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© Del documento, de los autores. Digitalización realizada por ULPGC.
Biblioteca universitaria, 2009

© Del documento, de los autores. Digitalización realizada por ULPGC. Biblioteca universitaria, 2009
COMPONENTES ELECTRONICOS
TOMO 11I
EJERCICIOS RESUELTOS Y PROPUESTOS
DE
- TRANSISTORES BIPOLARES
- TRANSISTORES UNIPOLARES
~ Edición corregida y aumentada
Autor:
José Miguel LOPEZ HIGUERA
Ingeniero de Telecomunicación
por la U.P.M.
Ingeniero Técnico de Teleco-
municación por la U.LA.
Profesor Titular de Universida-
des Laborales.
• Profesor Titular de E.U. en la
E.U.I.T.T. de la Universidad
Politécnica de Madrid.
COMPONENTES ELECTRONICOS • TOMO III
© Autor: José Miguel López Higuera

Madrid, 1.988
Edita el Departamento de Publicaciones de la Escuela Universitaria
de Ingeniería Técnica de Telecomunicación de Madrid.
Crta. Valencia, Km. 7 - 28031- MADRID.
Máquina ofset marca Toko Westy nI! 1800 AWD.
NI! Depósito Legal: M-7461·1.988
I.S.B.N.84-86892-02-3
311 edición corregida y aumentada.
® Prohibida la reproducción total o parcial sin autorización escrita del autor.

PROLOGO
El presente trabajo pretende ser una humilde aportación a la literatura

técnica, en el campo de los Componentes Electrónicos, y una referencia más, a
la que los estudiantes que cursen estudios de Formación Profesional o Ingenie-
ría, puedan dirigirse para llegar a un más completo entendimiento y asimilación
de los correspondientes contenidos.
De todos es conocido que los componentes electrónicos, son las partes o
piezas que forman parte de los circuitos electrónicos. De ello se deduce la
importancia que tiene la correcta SELECCION y UTILIZACION de los mismos,
ya que de su óptimo funcionamiento dependerá el del circuito que dará lugar al
equipo, y siguiendo la jerarquía, el del sistema que se puede formar al agrupar
equipos. Entenderemos pues, que es inprescindible el adecuado conocimiento de
cada uno de los de los componentes, así como de la correcta interpretación de
sus características técnicas más importantes.
Los ejercicios resueltos que se presentan, proceden en su mayoría de los
propuestos por el autor en los exámenes de la asignatura, que desde el año
1977 viene impartiendo ininterrumpidamente en la E.UJ.T.T. del C.E.!. de Alcalá
de Henares; de los pensados expresamente para el presente tomo y de los
cedidos generosamente por el profesor de Electrónica Básica D. Ricardo GAR-
CIA LOPEZ, compañero ejemplar de la citada Escuela y a quien expreso mi
gratitud. Los ejercicios están resueltos explicando ampliamente el proceso
seguido, con el objetivo de que para el alumno resulte fácil de seguir y com-
prender, reduciéndo de esta forma, el esfuerzo empleado para el aprendizaje.
En el presente tomo se presentan un total de 44 ejercicios resueltos y 8
propuestos, ilustrados con 155 figuras, los cuales se distribuyen en tres capítu-
los. El primero está dedicado a transistores bipolares. En él se presentan y
resuelven ejercicios en torno a su Física Electrónica, a sus zonas de trabajo, a
su comportamiento en circuitos simples con otros componentes y con la tempe-
ratura, a sus circuitos equivalentes y se finaliza con selecciones del transistor
óptimo.
En el segundo, se presentan ejerCICIOS, tanto de F.E.T. como de M.O.S.Too
Se resuelven ejercicios sobre sus estructuras, sus regiones de trabajo, sus
circuitos equivalentes, su comportamiento con la temperatura y sobre circuitos
simples con otros componentes.
En el tercero, se proponen ejercicios sin resolver de transistores.
Por último, el autor desea expresar su agradecimiento a todos aquellos
que directa o indirectamente han contribuido a que la presente obra sea reali-
dad. En especial a Jesús Ureña y a Felipe Espinosa por sus sugerencias, así
como a José A. Sánchez, por la mecanografía de los manuscritos y a Camila
Losada por el procesado de los textos de esta 3ª edición.
José Miguel LOPEZ HIGUERA.

DEDICATORIA:
A mis padres, Gabriel y Maria.
INDICE
Páginas
Capítulo I TRANSISTORES BIPOLARES 7 a 123
· Física Electrónica 7 a 27
· Concentraciones
· Parámetros
· Corrientes
· Parámetros y zonas de trabajo 28 a 41
· El transistor en circuitos simples 42 a 54
· El transistor en circuitos con

otros componentes básicos 55 a 77
· Influencia de la temperatura en
parámetros y corrientes 78 a 84
· Modelos o circuitos equivalentes básicos 85 a 93
· Elección del transistor óptimo 94 a 96
· Polarización, estabilidad y amplificación 97 a 123
Capítulo 11 TRANSISTORES UNIPOLARES 124 a 198
. TRANSISTORES F.E.T. 125 a 151
· El F.E.T. Ysus zonas de trabajo 125 a 131
· Estructura del F.E.T. 134 a 138
· El F.E.T. Yla temperatura 138 a 140
· El F.E.T. en circuitos simples con

otros componentes 140 a 151
Páginas
. TRANSISTORES M.O.S.T. 152 a 198
· Estructuras
152 a 160
· De acumulación
· De deplexión 160 a 164
· Su circuito equivalente 164 a 167
· Circuitos con otros componentes y

curvas características 167 a 177
· Inversor C.M.O.S.T. 177 a 181
· De conjunto (polarización y amplificación) 182 a 198
Capítulo III EJERCICIOS PROPUESTOS 198 a 210
. APENDICE 219 a 215
. BIBLIOGRAFIA 216
7
CAPITULO I
- Transistores Bipolares
FISICA ELECfRONICA
. Concentraciones
. Parámetros
. Corrientes
1.- Al polarizar las dos uniones PN indicadas en la figura 1.1,
IT,
---+
T,
fig.l.l
éstas presentan el diagrama linealizado de concentración de portadores, indica-

dos en la citada figura. A la vista de dicho diagrama, responda razonadamente:
a) ¿ Cómo están polarizadas las uniones T 2 - T 1 YT 3 - T 2 ?
b) Calcular la corriente In que circulará por el terminal T 1 .
Datos:
b = 1 micra, a = 10- 3 cm, ~(O) = 1001 ~o
Pn(O) = 2000Pno' Pn(b) = O,
D p = D n = 10 cm 2js, S = A = Jj16cm 2
8
Solución
a.- A la vista de las distribuciones de portadores mostradas en la fig. 1.1,

observamos que en la unión TI - T 2 las concentraciones en x = O se encuen-
tran por encima de la de equilibrio, mientras que en la T 2 - T 3' (x = b), por
debajo. Estos datos nos indican que la unión TI - T 2 está polarizada en di-
recto, y la T 2 - T 3 en inverso.
b.- La corriente In, la podemos calcular según la expresión:
In = I~(O) + 1<4(0) (1)
Sabemos que:
(2)
dx
dPn(x)
e (3)
dx
A la vista de las distribuciones de la fig. 1.1 podemos escribir:
d"J,(x)
dx Ix = O
Y
dPn(x)
(Pn(o) - Pn(b)) / b
Ix = O
dx
Que al sustituir en las expresiones (2) y (3) Y éstas en la (1) y calcular

nos queda:
In = 1 {lA + 1 mA
Esto es:
IT 1 = 1,001 mA
-0000000-
9
2.- Se han conectado dos pilas, un resistor y un transistor bipolar tal y

como se indica en el circuito de la figura 2.1
r-----. r--------,
I B R Al
ITAmb.
13~K r-~I~~~-{==}-:;'T---'
I
I I
I
I I
I I
IL.... T ..JI
I I Vc = 4 0 V.
I I
L __ _-.J
VS = O, 4 V.
fig.2.1
El resistor R es una pastilla de silicio de área transversal 0,01 cm 2 y

longitud 1,12 cm. La pastilla está dopada con una concentración de 101 6 cm- 3
átomos donadores y se dispone de las gráficas de la figura 2.2.
....
'0000 .000
100
--
6000 .: 600 N....=lO 14 c m ' )
r 4000 '~ 400
~=101'
r--- -.......
::---
>
<, No=10 '4cm- J > ro- t--
~ 2000 "'E 200 r-- t- N,.,=10" r--- ;;:-
a,
~N°I~ ¡-..... N A =10 11
¡--;=::
~
~
1000 ~ 100
o •O
600
RO-lO"
600 ~ 60
.
~
~
o
400
NO:::' 10 11 , r-- o O
-
o N.... z 10'9
o
a
::;
t-~
r-- t--. o
O
200
5
%
~0"01.. 1-- o
%
.00 1O
-'0 so 100 150 200 -.0 50 100 150 200
TEMPERATURA c ci TEMPERATURA (! e)
'0"
V V
J / ./
/
V /
V
2 10' 6
V
'"-¡;
R
o
V o
a.
¡-
/
V -
o;- 10 11 ID' s
V V
E
u
- r -
e
10 .0 4 /
V
.0•
! -
10 13
¡- -
"10 690 750 810 870

10
Las corrientes de emisor y colector del transistor siguen las ecuaciones:
lE = - lEO ( e VBdVI - 1 ) - 36/ 41. le (Amp.)
(Amp.)
En los que: VI = KT/q
Del transistor se conocen, además, las siguientes especificaciones:
E.1: Ganancia estática de corriente f3 F = 40
E.2: Corriente inversa de saturación del emisor con el colector en circuito

abierto: 0,9 nanoamperios.
Se pide:
a) Resistencia del resistor R a una temperatura de 87 "C,
b) Los parámetros del transistor a R, a F e leo.
c) Tensión V BA en bornas de la resistencia R a la temperatura de 87 "C,
Solución
a.- La resistencia del resistor R se puede calcular por la expresión:
R(T) = p(T). (L/S)
Como tanto L como S son conocidos, si determinamos p(T) tendremos el

valor de la resistencia R.
Sabemos que:
11
De las gráficas ni = f(T) de la fig 2.2, deducimos que a la concentración

intrínseca a 87 "C vale aproximadamente 1012 cm- 3 , Como la concentración
de átomos donantes es de N D = 1016 , podemos afirmar que:
Resultando, aproximadamente:
De lo que deducimos que ~o > > Pno' por lo que se puede escribir:
p(T) = 1/ (No' q , ¡.m)
Vamos a la gráfica J-ln(T)I Y con no 1016 cm -3 y T 87 -c, deter-

N
minamos que: o
2/V.S
J-l n "" 700 cm
Con todos estos datos, ya podemos determinar el valor de R, resultando:
R (87 "C) = lOO Ohmios
b.- Sabemos que las expresiones de Ebers-Moll se pueden escribir:
Al identificarlas con las dadas en el enunciado, deducimos:
Como sabemos que la expresión del parámetro f3 F es:

12
Por lo que:
Introduciendo el valor de f3 F = 40 Ycalculando, resulta:
De la especificación E.2 se desprende que:
lEO = 0,9 nA
Aplicando el teorema de Reciprocidad:
Calculando:
c.- A la vista del circuito de la fig. 2.1 se deduce que la unión BC se

encuentra inversamente polarizada. Supongamos que se cumple que D(Bd = -L
En este supuesto, la corriente que circulará por el colector será:
y como
Y, además, a 87 -c el factor VI vale:
VI = KT / q = 0,03096
13
Sustituyendo y calculando resulta:
IC = 2,5 mA
Por lo que:
Calculando resulta
VBA = -250 mV
Obtenido este resultado, hemos de comprobar que el supuesto es cierto:
Sustituyendo los valores obtenidos anteriormente.
V BC = 0,4 - 40 + 0,25 = - 39,35 V
Resultado que confirma, holgadamente, el supuesto.
-0000000-
3.- Un transistor bipolar se ha polarizado según se indica en la figura 3.l.

Debido a la polarización, el transistor presenta un diagrama de portadores
minoritarios tal y como se presenta en la figura 3.2.
Fig.3.1
14
r PORTADORES I cm'
I
I I
I I
lE I I le
---+ I 1......-
0--1 ~-o
E I I---------J e
I
I
I
w, x
B
Fig.3.2
Las rectas en trazo continuo fmo son tangentes a las curvas de distri-
bución de minoritarios en los puntos de las uniones.
En base En emisor En colector
Peo = 104 cm- 3
KT/q = 0,026 V
2/s
Wz = 18 ¡Jm D pe '" 13 cm
n 1 = 4,6 . 1014 cm- 3
Tiempo efectivo de vida media de los

electrones en base:
T'nb = Tnb = 0,5 ¡JS
15
En las condiciones del enunciado, determine:
a) Tipo de transistor
b) El módulo de la corriente Ilpe(O) I debida a los huecos en el emisor en

el punto de la unión.
c) El módulo de la corriente Il..e(O) I debido a los electrones en el emi-
sor, y calculada en la unión.
d) Valor de la corriente ( con signo) en el emisor. lE'
e) La corriente que entra por el colector. le-
f) La corriente que entra por la base. lB'
g) La tensión de polarización. V i-
h) El parámetro a F •
i) La corriente lES
j) La longitud de difusión de los huecos en el emisor Lpe'
k) La corriente, en módulo, de recombinación de electrones en la base

(utilizando el modelo de control de lo carga), en el supuesto de que la curva
de minoritarios fuese una línea recta y que pasase por los mismos puntos de
las uniones que los expresados en la figura 3.2.
Solución
a.- Según el enunciado, las distribuciones de portadores de la figura 3.2,

son de minoritarios, por lo que el emisor será tipo N, la base del tipo P y el
colector N. Se trata, pues, de un transistor:
NPN
b.- La corriente de huecos en el emisor, Ipe• la podemos calcular como

corriente de difusión, a través de la expresión:
dx
16
y que en x=O se puede escribir:
Pe(O) - Peo
Sustituyendo los valores:
Ipe(O) = -13 .1,6.10 -19.10- 2 . [(e 2 0 - 1)/36 .10- 4].104
Calculando:
Ipe(O) = -28,03 JlA
Luego:
c.- Como suponemos que en la zona de transición de lo unión base-emisor

existe un total vaciamiento de portadores, la corriente ~e (o) se puede calcular:
Así que:
Que, en la unión x = O, se puede escribir:
Sustituyendo valores y calculando, resulta:
Luego:
I~e(O) I = 15,09 mA
17
d.- Sabemos que la corriente en el emisor lE se puede escribir:
lE = -15,11 roA
Resultado que nos dice que la corriente del emisor sale por el citado
terminal.
e.- La corriente por el colector se puede expresar:
Situando el punto x = Oen la unión base-colector.
Calculemos cada una de las componentes:
Por ser cero el gradiente de concentración en x = O.
Sustituyendo valores:
ly,e(O) = 35 . 1,6 . 10- 19 . 10- 2 . ( -(4,6 .1014 - 106)/19 .10- 4 )
Calculando:
ly,e(O) = -13,55 roA

