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Manual de Electronica Aplicada Al Automovil 1 PDF
Manual de Electronica Aplicada Al Automovil 1 PDF
MANUAL DE ELECTRÓNICA
ÍNDICE
ELECTRÓNICA BÁSICA..................................................................................01
·CORRIENTE ELÉCTRICA ...............................................................................02
·ELEMENTOS PASIVOS SIMPLES.....................................................................02
·DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE DOS PUNTOS......................................... 04
·GENERADOR DE TENSIÓN CONTINUA (DC) .................................................. 05
·ASOCIACIÓN DE RESISTENCIAS ................................................................. 05
·LEMAS DE KIRCHOFF................................................................................ 08
·TENSIÓN DE ENTRADA Y TENSIÓN DE SALIDA............................................. 09
·ESTUDIO DE SEÑALES ELÉCTRICAS ........................................................... 10
·ANÁLISIS DE UNA RED SIMPLE .................................................................. 14
·COMPONENTES PASIVOS DENTRO DE UN CIRCUITO ELÉCTRICO .................... 15
·TEORÍA DE SEMICONDUCTORES ................................................................ 18
DIODOS SEMICONDUCTORES ..................................................................... 20
·TERMINALES Y SIMBOLOGÍA ...................................................................... 20
·FUNCIONAMIENTO ................................................................................... 21
·CURVA CARACTERÍSTICA .......................................................................... 23
·LÍMITES DE RUPTURA............................................................................... 24
·ANÁLISIS EN UN CIRCUITO ....................................................................... 24
·TIPOS DE DIODOS SEGÚN SU FUNCIÓN...................................................... 25
·RECTIFICADORES .................................................................................... 25
·RECORTADORES ...................................................................................... 34
·ESTABILIZADORES DE TENSIÓN ...................................................................40
·DIODO ZENER ......................................................................................... 40
·MÓDULOS COMERCIALES ..........................................................................44
TRANSISTORES BIPOLARES ......................................................................... 45
·TERMINALES Y SIMBOLOGÍA ..................................................................... 45
·CRITERIO DE CORRIENTES Y TENSIONES ................................................... 46
·TIPO N-P-N ............................................................................................. 46
·TIPO P-N-P.............................................................................................. 47
·CURVAS CARACTERÍSTICAS ...................................................................... 48
·RECTA DE CARGA..................................................................................... 50
I
CIRCUITOS
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ÍNDICE
II
CIRCUITOS
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ÍNDICE
III
CIRCUITOS
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ÍNDICE
IV
CIRCUITOS
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ÍNDICE
V
CIRCUITOS
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ÍNDICE
VI
CIRCUITOS
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MANUAL DE ELECTRÓNICA
ÍNDICE
VII
CIRCUITOS
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MANUAL DE ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA BASICA
La electrónica es la ciencia y la técnica que trabaja con la tensión y la intensidad
(movimiento de los electrones) en los semiconductores y conductores bajo ciertas
condiciones.
La mayoría de los circuitos electrónicos toman como elemento esencial a los componentes
formados a base de semiconductores. Estos elementos son:
- Diodos.
- Transistores.
- Tiristores.
- Triacs.
En los circuitos electrónicos también existen otros componentes llamados elementos
pasivos que son:
- Resistencias.
- Condensadores.
- Bobinas.
01
CIRCUITOS
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CORRIENTE ELECTRICA
La corriente eléctrica es el desplazamiento de cargas de electrones a lo largo de un
conductor por efecto de la fuerza que ejerce sobre ellas un campo eléctrico.
La intensidad de corriente es la cantidad de carga que atraviesa la sección de hilo
conductor por unidad de tiempo.
La intensidad circula por un hilo conductor cuyos terminales deben estar unidos,
formando un recinto cerrado.
- Resistencias
- Bobinas
- Condensadores
02
CIRCUITOS
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RESISTENCIAS
El comportamiento de estos elementos no depende del tipo de tensión aplicada. Su
relación entre la tensión entre sus terminales y la corriente que fluye de un terminal a
otro viene dada por la ley de Ohm (VAB = I x R):
R: resistencia.
VAB : caída de tensión entre los terminales de la resistencia.
I: intensidad que circula por la resistencia.
BOBINAS O AUTOINDUCCIÓNES
El comportamiento de una bobina frente a una corriente continua de valor constante
es similar a un cortocircuito. El comportamiento frente a una señal variable, ya sea una
señal senoidal, triangular, etc., es diferente al comportamiento frente a una señal
continua constante.
L: inductancia de la bobina.
VAB : tensión entre los terminales de la bobina.
I: corriente que circula por la bobina
03
CIRCUITOS
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CONDENSADORES
El comportamiento de un condensador frente a una corriente continua de valor constante
es similar a un circuito abierto. El comportamiento frente a una señal variable, ya sea
una señal senoidal, triangular, etc., es diferente al comportamiento frente a una señal
continua constante.
