede obtenerse fácilmente y sin necesidad de equipos
adicionales la característica de transferencia y la de saturación. Esta última es
interesante porque a partir de ella los alumnos calcularán parámetros como la
tensión umbral y la movilidad de efecto de campo, parámetros relevantes de cara
a posibles aplicaciones de esta tecnología.

3.6.4.- Análisis y discusión de los resultados

Una buena manera de finalizar esta actividad es una última sesión donde los
alumnos puedan poner en común los resultados obtenidos por cada uno de los
diferentes grupos de trabajo. Para enriquecer estas sesiones de discusión
también se ha propuesto a los alumnos un pequeño trabajo de investigación
sobre las posibles aplicaciones prácticas de dispositivos electrónicos como los
que han realizado. En esta parte es conveniente una guía del profesor a la hora
de buscar material bibliográfico que puede consistir en artículos científicos o de
divulgación de las nuevas tendencias en tecnología electrónica. También es un
buen momento para comparar las prestaciones de estos dispositivos con los que
pueden obtenerse comercialmente basados en tecnología de silicio. Sin duda,
las sesiones de discusión de resultados serán mucho más interesantes cuando
en próximas actividades los distintos grupos de trabajo fabriquen dispositivos
diferentes e incluso utilicen semiconductores orgánicos diferentes.

3.6.5.- APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES ORGÁNICOS

Nuevas tecnologías prometen celdas solares más baratas y eficientes

La luz solar es un fenómeno

extraordinario. Es la fuente de la
fotosíntesis, calienta nuestros
días de verano y -si logramos
desarrollar y fabricar celdas
solares más baratas y eficientes-
puede ser la mejor fuente de
energía confiable, limpia y
renovable.

Fig11. Celdas solares más baratas y eficientes

27
Diane Hinkens, de la Universidad de Dakota del sur, es parte de un equipo en el
que también está Qiquan Qiao y Seth Darling. Los tres, desde sus particulares
especialidades científicas (química, informática y nanotecnología), están
buscando diseñar, sintetizar y eventualmente fabricar celdas solares más
eficientes y baratas que las actuales.

Las celdas solares que se usan hoy son caras porque están hechas de silicio, un
semiconductor inorgánico. A diferencia de esto, la celda en la que trabajan en
Dakota está basada en semiconductores orgánicos basados en carbón, hechos
con polímeros.
Los avances y experimentos hechos hasta la fecha son muy prometedores y
cada día aumenta la esperanza de que sea posible hacer una celda solar que
supere muchas de las limitaciones actuales [13].
Por ejemplo, las nuevas celdas podrán convertir en electricidad gran parte del
espectro de luz visible, desde el violeta hasta el rojo, "exprimiendo" cada
electrón.

Fig12. Las nuevas celdas podrán convertir en electricidad

gran parte del espectro de luz visible, desde el violeta hasta
el rojo, “exprimiendo" cada electrón.

Para lograr esto, el equipo deberá desarrollar una técnica que permita poner diez
mil millones de millones de moléculas hechas con polímeros en un centímetro
cuadrado.
Determinar qué polímeros serán los mejores para realizar el trabajo es arduo.
Para avanzar rápidamente se usan programas informáticos desarrollados para
la industria química, que les da la dirección donde se pueden hallar resultados
prometedores.

28
Se estima que estas celdas solares serán más baratas porque los polímeros
orgánicos se pueden fabricar con técnicas de bajo costo, similares a las rotativas
que imprimen diarios. El resultado es un material ligero y flexible
El dispositivo, que podría ser el primer paso para construir una nueva generación
de ordenadores capaces de responder de una manera similar a la del cerebro
humano, basa su funcionamiento en una propiedad neuronal llamada plasticidad,
que le permite “aprender” de los estímulos externos que recibe.