Por lo que:
le = + 13,55 roA
Cuyo signo indica que es una corriente que entra por el colector.
18
f.- La corriente de la base la calcularemos de la relación:
Sustituyendo y calculando:
lB = 1,56 mA
La cual entra por la base.
g.- Por la ley de la Unión, la concentración de huecos minoritarios en

x = Ovale:
Pe(O) = Peo . e
v 1 IV I
, en que VI = KT/q
De donde deducimos:
Sustituyendo valores y calculando:
V 1 = 0,52 V .
h.- Las ecuaciones de Ebers-Moll, particularizadas para el transistor NPN,

conectado según se indica en la figura 3.1, serán:
Dividiendo la segunda por la primera nos queda:

19
Sustituyendo los valores obtenidos anteriormente:
QF = -(13,55/-15,11)
Calculando:
QF = 0,896
i.- El parámetro lES lo POdemos calcular de la relación:
lES = 3i,14 pA
j.- La distribución de minoritarios en el emisor se puede escribir:
_ , () x/Lp e
Pne(x) - P nO. e + Pno
Cuyo gradiente en x = Ovaldrá:
X<O
....------t------r-O
fig.3.3
20
Si prolongamos la recta tangente a Pn(x) en x = O,nos quedará la fig.3.3,

de la cual deducimos que la distancia desde x = Oal punto en que corta a la
concentración en equilibrio es, precisamente, Lp e ' Así pues , el dato pedido se
deduce directamente de la figura 3.1.
k.- Según el enunciado, la distribución de minoritarios será el de la
fig.3.4.
fig.3.4
Por el modelo del Control de la Carga, la corriente de recombinación de

electrones en la base se puede escribir:
(1)
En que Onb es el exceso de carga, debida a los minoritarios en la base y

que vale:
Q"" ~ q. '" J{.<X) dx

cuya integral representa el área entre la curva nb(x) Y nbo' Por ello se
puede escribir:
Onb = q. S¡,.
2
21
Sustituyendo en (1) y calculando, resulta:
I r nb = 1,47 mA
-0000000-
4.- Se sabe que, en un transistor bipolar, se denomina eficiencia del
emisor ("Y ) al cociente entre la corriente de portadores inyectados por el
emisor en la base y la corriente total del emisor. Así mismo, se conoce como
factor de transporte QT al cociente entre la corriente de portadores mayorita-
rios inyectada por el emisor en la base y que llega al colector, y la inyectada
en base.
Las distribuciones de portadores minoritarios en el transistor son las
expresadas en la figura 4.1.
E e
fig.4.1
Se pide:
a) Tipo de transistor
b) Calcule literalmente:
b.1.- La eficiencia del emisor ( "Y).
b.2.- La corriente de recombinación en base (Irb) y el factor de

transporte.
22
e) Sabiendo que el parámetro QF de un transistor se define por el pro-

ducto QF = QT • 't , conteste al interrogante: ¿Qué condiciones deberá reunir
un transistor que presente un alto valor del parámetro f3 F ?
Solución
a.- Como los portadores minoritarios de base son huecos y los del emisor
son electrones, podemos afirmar que se trata de un transistor
PNP
b.l.- Según el enunciado, los portadores inyectados por el emisor en la

base son huecos y se dará lugar a la corriente Ipe' La otra corriente de emisor
es debida a los electrones extraídos de la base que se difundan en el emisor y
que podemos escribir ~e' La corriente total de emisor se puede calcular como
corrientes de difusión en la unión de base emisor, esto es:
Por lo que:
-y=-----
Ipe(O) + ~e(O)
Pasemos, pues, al cálculo de las corrientes.
dne(x)
~ed(O) = q. S . Dnb • - - Ix = O
dx
23
Las derivadas son las pendientes de las curvas en x = O, por lo que:
- q . S . D pb' [-( Pb(O) - Pbo) / Wb ]
ne(O) - neo
I.teiO) = q . S . D ne .
Lne
Efectuando el cociente y simplificando obtenemos:
1
-y=
1+
D pb . pbo . Lne
b.2.- A la vista de que el perfil de minoritarios en base está idealizado,

podemos escribir:
Ipc(O)
QT = -- =
Ipe(O)
r q . S.p·,(x) dx
Integrando:
Por lo que:
1
W2
b
1+
24
Como: Lpb = J Tpb' D pb ,nos queda:
c.- Sabiendo que:
Sustituimos los resultados obtenidos anteriormente, y nos quedará:
1 1
1+ 1+
y como el parámetro fiF de define:
Deducimos que para conseguir altos valores de fiF habremos de obtener G:F
próximos a 1, por lo que podemos contestar:
. neo < < Pbo ( emisor mucho más dopado que la base)
( anchura de la base mucho más pequeña que las

longitudes de difusión de los electrones en emisor
y de los huecos en base. )
-0000000-
25
5.- Se ha fabricado un transistor bipolar, del cual se conocen los siguien-

tes datos:
Concentración de portadores minoritarios:
Coeficientes de difusión:
D pb = 25 cm 2js',
Tiempos de vida media:
Areas transversales:
Anchura de la base:
Determine:
a) Tipo del transistor.
b) Sus parámetros a R, a F
c) Sus parámetros lES' les
d) Corriente que circulará por el colector, si se polariza en inverso con

una tensión de 2 V de la unión C - B Y por base se inyecta una corriente de
-1 J.lA
26
Solución
a.- Los minoritarios en el emisor son los electrones, en base los huecos y
en el colector son los electrones. Se trata, pues, de un transistor:
PNP
b.- Efectuando el estudio de la estructura PNP en cuestión, se deduce
que:
1
1+
y
1
1+
Sabiendo, además, que las longitudes de difusión de los minoritarios en el

emisor y el colector se pueden calcular a través de las relaciones:
QR = 0,97
c.- Se puede deducir que las corrientes lES e les tienen por expresiones:
D pb . q . Se . Pbo Dne . q . neo' Se

lES = -
Wb ~e
e
D nc . q . Sc . nC o D pb . q . Sb . Pbo
les = -
~c Wb
27
lES = -0,40 nA
les = -0,411 nA
d.- Sabiendo que la corriente de colector en función de la de emisor se
puede escribir:
y que:
Podemos deducir que:
En la que:
QF
fJ F = -- = 99
1- QF
y como la unión colector base se encuentra polarizada en inverso, y,

suponiendo que la temperatura ambiente es de 300 0K, se puede escribir:
le = -99 jjA
28
PARAMETROSYZONASDETRABAJO
6.- Calcular, a partir de las ecuaciones de Ebers y MoIl, la tensión VEB

necesaria para situar al transistor en la zona de corte (lE = O) Y la unión C-B
en inversa y de valor elevado en los casos siguientes:
a) Para un PNP cuya a F = 0,9
b) Para un NPN cuya flF = 19
Solución
La corriente de emisor se puede escribir:
a.- Para un PNP
les < O
b.- Para un NPN
les> O
Por el enunciado, los términos D(CB) D(BC) valen -1 y la corriente

lE = O, luego:
= - aF
D(EB) = -aR les/lES
D(BE) = -a F en que: a F = flF j (fl F + 1)
Así que para el PNP:
V EB = (KTjq) . Lo ( 1- a F )
29
V EB = -0,06 V
Para el NPN:
VBE = (KT/q). Ln (1- f3 F / (f3 F + 1»
V BE = -0,0778 V
-0000000-
7.- Un transistor tiene una lE = 2 mA, Yuna le = °

Calcular VEB YVe B Ydecir en qué zona de trabajo está.
Datos: Ileo I = 2 p.A; crF = 0,98;
Solución
Como en el enunciado no se especifica el tipo de transistor, podemos

considerar dos casos:
a) Que el transistor sea PNP
b) Que sea NPN
a.- Sabemos que:
(1)
(2)
En las que leo e lEO son negativas.

30
Por enunciado Ic = O. De (1) y (2) podemos deducir:
VEB = 0,026 Ln ( 1 - 2.10- 3/(-1,6.10- 6 ) )
y
VCB = 0,026 Ln (1- 0,98.2.10- 3/(-2.10- 6) )
Calculando:
VEB = 180 mV
VCB = 179mV
Como las dos uniones se encuentran en directo, podemos decir que el

transistor se encuentra en la región de saturación.
b.- Siguiendo el mismo camino que en "a" y, considerando que en el NPN

lEO e Ico son ambas positivas, podemos deducir:
VBE = 0,026 Ln ( 1- 2.10- 3/1,6.10- 6 )

y
VBC = 0,026 Ln ( 1- 0,98 .2.10- 3/2.10- 6 )

31
A la vista de estas expresiones, vemos que, si lE > lEO y QF lE > leo,

tendríamos que calcular el logaritmo de un número negativo y, ésto, sabemos
que no es posible. De ello se deduce que el caso del enunciado no se puede dar
en un NPN.
-0000000-
8.- En un transistor NPN de parámetros:
QF = 0,98; QR = 0,5; leo = 20 p.A;
calcular las corrientes lE' lB' le> cuando V BE = 0,12 V Y V Be -1 V, a

0K
T = 300
Solución
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor NPN se pueden escribir:
le = QF les D(BE) - les D(BC)
A 300 °K elfactor KT jq = 0,026 V, parlo que D(BC) = -1
Del teorema de la Reciprocidad podemos deducir:
Por lo que, sustituyendo valores y calculando, nos resulta:
lE = -2,019 mA
le = 2,003 mA
32
y recordando que:
Calculando:
-0000000-
9.- Un transistor PNP trabaja con uniones E-B y B-C polarizadas con
tensiones V BE Y V BC positivas y elevadas. Hallar las corrientes lE' lB' le,
sabiendo;
Ilcol = + 5 J.LA; llEOI = + 3,57 J.LA; QF = 0,98
Solución
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor PNP se pueden escribir:
lE = -lES D(EB) = QR les D(CB)
le = +QF lES D(EB) -les D(CB)
Como las uniones están polarizadas en Inverso, y con valores elevados, se

cumplirá:
(1)
(2)
Utilizando el teorema de la Reciprocidad, obtenemos:

33
y, por definición:
les = leo /.( 1 - a R a F)
lES = lEO / ( 1 - aR a0
Como el transistor es PNP, los parámetros
les, lES' leo e lEO' Son negativos,
así que, sustituyendo, resulta:
les = -15,87 Jl-A
Sustituyendo, finalmente, en (1) y (2), Ycalculando, obtenemos:
le = -4,766 Jl-A
La corriente de base la calcularemos por:
Calculando:
Comentario
A la vista de los signos de las corrientes, podemos afirmar que las co-
rrientes de emisor y colector son salientes y la de base, entrante.
-0000000-
34
10.- ¿Qué valor debe tener VeB en un transistor PNP, donde
QF = 0,9; QR = 0,7; Ileol = 0,1 mA
a la temperatura de 300 0K, para que la corriente de colector sea nula? Indi-
car las polarizaciones de las dos uniones.
Solución
Podemos escribir:
Como le = 0, no quedan:
(1)
(2)
Recordando que los leo e leo son negativas, y que esta última se puede
escribir:
Podemos sustituir en (1) y (2) los valores correspondientes, y resulta:
V EB = 126,47 mV
VeB = 117,']jI, mV
Considerando que el transistor es PNP y a la vista de los resultados,

podemos decir que ambas uniones se encuentran directamente polarizadas, por
lo que el componente se encuentra en la zona de saturación.
-0000000-
35
11.- En el montaje de la fig. 11.1 se efectúan a la temperatura de 300 °K

las siguientes medidas:
"a" en posición 2, "b" abierto, lE = -4,382 roA;
"b" cerrado: le = 20,867 roA e lE = -21,076 roA
Calcular:
a¡t,
b) La V EB necesaria nara situar al
transistor en zona de corte (lE = O),
con V eB grande e inversa.
fig. 11.1
Yo.,v
Solución
a.- Del enunciado se deducen los circuitos de las figuras 11.2, 11.3;
IE=-4.382mA
....-
4--
le =20,86 mA
fig.11.2 fig.11.3
De la figura 11.2 se desprende que:
(1)
Despejando y sustituyendo:
lEO = 4,382 . 10-3 / D(0,2)
Calculando:
36
De la figura 11.3 se deduce:
(2)
e
(3)
De (2) se despeja:
lES = -r, / D(BE)
lES = 9,62 p.A
Dividiendo (3) entre (2), deducimos:
Recordando que por definición:
Despejando crR, nos queda:

37
Sustituyendo los correspondientes valores y calculando, resulta:
Con los parámetros ya calculados, y aplicando el teorema de Reciprocidad,

se puede deducir:
Sustituyendo valores.y calculando, resulta:
les = 11,89 J.LA
e
leo = 2,475 J.LA
b.- Podemos escribir:
lE = - lES D(BE) + a R les D(BC)
Con D(BC) = -1 e lE = 0, podemos deducir:
VBE = (KT /q) . Ln ( 1- a R les/lEs)
Sustituyendo valores y calculando, deducimos que:
V BE = -0,119 V
-0000000-
38
12.- En un transistor se hacen las medidas indicadas en las figuras.
/IC/ = 1000/37 ¡;A
fig. 12.1 fig.12.2 fig.12.3
Calcular los valores de:
Solución
De las figuras se desprende que las tensiones V l' V 2' V 3 polarizan en

inverso las correspondientes uniones. Suponiendo que las citadas son lo sufi-
cientemente grandes para considerar que los correspondientes términos expo-
nenciales (D(V» valgan -1, podemos deducir:
De la figura 12.1;
12.2; le = les = -1000/37 ¡;A
12.3; lE = lES = -7000/37.9 ¡;A
Sabemos que el teorema de Reciprocidad y que ( por definición ) lEO se

pueden escribir:
e
39
De las que se puede deducir que:
Sustituyendo valores y calculando, obtenemos:
leo = -10 JJA
-0000000-
13.- A un trasistor NPN, a una temperatura tal que VT 0,015, se le han

realizado las medidas indicadas en las figuras 13.1 y 13.2.
Posteriormente, el componente citado se conecta según se indica en el

circuito de la figura 13.3, de forma tal que VBE = 0,15 V.
15
20= Ve
lE =-1,3 mA
IB=O,025mA
fig.13.1 fig.13.2 fig. 13.3

40
Calcule:
a) La corriente de colector le
b) La tensión VeB
Solución
a.- A la vista del circuito de la fig. 13.3, podemos suponer, en principio,
que D(BC) = -1, con lo que se puede escribir:
(1)
Luego, hemos de calcular f3 F , lB e leo. Veamos:
Observando el circuito de la figura 13.1 podemos formular:
Sabemos que:
Luego:
f3 F = 51
Viendo el circuito de la figura 13.2, podemos deducir:
le = leo = 8j.lA
41
Siguiendo la correspondiente malla del circuito de la fig, 13.3, se puede

escribir:
Luego:
Sustituyendo y calculando resulta:
Introduciendo los valores obtenidos en (1) y calculando, resulta:
IC = 2,966 mA
b.- Del circuito de la figura 13.3 se desprende que:
De donde:
V CB = 20 - 0,15 - 1,5 . 2,966
Calculando: V CB = + 15,401 V
Este resultado nos confirma el supuesto planteado en el apartado a.
-0000000-
42
EL TRANSISTOR EN CIRCUITOS SIMPLES
14.- Para el transistor de 1". figura 14.1, f3 = 49;
Ilcol = 5 jjA; VEB = 0,4 V; T = 300 °K
- 20 v.
500 K 4K
fig. 14.1
Calcular en el circuito citado Ic YVCE
Solución
El circuito de la figura 14.1 se puede dibujar según se indica en la figura

