Taller IV: Electrónica análoga

2014

Respuesta en frecuencia de amplificadores CJT

Edel Madrid Arroyo

Correo-e: eemadrida@unal.edu.co

Objetivo general: temperatura ambiente equivale a 26mV, e I CQ es la

En este informe se tiene como objetivo estudiar y corriente en el colector en el punto de operación.
analizar experimentalmente el comportamiento y Para el análisis de alta frecuencia de los
respuesta del transistor BJT bajo los efectos de la amplificadores BJT se utilizará el siguiente circuito
frecuencia, éste análisis nos permitirá observar y equivalente de pequeña señal. Este modelo incluye
conocer los rangos bajos los cuales el transistor se capacitancias de dispositivos y da resultados precisos
comporta de cierta forma u otra cuando la frecuencia en una amplia gama de frecuencias.
es variada desde valores pequeños, hasta muy altos
Objetivos específicos:
Con base en el transistor 2N3904 construir los
siguientes circuitos de polarización por divisor de
voltaje y analizar su respuesta en la frecuencia:
 Circuito amplificador de voltaje emisor
común.
 Circuito amplificador de voltaje base
común.
 Circuito amplificador seguidor con emisor
común.
Construir un circuito para el análisis a bajas Donde
frecuencias.
Teoría
Los modelos BJT están diseñados para el análisis en
pequeña señal. Algunos modelos tienen en cuenta las Los circuitos pedidos en la práctica son mostrados en
capacitancias del dispositivo y pueden ser exactos en la parte de simulaciones, en la cual también hay unas
un amplio rango de frecuencias. Sin embargo, los tablas con los resultados teóricos, simulados y
modelos más simples son más fáciles de usar para el experimentales; los simulados se hallan mediante el
análisis de baja frecuencia. Para esta práctica, se uso de software LTspice y los teóricos mediante el
usará un diseño simple conocido como el modelo uso de las siguientes fórmulas halladas con el análisis
híbrido-pi. de los circuitos, donde se escogen los parámetros
mostrados antes de las tablas y se meten en las
ecuaciones dando los resultados mostrados en las
tablas.
Ecuaciones del circuito amplificador de voltaje
emisor común:

Si se conocen beta y el punto Q, el valor de r π se

puede calcular mediante la ecuación:

Donde beta es el hfe del transistor, VT es una

constante que depende de la temperatura y a
 Haciendo el análisis de este circuito nos da los
parámetros mostrados en la tabla siguiente en la parte
analítica, también se muestran los resultados dados
por las simulaciones y los resultados experimentales,
en la última columna está el porcentaje de error
Ecuaciones del circuito amplificador de voltaje
base común

Ecuaciones del circuito amplificador seguidor con Tabla 1

emisor común Circuito amplificador de voltaje emisor común:

Ecuaciones del circuito para bajas frecuencias En este circuito se conecta la fuente de voltaje con su
la resistencia interna en A, se conecta la carga a B y C
se conecta a tierra.
Asumiendo rx = 10Ω, hfe = β = 100, ICQ = 10mA,
VA=100V, Cπ = 12pF, Cµ = 2pF y aplicando las
ecuaciones dadas en la teoría para el amplificador de
voltaje emisor común nos da los parámetros
mostrados en la tabla siguiente en la parte analítica,
también se muestran los resultados dados por las
simulaciones y los resultados experimentales, en la
última columna está el porcentaje de error.
Resultados teóricos, simulados,
experimentales y porcentaje de error
Para empezar, utilicemos la configuración del
siguiente circuito, en el cual, modificando conexiones
de la fuente, la resistencia de carga y la tierra se
pueden formar tres amplificadores de tensión
diferentes: emisor común, base común y emisor
seguidor.
 Asumiendo rx = 10Ω, hfe = β = 100, ICQ = 10mA,
VA=100V, Cπ = 12pF, Cµ = 2pF y aplicando las
ecuaciones dadas en la teoría para el amplificador de
voltaje emisor común nos da los parámetros
mostrados en la tabla siguiente en la parte analítica,
también se muestran los resultados dados por las
simulaciones y los resultados experimentales, en la
última columna está el porcentaje de error.