Fig13. Futuros Ordenadores capaces de responder de

una manera similar a la del cerebro humano

Un grupo de científicos franceses ha creado el primer transistor orgánico capaz

de comportarse de una forma parecida a la de una neurona biológica. En efecto,
mientras que los transistores convencionales se comportan básicamente como
llaves que permiten o no el paso de una señal, o como “amplificadores” cuya
intensidad de salida depende de la de entrada, los nuevos dispositivos pueden
modificar su comportamiento en función de los estímulos que recibe.

Fig14. Transistor Orgánico, capaz de comportarse

como una neurona.

29
Construidos a partir de nanoparticulas de oro y moléculas de pentaceno, los
nuevos NOMFET (Nanoparticle Organic Memory Field-Effect Transistor) basan
su funcionamiento en una propiedad neuronal llamada plasticidad, que modula
la percepción de los estímulos con el medio [14].
El equipo a cargo del desarrollo está formado por especialistas pertenecientes al
CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique) y a la CEA (Commissariat
à l'Énergie Atomique) de Francia. “Básicamente, hemos demostrado que las
cargas eléctricas que fluyen a través de una mezcla de un semiconductor
orgánico y nanopartículas metálicas pueden comportarse de la misma manera
que los neurotransmisores que se desplazan a través de una conexión sináptica
en el cerebro”, explica Vuillaume Dominique, director de investigación del CNRS
y del Grupo de Dispositivos y Nanoestructuras Moleculares del IEMN (Institute
for Electronics Microelectronics and Nanotechnology).
Sus creadores suponen que el NOMFET podría dar paso a una nueva
generación de ordenadores cuyo funcionamiento -en lugar de basarse en ceros
y unos- funcione de forma similar a la de nuestro cerebro. El dispositivo imita la
forma en la que los sistemas biológicos operan para crear nuevos “circuitos”,
según puede leerse en el estudio publicado en la revista Advanced Functional
Materials.
El secreto de su funcionamiento reside en las nanopartículas de oro recubiertas
con pentaceno, materiales que juntos poseen una propiedad especial que le
permite al NOMFET simular las funciones de las sinapsis.
El proceso de comunicación entre dos neuronas mediante la transmisión de
impulsos eléctricos se denomina plasticidad, y puede verse como una especie
de “efecto memoria”. Esta característica es la que permite a una neurona
biológica “aprender” a asociar un estímulo que recibe con un estado particular
de la salida. A medida que el proceso se repite una y otra vez, la neurona va
optimizando su funcionamiento y cada vez es más eficiente generar una
respuesta frente a un estímulo que ya conoce.
En realidad, el nuevo NOMFET no hace nada que un circuito electrónico más
complejo no pueda hacer, sino que la innovación reside en que un solo
componente hace todo el trabajo.
Hasta ahora, para imitar esta plasticidad, eran necesarios siete transistores
CMOS (“complementary metal-oxide-semiconductor”), una de las tecnologías
utilizadas masivamente para fabricar microprocesadores y memorias. Cuando se
convierta en un dispositivo practico y disponible en grandes cantidades, el
nuevo transistor orgánicopermitirá construir una revolucionaria generación de
ordenadores cuyo modo de funcionamiento se parecerá mucho al de un cerebro
vivo.
Estas verdaderas “redes neuronales” basadas en los NOMFET podrán resolver
problemas que a los ordenadores de silicio históricamente les han resultado
difíciles de abordar, como el reconocimiento de imágenes o del habla humana.

30
“De hecho, ya hemos desarrollado redes neuronales y las hemos utilizado en
algunas aplicaciones. Sin embargo, aunque los chips de silicio basados en
CMOS se han diseñado y fabricado para emular el comportamiento del cerebro,
este enfoque es limitado debido a que son necesarios varios transistores de
silicio -al menos siete- para construir una sinapsis electrónica. En este caso,
hicimos lo mismo con un único dispositivo”, concluye.
El especialista cree que el NOMFET puede “conducirnos a sistemas tan flexibles
que puedan ser programados mediante el aprendizaje”. Si está en lo cierto, tu
próximo ordenador quizá deba ser "educado" convenientemente antes de que lo
puedas usar [14].