14.2.
Re
Re
fig.14.2
43
Suponiendo que D(CB) = -1, se puede escribir:
(1)
y observando el circuito, se deduce:
(2)
Operando con (1) y (2) se obtiene:
VEB - Ve + leo (f3 F + 1). (RB + Re)
R B + Re (f3 F + 1)
le = - 1.552 mA
De la malla de salida se desprende:
(3)
Determinando lB por (1) resulta:
lB = -26,57 jJA
Sustituyendo en (3) y calculando, deducimos que:
VeE = -13,68 V
-0000000-
44
15.- A un transistor se le efectúan, a la temperatura de 300 °K las

medidas indicadas en las figuras 15.1 y 15.2.
Calcular:
A continuación, se monta dicho transistor según el circuito de la figura
15.3.
- l_JIE= -0,016mA
le =0,02mA
20V.
20 V.
1
le =0,216 mA
fig.15.1 fig.15.2
9V.= Ve
6V. = Va
fig. 15.3
Hallar 16 VCE Y VBE con el interruptor I abierto y VCE e Ic con

el interruptor cerrado, considerando en este caso VBE = + 0,125 V
45
Solución
Observando la figura 15.2, se deduce que:
le = les = 0,02 roA

e
De donde:
De la figura 15.1 se desprende que:
y que:
(1)
En la que:
(2)
e
(3)
Introduciendo (2) Y(3) en (1) y despejando QF obtenemos:
(4)
46
0F = 0,98
y
f3 F = 49
Aplicando Reciprocidad, deducimos:
(5)
(6)
Introduciendo valores en (3), (5) y (6), Ycalculando, resulta:
leo = 4,32 ¡.¿A
lES = 16,32 ¡.¿A
lEO = 3,52 ¡.¿A
b.- Considerando dos casos:
b.l.- Con el interruptor I abierto
b.2.- Con el interruptor I cerrado
b.l.- En este caso, el circuito a considerar será el de la figura 15.4
VC=9
fig. 15.4
47
En este caso se cumplirá:
D(BC) = -1,
Por lo que:
Introduciendo valores y calculando:
I C = 0,216 roA
De la malla de salida se desprende que:
V CE = 8,136 V
Para calcular V BE' podemos escribir
De donde se puede deducir:
Calculando resulta:
VBE = 67,22 mV
48
b.2.- En este caso, el circuito puede quedar (fig. 15.5)
le
ir- L......-......
B
E
Ve
fig. 15.5
Del citado, se puede deducir:
Sustituyendo y calculando, resulta:
lB = 35,606 ¡.LA
Suponiendo que D(BC) = -1, se puede escribir:
Sustituyendo y calculando, obtenemos:
le = 1,96 mA
De la malla de salida, se deduce:

49
V CE = 1,16 V
Comprobemos el supuesto:
VCB = VCE - VBE = 1,16 - 0,125 = 1,035 V
Como resulta que VCB > > KT/ q = 0,026, el supuesto es correcto.
-0000000-
16.- Sabiendo que QF = 0,98 e Ilcol = 10 J1.A, calcular en el circuito de

la figura 16.1 las corrientes y tensiones del transistor. Tómese VEB = 0,6 V.
Re
200K
20V= Ve
fig. 16.1
Solución
De la malla de base se puede deducir:
(1)
50
Suponiendo que D(BC) = -1, podemos escribir:
(2)
En la que:
Operando con (1) y (2) deducimos:
en la que leo < O
lB = -43,5 pA
Introduciendo este resultado en (2), y calculando:
le = -2,626 mA
La corriente lE la obtendremos por la relación:
Calculando:
lE = 2,669 mA
Pasemos a continuación a calcular las tensiones y a comprobar la veraci-

dad del supuesto utilizado.
De la malla de salida se puede deducir:
y del transistor:
51
VEC = 9,32 V
VCB = - 9,924 V
Con este último resultado, queda comprobada la certeza de! supuesto.
-0000000-
17.- En la figura 17.1 e! transistor trabaja con VCE -4 V Y las curvas

de salida se dan en la figura 17.2.
Sabiendo que Ilcol = 2,1 J.LA, llEOI = 1,5 J.LA, T = 300 °K

Calcular:
a) Las corrientes lE' lB' Ic
b) Los valores de,8, QF Y QR
e) El valor de VEB y zona en que está funcionando el transistor.
-Ic(mA)
5 IS=-SOpA
VCC=12V.
4 1s= - 40pA
J IS=-JOpA
2 IS=-20JJA
1 IS=-10JJA
2 4 6
fig.17.1 fig.17.2
52
Solución
a.- El circuito de salida de la figura 17.1 se puede dibujar según el de la

figura 17.3.
4---
le
1
Tv cc
fig. 17.3
Del citado se desprende que:
le = -2 mA
Con el valor calculado de le, Y con el dato conocido de VCE' vamos a la

gráfica de la fig. 17.2 Y procedemos según se indica en la fig. 17.4, Y determi-
namos la corriente de base.
lB = -20 J1.A
-le
2 .... - :;..;:.--_.,.--- 18 =- 2 o ~ A
+
-VeE
fig.17.4
53
La corriente por el emisor la determinamos por la relación:
lE = 2,02 mA
b.- Sabemos que la corriente de colector se puede escribir en función de

la de base, por la ecuación:
(1)
Como la umon emisor-base se encuentra polarizada en directo ( suponga-

mos que en ella caen 0,6 V ), podemos aproximar:
Tensión suficiente para que el término D(CB) -1. Así que, despejando de
(1) f3 F , obtenemos:
f3 F = (le - leo) / ( lB + leo)
Considerando que el transistor es un PNP, sustituimos valores:
f3 F = [ -2 . 10- 3 - ( -2,1 . 10- 5 )l![ -20 . 10- 5 + ( -2,1 . 10- 5 ) ]
Calculando:
f3 F = 90,59
QF lo calculamos por la relación:

54
QF = 0,989
Aplicando el teorema de Reciprocidad, podemos deducir :iR:
c.- Según Ebers-Moll, la corriente de emisor para un PNP se puede es-

cribir:
De la cual se deduce:
VEB = 156 mV
Luego, como la unión E-B está polarizada en directo, y la e-B en inverso,

podemos decir que el transistor se encuentra trabajando en zona activa.
-0000000-
55
EL TRANSISTOR EN CIRCUITOS CON OTROS COMPONENTES
18.- Se han conectado: un transistor bipolar, 5 resistores, dos condensado-

res y dar baterías, tal y como se muestra en la fig. 18.1. Del transistor se
conocen las curvas características de entrada y de salida, sobre las que se han
trazado las correspondientes rectas de carga estáticas del circuito.
e e
T
2R
E
c(mA)
20
¡-
~~¡....-- JO ~
¡...-
fig 18.1 ¡......¡-
16
/ L.- 20
¡-¡..-
I B =(~A) [\~ L- ¡...... ¡...- ¡...-
50
r--. 12 r> i> v

l\.
- ¡...- ¡.2:.. 1-
l-
- 1/
40 ........
t----....: Í\. 10 l-
o "--
-- -- k
r-..........
............ 8
¡..- ¡..- K
¡...- ¡..--
-- r\ ...- 5=IB(~)
..... 11
--; r--....... ¡...-
20 ............ ..... .......... ./" '\
N
10
1'-00.....
~ ..... 1
-- r-..........
.............,....,J ..........
4
11
f7
.-
1\.
\.
-
o J r-i,
o f'\
0,2 0,4 6 8
Se pide:
a) Tipo de transistor utilizado. Razone la contestación.
b) Valor de las resistencias R y de la pila V2

56
c) Valor de la resistencia R B
d) Calcule la ganancia estática de corriente hF E y la tensión VCE ' para

los casos en que las rectas de carga, sobre las características de entrada, sean
las indicadas con los números 1 y 4. Razone los cálculos.
Solución
a.- De las gráficas deducimos que las tensiones VCE' VBE Y las corrien-
tes lB e I c son positivas, por lo que las características de entrada y salida
pertenecen a un transistor:
NPN
b.- En estática, el circuito de salida de la fig. 18.1 se puede reducir a la

figura 18.2
2R
fig.18.2
De la citada, se puede deducir la ecuación de la recta de carga:
Cuyos cortes con los ejes serán:
Para t, = O; VCE = Vz
Para VCE = O; Ic = Vz/3R

57
Como en la gráfica de salida nos dan trazada la recta de carga, no tene-

mos más que identificar los citados cortes con los ejes, y resultará:
V 2 = 10 V
R = 10/ (16 . 3) = 208,3 ohmios
c.- El circuito de entrada de la figura 18.1 se puede dibujar según la
figura 18.3.
-
1-
lB
0 B
r' ----jc=}---o E
Re
fig. 18.3
La ecuación del citado será:
Para trazar la recta de carga de entrada, buscamos los cortes con los
ejes. Así:
Para lB = O; Vi = VBE
Para VBE = O; lB = V dRB
Al observar la característica de entrada, vemos que todas las rectas de

carga son paralelas, de lo que se deduce que la R B constante, por lo que,
centrándonos en una de ellas, (por ejemplo en la 1 ), e identificando los
valores de los cortes, obtenemos:
Vi = 0,75 V,
y
RB = V l/lB = 0,75/20 = 37,5 KO
58
d.- Recordamos que la ganancia estática de corriente en emisor común

hFE vale:
(1)
Luego, de las condiciones del enunciado, y a través de las gráficas,

tenemos que determinar el punto de funcionamiento P ( lcola ). Para ello,
le
fig 18.4 fig 18.5
nos vamos a la característica de entrada, y determinamos el punto P en el

corte de la recta N con la curva.(fig. 18.4). Así deducimos la corriente lap.
Nos vamos a las curvas de salida y buscamos la característica de salida que
corresponde al valor de corriente de base lap.(fig. 18.5). Del corte de la curva
mencionada con la recta de carga, deducimos la corriente de colector Icp que
corresponde al punto de funcionamiento.
A continuación utilizamos la expresión (1), y resultará:
Para N = 1; hFE1 = 6,1~ mA 15 J1.A = 1230
y
Para N = 4: hFE4 = 14 mA 130 J1.A = 466
-0000000-
59
19.- Se tiene el circuito de la figura 19.1
V2 = O,2 V.
fig.19.1
Las características de los diodos son las de la figura 19.2
Vz =6,2 V.
VRM = SOY. V, = 0,6
fig.19.2
Las ecuaciones de Ebers-Moll del transistor T son:
(Amp)
Calcular la corriente 1
Solución
A la vista del circuito de la figura 19.1, y de las características de los

diodos de la fig. 19.2 deducimos que la corriente a través de D 2 y D 3 es cero,
por serlo la corriente inversa de saturación del diodo D 2 • Por ello podemos
dibujar el circuito de la figura 19.3.
60
o,
v, R
~---------L---oE
fig. 19.3
Del cual se deduce que la tensión VBE vale:
VBE = 7 - 0,6 - 6,2 = 0,2 V
Por otro lado, podemos calcular la tensión entre la base y el colector:
Que, sustituyendo valores, nos queda:
Con estos resultados obtenidos, las ecuaciones de Ebers-Moll nos queda-

rán:
lE = -10- 6 (eO,2/0,02 - 1)
e
le = -9. 10- 7 ( e0,2/0,02 - 1)
61
Y, como se ha de cumplir que:
lE + le + lB = O, en que lB = I,
nos queda:
Que, sustituyendo valores y calculando, nos queda:
1= 2,20mA
-0000000-
20.- Se tienen 4 transistores bipolares idénticos conectados según se

indica en el circuito de la figura 20.1.
11 =1mA.
4--
R 1 =10 K
la
---.
- le
T2
T]
T1
Va = 20V.
R2
flE
Ve =20V.
fig.20.1
62
Las ecuaciones de Ebers-Moll, válidas para cada uno de los transistores,

son:
le = 0,9 lES (e VBdO,026 - 1) - 10- 5 (e V e/O,026 - 1) (A)
Se pide:
a) Los parámetros 0R' 0F' les, lES de los transistores.
b) Las corrientes lE' le e lB' del transistor T r-
e) La resistencia R z
d) La tensión V BE del T 4
e) La tensión V BE del T 3
f) La tensión VeE del T 1
Solución
a.- Literalmente, las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor NPN se

pueden escribir:
lE = -lES D(BE) + 0R les D(BC)
le = 0F lES D(BE) - les D(BC)
Identificándolas con las dadas en el enunciado, se puede deducir:
0R les = 7 . 10- 6 de la que:

63
Aplicando el teorema de Reciprocidad:
Deducimos:
lES = 7.10- 6 /0,9 = (7/9) . 10- 5 A
y
b.- Para poder calcular las corrientes en el T l' hemos de conocer las
tensiones en las uniones. ( YBE • YBC ).
El circuito de entrada del T 1 se puede dibujar según la fig. 20.2.
fig 20.2
Del citado se deduce:
YBE = -10 Y
64
A la vista de este resultado, deducimos que el término exponencial D(BE)

vale:
D(BE) = -1
Para determinar la tensión VBC' podemos reducir el circuito de la figura

20.1 al de la fig. 20.3.
le
..--
e
B
TI
f
Ve =20V.
fig.20.3
Observando las polarizaciones, vemos que la corriente entrará por el

colector del T 1. Por otro lado, como las uniones BE del T 3 Y T 4 quedan pola-
rizadas en directo, supongamos que "cae" en cada una de ellas 0,6 V. Ante este
supuesto, la tensión VBC valdrá aproximadamente:
Al sustituir valores y calcular, resulta:
V BC = -28,8 V
Resultado que nos dice que el término exponencial D(BC) valdrá:
D(BC) = -1
65
Con las deducciones anteriores, las ecuaciones de Ebers-Moll se reducen

a:
e
le = 3J.lA
Recordando que:
Deducimos que la corriente de base lB vale:
lB = -3,7 J.lA
A la vista de los signos, podemos decir que, tanto la le como la lE' son
corrientes entrantes, mientras que la lB es saliente
c.- Con los resultados obtenidos y observando la figura 20.1, podemos

dibujar la figura 20.4.
<>--------<> B
10
-----'--------<> E
fig.20.4
66
De esta figura se deduce que:
y
R z = VEB /IRZ
R z = 10037 ohmios
d.- Como el T 4 tiene el colector y la base cortocicuitados, su ecuación

de Ebers-Moll para la lE será:
I = -lES D(BE)
De donde deducimos:
V BE = 8,48 mV
e.- Como el colector de T 3 se encuentra en circuito abierto, la corriente

del mencionado terminal será cero. Así podemos escribir:
o= Cl:F lES D(BE) - les D(BC)
Operando, deducimos:
67
VBE = 18,56 mV
f.- La tensión VCE' la podemos determinar de la ecuación:
VCE = 19,97 V
-0000000-
21.- En el circuito de la figura 21.1, el microamperímetro es ideal