El punto situado a mayor potencial eléctrico (con mayor tensión) se marca con un signo
positivo, de la misma manera que el punto situado a menor potencial eléctrico se marca
con un signo negativo. La corriente eléctrica va a circular del punto con mayor potencial
eléctrico al punto con menor tensión eléctrica. Por lo tanto, el punto por donde entra
la corriente es el punto positivo, mientras que el punto por donde sale es el punto
negativo.
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CIRCUITOS
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ASOCIACIÓN DE RESISTENCIAS
Dependiendo de cómo estén situadas las resistencias en una determinada red eléctrica,
se puede simplificar su estudio al agruparlas en una sola resistencia de valor equivalente
al conjunto de todas ellas.
05
CIRCUITOS
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RESISTENCIAS EN SERIE
El análisis eléctrico de la red, calculando las diferencias de potencial, lleva a las siguientes
ecuaciones:
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CIRCUITOS
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RESISTENCIAS EN PARALELO
1 / RAB = 1 / R1 + 1 / R2 + 1 /R3
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CIRCUITOS
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LEMAS DE KIRCHOFF
La aplicación de los principios de continuidad de corriente establece ciertas restricciones,
estas restricciones son conocidas como los lemas de Kirchoff.
I1 + I 4 = I 2 + I 3
En todo contorno cerrado o malla, la suma de las caídas de potencial a lo largo de todos
los elementos del contorno siempre es nula.
Para aplicar el lema se parte de un punto cualquiera de la malla y se recorre todo el
contorno sumando las caídas de potencial a través de todos los elementos que existen
hasta volver al punto inicial. El sentido para recorrer la malla es indiferente. Por ejemplo,
partiendo del punto A :
0 = I x R1 + I x R2 + Vbb + I x R3 - VCC
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CIRCUITOS
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09
CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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V (t ) = A x SEN ( wt )
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CIRCUITOS
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V ( t ) = A x SEN ( wt )
- Para un valor de amplitud (A) de 12 voltios y una fase (wt) de cero grados, el valor
de tensión en ese instante es cero debido a que el seno de cero grados es cero.
- Para un valor de amplitud (A) de 12 voltios y una fase (wt) de 90º, el valor de
tensión en ese instante es 12 voltios debido a que el seno de 90º es uno.
SEÑAL CONTINUA
La señal continua no varía con el tiempo, sólo depende del nivel de tensión o corriente,
es decir, mantiene, aproximadamente, el mismo valor de tensión (o corriente) durante
todo el tiempo.
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CIRCUITOS
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Hay dos posibles valores de tensión o de corriente que puede tomar la señal dependiendo
del instante en el que se encuentre. El periodo y la frecuencia de esta señal se definen
de igual manera que en señales alternas senoidales.
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CIRCUITOS
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Malla eléctrica
I = (Vcc - Vbb ) / ( R1 + R2 + R3 )
VAB = I x R1
VAB = ( (Vcc - Vbb ) / ( R1 + R2 + R3 ) ) X R1
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CIRCUITOS
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- Resistencias.
- Bobinas.
- Condensadores.
RESISTENCIA
Es un elemento que al ser atravesado por una corriente eléctrica en sus terminales se
crea una caída de tensión ( VR = I x R ).
Circuito consumidor
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CIRCUITOS
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BOBINA
Una bobina es un arrollamiento de hilo conductor que al ser atravesado por una corriente
crea un campo magnético.
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CIRCUITOS
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CONDENSADOR
Es un elemento que se comporta como un almacenador de energía cuando a través de
él circula una intensidad. Un condensador está formado por dos placas conductoras
separadas entre sí, una distancia determinada, por un dieléctrico o material aislante.
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CIRCUITOS
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TEORIA DE SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento que se puede comportar como un conductor o como
un aislante. Normalmente el material de fabricación suele ser Silicio (Si) o Germanio
(Ge). Los semiconductores aumentan su conductividad si a su estructura se le añaden
átomos de otros materiales. A la adición de átomos (impurezas) a un semiconductor
se le denomina dopaje de un semiconductor. Hay dos tipos de materiales semiconductores:
- Semiconductores tipo N.
- Semiconductores tipo P.
TIPO N
Se forman mediante la unión de Silicio (Si) o Germanio (Ge), con cuatro electrones en
su última capa denominada de valencia, con impurezas de Arsénico (As), que posee en
su última capa cinco electrones. Al crearse los enlaces entre átomos de Silicio (Si) y
Arsénico (As) queda un electrón libre (carga negativa), que va a ser el que moviéndose
por la red atómica genere una circulación de electrones, es decir, genere una corriente
eléctrica.