3.7.- APLICACIONES DE LOS NANOTUBOS DE CARBONO

Las primeras aplicaciones prácticas de nanotubos han sido en el área de la
electrónica, planteándose como una posible revolución especialmente en la
informática.
Las propiedades eléctricas de los nanotubos de carbono pueden verse en la
siguiente tabla las principales aplicaciones que surgen de cada propiedad:

Tabla2. Propiedades eléctricas de nanotubos

31
Donde n y m son los índices de Hamada, parámetros que indican la forma en
que se enrollaría la lámina de grafito lo que dará lugar a un nanotubo, si n-m da
un múltiplo de 3 el nanotubo será metálico en otro caso será semiconductor.
La introducción de defectos en los nanotubos puede servir para controlar sus
propiedades electrónicas, como puede leerse en [15].
Los nanotubos de carbono son excelentes conductores de calor lo que los
hacen ideales disipadores de calor para los sistemas electrónicos.
A continuación se procede a mencionar las aplicaciones de los nanotubos en la
electrónica
3.7.1.- Nano circuitos
Los conductores en base a nanotubos de carbono pueden ser empleados como
Interconectores o nanocables y los semiconductores pueden ser utilizados para
el desarrollo de dispositivos como diodos y transistores.
3.7.2.- Interconectores (nanocables)
Estos presentan una excelente conducción del calor cuantos más cortos son y
su fortaleza estructural les permite conducir altas corrientes sin destruirse
Diodos
Se ha comprobado que uniendo nanotubos metálicos y semiconductores en
dichas uniones se comportan como diodos, como se comenta en el artículo [16].
3.7.3.- Transistores
Los transistores típicos son utilizados como amplificadores y como interruptores,
los nanotubos pueden emplearse para fabricar transistores a escala
nanometrica:
 Transistores de efecto de campo
Se puede construir un FET nanometrico colocando un nanotubo
semiconductor entre dos electrodos metálicos que harían de fuente y
colector. El flujo de electrones pasaría a través del nanotubo, y se
controlaría aplicando los voltajes adecuados a un tercer electrodo situado
cerca de él, la puerta produciría el campo eléctrico responsable de
controlar la conductividad del nanotubo, a veces se hace referencia a los
FET construidos con nanotubos como NT-FET.
Un FET a escala nanometrica podría funcionar a temperatura ambiente
similar y consumiendo mucha menos potencia
Los artículos [17], [18] y [19] tratan sobre transistores de efecto de campo
basados en nanotubos de carbono:

32
  Transistores de electrón único
Un transistor SET (Singles-Electron tunneling o transistor de electrón
único) tiene en lugar de 03 terminales, 04: fuente, drenaje, puerta e isla.
Los electrones pasan desde la fuente hasta los drenajes de uno en uno
atravesando mediante efecto túnel las capas de aislante (isla) y su paso
se controla mediante el voltaje que se aplica al electrodo puerta.
 Nanotubos en forma de Y
Se puede conseguir un nanotubo con forma de Y controlando
adecuadamente el proceso de crecimiento. Por ejemplo en la universidad
de South California lo consiguieron mediante el procedimiento de
“chemical vapour deposition”; añadiendo partículas de hierro-titanio
consiguiendo que salgan 02 ramas a partir de otra principal, quedando las
partículas ene l interior de los nanotubos justo en el punto donde se unen
las 03 ramas
Se ha comprobado que la corriente puede ser controlada aplicando un
voltaje a la rama principal, además tiene una ventaja importante no
necesitan integrar nanotubos y silicio en el mismo dispositivos.
 Interruptores
También se pueden construir interruptores nano-electro-mecánicos
(NEMS) usando nanotubos y basados principalmente en fuerzas
electrostáticas que moverían el nanotubo de una posición ON a OFF,
dado el tamaño nanometrico en este caso intervienen (aunque en menor
medida) las fuerzas de Van der Waals (fuerzas resultantes entre la
atracción entre dipolos atómicos).