(Re =O) v "'''''ca +90 nanoamperios.
le T1
Re IDEAL
lB
1K
+
1nF
2 V. =V,
fig. 21.1
Las ecuaciones de Ebers-Moll del transistor T 1 son:

68
Calcule, en las condiciones del circuito de la figura, la tensión entre el

colector y la base del T i-
Solución
Como entre el emisor y la base tenemos colocado un microamperímetro,

cuya resistencia interna, es cero, toda la corriente del emisor pasará por el
mencionado aparato y, por lo tanto, podemos quitar todos los componentes
conectados entre el emisor y la base.
Por otro lado, refiriéndonos al circuito entre la base y el colector, vemos

que el diodo zener presenta un codo inverso a una tensión de 8 V y, como la
tensión de la pila es de 2 V, se encuentra polarizado en inverso, pero no en su
codo. Como suponemos que su 15 = 0, a través de él no circulará corriente,
como tampoco lo hará a través del condensador, por ser ideal y encontrarnos
en régimen estacionario:
Con lo comentado anteriormente, el circuito de la figura 21.1, quedará

reducido al de la figura 21.2
M B
Re=O
VI 2 V.
fig.21.2
De este último, vemos que la unión C-B está polarizada en inverso.
Supongamos, en principio, que esta polarización es suficientemente grande

para poder afirmar que:
D(BC) = -1
Como VBE = 0, podemos escribir:
le = 9/8.10- 7 (1)
69
Luego la tensión entre el colector y la base se podrá escribir:
Este resultado nos confirma que D(BC) -1, por lo que el supuesto
realizado es correcto.
-0000000-
22.- Se tiene un transistor bipolar formando parte de un circuito como el

de la figura 22.1
01
e, DIODOS: D, =02
----+-
+ 15 = 3,9)JA
V1 T = 300 0K
RS = 100K Re =IOOK
VS S = 10 V. Vee = 10 V.
fig.22.1
Sobre el circuito se realizan las siguientes operaciones y medidas:
1.- Se cierra el interruptor Cl' se abren el C z y el C 3 , y se obtiene que

la corriente de emisor es de 10 microamperios y la de colector es de -9,1
microamperios.
2.- Se cierran los interruptores Cz y C 3 ' se abre el C l y se mide que la

corriente de colector es de 13 microamperios.
70
Determinar:
a) Los parámetros QR y QF del transistor.
b) Las corrientes de saturación Ico YlEO del transistor.
e) Con los interruptores C 1 y C2 abiertos, y el C 3 cerrado:
Calcular;
c1.- Las corrientes 11 e 12 , tal y como están indicadas en la figura 22.1.
c2.- Las tensiones V 1 en cada diodo, y la V CE' así como la V BE en el

transistor, teniendo en cuenta lo especificado en el apartado c.
Solución
a.- Efectuando la operación "1", nos queda el circuito de la figura 22.2.
Re
i
fig.22.2
A la vista de éste, deducimos que la unión colector-base está cortocicuitada, y
la de emisor-base en inverso, y de valor:
Lo cual hace que:
D(BE) = -1
De lo anterior se deduce que:
y que:
71
De donde se deduce:
QF = 0,91
Al realizar lo indicado en la operación "2", nos resultará el circuito de la

fig.22.3.
fig.22.3
De él se deduce que los diodos D 1 y D 2 se encuentran polarizados en

directo, por lo que:
Sustituyendo valores y suponiendo que en cada diodo "caiga" aproximada-

mente 0,6 V, obtendremos:
VCB = 7,1 V
Tensión lo suficientemente grande para que:
D(BC) = -1
Como la unión base-emisor está en cortocircuito, la corriente que circula

por el colector será:
Aplicando el teorema de Reciprocidad, obtenemos:

72
b.- Sabemos que, conocidos los parámetros o. y las corrientes inversas de

saturación lES e les, podemos calcular los parámetros lEO e leo a través de
sus expresiones:
lEO = 3,63 J.'A
leo = 4,719 J.'A
c.- Según lo indicado en este apartado, podemos dibujar el circuito de la

figura 22.4
Ra
Vea
fig.22.4
73
cl.- SuponKamos que ambas uniones se encuentran polarizadas y con

valores de tensión suficientemente grandes para que se cumpla:
D(BE) = -1 Y D(BC) = -1
En este supuesto, las corrientes de colector y de emisor valdrán:
Con estos valores, comprobemos si el supuesto es correcto:
VBE = -V BB - R B lB = -10 + 0,48 = -9,52 V

y
Resultados que confirman ampliamente el supuesto.

Para concluir, afirmaremos que:
c2.- La tensión VBE será la calculada en el apartado anterior, es decir:
V BE = -9,52 V
74
Como sabemos la corriente que circula por los diodos, podemos calcular la
tensión que "cae" en cada uno. Así:
IC = Is D(V 1~
V1 = (KT/q). Ln (Icfls + 1)
V1 = 18mV
Finalmente, la tensión VCE la calcularemos:
Calculando:
V CE = 9,592 V
-0000000-
23.- Se han conectado diversos componentes electrónicos tal y como se

muestra en el circuito de la fig. 23.1
DATOS
R1 = 14,58 .n.
e = l}JF(IDEAL)
Va = 12 v.
fig.23.1
75
Los transistores son idénticos y se sabe que, cuando se deja el colector

en circuito abierto, y se polariza en inverso la unión base-emisor, la corriente
que circula por el emisor es de 10,1 ¡;.A. Cuando se polariza en inverso la unión
colector-base, y se deja en circuito abierto el emisor, la corriente de colector
es de 12 ¡;.A. Por otro lado, cortocicuitando el colector y la base, se ha obte-
nido que la corriente de base es de lB = 10 ¡;.A, Y la del colector es de
le = 1 mA.
El diodo zener es de 8 voltios y la carga que adquiere el condensador, en
régimen estacionario, es de Q = 2,792 ¡;.C, sabiendo que la temperatura ambiente
es de 300 0K.
Se pide:
a) Las ganancias estáticas de corriente G:F y G:R .
b) La tensión V 1
e) El valor de R 3
d) La corrirnte I z
Solución
a.- Del enunciado deducimos:
lEO = 10,1 ¡;.A
leo = 12 ¡;.A
Como sabemos que:
Despejamos (XF:
G: F = (3F / «(3F + 1 ) = lOO / 101 = 0,99
Por el teorema de Reciprocidad, tenemos:

76
De donde:
b.- La tensión en el colector del T 1 valdrá:
VCl = Va - V b = 12 - 9 = 3V
Como la umon base-emisor está cortocicuitada, supongamos en principio
que la unión colector-base está en inverso y con una tensión suficientemente
grande.
En este supuesto, la corriente que circulará por el colector será:
I C = Ics = Ico 1 ( 1 - QF QR) = 68,57 I-'A
y ésta, a su vez, circulará por R l , por lo que podremos escribir:
Como VCB = VCl - Vi 3 - 0,001 > > 0,026 , la suposición es correcta, y

el resultado de V1 es válido.
c.- Como conocemos la capacidad del condensador e y su carga, podemos

calcular su tensión en bornas.
Vc = Q 1C = 2,792/1 = 2,972 V
VBE = ( Va - Vb ) - Ve = 3 - 2,792 = 0,208 V
y podemos escribir:
Supongamos que la umon base-colector está polarizada en inverso (se

deduce prácticamente a la vista del circuito) y nos quedará:
77
lE = -172 mA
Como por el condensador ideal no se fuga corriente, podemos escribir:
R3 Ve / r, = 2,792/172 16,23 ohmios
= =
d.- Por la ecuaciones de Ebers-Moll podemos calcular le:
le = 0F lES D(BE) - les D(Be) = 170,31 mA
A la vista del circuito dado, podemos dibujar la figura 23.2.
Vp
J) le
fig.23.2
De ella, suponiendo el zener en el codo, deducimos:
I z = 4,36 mA
Resultado que nos confirma que todas las suposiciones anteriores son
veraces.
78
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA
EN PARAMETROS CORRIENTES
24.- Estudie el comportamiento con la temperatura de los diferentes

parámetros que intervienen en las ecuaciones de Ebers-Moll de un transistor
NPN de Si.
Solución
Las ecuaciones de Ebers-Moll para un transistor bipolar NPN, son:
lE = -lES D(BE) + QR les D(BC) (1)
le = + QF lES D(BE) - les D(BC) (2)
En las que:
D nb . q . Sb . nbo D p e . q . P eo • Se
lES = + (3)
Wb Lp e
Dnb . q . Sb . nbo Dp c . q . Sc . P co
les = + (4)
Wb Lp c
1
QF = - - - - - - - - - (5)
1+
79
1
(6)
1+
D(V) = e q V / KT _1
Además, sabemos que:
(7) K 1 = cte
(8) K 2 = cte
(9) K3 = cte
(10) K4 = cte
y que las concentraciones de minoritarios, en el margen de temperatura

de normal funcionamiento, se puede escribir:
(11)
(12)
Combinando convenientemente las 12 expresiones, podemos obtener la

relación de los diferentes parámetros ó términos con la temperatura en el
margen de funcionamiento más usual.
a.- Dependencia de las corrientes IEs.-JL1cs.- A la vista de sus expresio-

nes, podemos decir que son corrientes inversas de saturación, Por esta razón,
su dependencia con la temperatura se obtuvo en el ejercicio 47 del capítulo
anterior, así podremos escribir:
(13)
e
1ES(T) - 1 (T) (T2 /T)3

2 - ES 1 · 1 .
e-(EGO/K) (l/T 2 - liT 1) (14)
80
Lo mismo podríamos decir para la les'
b.- Dependencia de las ganancias ClR---Y.-QF'- Introduciendo las expresiones

10,9,8,7 convenientemente en la 5 y la 6, y operando, nos queda:
(15) con K5 = cte
(16) con K6 = cte
K6 > K5
Teniendo en cuenta que los téminos K5 . TO' 65 Y K6 • TO' 65 son, en

general, mucho más pequeños que la unidad, vemos que ClF y ClR decrecerán le-
vemente con el aumento de la temperatura. Esto se puede apreciar numérica-
mente con el siguiente ejemplo:
Tomando K5 = 4,95 . 10- 4, nos resulta;
ClF (300 °K) = 0,98
ClF ( 350 °K) = 0,978
ClF ( 400 °K) = 0,976
c.- Dependencia del término D(V): Podemos considerar dos casos:
al Con polarización inversa

b I Con polarización directa
al En este supuesto, se puede considerar que en la mayoría de los casos

es independiente de la temperatura, y tomará el valor de-1.
bl Con polarización directa, la dependencia de D(V) es función del valor

de la tensión de polarización. Este estudio se realizó en el apartado "b" del
ejercicio 47, del capítulo anterior.
81
En general, diremos que decrece con T, y este decrecimiento es tanto

mayor cuanto mayor sea la polarización. Así, por ejemplo, para V = 0,5, re-
sulta:
D( 250 °K) = 1010
D( 300 °K) = 2,5 . 108
D( 350 °K) = 1,57 . 107
-0000000-
25.- Un transistor bipolar de Si presenta, a 300 0K, los siguientes pará-

metros:
lES = 1 nA; les = 1125 nA
El componente se conecta según se indica en los circuitos 25.1, 25.2 Y

25.3.
Re=l.n.
Ve -= zc
2V. Ve
fig.25.1 fig.25.2 fig.25.3
Calcule la corriente que circulará por el emisor en los tres circuitos y a

las temperaturas de 300 °K Y350 0K.
82
Solución
Consideremos tres casos, en función del circuito:
a.- A la vista del circuito de la figura 25.1, podemos decir que:
Que, a T 1 = 300 01(, valdrá:
Conocida la lES a 300 01(, podemos calcularla a 350 01(, mediante la

expresión deducida en el ejercicio anterior:
Calculando, resulta:
b.- Observando el circuito de la fig. 25.2, deducimos que:
En que:
Por lo que hemos de calcular eJR. A 300 °K podemos escribir:

83
Utilizando las expresiones (15) y (16) del ejercicio anterior, calculemos los
valores de las constantes K5 y K6 .
Despejando y calculando, resulta:
K 5 = 2,478 . 10- 4
K 6 = 3.346 . 10- 3
Ya estamos en condiciones de calcular el producto ~ crF a 300 y 350 0K.

Así resulta:
a R a F ( 350 °K) = 0,869 . 0,9889 = 0,8593
Utilizando los resultados obtenidos de la lES en el apartado anterior y

operando, nos resulta:
lEO ( 300 °K) = 0,1288 nA
lEO ( 350 °K) = 0,1632 J.lA
c.- A la vista del circuito de la figura 25.3, podemos suponer que la unión
B-C colector se encuentra inversamente polarizado, por lo que el término
D(BC) = -1.
84
Así, podemos escribir:
IE = - IES (.eq VBE / KT - 1 ) - QR Ies (1)
Calculemos la corriente les a la temperatura de 350 0K, según la expre-

sión:
les (350 °K) = 1,125 .(350/300)3 e13863 (1/350 - 1/300) (nA)
Calculando resulta:
les (350 °K) = 1,315 J-lA
Como el resto de parámetros que intervienen en (1), ya los hemos calcu-

lado a 300 y 350 0K, sustituirnos sus valores en la citada y, calculando, resulta:
lE ( 300 °K) = -224,81 mA
lE (350 °K) = -16,71 A
Utilizando estos resultados, comprobamos que el supuesto de que D(V) = -1

es correcto.
-0000000-
85
MODELOS O CIRCUITOS EQUIVALENTES BASICOS
26.- Conociendo literalmente las ecuaciones de Ebers-Moll, opere con ellas

y obtenga el modelo id~alizado de dos diodos. Particularice éste para las regio-
nes activa de corte, y la de saturación. Suponga que el transistor es un NPN
Solución
Sabemos que, para un transistor NPN, las corrientes inversas de satura-

ción son todas positivas, y se puede escribir:
le = + QF lES D(BE) - les D(BC)
Que podemos llamar por analogía con la expresión de la corriente de un

diodo:
v
1
O~---~--1N----O
---.
e 15
IR = les D(BC) 1= Is D(V)
Con lo que las ecuaciones de Ebers-Moll quedarán:
y la corriente de base valdrá:

86
Luego, recordando que el transistor tiene tres terminales, e interpretando

estas ecuaciones, podemos dibujar el modelo indicado en la figura 26.1
IF IR
....- --.
E
lES les e
-----.
lE
lB
- - Ic
O<R IR ocF IF
fig.26.1
Veamos cómo queda el modelo en las diferentes zonas de funcionamiento:
a.- En la zona activa, la unión emisor-base se encuentra polarizada en

directo, y la colector-base en inverso. Así que:
IF = +lES D(BE);
Con lo que el modelo quedaría:
E Ics e
..--
Ic
()(R IcS
fig.26.2
87
b.- En la región de corte, ambas uniones se encuentran en inverso. Su-

pongamos que el valor sea suficientemente grande para que los términos expo-
nenciales valgan -1. En este supuesto:
IR= -les
Con lo que el modelo quedará:
r----; - 1------, r----1 . - r------,
les
E e
L..-.-----i _ }-_ _---'
O<R les
fig.26.3
c.-En la región de saturación ambas uniones se encuentran en directo, y

el circuito equivalente será el de la figura 26.1.
Comentarios:
1- En la región activa ( en un NPN), las corrientes de colector y de base

son entrantes, y la emisor, saliente.
2- En el corte y ( en un NPN), las corrientes de colector y emisor, son

entrantes, y la de base, saliente.
3- En la zona de saturación, las corrientes de emisor y de colector son

salientes, y la de base, entrante.
-0000000-
88
27.- Un circuito equivalente de un transistor bipolar en baja frecuencia,

puede ser el de la figura 27.1
hie _ ic e
hoe
fig. 27.1
Obtenga el significado físico de cada uno de los parámetros.
Solución
El modelo presentado viene en función de los parámetros "h" en emisor

común. Veamos cómo podemos calcular los citados.
Cortocicuitando la salida (V ce = O) nos queda la figura 27.2.

ib
--+ _ ic e
b
hfeib
e e
fig.27.2
De él se desprende que:
(1)
(2)
89
De (1) se desprende que "hre" representa la GANANCIA de corriente en

directo (f) y en emisor común (e) cuando la salida se encuentra en cortocir-
cuito.
Dejando en circuito abierto la base, y atacando la salida con un genera-

dor de tensión, obtenemos el circuito de la fig. 27.3
b e
hre Vce hoe
fig.27.3
A la vista de la cual, se deduce:
(3)
(4)
De (3) se puede interpretar que "hre" es la GANANCIA de tensión en

inverso (subíndice "r") y en emisor común (subíndice "e") cuando la entrada se
encuentra en circuito abierto.
De (4) se deduce que "ho e " representa la admitancia de salida (o) y en

emisor común (e) cuando la entrada se encuentra en circuito abierto.
-0000000-
90
28.- El modelo híbrido en pí ó de Giacoletto de un transistor es el de la

figura 28.1. Defina cada uno de los elementos que lo integran.
1I
11
b rbb b' r b'c

e
r b'e === cb'e
+ gm. Vb'c rce
~
e
fig.28.1
Solución
El punto b' representa la base interna del dispositivo, no siendo accesible.
rbb'.- Es la resistencia lateral de base, ó la existente entre el terminal

externo de base y el punto "ficticio" de la citada.
rb'e.- Es la resistencia de difusión entre la base ficticia y el emisor. Con

ella se refleja la corriente de recombinación en base, como conse-
cuencia del exceso de minoritarios en ella.
Cb'e.- Es la capacidad equivalente entre la base y el emisor. Si la umon

se encuentra polarizada en directo, representa su capacidad de
difusión.
Cb'c.- Es la capacidad entre colector y base. Cuando esta umon se en-

cuentre inversamente polarizada, representa su capacidad de transi-
ción.
rb'c.- Es la resistencia equivalente entre el colector y la base. En ella se

tienen en cuenta los efectos de modulación de la anchura de base
(efecto Early).
91
rce.- Representa la resistencia equivalente entre el colector y el emisor y

que, asímismo, tiene presente el efecto Early.
&ill.- Transconductancia en directo con la salida cortocicuitada. Física-

mente, nos indica que los electrones que inyectamos en base y que
llegan al colector, dependen de la tensión entre la base y el emisor.
-0000000-
29.- Uno de los modelos de transistores más utilizado en alta frecuencia

es el híbrido de los parámetros "Y", que se dibuja en la figura 29.1.
ib _ ic e
b ---.
Yie
fig.29.1
Determine el significado físico de los diversos parámetros.
Solución
El modelo presentado se encuentra en la configuración de emisor común,

por lo que tomaremos como entrada la base y como salida el colector.
Cortocicuitando la salida y atacando la entrada con un generador de

tensión, tendremos el circuito de la figura 29.2.
92
b ib e ic
Yie
e
fig.29.2
De él se deduce que:
para (1)
para (2)
De (1) se desprende que 'v.:

representa la admitancia (y) de entrada (1)
yen emisor común (e) con la salida en cortocicuito.
De (2) deducimos que "Yfe" se puede interpretar como una transadmitancia

en directo (f) y en emisor común (e) con la salida en corto.
Si cortocicuitamos la entrada y atacamos por la salida con un generador

de tensión, se puede obtener el circuito de la figura 29.3.
ib ic
b --+ e .--
Yoe
fig.29.3
93
De este último se desprende que:
(3)
(4)
De (3) se puede interpretar que "Yre" representa la transadmitancia (y) en
inverso (r), en emisor común (e) con la entrada en corto.
De (4) se deduce que "Yoe" es la admitancia de salida (o) en emisor

común (e) con la entrada cortocicuitada.
-0000000-
94
ELECCION DEL TRANSISTOR OPTIMO
30.- Uno de los cuatro transistores cuyas concentraciones de minoritarios

se indican a continuación, debe ser empleado como amplificador. Indicar el más
adecuado, razonando la respuesta.
Transistor A
Transistor B
Pea = 105 cm- 3
w s s t,
Transistor e
Pea = 108 cm- 3 Pea = 106 cm- 3
w e e t,
Transistor D
Solución
El "A" Y el "B" tienen la W > > ~, por lo que no ofrecerán efecto tran-
sistor, ya que los mayoritarios que se inyecten desde el emisor a la base, se
recombinarán en ésta, y no alcanzarán el colector.
95
Tanto el "C" como el "D" cumplen la condición de que la anchura de base

sea mucho más pequeña que la longitud de difusión de minoritarios en ella.
Observemos los dopados: El "C" tiene menos dopado el emisor que el "D", 10
cual representa una ventaja para éste último. Sin embargo, el "C" tiene la base
más dopada que el "D", 10 que es una nueva ventaja en favor del "D". Uniendo
estas dos comparaciones, deducimos que el parámetro Q.F es superior en el "D"
que en el "C" y, por tanto, también 10 será el f3 F • Si tenemos en cuenta ade-
más que las concentraciones de minoritarios en los colectores son muy pareci-
das, podemos afirmar que el transistor más apropiado es el "D", Y es del tipo
PNP.
-0000000-
31.- Para ser utilizado en un circuito electrónico (figura 31.1) es necesa-

rio seleccionar un transistor bipolar que cumpla las siguientes especificaciones:
-----. C
B
CIRCUITO 1
ELECTRONICO 1"'"
12
-----. E
fig.31.1
12 < O
E 2 .- IVcal = 30 V
E 4 .- Temperatura ambiente = 25 "C
E s.- Estará polarizado en activa.

96
Se dispone de los transistores indicados en la tabla 31.1
VALORES MAXIMOS
TRANSISTOR TIPO VCEO(V) VCBO(V) Pt(W) hFE fT(MHZ)
BC174 NPN 64 70 0,3 250
BC414 NPN 45 0,24 850 300
BC556 PNP 65 0,5 250 150
BD 135 NPN 45 45 6,5
BD242 PNP 45 40 3
tabla 31.1
Seleccione el transistor idóneo.
Solución
Como 11 > O e 12 < O, (sale por el emisor), estando polarizado en zona

activa, deducimos que el transistor ha de ser NPN.
La potencia que ha de poder disipar es de:
P D "" VCB . Ic = 30 . 0,2 = 6 W
A la vista de este dato, y de las características de los componentes

disponibles, NPN, vemos que sólo el BD 135 cumple la potencia seguida. Vemos,
además que cumple las especificaciones respecto de las tensiones en las unio-
nes, por lo que podemos afirmar que el más idóneo para la mencionada aplica-
ción será:
BD 135
-0000000-
97
32.- El transistor 2 N 4289, presenta la gráfica de la figura 32.1.
P t ot
(mW)
220
I
I
I
I
I
100 - - - - -1- - - - -
I
J
I
I
I
I
0-+------1------+------....3'--_ _- .
40 100 T (.!oC) o
fig.32.1
Calcule:
a) Temperatura máxime de la unión.
b) Resistencia térmica entre la unión y el ambiente.
e) Potencia que puede disipar a una temperatura de 120 oc.
d) Temperatura de la unión, si la disipación en el colector es de 140 mW.
Solución
a.- La ecuación de la recta de deswataje, se puede escribir:
220 - 100
= m = = -2 (mw¡Oc)
T a - Tao 40 - 100
de donde:
(1)
98
La temperatura máxima de la unión ( T a T j mx ), se producirá para el

punto en el que la Potencia a disipar sea cero.
Así pues:
b.- Podemos escribir:
(2)
Despejando y tomando datos de la curva de deswataje:
Qja = 500 °C/W
c.- Aplicando la ecuación (1) del apartado a, tenemos:
P( 120 OC) = -2.120 + 300 = 60 mW
d.- Aplicando la ley de Ohm Térmica (2) y sustituyendo valores, tenemos:
Luego, suponiendo que la temperatura ambiente fuese de 25 "C, tendría-

mos:
-0000000-
99
33.- Se tiene un transistor bipolar conectado tal y como se indica en la

figura 33.1.
IVBB= 3V.
-r- "7
fig.33.1
Se sabe que el transistor es de Ge, que la 8 ja = 200 °C/W, y que la

leo = 1 jJA a 20 oc.
Se pide:
a) La corriente de colector en el punto en que se produzca el escape

térmico.
b) Calcular la temperatura ambiente a la que se produce el escape.
nota: para su resolución suponga QF --> 1
Solución
a.- La condición para que no se produzca escape térmico, sabemos que se

puede poner:
1
~--=-- (1)
Por lo que hemos de calcular la potencia total (P T) que se disipa en el

transistor. Esta se puede escribir:
100
Siendo
IPeal = Il e, Vea I
IPaEI = IIE, VaEI
Por lo tanto, calcularemos le e lE' A la vista del circuito y datos,
podemos afirmar que ambas uniones del transistor se encuentran polarizadas en
inverso, por lo que:
(2)
(3)
Que se puede escribir:
Como ct F ... 1, podemos aproximar a:
Por lo que:
Por lo que podemos dibujar el circuito de la figura 33.2

101
Re
Vee
fig.33.2
De donde:
QUf>. sustituyendo v.do-e., nos da:
Por lo tanto, podernos escribir que:
PT = (VBB + "ce) leo
Así l'0demos operar:
Sabiendo que para el Ge:

102
y sustituyendo en (1), nos queda:
(VBB + VCC ) Ic o To • 0,07. eO,07(T - T O ) ::5 l/O ja
(VBB + VCC ) 0,07 Ic o T ::5 l/O ja
De donde podemos despejar la corriente (l c o T) a partir de la cual se

produce el escape.
IcOT ~ 3} 10 mA
b.- Conocida la corriente (lcOT) a la que se produce el escape, podemos

calcular la temperatura de la unión T = T j a la que se produce el mismo,
siendo la temperatura ambiente T o = 20 oc. Esto es:
T _ I 0,07 ( T j - T o)
~OTj - COTo· e
De donde:
T j = 134,8 -c
103
Conocida la temperatura en la uruon a la que se produce el escape,

podemos calcular la temperatura ambiente (T a) que también puede producir el
mismo, através de la Ley de Ohm Térmica.
De donde:
T a = 134,8- 200. ((3 + 20).10- 6 )
Calculando:
-0000000-
34.- Se sabe que las ecuaciones de un transistor bipolar son:
Se pide:
a) ¿A qué configuración corresponden? Obtenga un circuito equivalente.
b) Si a la salida se conecta una carga de 1 K, ¿Qué ganancia en tensión

ofrecerá el componente activo en cuestión?
104
c) Obtenga las ecuaciones en emisor común y con parámetros ADMITAN-

CIA
d) Lo misc,o, pero en parámetros IMPbDANCIA.
e) Obtenga los parámetros "h" en L
Solución
a.- A la vista de las notaciones de las tensiones y de las variables depen-

dientes e independientes, podemos afirmar que las ecuaciones son las lubridas
en Oh" y en la configuración de emisor común. De las mismas se desprende r 1
circuito equivalente de la figura 34.1.
b
- le
e
+ hfe· ib
hre·vee l/h o e
IV v ee
1O- 4.V e e + 100. ib 1M
e e
flg.34.1
b.- S; a la salida (e-e) se le conecta UP" carga R L 1 K, nos quedaría el

rirculto de la figura 34.2.
lb
hie 105
b
o c.::J-
Iv" v«] • 1
R L =h II:"\L
oe
fig.34.2
Del mismo, se desprende que:
Combinándolas, nos queda:
Sustituyendo valores nos queda y calculando, obtenemos:
G¿ = -101
Lo que nos quiere decir que la amplitud Q en la entrada (vb e ) va a

resultar ampliada 101 veces en la salida (ve e ) , y la fase que introduce el paso
es de 11" radianes ( 180°).
106
Vce
(v. )
fig.34.3
c.- Las ecuaciones en emisor común y en parámetros "Y" se escriben:
(Cl)
(C.2)
Ecuaciones a las que tenemos que llegar, partiendo de los datos del
enunciado.
(C3)
(CA)
De la C.3, obtenemos lb y lo introducimos en CA. Reordenando, escribi-

mos:
(CS)
Identificándola con C2, deducimos:

107
De la C.3 se obtiene:
(C.6)
Identificándola con C.l, deducimos:
Yfe = 0,1 (Ohmj': Yoe = 0,9.10- 6 (Ohm)"!
d.- En este caso, las ecuaciones de partida son las mismas (C.3, CA) y las
de llegada:
(D.l)
(D.2)
De CA obtenemos:
(D.3)
Que identificándola con la D.2 resulta:
D.31a llevamos a C.3 y, reordenando, resulta:
(DA)
108
Que, identificándola con D.1, nos queda:
Introduciendo valores y calculando, resulta:
Zi~ = -lOO M Zoe = 1M
Zie = -9 K ; Zre = 0,1 K
e.- Las ecuaciones de los parámetros "h" en base común son:
(E.1)
(E.2)
Las ecuaciones de partida o "madres" son los C.3 y CA, Y sabemos, ade-
más, que:
(E.3)
(EA)
De E.3 despejamos ie ; lo introducimos en CA; de la resultante deducimos

ib , que la introducimos en C.3. Reordenamos y nos queda.
(E.5)
de EA despejamos ve e ; lo introducimos en E.5 y, considerando que