Tabla 2
Circuito amplificador de voltaje base común

Tabla 4

Para este circuito se conecta el punto A a tierra, el Circuito para bajas frecuencias
punto B con la resistencia de carga y el punto C con
la fuente de voltaje y su resistencia interna.
Asumiendo rx = 10Ω, hfe = β = 100, ICQ = 10mA,
VA=100V, Cπ = 12pF, Cµ = 2pF y aplicando las
ecuaciones dadas en la teoría para el amplificador de
voltaje emisor común nos da los parámetros
mostrados en la tabla siguiente en la parte analítica,
también se muestran los resultados dados por las
simulaciones y los resultados experimentales, en la
última columna está el porcentaje de error.

En los casos anteriores, para el análisis de alta

frecuencia, se consideraron sólo las capacitancias
internas, Cπ y Cμ. Esto es porque estos
condensadores aparecen a través de la ruta de señal
(de la señal a tierra de CA) que forma un filtro de
paso bajo. El filtro paso bajo define la frecuencia de
corte superior.
En este caso vamos a considerar el efecto de los
condensadores de acoplamiento, CB, CE, y CC en la
Tabla 3 respuesta de frecuencia. Cada uno de estos
Circuito amplificador seguidor con emisor común condensadores aparece en la señal de formación de
un filtro de paso alto. Este filtro de paso alto define la
frecuencia de corte más baja.
Asumiendo rx = 10Ω, hfe = β = 100, VA=-100V y
aplicando las ecuaciones dadas en la teoría nos da los
parámetros mostrados en las tablas siguientes en la
parte analítica, también se muestran los resultados
dados por las simulaciones y los resultados
experimentales, en la última columna está el
porcentaje de error.

Para este circuito se conecta en el punto A la fuente Primer observemos el análisis en DC del circuito,
de voltaje, el punto B con el voltaje de alimentación mostrado en la siguiente tabla.
del transistor y el punto C con la resistencia de carga.
 optó por cambiar los implementos y verificar que
tuvieran un buen funcionamiento, mas sin embargo,
los resultados fueron muy similares.
De la tabla 5 se puede observar de nuevo, que el
análisis en DC, tanto experimental como simulado es
muy parecido al teórico y por esto los porcentajes de
error son relativamente bajos.
De la tabla 6 se observa que todos lo valores son
relativamente los esperados a excepción de la
frecuencia de corte, sin embargo, la diferencia no es
tan abismal como en los casos anteriormente
nombrados, por lo que a frecuencias bajas, la
Tabla 5 respuesta en la frecuencia es relativamente parecida a
la simulada.

Conclusiones
Los transistores reales no trabajan a frecuencias muy
altas, lo que limita la teoría.
Las simulaciones y la teoría en la mayoría de los
casos son de gran ayuda porque nos predicen o nos
dan una idea de como deben ser los resultados, sin
embargo, existen casos done no se tienen en cuenta
ciertos aspectos y fallan.
A frecuencias bajas, medias y DC el funcionamiento
de los transistores es muy bueno y corroboran la
teoría.

Tabla 6

Análisis de datos
De la tabla 1 se observa que los valores teoricos,
simulados y experimentados son cercanos por lo que
el circuito en DC funciona muy bien.
De las tablas 2, 3 y 4, el análisis general es que a
excepción de las frecuencias de cortes, los demás
parámetros medidos experimentalmente son
relativamente parecidos y no tienen un error muy
grande con respecto a los valores simulados y
teóricos, en cambio, las frecuencias de corte tienen
unos valores muy distintos a los esperados y por lo
tanto esos errores tan gigantescos, esto pudo deberse
a varias razones, tal vez, las simulaciones hechas por
el software utilizado Ltspice, que aunque tenga y
simule muchas de las características de los
transistores, no las tiene todas y por esto falla con
respecto a los valores experimentales. Por otro lado,
tal vez, la respuesta en la frecuencia de los otros
dispositivos del circuito no son la esperada, haciendo
por ejemplo, que la respuesta en la frecuencia de los
capacitores afecte el resultado final esperado. Cabe
aclarar que en la práctica, al ver que los resultados
con las frecuencias estaban dando tan diferentes, se