3.7.4.- Emisión de campo

 Pantallas planas

Es una de las más prometedoras aplicaciones de nanotubos como emisor

de campo. La idea de un display fabricado con nanotubos es muy sencilla:
el cátodo incorpora nanotubos dispuestos con sus puntas orientas hacia
el ánodo y este separado una cierta distancia del primero, se cubre con
un material catoluminisciente que emite luz cuando impactan los
electrones contra él. Controlando electrónicamente el campo eléctrico que
se aplica sobre los nanotubos se produce la imagen deseada.
 Nano tríodos

Un tríodo es un tubo de vacío en cuyo interior hay un cátodo que emite

electrones y un ánodo que los atrae, entre ellos hay una rejilla que controla
el flujo de electrones mediante un voltaje aplicado a esta, por tanto el
tríodo actuaría como un amplificador y un interruptor. El empleo de estos
permitiría fabricar nano tríodos que podrían emplearse como
amplificadores o interruptores de reducido tamaño en MEMS (Micro

33
 Electro Mechanical Systems) o NEMS (Nano Electro Mechanical
Systems).
 Grabado (etching)

Los nanotubos de carbono pueden ser utilizados para el grabado (etching)

de nano trincheras de anchura inferior a los 10nm en obleas de SIO. En
el artículo [20], se describe en procedimiento utilizado en la Universidad
de Pohang de Ciencia y Tecnología de la república de Corea para
realizarlo, donde explica como nanotubos de carbono de pared simple
crecidos por el método de CVD pueden ser utilizados como fuente de
carbono, sustancia que reduce el SIO a su estado gaseoso, obteniéndose
así trincheras con el tamaño y forma de los nanotubos empleados,
pudiendo ser utilizadas estas trincheras para la fabricación de nanocables
con unas dimensiones difíciles de conseguir mediante otras técnicas de
grabado
3.7.5.- Sensores

Los nanotubos de carbono se presentan como una opción interesante para la

fabricación de sensores de pequeño tamaño, portátiles, rápidos y de bajo
consumo. En la siguiente tabla de ofrecer un resumen de la propiedad del
nanotubo que se aprovecha en cada tipo de sensor.

Tabla3. Propiedades de Nanotubos

 Sensores mecánicos
Se utiliza para detectar fuerzas de todo tipo y medir así dichas fuerzas o
bien multitud de parámetros asociados a ellas.

34
 Los nanotubos de carbono pueden ser utilizados como sensores
mecánicos ya que al ser sometidos a una fuerza se producen pequeños
desplazamientos en su estructura atómica y se alteran sus propiedades
eléctricas. Ya que al presiona, retroceder o curvar un nanotubo se
producen cambios en su resistencia, o sea, son piezorresistivos.
En el artículo [21] puede leerse como afectan los defectos del nanotubo
a la sensibilidad de este tipo de dispositivos
 Sensores de emisión de campo
Se ha llamado a los sensores que aprovechan la capacidad de los
nanotubos de carbono de emitir electrones.
Así en el artículo [22] puede leerse como se aprovecha el he hecho que
la corriente de electrones emitidas por los nanotubos varié con la presión
de la cámara en la que se produce la emisión puede ser aprovechado
para desarrollar sensores de presión

3.7.6.- Instrumentación científica

Los nanotubos pueden ser utilizados para mejorar las prestaciones de ciertos
instrumentos científicos. En concreto pueden utilizarse como puntas de las
sondas de microscopios de sondas de barrido y como abertura por la que
circulan las partículas en suspensión de un contador coulter. En cada caso se
aprovecha las propiedades de los nanotubos de carbono expuestas en la tabla
siguiente:

Tabla4. Propiedades de los Nanotubos de Carbono

 Microscopio óptico de barrido de campo cercano (SNOM –

Scanning Near-field opticasl microscope)

Estos microscopios rastrean la muestra mediante un haz de luz que se

emite a través de una pequeña abertura situada en el extremo de la punta
de la sonda, que no es más que una pequeña fibra óptica cubierta con un
metal que refleja la luz y evita pérdidas.
El diámetro de la abertura y la distancia de sonda-muestra tienen
dimensiones similares e inferiores a la longitud de onda de luz que se
emplea, esta distancia es la que determina que la región de trabajo este

35
 en lo que se denomina “campo cercano” de la fuentes emisora de luz
cambia considerablemente respecto al convencional y varia con la
distancia a la fuente. Esto, junto al pequeño tamaño de la abertura,
determina la resolución de este tipo de microscopios la cual es mucho
mayor de la que se obtienen con microscopios ópticos convencionales.
Normalmente estos microscopios incorporan un dispositivos similar a los
AFM, de forma que la punta de la sonda está montada sobre un dispositivo
que vibra a una frecuencia próxima a la resonancia y la interacción con la
muestra hace que se produzcan cambios en su movimiento de vibración
lo que aumenta la escala de resolución pero las sondas tiene diámetros
del orden de los 300nm y esto produce malas resoluciones topográficas
En el artículo [23] se propone añadir nanotubos de carbono en las puntas
para así mejorar la resolución topográfica gracias a su reducido diámetro.

Las futuras aplicaciones de los nanotubos según el mercado y su demanda

Las aplicaciones con mayor mercado potencial y con un mayor desarrollo
son los materiales, la electrónica y los sensores, principalmente los
químicos y biológicos. El elevado mercado potencial de las aplicaciones
en biotecnología y química es debido a las aplicaciones médicas que,
especialmente en el caso de administración de medicamentos, tienen un
futuro prometedor, pero se trata de una tecnología muy inmadura. La
energía también es de esperar que sea una aplicación con un gran
mercado potencial, pero todavía tiene que evolucionar mucho para
conseguir la madurez adecuada. La mecánica, la fotónica y la
instrumentación científica son tecnologías poco maduras y, además,
con menor mercado potencial que todas las aplicaciones mencionadas
con anterioridad.
Como el número de publicaciones que están en constante aumento en las
diferentes regiones del mundo.

Tabla5. Publicaciones hechas por Región sobre

Nanotubos de Carbono.

36
Y también en el crecimiento anual de las patentes sobre nanotubos:

Fig15. Crecimiento anual de patentes sobre Nanotubos

3.8.- APLICACIONES TECNOLÓGICAS DE NANOTUBOS DE

CARBONO
Todas las propiedades que tienen los nanotubos de carbono, como alta
resistencia, capilaridad, además de presentar estructura electrónica única dio
paso al hallazgo de diversas aplicaciones y aún se encuentra en estudio algunas
otras.
Actualmente se siguen desarrollando estudios que implican en los nanotubos a
pesar de algunas limitaciones que aún existen como el alto costo y la falta de
control del proceso de purificación. A continuación se presentara las aplicaciones
que hasta el momento se ha desarrollado:
 Reducción de integrados.- En Nueva York, Estados Unidos, la empresa
IBM anuncio que sus científicos han hecho un avance en la tecnología
para fabricar transistores dando paso a la fabricación de circuitos
integrados comerciales mucho más rápidos y pequeños. Los
investigadores divulgaron que han construido la primera matriz de
transistores hecha de nanotubos de carbono minúsculas estructuras
cilíndricas de carbono, unas 50.000 veces más delgadas que el cabello
humano [25].
 Microfotografías electrónicas de nanotubos.- Los “Carbon Nanotubes
transistor’s” (CNT), son moléculas con forma de tubo con una