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CIRCUITOS
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TIPO P
Se forman mediante la unión de Silicio (Si) o Germanio (Ge), con cuatro electrones en
su última capa denominada de valencia, con impurezas de Indio (In), que posee en
su última capa tres electrones. Al crearse los enlaces entre átomos de Silicio (Si)
e Indio (In) queda un hueco libre (carga positiva), que va a ser el que moviéndose por
la red atómica genere una circulación de huecos o cargas positivas.
La combinación de capas de semiconductores tipo N y tipo P, da lugar a componentes
utilizados en electrónica tales como diodos, transistores, etc. Estos componentes tienen
distintas propiedades y modos de funcionamiento debido a sus diversas técnicas de
fabricación, y a las distintas formas de combinar los materiales semiconductores.
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CIRCUITOS
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DIODOS SEMICONDUCTORES
Un diodo semiconductor es un componente electrónico (fabricado a partir de un material
semiconductor), de dos terminales, que posee una estructura interna caracterizada por
la existencia de una unión P-N. Una unión P-N es la asociación de dos tipos de
semiconductores, uno de tipo N (carga negativa) y otro de tipo P (carga positiva) con
el fin de conseguir componentes electrónicos que puedan funcionar como conductores
o como aislantes.
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CIRCUITOS
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FUNCIONAMIENTO
El comportamiento de un diodo es similar a una válvula unidireccional. El diodo sólo
permite el paso de corriente en el sentido de ánodo a cátodo.
Si la corriente que atraviesa el diodo va en sentido ánodo a cátodo, el diodo está en
directo, y se comporta como una pila de tensión de valor tensión umbral (Vu)
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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CURVA CARACTERÍSTICA
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CIRCUITOS
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LIMITES DE RUPTURA
Los límites de ruptura son los valores máximos permitidos, de corriente y de tensión,
en un diodo. Estos valores vienen representados sobre la curva característica del diodo.
En la curva característica del diodo hay dos limitaciones: una por corriente y otra por
tensión. Si cualquiera de estos dos límites se superan, el diodo se destruye. La corriente
máxima que puede atravesar el diodo en directo se denomina Ifmax; la tensión en
inverso máxima entre ánodo y cátodo que puede soportar el diodo es llamada Vrmax.
ANALISIS EN UN CIRCUITO
En este circuito, si la tensión de entrada es positiva el diodo está en directo, por lo que
la tensión de salida será igual a la tensión que cae en el diodo, es decir, Vu. Mientras
que si cambiamos la polaridad del diodo, se encontraría en inverso (circuito abierto),
y la tensión de salida sería igual a la tensión de entrada.
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CIRCUITOS
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- Diodo rectificador:
RECTIFICADORES.
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CIRCUITOS
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Gráfico del proceso que se realiza sobre la señal de entrada por tramos
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CIRCUITOS
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CIRCUITOS
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En cambio, cuando la tensión de entrada es negativa, los diodos que están en directo
son D3 y D4, y los que están en inverso son D1 y D2, con lo que a la salida se obtiene
la entrada pero cambiada de signo, es decir, se convierte a positiva la tensión de entrada
negativa.
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CIRCUITOS
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RECTIFICADOR TRIFÁSICO
Este rectificador es el mismo que el rectificador de onda completa, pero la señal de
entrada es generada por un alternador trifásico, por lo que en la entrada hay tres señales
superpuestas.
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RECORTADORES
La función básica de un recortador es limitar la tensión en la carga.
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CIRCUITOS
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Variando la posición del diodo, se consigue recortar la señal por la zona contraria; es
decir, en vez de permitir el paso de señal por arriba, lo permite por abajo.
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CIRCUITOS
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ESTABILIZADORES DE TENSIÓN
Para realizar esta función se utiliza un nuevo tipo de diodo denominado diodo Zener.
DIODO ZENER
Es un diodo que permite la conducción de corriente en determinadas condiciones tanto
en un sentido como en el otro. El diodo zener se puede comportar como un diodo normal
si hacemos que trabaje fuera de su zona zener.
Zona zener es la parte de la curva característica en la cual el diodo está polarizado en
inverso pero permitiendo el paso de corriente de cátodo a ánodo. En esta zona la tensión
entre ánodo y cátodo toma un valor negativo constante, esta tensión es la denominada
tensión zener (Vz).
A: ánodo. K: cátodo.
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CIRCUITOS
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El diodo Zener conduce tanto en directo como en inverso. En directo continúa fijando
una tensión Vu, mientras que en inverso fija una tensión mayor denominada tensión
Zener (Vz).
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CIRCUITOS
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Ahora el límite de ruptura en inverso viene determinado por intensidad, ya que no puede
superar el valor de intensidad zener máxima (Izmax), en vez de por tensión como los
diodos normales.