(h r e - h i e h o e / (1 + h i e )) < < 1, nos queda:
(E.6)
109
Identificando con E.1, obtenemos:
De E.3 Y EA despejamos ih y vee' que las introducimos convenientemente

en CA. Reordenando y considerando que (h oe h i e) < < 1, y que (h r e hoe) < < 1,
obtenemos:
(E.7)
Identificándola con E.2, deducimos que:
sustituyendo valores y calculando, obtenemos:
h ih = 9,9 (Ohmios);
hfb = 0,99; hoh = 9,9. 10- 9 (Ohmios)"!
-0000000-
35.- Suponga que conoce los parámetros del transistor que hay dentro de
la caja negra de la figura 35.1.
!- cr
11 12
v: ?.
fig.35.1
110
Se conectan dos transistores iguales como se indica en la fig. 35.2.
r--------------------------~
TR 1 TR 2
: ¡I I --------
I-----------<:r----1-------I ! : I
I T R EQUIVALENTE I
L .J
fig.35.2
Determine los parámetros del "transistor equivalente" que resulta de

realizar la asociación mencionada. Para ello utilize el tipo de parámetros que
considere más conveniente.
Solución
Con el circuito equivalente con parámetros "Z" nos quedan los elementos
en serie; parece en primera instancia que nos puede simplificar cálculos. Así
pues, podemos dibujar el circuito de la figura 35.3.
e,
L _ ___________ J
fig.35.3
Las ecuaciones en "Z" del cuadrípolo total resultante serán:
Determinaremos los parámetros aplicando las definiciones de los mismos al

circuito de la figura 35.3, y calculando según quede el mismo.
111
Así tendremos:
para ie 2 = O
para ie 2 = O
Del circuito de entrada del "1" podemos deducir:
(1)
De la malla central, deducimos que:
(2)
Que, al introducirla en (1) y despejar, resulta:
(3)
Del circuito de salida del "2" se deduce que:
(4)
De la malla central se desprende que:
(6)
De la misma forma, atacamos el circuito de salida con un generador de

tensión ve e 2 y:
para ib 1 = O
para ib 1 = O
De la malla de salida, tendremos:
(7)
112
De la central:
(8)
Introduciendo en (7) y despejando, obtenemos:
(9)
De la malla de entrada, se deduce que:
(10)
Pero ie l = -ib 2 , por le que, introduciéndola en (10) y calculando:
(11)
-0000000-
36.- Un transistor se 107A se conecta en un circuito como el de la figura

36.1.
~--------------,
I vcc I
I I
: : To = 25° C
I I
I Re C2 I
: Cl ~
o--~I--I I I
I I I
I I I
:
I C3
1: I
vs(t)DRL
I
I I I
I I I
I
fig.36.1
113
Se sabe que: Vcc = 18 V; RE = 0,2 K, VCE = 8 V, Ic = 10 mA, Y

que las capacidades son de valor muy elevado ( C .... <Xl) Y que la impedancia de
entrada debe ser mayor de 5 K.
Con estos datos, calcule literalmente:
a) La ganancia en tensión del circuito, en el supuesto de que el interrup-

tor I se encuentre abierto, y que hoe = h re = O.
b) Lo mismo que en el apartado anterior, pero con el interruptor I cerra-
do.
e) Calcule las impedancias de entrada y salida.
d) Determine los valores numéricos de R 1, R z Y Re> así como de las

ganancias en tensión e inpedancias de entrada y salida, en los supuestos de los
apartadoa a y b.
e) Determine los factores de estabilidad SICO' SVBE' SI3' del circuito, y la

variación de la corriente de colector, si la temperatura varía desde 25 OC a 55
oc.
Solución
a.- Para calcular la ganancia en tensión del amplificador, colocaremos en

la entrada un generador de tensión ve' Y veremos la tensión que resulta a la
salida vs' Ycalcularemos:
(1)
Para efectuar el estudio en "señal", hemos de hacer las siguientes consi-

deraciones:
1- Los generadores no dependientes dentro del recuadro de la figura 36.1

se anulan. (puesto que sólo deseamos ver el efecto sobre la salida del genera-
dor de "ataque" ve)'
2- Al ser la capacidad de los condensadores elevada, éstos se sustituyen

por cortos para la "señal variable".
3- El transistor se sustituye por su circuito equivalente. En nuestro caso,

y porque dice el enunciado que hoe h r e = 0, utilizaremos el híbrido con
parámetros "h"y en emisor común.
114
Teniendo en cuenta estas tres consideraciones, el circuito de la figura

36.1, y para la señal, se puede dibujar:
r - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - --,
I i lb ic i I
1e_ -.hie e __S 1
e
Re v
v·l Re
1 '
1
L .:.. .J1
fig.36.2
En que:
Teniendo en cuenta que por RE circula la corriente:
El efecto de la RE se puede "reflejar" en el circuito de entrada, y apa-

rece la fig. 36.3.
1" ---:----------------------..,
le -
1 lb
-+ hie _ I
I I
I I
I I
Ve I
I Re
(h fe + 1) R E t hfei b Re Vs
I
I I
I I
I I
I I
ZeL _ _ _ _ __ _ ~ J Zs
fig.36.3
115
A la vista de éste ultimo, deducimos que:
y que:
Combinándolas y despejándo, nos resulta:
(2)
b.- Si el interruptor 1 se cierra, entonces el condensador queda en para-

lelo con RE' y lo cortocicutará en señal, por lo que la ganancia será la expre-
sada en (2), pero con RE = O. Esto es:
(3)
c.- La impedancia de entrada Ze la mediremos colocando un generador de

tensión en la entrada, viendo la corriente que penetra ie , Y calculando su
cociente. Es decir:
A la vista del circuito de la figura 36.3, la Ze valdrá (con 1 abierto):
(4)
Con el interruptor 1 cerrado, será:
(5)
116
La impedancia de salida (Zs) la calcularemos colocando en la salida SlO

R L ) un generador de tensión, (vs), midiendo la corriente (is), y calculando:
Como en la entrada no tenemos generador alguno, la ib 0, por lo que la
impedancia de salida será;
(6)
Válido tanto para el interruptor I cerrado, como abierto.
d.- Determinemos en primer lugar los valores de los parámetros h i e Y h f e

en el punto de funcionamiento le = 10 mA Y vee = 8 V, a la vista de las curvas
de los citados parámetros fig. 36.4 Y36.5.
le= 2mA
1,1 ....-------::;"ii ''r'---

1,02 ~--~Iir------:::; ---
1
0,5
2 10 5 8 Ve E (V l
le (mAl
fig.36.4 fig.36.5
Como sabemos que:
(7)
(8)
117
h f e ( 10 mA, 8 V) = h f e ( 2 mA, 5 V) . 1,02. ],1
h i e ( 10 mA, 8 V) = h i e ( 2 mA, 5 V) .0,5 . 1,1
De los datos del transistor, deducimos que:
h f e ( 2 mA, 5 V) = 222
h i e ( 2 mA, 5 V} = 2,7 K
Por lo que, calculando, resulta que:
hi e = 1,48 K
Por otro lado, la ganancia estática de corriente la determinaremos de la

curva de la figura 36.6
h FE nor.
1,2
lc(mA)
fig.36.6
118
Siendo:
h f e ( 2 mA, 5 V) = 180
Luego:
hfe( 10 mA, 8 V) = 180 . 1,2 = 216
Ya estamos en disposición de calcular las resistencias.
Podemos escribir:
Por lo que:
Re = 7,99 K"" 8K
Válido tanto para I cerrado, como abierto.
Obsérvese que, como hFE es "grande", podíamos haber aproximado consi-

derando que la lB era despreciable ante 1,y por lo tanto habría resultado:
Para calcular R 1 y R z, calcularemos primero la tensión VBE' Esto lo

deducimos de la característica de entrada, ya que disponemos de ella. (fig.
36.7).
119
IB(mA)
O,o4 6 I-----t_"
0,68
VBE (V)
fig.36.7
Así pues:
V BE = 0,68 V
En caso de no disponer de la gráfica, y ante la falta de más datos,
hubiéramos tomado la aproximación:
Para calcular R 1 y R z• determinaremos la tensión que debemos tener en la

base; esto es:
y tendremos además en cuenta el dato de que la impedancia de entrada

sea superior a 5 K. Como esta última es diferente si está el interruptor ce-
rrado que si está abierto,( expresiones 5 y 4 ), hemos de considerarlas por
separado:
Con 1 cerrado. Este caso es imposible, puesto que h i e < < ze' por lo que:
De lo que se desprende que el único caso posible es con 1 abierto.

120
Podemos escribir:
V B = 0,68 + 2 == 2,68 V
Luego:
(9)
Que forma sistema con la (4) ..Eliminando R B, resulta:
V cc / V B
1 1
R 1 = 37,19 K
Tomamos el valor normalizado de 39'K.
De (9) deducimos:
Calculando:
R z = 6,8 K
121
Introduciendo valores en (2), (3), (4), (5), Y considerando que en este

caso R L = ro y R'L = Re, podemos formar la tabla 1.
TABLA I
I abierto I cerrado
Gv -38,7 -1345,9
Ze 5,2 K 1,17 K
Zs 8K 8K
e.- Para calcular los factores de estabilidad, hemos de encontrar una

relación de la forma:
De forma que:
(10)
En la que:
bIcib V BE = SVBE
Del circuito de la figura 36.1, se deduce que:
f3 ( V BB - VBE ) + (f3 + 1 ) (RB + RE ) leo

(11)
R B + RE (f3 + 1 )
En la que:
122
Derivando convenientemente, y teniendo en cuenta que Ico -+ 0, se dedu-

ce:
( V BB - V BE ) ( RE + R B)
(12)
( R B + RE (,8 + 1))2
Así mismo:
( 1 + f3 ) (RE + R B )
SICO = (13)
y
f3
SvBE = - ------ (14)
Se = 29,48 jjA
SICO = 26,84
SvBE = -4,46 mA/V
Para calcular Lil c, hemos de calcular además /::"13, Lilco, /::,. VBE' a través
de las relaciones:
/::"f3 = f3 ro . K 1 (T - T o); K 1 = 1/75 para Si
De las hojas de características, deducimos que:
leo 25 -c = 10 nA
123
Por lo que, sustituyendo valores y calculando, podemos configurar la

siguiente tabla 11.
TABLA 11
x s, fJ. x Sx· fJ.x
f3 29,48 ¡.LA 89,27 2,63 mA
leo 26.84 656,8mA 1,76 ¡.LA
VBE -4,46mA/V -0,075 V 0,3345 mA
fJ. re = L Sx . fJ. x = 2,96 mA
Conclusiones
A la vista de los resultados literales obtenidos en los apartados a, b, e ,

y de los cálculos numéricos reflejados en la tabla 1, así como del cálculo de la
estabilidad realizado en e, podemos concluir:
1- Para que la ganancia del paso sea elevada, interesa que la resistencia
de emisor esté cortocicuitada en "señal", y que la resistencia Re sea lo más
elevada posible.
2- Para que la impedancia de entrada del paso sea elevada, interesará que
la RB y la RE sean lo mayores posibles. Para que la impedancia de salida sea
baja, nos interesará que Re sea pequeña.
3- Para que la estabilidad del paso sea buena, deberá cumplirse que RE
sea elevada, y que R Bbaja.
4- A la vista de la tabla 11, el factor de estabilidad más desfavorable en

este circuito y con este transistor, resulta ser el Sa, por lo que interesará
minimizarlo.
5- De todo lo anterior se desprende que, a la hora de realizar el diseño

del "paso amplificador", se han de considerar todos los factores mencionados y,
dependiendo de los requisitos (ESPECIFICACIONES) que tenga que cumplir,
TOMAR DECISIONES DE COMPROMISO.
125
CAPITULO II
- Transistores Unipolares
TRANSISTORES DE EFECfO DE CAMPO F.E.T.
1.- Un transistor de efecto de campo se conecta tal y como se indica en
la figura 1.1.
o
- 1
s
2
V1
fig. 1.1
Con el interruptor en la posicion "1", se varía V 2 desde cero voltios , y

observamos que, a partir de V2 = 4,5 V, la intensidad I se hace constante y
toma el valor de 15 mA. A continuación, el conmutador se pasa a la posición 2,
y se pide:
a) La intensidad 1, cuando V 2 = 2 V Y VI = 0,2 V
b) La intensidad 1, cuando V 2 = 5 V Y VI = 5 V
e) La intensidad 1, cuando V 2 = 12 V Y VI = 3 V
d) La intensidad 1, cuando V 2 = -2 V Y VI = 3V
126
Solución
A la vista del circuito, deducimos que se trata de un F.E.T. de canal N.

Como sabemos, se cumple que:
y que:
loSS = IOSAT IV - O
GS -
Teniendo en cuenta lo anterior, del enunciado se desprende que:
Vp = -4,5 V
loSS = 15 mA
Seguidamente, pasemos a considerar los casos solicitados:
a.- En este supuesto, se cumple que:
Vos = 2 V
VGS = -0,2 V
y que:
ó
Por lo que el dispositivo se encuentra en zona lineal, y la corriente

I = lo se calculará por la expresión (1)
lo = loss . (2V os/Vp) . (V GS/Vp - Vos/2Vp - 1) (1)

lo = 15.2,2/(-4,5). [(-0,2)/(-4,5) - 2/(-2 .4,5) - 1] (mA)

127
Calculando:
lo = 9,7mA
b.- En este caso, tenemos que:
Vos = 5V
V GS = -5 V
Con estos datos, veamos en qué zona se encuentra. Como se cumple que:
El transistor se encuentra en la zona de "corte", y su corriente valdrá:
c.- En este caso, nos dicen que:
Vos = 12 V
V GS = -3V
Por lo que:
(3)
Es decir:
12~ -3-(-4,5) = 1,5
Comprobación que nos permite afirmar qur el componente se encuentra en

saturación, y que la corriente que circulará valdrá:
lo = IosS< 1- VGs/Vp)2 (4)

Introduciendo valores:
lo = 15 ( 1 - (-31 -4,5))2 (mA)

128
Calculando resulta:
ID = 1,66 roA
d.- Ahora tenemos que:
VDS = -2 V
V GS = -3
VDS < VGS - Vp
Y, además VGS > Vp
Por lo que nos encontramos en zona óhmica, y la corriente valdrá:
ID = I Dss' 2VDS/V p ' (VGs/Vp - VDs/2V p -1)
Introduciendo valores:
ID = 15.2(-3)/(-4,5) .[(-3)/(-4,5) - (-2)/2(-4,5) -1] (roA)
Calculando resulta:
ID = -7,4 roA
-0000000-
2.- Un F.E.T. se ha introducido en el circuito de la figura 2.1.