37
 configuración tal que le permite constituir un transistor. Viene siendo
estudiado por científicos de IBM; quienes han logrado que los CNT
alcancen una mayor capacidad de conducción de corriente que cualquier
otro transistor de silicio más avanzado. Los prototipos desarrollados en
los laboratorios mostraron excelentes características eléctricas, con
facilidad para encenderse y apagarse y conducir electricidad incluso a
bajos voltajes.[25]
 Nanocircuitos.- diversos grupos de investigación vienen construyendo
con éxito dispositivos electrónicos operativos a partir de nanotubos de
carbono. Estos funcionan a temperatura ambiente con características
eléctricas notablemente similares a los dispositivos comerciales de silicio.
También se ha encontrado que el electrodo de la puerta puede cambiar la
conductividad del canal de nanotubo en un FET en un factor de un millón,
equiparable a los FET de silicio. FET de nanotubo conmutaría sin errar y
consumiendo mucha menos energía que un dispositivo de silicio.
Teóricamente un conmutador a nanoescala, como lo es el de nanotubos,
podría trabajar a velocidades cronométricas de un terahertz o más.[25]
 RAM no volátil.- Se ha ensayado una pantalla de nanotubos depositada
sobre unos bloques de soporte como función de dispositivo de memoria
binaria, con voltajes que fuerzan el contacto entre tubos (estado
"encendido") o su separación (estado "apagado")[25]
 Sensores supersensibles.- Los nanotubos semiconductores cambian de
resistencia de un modo drástico cuando se exponen a álcalis, halógenos
y otros gases a temperatura ambiente. Da ahí la esperanza en lograr
mejores sensores químicos [26].
 Microscopio de barrido de mayor resolución.- Unidos a la punta de un
microscopio de sonda de barrido, los nanotubos pueden amplificar la
resolución lateral del instrumento en factor de diez o más, permitiendo
representaciones claras de las proteínas y otras moléculas [27].

3.9.- NANOELECTRONICA
La nanoelectronica es el punto de reunión donde la física, la ciencia de
materiales, la química, la biología y la ingeniería electrónica se topan
irremediablemente. Los circuitos integrados tradicionales consisten en una serie
de interruptores eléctricos y cables tan pequeños y económicos como sea
posible. Parece muy difícil para la fabricación tradicional de semiconductores
producir circuitos con la exactitud necesaria a escalas atómicas.
La nanoelectronica juega un papel muy importante en salud, seguridad,
movilidad, comunicaciones y entretenimiento. Como por ejemplo los

38
biosensores, bioimplantes, sistemas de navegación y de seguimiento de
vehículos, energías alternativas, sistemas biométricos, baterías, etc.
3.9.1.- Electrónica Molecular.-
Es el estudio de propiedades moleculares que pueden llevar al procesado
de la información. Desde el principio de los años 90 se está dedicando un
gran esfuerzo científico al desarrollo de una nueva electrónica basada en
la utilización de materiales moleculares electroactivos. Estos materiales
son de naturaleza orgánica incluyendo desde moléculas de pequeño
tamaño (10 átomos) hasta polímeros (macromoléculas) y son capaces de
responder a estímulos eléctricos y luminosos de forma similar a los
conductores y semiconductores orgánicos [28].
El acontecimiento que más ha contribuido al desarrollo de los materiales
moleculares electroactivos fue el descubrimiento de los polímeros
conductores (plásticos que conducen electricidad). Nos encontramos por
tanto ante nuevos materiales que nos ofrecen propiedades eléctricas y
ópticas de los metales y semiconductores junto con las atractivas
propiedades mecánicas, las ventajas de procesado y el bajo costo
económico de los polímeros.
En el año 2001 construyeron los primeros circuitos moleculares utilizando
unas moléculas llamadas rotaxanos, capaces de funcionar como un
transistor [29]

3.9.2.- Nanoestructuras Semiconductoras.-

Existen dispositivos tipo diodo y transistor que tienen el potencial de
operar en la escala de los nanómetros, a velocidades ultra altas y con una
densidad ultra alta de circuitos. Algunos de estos dispositivos pueden se
especialmente útiles debido a sus inéditas características de output,
permitiendo realizar operaciones con menos componentes de los usuales.
Estructuras de dimensiones nanoscopicas capaces de confinar electrones
(incluso uno solo) en niveles de energía discretos. Nanocristales de
semiconductores muestran propiedades ópticas y electrónicas que
dependen de su tamaño, esto los hace extremadamente atractivos en
aplicaciones como catálisis, celdas fotovoltaicas, láseres, transistores, etc
[30].