El circuito estabilizador de tensión se realiza mediante un diodo zener, el cual se polariza
en inverso, de manera que fije siempre la tensión zener (Vz).
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CIRCUITOS
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Una tensión está estabilizada en la carga cuando no sufre variaciones ante cambios en
la intensidad (dentro de un determinado rango).
En el circuito del estabilizador, la tensión de entrada sufre variaciones con el tiempo,
pero siempre es positiva; por lo que el diodo Zener está en inverso y fija la tensión de
la carga al valor de Vz.
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CIRCUITOS
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MODULOS COMERCIALES
DIODOS RECTIFICADORES
DIODOS ZENER
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CIRCUITOS
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TRANSISTORES BIPOLARES
Un transistor bipolar consiste en tres semiconductores de tipo P o N, alternados
consecutivamente formando así dos uniones P-N.
Las dos uniones de un transistor dan lugar a tres regiones denominadas emisor, base
y colector. A efectos de comportamiento, un transistor se puede comparar con un
interruptor controlado electrónicamente
E: emisor.
B: base.
C: colector.
E: emisor.
B: base.
C: colector.
Cada zona lleva conectado un terminal. Estos terminales se denominan emisor, base y
colector. La base se corresponde con el semiconductor central, ya sea un transistor P-
N-P como uno N-P-N.
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CIRCUITOS
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Intensidades:
Tensiones:
- Vce : tensión entre el colector y el emisor
- Vbe : tensión entre la base y el emisor
- Vbc : tensión entre la base y el colector
TIPO N-P-N
E: emisor
B: base
C: colector
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CIRCUITOS
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La suma de las corrientes que entran a un nudo son iguales a la suma de las corrientes
que salen del nudo. La suma de caídas de tensión a lo largo de una red es cero.
Ic = Ie
TIPO P-N-P
E: emisor.
B: base.
C: colector.
Este tipo de transistor trabaja exactamente igual que el de tipo N-P-N, pero con la
diferencia de que cambian todos los sentidos, tanto de las tensiones como de las
intensidades.
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CIRCUITOS
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CURVAS CARACTERÍSTICAS
Las curvas características son curvas que referencian el comportamiento del componente.
En el caso de los transistores bipolares hay que analizar dos tipos de curvas.
La primera es la curva característica de entrada, y relaciona la corriente de base (Ib)
con la corriente de colector (Ic).
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CIRCUITOS
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Relacionando la curva característica de salida para todos los posibles valores de corriente
por la base, la curva característica general para un transistor bipolar es:
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CIRCUITOS
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RECTA DE CARGA
El punto de trabajo es el punto que indica la tensión colector-emisor (Vce) y la corriente
de colector (Ic) del transistor bipolar.
Recta de carga es la línea sobre la que se van a situar los posibles puntos de trabajo
del transistor. Sobre la recta de carga tendremos varios puntos de trabajo dependiendo
del valor de la corriente de base (Ib). Para un valor de Ib igual a Ib1 el punto de trabajo
será el Q1.
Para calcular la recta de carga se deben hallar los puntos de corte con los ejes de la
gráfica. Observando el circuito de la figura y su curva característica de salida, la recta
de carga se calculará de la siguiente forma:
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CIRCUITOS
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Vbb = Vbe + Rb x Ib
* Para hallar el punto de corte con el eje de Ic, supondremos que la Vce es igual a cero.
En este supuesto, en el circuito la Ic tiene un valor igual a Vcc / Rc.
* Para hallar el punto de corte con el eje de Vce, se supone que la Ic es igual a
cero. Por lo tanto, la Vce tiene un valor igual a Vcc.
* Se colocan los dos puntos de corte sobre la gráfica, y al unirlos mediante una línea,
se obtiene la recta de carga del transistor.
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CIRCUITOS
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Los posibles puntos de trabajo del transistor estarán situados en las intersecciones entre
la recta de carga y la curva característica de salida del transistor bipolar, dependiendo
del valor de la intensidad de base (Ib).
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CIRCUITOS
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La corriente que atraviesa la base (Ib) del transistor se obtiene analizando la red de
entrada:
Ib = (Vbb - Vbe) / Rb.
Por ejemplo, Ib = Ib1.
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ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
El transistor puede estar polarizado en distintas zonas de funcionamiento. Estas posibles
zonas de funcionamiento son tres: activa, corte y saturación.
FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA
En la zona activa el transistor tiene una corriente de colector (Ic) mayor que cero y
una Vce mayor que un límite de tensión que separa las zonas de activa y saturación
llamada Vcesat. En este caso el transistor se comporta como un amplificador de corriente,
ya que en la salida del circuito circulará una Ic que será la intensidad de entrada (Ib)
multiplicada por un valor constante denominado .
Este valor constante depende del transistor, y su valor viene dado por el fabricante en
las hojas de características.