129
V1
fig.2.1
Situado el interruptor en la posición "1", se varía V2 desde cero voltios,

y se observa que, a partir de 4,5 V, la corriente que circula por la malla de
salida se estabiliza, y toma el valor de -15 mA. Se conmuta el interruptor a la
posición "2", y se pide:
a) 1, cuando V 2 = 2 V Y V 1 = 0,2 V
b) 1, cuando V 2 = 5 V Y V 1 = 5 V
e) 1, cuando V 2 = 12 V Y V 1 = 3 V
d) 1, cuando V = -2 V Y V 1 = 3 V
e) Obtenga conclusiones comparando los resultados obtenidos con los del

problema anterior.
Solución
A la vista del circuito de la figura 2.1, deducimos que el F.E.T. es de

canal P. Además, sabemos que:
y que:
IDSS = IDSA! IVGS -- O

130
Por lo que, del enunciado, deducimos:
Vp = 4,5 V
I oSS = -1.') mA
Pasemos a realizar los cálculos pedidos.
a.- En este supuesto, se cumple que:
V GS = 0,2 V
Vos = -2 V
Con estos datos, veamos en qué zona se encuentra polarizado el dispositi-

vo. Como no se cumple la relación:
Ya que:
-2> 0,2 - 4,5
Y, además:
Diremos que se encuentra polarizado en zona lineal, por lo que se cum-

plirá la expresión:
lo = loss (2Vos/Vp) (VGS/Vp - Vos/2Vp - 1 ) (1)
lo = -15.2 (-2)/4,5 [0,2/4,5 - (-2)/(2.4,5) -1] (mA)

131
Calculando resulta:
ID = -9,77 iDA
b.- En este caso, del enunciado se desprende que:
VDS = -5V
Como resulta que;
(2)
El transistor se encontrará en zona de corte, y la corriente valdrá:
ID = O
c.- Deducimos del enunciado y de la figura 2.1 que:
V GS = 3 V
VDS = -12 V
Como se cumple que:
(3)
Y, además:
V GS < V p
Nos encontramos en la zona de saturación, por lo que se cumplirá la
expresión:
(4)
132
ID = -15 ( 1 - 3/4,5)2 (mA)
Calculando resulta:
ID = -1,66 mA
d.- Del enunciado y de la figura 2.1, deducimos:
V GS = 3V
Vos = 2V
Como se cumple que:
El dispositivo se encuentra en zona óhmica, y la corriente por el drenador

valdrá:
ID = Ioss' 2Vos/Vp (VGs/V p - Vos/2Vp -1)
ID = 7,4mA
e.- Observando las resoluciones de los ejercicios uno y dos, podemos

extraer la conclusión de que se puede utilizar un sólo tipo de ecuaciones para
ambos tipos de transistores. Resumiremos los citados y las condiciones de su
validez en la tabla 2.1.
133
I TABLA 2.1
Z
O
N CANAL CONDICIONES CORRIENTE (ID)
A
C N VGs < Vp
O (V p < O)
R
T IVGsl > IVpl O
E P VGS > v.
(V p > O)
VGS > Vp
O
N IVGsl < IVpl
H
VDS ::5 VGS - Vp
M
I 2VDS VGS VDS
ID = IDSS - ( - - - -l )
C
Vp Vp 2Vp
A
VGS < V p
p 1VDS 1::5 /VGS - Vpl
VDS ~ VGS - Vp
S
VGS > Vp
A
N IVGsl < IVpl
T
VDS ~ VGS - Vp
U
R
ID = IDSS (1 - VGS/Vp)2
A
C VGS < Vp
I P IVDSI ~ IVGS - Vpl
O VDS ::5 VGS - Vp
N
-0000000-
3.- Se ha construido un F.E.T. de canal P (sobre Si), cuya forma geomé-

trica se indica en la figura 3.1.
134
G n+
s
fig.3.1
El canal'se ha dopado con una concentración de aceptores de 1016 cm- 3 ,
siendo los parámetros a = 1,2615J.lm, h = a, L = 2 h.
La constante dieléctrica relativa del Si vale 12, y la movilidad de los

huecos 450 cm2/V s.
Calcule:
a) La tensión pinch-off (V p)
b) "Anchura efectiva" (ae) del canal, con ID = O
e) Corriente que circulará por el F.E.T. Sl suponemos que el transistor se

polariza con una VGS = 1/5 Vp , y que la VDS 2 V no influye en la "anchura
efectiva" del canal
d) En el supuesto del aparato anterior, calcule la relación que existe

entre la resistencia para VGS = O ( RDON(O) ), la RDON (para una VGS cual-
quiera, en zona lineal).
Solución
135
a.- Suponiendo que In = O, Y sabiendo que la urnon n+p aparecida entre

puerta y canal se encuentra polarizada inversamente, podemos dibujar la fig.
3.2.
n+ G
a
fig.3.2
Siendo la unión n+p, se deduce que la anchura de la zona bipolar valdrá
aproximadamente:
L = L p = (a - ae) / 2
Que vale:
2€
L = [ - - (Vo + VGS )F/2 (O)
qNA
Suponiendo que:
Nos queda:
L = «2€/q NA) VGS )1/2 (1)
Como se defme la tensión pinch-off (V p) como aquella que "estrangula" el

canal (ae = O), nos queda:
a/2 = «2€/q NA). Vp )1/2

De donde:
(2)
136
b.- De (1) se deduce que:
(a - ae) = [( e . 2 / q . NA) . VGS ] 1/2
De donde:
ae = a - 2 [(2€/q NA) VGS p12 (3)
Sustituyendo valores, y teniendo en cuenta que VGS = Vp / 3 = 1 V,
Calculamos que:
ae = 0,532 p.m
c.- En este supuesto, el F.E.T. se comportará como una resistencia óhmi-

ca, cuya forma geométrica será la de la figura 3.3
d
11 Vos
.:-.
-
~
/ ID
.--
5 °e O
fig.3.3
De la figura se desprende que la intensidad ID vale:
137
(4)
Siendo Ro
L
Ro = p
h. ae
y la resistividad p valdrá:
1
p= - - - -
NA·q·~p
La anchura ae sigue la relación (3) que, al combinarla con la (2), se

puede escribir:
Por lo que, sustituyendo en (4), nos queda:
NA . q . ~p . h . a
ID = [1- (VGS/V p )1/ 2] . VDS (5)
L
Sustituyendo valores en (5) y calculando, nos resulta:
ID = 5,02 ~A
d.- De la relación (5) se desprende que, para una VGS = O, tenemos:
L
RDON(O) = (VOS/ID) IV -O
GS - q . NA . ~p . h . a
Por lo que, para una VGS cualquiera (dentro de la zona lineal), podemos
deducir que:
138
RDON (O)
RDON =
-0000000-
4.- Estudie el comportamiento eléctrico de los transistores F.E.T. con la
temperatura, analizando la corriente lo.
Solución
Sabemos que la corriente por el drenador depende de la zona de polariza-

ción. ASÍ, para la zona óhmica, se puede escribir:
2V GS
(-- (1)
Vp
y para la de saturación;
(2)
De (1) Y de (2), vemos que la dependencia de la lo con la temperatura

vendrá dada por la de los parámetros Vp e Ioss'
Dependencia de Ios s con la temperatura.- Para valores de dopados que

cumplan N, ni depende proporcionalmente de la movilidad (véase la expresión
(5) del ejercicio 3), cuya dependencia con la temperatura se puede escribir:
para los electrones
para los huecos
En que ~ y ~ son dos constantes que dependen del tipo de portador,

del sustrato de base y de la concentración de dopado.
139
Los exponentes e y d, dependen del tipo de portador y del sustrato base.

Así, se cumple que, aproximadamente:
Ge Si As Ga
e 1,66 2,5 1
d 2,33 2,7 2,1
Por lo que se puede decir que IDss ex: (l/Te) y que IDss ex: ( l/T d ) en
los FET's de canales N y P respectivamente.
Dependencia de la· Vp con la temperatura.- En una union P-N inversa-

mente polarizada (puerta-canal en un FET),la tensión que actúa sobre la zona
de transición se puede escribir:
Como cabemos, en un FET, cuando VGS = V p' se produce el estrangula-

miento del canal; tomando entonces V o ' el valor de Vpi' que se puede consi-
derar CONSTANTE. Con estos razonamientos previos, podemos expresar:
d Vp i d V o d Vp
=--+--=0
dT dT dT
De donde:
El último miembro, en una unión P-N, toma el valor aproximado de

-2 mV ¡OC, por lo que:
dV p / dT = 2 mV ¡OC
140
Las dependencias de los dos parámetros con la temperatura, se pueden

resumir dibujando las funciones de transferencia para dos temperaturas diferen-
tes.(figura 4.1).
1101
1055Tl
I055T2
fig.4.1
De lo estudiado se deduce que, al contrario de lo que ocurre en los
diodos de unión P-N y en los transistores bipolares, en los FET's el C.T.I. es
negativo, por lo que, aumentos de temperatura producirán disminuciones de
intensidad.
-0000000-
5.- Un transistor F.E.T. se conecta según se indica en la figura 5.1.
VOO= 2üV.
fig.5.1
Del transistor se conocen los siguientes parámetros:
I DSS = 20 mA;
141
Teniendo en cuenta lo descrito, se pide:
a) La tensión VD si se sabe que VG = -12 V
b) Valor que deberá tomar VG para que la tensión VD = VDD
Solución
A la vista de la figura 5.1, deducimos que el componente activo es un
F.E.T. de canal N.
a.- Del circuito de la fig. 5.1, se desprende que:
(1)
y que:
(2)
En la que se ha supuesto que IG = O, por considerar que R GS = co
A partir de este punto, hemos de descubrir en qué zona se encuentra el

FET polarizado. Para ello, comenzaremos siempre por la que presente MENOR
dificultad en su análisis. En caso de que no se encuentre en ella, pasaremos a
la siguiente en facilidad, etc.
Zona de corte: En este supuesto se deberá cumplir que:
ID = O (3)
y que
(4)
De (2) deducimos que:

142
Que no cumple la condición (4), por lo que el dispositivo no está en

corte.
Zona de saturación: En este supuesto se deberá cumplir que:
(5)
y que:
(6)
Despejando ID de (2), introduciéndolo en (6), y operando, se llega a:
Resolviéndola, resulta:
(7)
Introduciendo valores y calculando, obtenemos:
V GS = -3,06 V
De las dos soluciones tomamos la primera, puesto que la segunda es un

valor que corresponde al corte, y estos cálculos son realizados para saturación.
Conocida VGS' calcularemos a continuación ID y Vos, utilizando las

expresiones (2) y (1), dando respectivamente como resultados:
ID = 0,3 mA
los = 28,3 V
143
Resultados que confirman el cumplimiento de la condición dada en (5), por

lo que podemos afirmar que el F.E.T. se encuentra en zona de saturación.
Conocida ID, la tensión VD valdrá:
(8)
VD = 19,3 V
b.- Para que VD ,;, Voo' se tendrá que cumplir que ID = 0, es decir, que
el FET se encuentre en el corte, para lo cual se tendrá que cumplir la expre-
sión (4). Por ello, y a la vista del circuito de la fig. 5.1, podemos escribir:
(9)
De donde:
VG = -13,5 V
-0000000-
6.-Se tienen dos diodos idénticos, Di = D z, Y un FET (cuyas caracterís-

ticas se adjuntan) conectados con cuatro resistores y dos generadores de
tensión, tal y como se indica en la figura 6.1.
144
R,=666,6.n
V2= 10 V
v, =1V. o, RJ=590 ..n
fig.6.1
'ol(mA)
1------ ..
Io(mA)
1------ .
-
f--. --- f----- - - c--
-- -
......- typ
I
o /1
o 0.2 0.4 0,6 o.e -4 -2
Determinar:
a) La corriente I oss
b) La tensión pinch-off (V p)
e) La tensión en bornas del diodo D 1
d) La corriente que circula por el drenador.
e) La tensión de drenador surtidor ( o fuente ) Vos

145
Solución
a.- La corriente Ioss se puede definir:
Ioss = lo IVGS -- O
Por ello, nos vamos a la característica de transferencia y obtenemos la
corriente que circula por el drenador cuando VGS = O. Así resulta:
Io SS = 4mA
b.- Sabemos que la tensión pinch-off se puede definir:
Por esta razón, de la gráfica dé transferencia obtenemos que:
c.- Como por la puerta del F.E.T. no hay corriente, el circuito de entrada
se puede reducir al de la figura 6.2.
V1
°1
fig.6.2
Para calcular VOl' escribiremos la recta de carga, la trazaremos sobre la

característica del diodo y el punto de cruce.
De ambas curvas, nos dará el punto de funcionamiento. Así obtendremos

la figura 6.3,
146
fig.6.3
de la que se desprende que:
VDl = 0,65 V
d.- Para calcular la corriente que circula por el drenador, podemos dibujar
la figura 6.4.
VOl =O.65V.
fig.6.4
De ella se deduce que:

147
VG~ VOl
ID = - --+
R3 R3
Ecuación perteneciente a una recta, de las variables ID, VGS. Trazándola
sobre la característica de transferencia, nos resulta la figura 6.5.
ID
-2
fig.6.5
ID = 2mA
e.- Calculada la corriente del drenador (en el apartado anterior), para

obtener la tensión drenador-surtidor podemos escribir:
(1)
La tensión V02 la calculamos dirigiéndonos a la característica del diodo,

y por el punto I = ID = 2 mA, trazamos una horizontal. Por el punto de corte
trazamos una vertical y el cruce con la ordenada nos dará la tensión buscada,
es decir:
V0 2 = 0,675 V
148
Introduciendo datos en (1) y calculando, nos resulta:
VDS = 5,07 V
-0000000-
7.- Un F.E.T. de canal P se conecta según se indica en el circuito de la
figura 7.1.
Dz
VD ='5 V
Vs =5 V.
fig.7.1
De los componentes se conocen los siguientes datos:
Del F.E.T.:
IDSS = -10 mA
Del zener:
Vz = 5V I S = 10 ¡.tA
Resistores:
R1 = 1M Rz = 100 K
149
En las condiciones del enunciado, determine:
Corriente que circula por el drenador, región de funcionamiento y la

tensión VDS.
Solución
Como I G = O YVGS < VP' el transistor no se encuentra en el corte.
A la vista del circuito y de los datos, por el zener, que está polarizado
en inverso, pueden ocurrir dos casos:
a- Que no esté polarizado en el codo zener.
b- Que 10 esté.
a.- En este supuesto, la corriente de drenador valdrá:
Por 10 que la tensión VDS sería:
Como se cumple que:
(O)
El dispositivo debiera estar en saturación, con 10 que:
(1)
150
lo = _10-2 ( 1 - 5/6)2 = -277,7 ¡¿A
Como esta corriente es superior a la inversa de saturación del zener,

deducimos que el citado se encuentra polarizado en el codo (a), debiendo ser la
corriente por el drenador:
lo = -277,7 ¡¿A
Circulando esta corriente, la tensión entre drenador y surtidor valdrá:
Vos = 22,5 V
Tensión que no es posible, a la vista de los valores de las pilas. De lo

anterior, podemos deducir que el dispositivo deberá estar polarizado en zona
óhmica. Por ello se deberá cumplir:
2Vos V GS
-( (2)
Vp Vp
y que:
Combinándolas obtenemos:
151
Sustituyendo valores y calculando, se reduce a:
V DS 2 .2,7.10- 7 + VDS' 5,56 . 10- 4 + 5. 10- 5 = O
Despejando y calculando, resulta:
-92,6 mV, con el (+)
.p<" con el (-)
De las dos soluciones, tomamos la primera ( -92,6 mV), por ser la que
corresponde a la zona óhmica, esto es:
Calculando la corriente según (2), nos queda:
ID = -49 J.'A
-0000000-
152
TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (M.O.S.T.)
8.- Un MOST de acumulación de canal n se construye según se indica en

la figura 8.1.
s G o
p
fig.8.1
Los parámetros indicados en la figura valen:
W = 100¡.¡.m tox = 0,1 ¡.¡.m
L = 10 ¡.¡.m
fox = 4 ¡.¡.n = 450 cm 2 / V s
Calcule:
a) La corriente I Dss
b) La corriente del drenador, la gm y la gd, cuando se polariza con una

tensión VDS = 1 Vy una VGS = 5,54 V.
e) La corriente ID' la gm y la gd, cuando VDS = 5 V YVGS = 4 V.
153
Solución
La corriente que circula por transistor MOST de canal n depende de la

región en la que se encuentre polarizado.
a.1. En zona lineal.
Condiciones:
Corriente:
(1)
(1')
y Cox es la capacidad MOST por unidad de área:
Cox = eo s ox / tox
a.2. En zona de saturación:
Condiciones:
Corriente:
lo = (W J.m Cox / 2L ) ( VGS - VT )2 (2)
(2')
154
a.3. En zona de corte:
Condición:
V GS < V T
Corriente:
a.- Con las premisas anteriores, y definiendo la IDss como:
IDSS = ID IV --V (3)