3.9.3.- NEMS y MEMS.-

Una derivación actual de la tecnología microelectrónica es el desarrollo
de MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems) chips de silicio y otros
materiales en los que se integran no solo funciones del tipo electrónico
convencional (microprocesadores) sino también nuevos elementos
funcionales de todo tipo (microsensores, microactuadores, microfludica,
micromotores, microcomponentes ópticos) fabricados mediante técnicas

39
 litográficas y de micromecanizacion por ataque químico anisótropo
similares a las ya conocidas en microelectrónica.
Existen muchas aplicaciones de los biochips, por ejemplo los microarrays
de proteínas que se están introduciendo en el campo de la investigación
en proteomica, permite cuantificar todas las proteínas expresadas en una
célula.
El mercado de los fragmentos que hasta hace poco tiempo se hacía
mediante sustancias fluorescentes ha progresado enormemente
mediante la adopción de una técnica procedente del campo de los
semiconductores y la optoelectrónica [31].

Fig16. Nanogaps controlados fabricados en el IMM-CNM-CSIC

3.9.4.- Interconectores.-
Uno de los principales retos en la fabricación de dispositivos nanoelectronicos
es la conexión entre diferentes componentes.

40
 Tabla6. Candidatos a Interconectores en el nanomundo.

El factor limitante de la tecnología semiconductora actual se debe a la

disipación de energía. Estas disipaciones se aceleran a velocidades de
conmutación elevadas. Esto quiere decir que los electrones no disipan
energía en la nanoestructura.
Dependiendo de los diseños nanoelectronicos y especialmente para la
computación cuántica es importante que se mantengan la coherencia
electrónica.
Dentro de este campo cabría destacar los trabajos en las supramoleculas
unidimensionales conductoras. Los polímeros metal-metal-haluro (MMX)
demuestran interesantes propiedades eléctricas y magnéticas y se
perfilan como una posible alternativa a los nanotubos de carbono [32].
3.9.5.- Nanoestructuras Magnéticas.-
Los dispositivos activos actuales están basados todos en mayor o menor
medida en la carga del electrón que fue descubierto a finales del siglo XIX.
Recientemente hemos aprendido a hacer uso selectivo de los dos canales
de espín. El primer dispositivo espintronico es el cabezal de lectura de
información magnética basado en la magnetorresistencia gigante, el
principio es la diferente tasa de dispersión a que están sujeto los
diferentes canales del espín. Esto hace que la orientación antiparalela de
la imanación en las capas magnéticas presente un estado de resistencia
alta y que la orientación paralela presente j estado de resistencia baja.
Estos dispositivos se encuentran en los cabezales de los discos duros
[33].

41
 Cabe destacar los esfuerzos que se están realizando en:
- Inyección de espín polarizado.
- Transistores de espín.
- Biomagnetismo.
- Nanoparticulas magnéticas.
- Túnel de espín.
- NEMS magnéticos.

3.9.6.- Computación Cuántica.-

En 1948 Claude Shannon define matemáticamente el concepto de
información con su Teorema de Codificación sobre un Canal sin Ruido, su
Teorema de Codificación sobre un Canal Ruidoso y los códigos de
corrección de errores, esto da lugar a la Teoría de la información.

- La información cuántica no se puede copiar con fidelidad perfecta.