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CIRCUITOS
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FUNCIONAMIENTO EN CORTE
En la zona de corte, se puede observar que el transistor tiene una Ic y una Ib nulas,
es decir, sus valores son iguales a cero. En este caso el transistor se comporta como
un circuito abierto.
FUNCIONAMIENTO EN SATURACIÓN
El punto característico de la zona de saturación es que la Vce tiene un valor igual a la
Vcesat. Este valor también viene determinado por el fabricante del transistor y suele
aproximarse a 0.2 Voltios. En este caso, el transistor se comporta como un cortocircuito,
es decir, es un interruptor cerrado.
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CIRCUITOS
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LIMITES DE RUPTURA
El transistor bipolar debe trabajar dentro de unos márgenes de tensión, corriente y
potencia.
Todos los valores límite de intensidad máxima, tensión máxima y potencia máxima
dependen de la fabricación del transistor. Sus valores vienen proporcionados por las
hojas de características que suministra el fabricante en los DATA-BOOKS (libro de datos).
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CIRCUITOS
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MONTAJE DARLINGTON
Este montaje consiste en la unión de dos transistores bipolares en cascada dentro de
un circuito. La unión en cascada implica que la salida del primer transistor (Ie1) es la
entrada (Ib2) del segundo transistor.
MODULOS COMERCIALES
TRANSISTORES BIPOLARES NPN
CODIFICACIÓN VCE MAX (V) IC MAX (A) VCE SAT VBE SAT (V) IB SAT (mA)
BFY50 35 1 0,7 1,5 50
BFY51 30 1 1 1,5 50
BFY52 20 1 1 1,5 50
2N3903 40 0,2 0,2 0,85 50
2N3904 40 0,2 0,3 0,95 50
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CIRCUITOS
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TRANSISTORES UNIPOLARES
Los transistores unipolares, al igual que los bipolares, son componentes semiconductores
de dos uniones P-N, pero que se realizan con distinta tecnología de fabricación. Este
tipo de transistores tiene otra nominación que es la de transistores de campo, debido
a que en su fabricación se ha conseguido que la corriente se controle por la acción del
campo eléctrico existente en la unión P-N.
Mientras que los transistores bipolares dan un buen rendimiento a baja frecuencia, los
unipolares funcionan mejor en frecuencias altas.
Dentro de los transistores unipolares existen dos tipos: los JFET (denominados simplemente
FET) y los MOSFET (denominados de forma abreviada como MOS).
TRANSISTORES JFET
Las siglas JFET vienen de Junction Field Effect Transistor, que traducido quiere decir
Transistor de Efecto de Campo.
Este tipo de transistores unipolares se utiliza mucho más que los MOSFET ya que su
fabricación es mucho más barata.
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CIRCUITOS
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SIMBOLOGIA Y TERMINALES
Un transistor unipolar se compone de tres partes semiconductoras: la parte principal
es una barra de semiconductor a la que se le hacen dos hendiduras en su superficie
dándole forma de ‘H’, las otras dos partes son dos capas de material semiconducor que
van colocadas en las hendiduras de la parte principal. La parte semiconductora principal
puede ser de tipo P o N, mientras que las otras dos capas son del tipo contrario al de
la barra principal.
El JFET tiene tres terminales o conexiones que se denominan: puerta (G), surtidor (S),
y drenador (D). Dependiendo de si la barra central es de tipo P o de tipo N, los transistores
JFET pueden ser de canal P o canal N respectivamente. La diferencia entre un tipo u
otro se distingue en el sentido que marca la flecha situada en el terminal de puerta de
su símbolo.
G: puerta.
D: drenador.
S: surtidor o fuente.
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CIRCUITOS
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MANUAL DE ELECTRÓNICA
Ig = 0.
Id = -Is.
Es decir, la corriente que circula por la puerta se supone aproximadamente cero, y se
supone que la corriente que circula por el drenador es la misma que la que circula por
el surtidor pero en sentido contrario.
Debido a la escasa utilización de los JFET de tipo P, sólamente se explicará el criterio
de signos en el símbolo de los JFET de tipo N. La diferencia a nivel de signos entre los
dos tipos, es que todos los sentidos de intensidades y tensiones de los de tipo P son
contrarios a los asignados en los de tipo N.
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CIRCUITOS
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CURVAS CARACTERÍSTICAS
En el caso de los transistores unipolares, al igual que en los bipolares, también se utilizan
dos tipos de curvas características: la de entrada y la de salida.
La curva característica de entrada, relaciona la corriente por el drenador (Id) con la
tensión existente entre los terminales de puerta y surtidor (Vgs).
El punto que determina que un JFET pase de corte a conducción es el valor de la tensión
entre puerta y surtidor. Existe un valor, proporcionado por el fabricante, y llamado
tensión de pinch-off (Vp), que es el que determina el cambio de funcionamiento. Si Vgs
es menor que el valor de Vp, el transistor no conduce; mientras que si el valor de Vgs
es mayor que Vp, el JFET se encuentra conduciendo.
La otra curva característica es la de salida, y en ella se relaciona la corriente por el
drenador (Id) con la tensión entre los terminales de drenador y surtidor (Vds), pero
dependiendo del valor de la tensión entre la puerta y el surtidor (Vgs).
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Cada línea es representada para un valor determinado de Vgs, así la unión de dichas
líneas referencia la curva característica de salida global, esto es, para distintos valores
de tensión entre la puerta y el surtidor (Vgs1, Vgs2, Vgs3, etc.).
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ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
ZONA DE CORTE
ZONA OHMICA
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ZONA DE SATURACION
ZONA DE RUPTURA
Es una zona en la que, por diversas causas, tiene lugar un rápido crecimiento de la
corriente por el drenador, lo que lleva a la ruptura de la unión semiconductora P-N
situada en la parte del drenador. Esta zona también marca un límite en la tensión entre
el drenador y el surtidor (Vds) que no se puede superar, este valor máximo de tensión
se denomina BVds. Esta zona apenas se utiliza, ya que el componente pierde sus
propiedades semiconductoras. Trabajar en esta zona supone hacer funcionar al transistor
con corrientes y tensiones elevadas, lo que puede hacer que el componente se rompa.
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CIRCUITOS
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CIRCUITO AUTOPOLARIZADO
D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor.
Id: generador de corriente constante de valor Id.
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D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor.
Rds: resistencia entre los terminales
del drenador y el surtidor.
TRANSISTORES MOSFET
Las siglas MOSFET vienen de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transitor, que
significa Transistor Semiconductor de Efecto de Campo con Oxido de Metal.
En la actualidad se ha conseguido abaratar la fabricación de este tipo de transistores
unipolares, por lo que están siendo utilizados para sustituir a los tiristores. La razón
fundamental de este cambio es que se controlan por tensión y no hacen falta los circuitos
de bloqueo adicionales que utilizan los tiristores, estos circuitos se verán en el próximo
capítulo dedicado a los tiristores.
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Este tipo de transitores unipolares está fabricado con una barra principal semiconductora
de tipo P o N, y dos zonas transversales de semiconductor de tipo contrario al de la barra
principal. Pero con la diferencia con respecto a los JFET de que la capa superior es de
material dieléctrico (aislante) y aisla el terminal de puerta (G) del resto del componente.
G: terminal de puerta.
D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor o fuente.
Con esta peculiar forma de fabricación se consigue crear un campo eléctrico entre el
terminal de puerta y el material dieléctrico; esto, eléctricamente, equivale a que haya
un condensador entre estas dos partes, lo que provoca que la corriente por el terminal
de puerta sea cero.
G: terminal de puerta.
D: terminal de drenador.
S: terminal de surtidor.
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Como siempre, estos dos tipos se diferencian en que todos los sentidos de corriente y
tensión definidos en un MOSFET de tipo N, son de sentido contrario en uno de tipo P.
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CURVAS CARACTERÍSTICAS
En este caso el valor de tensión que identifica el límite en el cual se pasa de conducción
a corte se llama tensión umbral (Vt). Si Vgs es mayor que este valor, el transistor
M O S F E T e s t á c o n d u c i e n d o ; m i e n t ra s q u e s i e s m e n o r n o c o n d u c e .
La curva característica de salida relaciona la intensidad por el drenador (Id) con la
tensión existente entre los terminales del drenador y el surtidor (Vds).
En esta curva, cada línea continua referencia un valor de tensión entre la puerta y el
surtidor (Vgs) distinto.
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ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Al igual que en los transitores JFET, los MOSFET tienen las mismas cuatro zonas de
funcionamiento.
ZONA DE CORTE
El transistor MOSFET equivale eléctricamente a un circuito abierto entre los terminales
del drenador y el surtidor. Se comporta como un interruptor desconectado, situado entre
los dos terminales.
ZONA OHMICA
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el drenador y el surtidor.
El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión entre la
puerta y el surtidor (Vgs).
ZONA DE SATURACION
El transistor entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión entre el drenador
y el surtidor (Vds) supera un valor fijo denominado tensión drenador-surtidor de
saturación (Vdssat); este valor viene determinado en las hojas características
proporcionadas por el fabricante.
En esta zona el MOSFET mantiene constante su corriente por el drenador (Id),
independientemente del valor de tensión que halla entre el drenador y el surtidor (Vds).
Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor Id.