- La información cuántica se puede transferir con fidelidad perfecta.
- La medida llevada a cabo en un sistema cuántico destruye la
mayoría de la información contenida en él.
- La información cuántica puede estar codificada en correlaciones no
locales entre las diferentes partes de un sistema físico.

Los requisitos para fabricar un ordenador cuántico son:

- Un sistema físico estable con qubits bien definidos.
- Tiempos largos de coherencia, mucho más largo que el tiempo de
operación de las puertas.
- Un conjunto universal de puertas lógicas.
- Una medida especifica de qubits.
- La capacidad de convertir qubits estacionarios a viajeros.
- La capacidad de transmitir fielmente qubits entre sitios específicos.

Se ha demostrado la fabricación de qubits en tramas de iones, cavidades

de alto Q y RMN en líquidos. Recientemente se ha demostrado
experimentalmente que fotones únicos pueden transferir información
cuántica entre qubits relativamente distantes [34].

42
4.- CONCLUCIONES
 La mejora de los semiconductores para que operen a altas temperaturas,
sin duda es de gran utilidad hoy en día debido a las grandes exigencias
tecnológicas que existen en el sector industrial.
 El uso de los semiconductores en la actualidad es muy común ya que son
bastante importantes en diversos tipos de circuitos electrónicos por eso
es bueno por apostar a seguir mejorando e innovando en este campo.
 Los polímeros producirán uno de los mayores cambios a la electrónica ya
que utilizar un plástico conductor o semiconductor como base de un
circuito o chip ofrece una flexibilidad y posibilidad de manipulación de las
que carecen metales y semiconductores orgánicos.
 Los polímeros intrínsecamente semiconductores que hasta ahora solo se
utilizan en diodos y sensores biológicos permitirán una nueva era de la
electrónica a escala molecular, la nanoelectronica.
 Por sus propiedades, el grafeno puede servir como material en la
fabricación de aviones, satélites espaciales o automóviles, haciéndolos
más seguros. También en la construcción de edificios, pues los convertiría
en más resistentes. Pero, sobre todo, destacan sus aplicaciones en el
campo de la electrónica, donde a través de su capacidad para almacenar
energía puede dotar a las baterías de una mayor duración y un menor
tiempo de carga, establecer conexiones más rápidas e incluso contribuir
a mejorar el medio ambiente sustituyendo a materiales contaminantes que
hoy en día nos vemos obligados a utilizar. Otras Aplicaciones podrían
incluir teléfonos móviles cosidos en la ropa o receptores GPS en los
uniformes de los soldados.
 Es notable el gran avance que supondrá la actual y futura implementación
de los nanotubos de carbono en la electrónica como en el consumo,
tamaño, durabilidad, temperaturas de trabajo, etc.

 El impacto ambiental que puede traer consigo la creciente demanda de

materia prima, lo que afectaría en gran medida a los países en donde se
procese tal material

 Muchas empresas, instituciones y países están invirtiendo en la

investigación de los nanotubos de carbono y su amplio abanico de
aplicaciones.

 Notamos que las aplicaciones de los nanotubos son muy variadas y tienen
muchos resultados positivos en ciertos prototipos que pueden llegar a ser
un gran aporte en la tecnología de nuestra actualidad.

43
  Diferentes grupos de investigación siguen continuamente trabajando en
las otras posibles aplicaciones que podrían tener los nanotubos, no solo
en el campo de la electrónica; sino también en otros rubros como la
biotecnología, la genética, la química, etc.

 La nanoelectronica será sin lugar a dudas la tecnología del futuro. Su

implementación será un proceso gradual, sustituyendo componentes
individuales y eventualmente sistemas complejos de forma íntegra. Las
expectativas son grandes.
 Un segundo campo con bastante actividad es la investigación en los
posibles Interconectores, aquí principalmente los nanotubos de carbono y
estructuras metálicas u orgánicas auto-ensambladas están siendo
investigados.
 A nivel más general no está claro con toda certeza que sean los electrones
el método elegido para procesar información a largo plazo.

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