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CIRCUITOS
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ZONA DE RUPTURA
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra ruptura
hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
En este circuito se sabe que la fuente de alimentación de continua Vdd tiene un valor
en voltios superior al valor de tensión umbral del MOSFET (Vt). Esto implica que el
MOSFET está en zona de conducción, porque Vgs > Vt.
Como la tensión entre la puerta y el surtidor (Vgs) tiene el mismo valor que la tensión
existente entre el drenador y el surtidor (Vds), el transistor unipolar se encuentra
funcionando en zona de saturación. Esto implica que el MOSFET equivale, eléctricamente,
a un generador de corriente continua y constante de valor Id:
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CIRCUITOS
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LIMITES DE RUPTURA
Todos estos valores que marcan los límites de ruptura del transistor unipolar vienen
referenciados en las hojas de características (DATA-BOOK) proporcionadas por el
fabricante.
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TIRISTORES
Un tiristor es un componente electrónico formado mediante la unión de cuatro capas
semiconductoras, dos de tipo P y dos de tipo N alternadas. Un tiristor se puede definir
como un diodo controlado mediante un terminal. El terminal de control se denomina
puerta (G) y tiene como función la de hacer que el tiristor pase a estado de conducción
o directo. El terminal de puerta también se denomina electrodo de gobierno.
TERMINALES Y SIMBOLOGIA
Existen dos tipos de tiristores NPNP y PNPN dependiendo de la combinación de capas
semiconductoras. Los terminales del tiristor se denominan ánodo (A), cátodo (K) y el
terminal de control o puerta (G).
A: ánodo
K: cátodo
G: puerta
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A diferencia de los transistores bipolares, la corriente que entra por el ánodo es la misma
que sale por el cátodo (Iak):
Ia = Ik = Iak
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CURVAS CARACTERÍSTICAS
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La curva característica de salida relaciona la corriente que pasa del ánodo al cátodo
(Iak) con la tensión entre el ánodo y el cátodo (Vak). Para valores negativos de tensión
ánodo-cátodo (Vak) el tiristor se comporta como un diodo polarizado en inverso por lo
que equivale a un circuito abierto entre el ánodo y el cátodo.
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RECTA DE CARGA
El punto de trabajo en un tiristor indica la corriente que circula desde el ánodo hasta
el cátodo (Iak) y la tensión existente entre el ánodo y el cátodo (Vak).
Para calcular la recta de carga del tiristor hay que calcular los puntos de corte con los
ejes Vak e Iak. Analizando las caídas de tensión en la red de salida la ecuación de salida
es:
Vak = Vcc - Iak x R
Haciendo Iak cero y calculando en esta situación la Vak respecto de la ecuación de salida
se llega a la conclusión:
Vak = Vcc
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CIRCUITOS
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De manera análoga haciendo Vak cero y calculando en esa situación Iak respecto de
la ecuacción de salida, se obtiene:
Iak = Vcc / R
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ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
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CIRCUITOS
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Si no se genera corriente por la puerta del tiristor, los cortes de la recta de carga con
la curva característica de salida para un valor de corriente por la puerta (Ig) igual a cero
son tres: Q1, Q2 y Q3.
Hay tres puntos de corte entre las dos curvas, cada punto de corte está situado en una
zona distinta. Para saber qué punto es el correcto hay que tener en cuenta el estado
anterior en el que se encontraba el tiristor. Si el tiristor estaba bloqueado (diodo en
inverso) el punto correcto es el Q1 (bloqueo). Si por el contrario el tiristor estaba en
conducción, el punto correcto es Q3 (conducción). El punto Q2 se desestima porque es
improbable que el tiristor estuviera trabajando en zona de resistencia negativa.
Al generar un impulso de corriente por la puerta la curva característica varía, con lo que
también cambian los puntos de corte entre ambas rectas. Con una corriente de puerta
(Ig) mayor que cero sólo hay un punto de corte Q3 que está situado en la zona de
conducción. Por lo tanto en esta situación el tiristor se comporta como un diodo en
directo.
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CIRCUITOS
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Existen tres puntos de corte entre la recta de carga y la curva de salida que son Q1,
Q2 y Q3 . Como el tiristor, al retirar el pulso de corriente, estaba en conducción, el punto
válido es Q3. Se define corriente de mantenimiento (Ih) y tensión de mantenimiento
(Vh), no explicadas anteriormente, como:
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CIRCUITOS
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El tiristor está trabajando en Q3 por encima del punto Qh, en esta situación el tiristor
está conduciendo independientemente de que se retire o no el pulso de corriente por
la puerta.
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Se plantea un problema cuando se quiere que un tiristor que está conduciendo pase a
corte o bloqueo. La única manera que hay de conseguir el bloqueo de un tiristor, es
conseguir que la tensión entre el ánodo y el cátodo sea negativa o bien que la corriente
que circula desde el ánodo hasta el cátodo sea también negativa. Con esto se consigue
variar la recta de carga hasta zonas de trabajo en las que se comporta como un diodo
en inverso. Para lograr el bloqueo de tiristores hay que situar circuitos adicionales de
bloqueo. Actualmente, este inconveniente está motivando que el tiristor deje de existir,
a medio plazo, y su lugar sea ocupado por los transistores de potencia unipolares.
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LIMITES DE RUPTURA
Como cualquier componente, los tiristores también tienen unos valores máximos
permitidos, a partir de los cuales se destruyen.
Un tiristor puede perder sus características semiconductoras por alguna de las siguientes
causas:
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CIRCUITO DE APLICACIÓN
El siguiente circuito representa una aplicación básica de un tiristor. El generador Eg1
crea el pulso de corriente por la puerta del tiristor, para rectificar la señal alterna de
salida, generada por Eg. La función de este circuito es equivalente a un rectificador de
media onda, pero con la ventaja de que el tiristor (diodo controlado) entra en conducción
cuando se desee.
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TH ON : tiristor en conducción.
f1: fase de disparo del tiristor.
Vak1: tensión ánodo-cátodo en el tiristor.
TH OFF: tiristor en bloqueo.
Ig1: amplitud del pulso de corriente por la puerta.
Iak1: corriente ánodo-cátodo del tiristor.
* En el intervalo de tiempo comprendido entre 0º y la fase f1º el tiristor está bloqueado,
puesto que todavía no se ha generado el pulso de corriente por la puerta (Ig).
El tiristor se comporta como un diodo en inverso y el circuito equivalente en la salida
es:
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En este intervalo la tensión entre el ánodo y el cátodo del tiristor es igual a la tensión
proporcionada por el generador de tensión alterna Eg.
En este intervalo la tensión entre ánodo y cátodo del tiristor es igual a cero, puesto que
está cortocircuitado.
* Desde 180º hasta 360º la tensión Vak, al ser igual a la proporcionada por el
generador de alterna Eg, pasa a valores negativos que fuerzan el bloqueo natural del
tiristor sin necesidad de circuitos de bloqueo adicionales.
Los tiristores suelen ser utilizados en aplicaciones que requieren componentes con unos
límites eléctricos de ruptura muy grandes. El tiristor es utilizado en la industria del
automóvil como un:
- Relé.
- Rectificador controlado.
- Interruptor.
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MODULOS COMERCIALES
TIRISTORES
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La centralita controla, mediante una señal cuadrada, la base del transistor bipolar. El
transistor funciona como un interruptor cuya función es alimentar o desalimentar al
electroinyector. Cuando la señal proporcionada por la centralita está a nivel alto el
transistor entra en saturación, por lo que permite la conducción de corriente eléctrica
y la bobina del electroinyector está alimentada, por lo que el electroinyector pulveriza
gasolina; está pulverizando gasolina tanto tiempo como dure el pulso a nivel alto de
la señal de control de la centralita.
Cuando la señal de control está a nivel bajo, el transistor se encuentra en corte por lo
que impide el paso de corriente. En esta situación la bobina del electroinyector no está
alimentada y además se descarga por medio de Rc. El tiempo de duración del pulso a
nivel bajo es el mismo tiempo en el que la bobina del electroinyector no está alimentada
y no pulveriza gasolina.
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El generador de onda cuadrada emite una señal de control que a nivel alto de tensión
polariza el transistor unipolar en zona óhmica y permite la conducción; mientras que
a nivel bajo de tensión polariza el transistor unipolar en zona de corte, impidiendo la
conducción de corriente.
Cuando la señal está a nivel bajo el transistor está cortado y el condensador se carga
a través de la resistencia R1 con la tensión proporcionada por el generador de tensión
continua Vcc, en esta situación el diodo se encuentra en directo y permite la carga del
condensador. Cuando la señal está a nivel alto el transistor conduce y se comporta como
una resistencia (zona óhmica), con lo que el condensador se descarga a través de ella,
de Rd, de Rs y de la bobina del primario del transformador. Esto es posible gracias a
que el diodo se encuentra en inverso y no permite el paso de corriente a través de él.
En el momento de inicio de la descarga, la bobina del primario no tiene energía. A
medida que el condensador se va descargando la bobina se va cargando con la energía
del condensador, y ésta, a su vez, induce una tensión en la bobina del secundario
provocando un arco voltaíco en los electrodos de la bujía.
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La fuente de tensión que controla el tiristor debe variar entre valores que corten o
disparen el tiristor.
El funcionamiento de este circuito es similar al anterior. Cuando se dispara el tiristor,
éste conduce y el condensador se descarga por medio de Ra, Rk y la bobina del primario;
mientras que cuando se bloquea el tiristor, éste no conduce y el condensador se carga
a través de R1 con una tensión de valor Vcc.
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