D - T
Aplicando (3) a (2), nos queda:
(4)
I DSS = 1 mA
b.- Dadas las polarizaciones, comprobemos en qué zonas de funcionamiento

nos encontramos. Para ello, comprobemos si se cumple la relación:
1 < 5,54 - 3,54
Por lo que nos encontramos en zona óhmica, y podemos aplicar la ecua-

cion (1) que, puesta en función de IDss' nos queda de la misma que en la
F.E.T., esto es:
2V DS VGS VDS
ID = I DSS -- ( - - 1 - --) (5)
VT VT 2VT
155
ID = 237,9 J.lA
Por otro lado, la transconductancia se defme como:
d ID MD
gm=-I - ""
d V VDS - cte !J.V IVDS = cte
GS GS (6)
Derivando la ecuación (5) nos queda:
(7)
gm = (10- 3 /2) (ohmios)"!
Finalmente, la conductancia del canal, gd, se defme como:
d ID
gd=-I _
d V VGS - cte
DS
Derivando la ecuación (5) respecto de VDS' nos queda:
(8)
gd = 158,45.10- 6 (ohmios)"!
c.- Veamos cuál es la zona de trabajo. Para ello, comprobemos si está en

saturación:
5~4-2V y 4>2["if
156
Por lo que aplicaremos la ecuación (2), que se puede escribir:
(9)
ID = 16,48 J1.A
En este caso, la transconductancia valdrá:
dIo
gm=--
d VGS Vos = cte
2 Ioss
gm =- (10)
gm = 128,3.10- 6 (ohmios)"!
Por último, la conductancia del canal valdrá:
gd=~1
d Vos V = cte
GS
Calculando resulta:
gd = O
Comentario;
Comparando los resultados de las transconductancias y conductancias de

los apartados b y e, deducimos que las citadas son ( como era lógico pensar),
mayores en las zonas lineales que en la saturada.
-0000000-
157
9.- Un MOST de acumulación, de canal p, se construye según se indica en

la figura 9.1.
5 G o
fig.9.1
De la mencionada estructura, se conocen los siguientes parámetros:
W = 200 J.'m; L = 10 J.'m; tox = 0,1 J.'m
Vr = -2 j;;v; eox = 4; J.'n = 225 cm 2 j V s
Calcule:
a) La corriente IDSS
b) La corriente del drenador, cuando se polariza con una tensión de
VDS = -1 V yla VGS = -5,54 V
c) La corriente ID' cuando VDS = -5 V Y VGS = -4 V
Solución
La corriente que circula por un MOST de canal p, depende de la zona en

que se polarize. Así podemos decir:
158
1. En zona lineal u óhmica:
Condiciones:
Corriente:
w ~pCoX
ID = - [ ( V GS - V T ) VDS - VDS
2
12 ] (1)
L
En que Cox = €O €OX 1 tox F 1m 2
2. En zona de saturación:
Condiciones:
Corriente:
w ~pCox
ID = - ( V GS - V T )2 (2)
2L
3. En zona de corte:
Condición:
Corriente:
ID = O
a.- Recordando que la Ioss se defme como:

159
Aplicando ésta a la ecuación (2), nos queda:
,-w J.lpCOX
I DSS = - - - - VI 2 (4)
2L
IDSS = -1 mA
b.- Comprobemos en qué zona se encuentra polarizado, comprobando si se

cumple la desigualdad:
-1 -5,54 - 2 ¡; = -2
Como no se cumple, y VGS < VI' nos encontramos en una zona óhmica.
La ecuación (1) se puede escribir en función de la (4), de la siguiente forma:
(5)
ID = -237,9 J.lA
c.- Veamos la zona de funcionamiento, comprobando SI se cumple la

desigualdad:
160
Sustituyendo:
-5 -s -4 + 2 ¡; = -0,455
Como se cumple, nos encontramos en la región de saturación. En función

de (4), podemos escribir la (2) de la siguiente forma:
(6)
sustituyendo valores y calculando, obtenemos:
In = -16,48 J.lA
-0000000-
10.- Un MOST de deplexión, de canal n, presenta los siguientes paráme-

tros:
W = 200 J.lm eox = 3
L = 10 J.lm tox = O,l1!m
El mencionado componente se conecta tal y como se muestra en el cir-

cuito de la figura 10.1.
- ID
Vo= 5V.
fig.10.1
Calcule la corriente que circula por el drenador.

161
Solución
La corriente que circula por el drenador, será función de la zona de

funcionamiento, Por ello, veamos en qué zona se encuentra el componente,
comprobando si se cumple la desigualdad:
5~0-(-1)=1
Como se cumple, diremos que el dispositivo se encuentra en saturación.

Así pues, podemos escribir:
(1)
En la que:
W ¡ln Cox
2 (2)
los s = VI
2L
y la capacidad MOST por unidad de área vale:
Cox = eox €O / tox F/m2 (3)
Sustituyendo (3) en (2), y esta última en (1), e introduciendo valores,

( VG = O), resulta:
lo = I oss = 1 mA
-0000000-
162
11.- Un MOST de deplexión, de canal p, presenta los siguientes paráme-

tras:
W = 1S0 ¡.¡.m
L = S¡.¡.m e ox = 4 (relativa)
tox = 0,1 ¡.¡.m ¡.¡.n = 600 cm 2/V s
Calcule la corriente por el drenador en los siguientes casos:
a)ConVos=-SV
b) Con Vos = -s V yVGS = -SV
e) Con Vos = -S V yV GS=+1V
d) Con Vos = -1 V y V GS = -1 V
e) Con Vos = -S V
Solución
En cada caso, hemos de averiguar la zona en que se encuentra. Para ello,

comprobemos primero si VGS < VT' Si esto se cumple, investigaremos si se
encuentra en saturación ( Vos :5 VGS - VT ). Si ésto no se cumple, se encon-
trará en zona óhmica.
a.- Vemos que VGS < V T y que Vos VGS - VT' por lo que la corriente -
por drenador valdrá:
En la que:
IoSS = - (W . ¡.¡.p. €OX. e o , V T2 ) / 2L tox

163
I DSS = -1 mA
Como VGS = O, se cumplirá que:
b.- Vemos que VGS < VI y que VDS ~VGS - VI' por 10 que la corriente
la calcularemos según (1).
ID = -14,59 mA
Como VGS < O, el dispositivo se encuentra funcionando en acumulación.
c.- Vemos que VGS < VI y que VDS -s VGS - VI' por 10 que la ID la
calcularemos con la expresión (1).
ID = -189,9 jjA
En este caso, como VGS > O, el componente se encuentra funcionando en

deplexión.
d.- Se cumple que VGS < VI y VDS ~ VGS - VI' por lo que nos encon-
tramos en zona lineal. En ésta, se cumplirá:
2VDS VGS
( - -1-
VI VI
164
Sustituyendo valores y calculando, resulta que:
ID = -1,12 mA
e.- Como VGS > V T' el dispositivo se encuentra en corte, por lo que:
-0000000-
12.- Un transistor MOST presenta los siguientes parámetros:
W = 100 J.Lm; L = 6J.Lm;
tox = 0,2 J.Lm; V T=-2V;
J.Ln = 500 cm 2 j V s; eox = 3
Se pide:
a) La capacidad del condensador MOST formado.
b) La transconductancia, gm, cuando se encuentre polarizado en la zona

lineal ó en saturación
c) Deduzca un circuito equivalente para poca señal, y en los casos:
cl. Baja frecuencia
c2. Alta frecuencia
d) Calcule la frecuencia maxuna de trabajo del componente en cuestión,

cuando se polarice con una V GS = 1 V Y VDS = 5 V.
Solución
a.- El condensador MOST se puede dibujar según la figura 12.1.

165
L
~I
fig.12.1
La capacidad que presenta se puede calcular según la expresión:
Cmost = €OX €O L W / tox (1)
Cmost = Cox. L . W (2)
Cmost = 0,0796 pF
b.- Sabemos que la transconductancia se define:
Vos = cte (3)
Para la región lineal, valdrá:
gro = (W/L ) Jln Cox Vos (4)
Para la de saturación:
(5)
166
c.- Para baja frecuencia, despreciamos todos los efe~tos capacitivos, por
lo que podemos dibujar el siguiente circuito equivalente. (fig. 12.2)
9 o ,----------.---------0 d
gd
o-----------'--------~-----__o S
fig.12.2
En el que gd es la conductancia drenador-surtidor. Esto es:
gd =
(6)
Para alta frecuencia, hemos de considerar, además, los efectos capaCItivos

entre los diferentes terminales. Así, podemos dibujar el circuito de la figura
12.3.
9 o
9d
1
0------''----------'------"'-------'------05
fig. 12.3
d.- La frecuencia máxima de trabajo, se produce cuando la corriente a

través de la capacidad Cg s es la misma que la producida por el generador
dependiente. Esto es:
167
De donde:
fm = gm / (2 11" • C g s ) (7)
Aproximadamente, la capacidad entre puerta y surtidor se puede tomar

como la producida por el condensador MOST. Así que:
(8)
Calculemos la fm en el punto de polarización. Para ello, avenguemos si se
encuentra en la zona lineal ó de saturación. Como el MOST es de canal n (/.m),
la V T es negativa, se trata de un dispositivo de canal difundido ó de deplexión,
y como se cumple que Vos ~ V GS - V T, podemos decir que se encuentra en la
zona de saturación, por lo que la gm la calcularemos según la expresión (5).
Sustituyendo esta última en (7), nos queda:
fm ""663 Mhz
-0000000-
13.- Se ha efectuado un montaje con diversos componentes, tal y como se

muestra en el circuito de la figura 13.1.
fig.13.1
168
Del T 1 se conoce la curva de transferencia (figura 13.2), y del T 4 sus

curvas de salida (figura 13.3).
1o(mA) lo(mA)
60 f--~-----'r-------'-~----.------.------.-----'
VGS=7
6
5O
V
3O
V
V 10
./
V
O O
fig. 13.2 fig.13.3
Del D¡ se sabe que su tensión zener es de 4 V Y su corriente inversa de

1J.LA.
De los transistores bipolares se sabe que presentan los mismos parámetros:
QF = 0,9; Ilesl = 100 nA e Ileol = 32,5 nA.
El C l yel C l son de 10 nF ideales.
En las condiciones presentadas, y considerando que la temperatura es de

300 °K Yel circuito está en régimen permanente, se pide:
a) Punto de funcionamiento ( ID' VDS) del T 1
b) Tensión en la resistencia R 3 (VR3)
e) Tensión en bornas del condensador C¡
d) Corriente por el drenador del T 4

169
Solución
a.- El circuito de la figura 13.1, a los efectos del presente apartado, se

puede dibujar: (fig. 13.4)
R1=SO.n.
VI
fig.13.4
Del mencionado se puede obtener la ecuación:
De donde:
Que representa una recta, la cual trazamos sobre la gráfica de la figura

13.2, resultando la figura 13.5.
ID
20mA:V GG/ R1
fiz, 13.5
170
Es decir, la corriente por el drenador será de:
ID = 19 roA
Conocida ID' vamos a la malla de salida de la figura 13.4, y formulamos:
Sustituyendo valores y 'calculando:
VDS = 10 V
b,- Para calcular VR3, hemos de calcular primero la corriente que circula
por el colector de T 2' que es la misma que circula por la R 3 , En un NPN, la
ecuación de colector se puede escribir:
le = -les D(BC) + QF lES D(BE)
Por la presentación del circuito, y con el fin de hacer los cálculos más
simples, supongamos que la unión BC está polarizada en inverso, y con una
tensión suficientemente grande (IV Be/ > > 0,026 ),
De la figura 13.1, deducimos que VBE = 0,4 V. De las especificaciones

obtenemos que les = 100 nA Yque QF = 0,9. Nos falta, pues, conocer ~.
De donde:
QR = (l/QF) (1 - leo/les) = 0,75
Del teorema se Reciprocidad, se desprende:

171
Por lo que nos quedará:
IC = 360 mA
Por lo que VR3 será:
VR3 = -360 .1/60 = -6 V
c.- La tensión en bornas del C1 será la misma que haya entre el colector
y la base del transistor PNP, T l' el cual tiene la unión base-emisor en corto-
circuito. En estas condiciones:
Ic = - Ics D(CB), siendo Ics = -100 nA
Despejando:
VCB = (KT/q) Ln (- Ie/l cs + 1)
VCB = 0,39 V
Efectuados estos cálculos, hemos de comprobar S1 el supuesto realizado en

el apartado b era cierto.
VCB IT = V 3 + VR3-VCB = 18-6-0,39 = 11,61 V

2
Que confirma el supuesto.
d.- Como estamos en régimen estacionario, y el condensador C 2 es ideal,

podemos decir que:
-0000000-
172
14.- Un transistor T 1 se conecta tal y como se muestra en la figura 14.1.

Realizando medidas, obtenemos:
Del circuito 14.1 y los interruptores en la posición "a", 1Id 300 mA;
1121 = 270 mA.
Del circuito 14.1, y con los interruptores en la posición "b", 111 / = 10 jjA
El transistor T 1 se conecta con otros dos ( T 2' T 3 ), tal como se muestra
en el circuito de la figura 14.2.
Del transistor T 2 conocemos las curvas de la figura 14.3. Del T 3 sabemos

que la tensión IVpl = 2,6 Vy su Ilos s l = 30 mA
V~KT/q
fig. 14.1
R,=SÜK
+
1°·",
fig. 14.2
173
IO(mA)
o 2 3 4 5 6 7 8 9
fig. 14.3
a) Determinar los parámetros 0F e leo del T l' sabiendo que 0R = 0,75
b) La tensión VBE del T 1
e) La tensión de V4
d) La tensión de V6' sabiendo que T 3 está en zona de saturación.
Resolución
a.- Del circuito de la figura 14.1, y con los interruptores puestos en la

posición "a", podemos deducir:
De las cuales obtendremos:

174
Con los interruptores del circuito de la figura 14.1 en la posición "b", y

teniendo en cuenta que que V > > KT/q, deducimos que:
Conocidos lES' QF' QR' Y teniendo en cuenta el teorema de la Reciproci-
dad, podemos escribir:
Por lo que:
leo = -3,9 J1.A
b.- Suponiendo que la umon colector-base está polarizada en inverso, y

con la tensión suficientemente grande, podemos escribir:
I = f3 F lB + (f3F + 1) leo
Ecuación en la que:
Sustituyendo obtenemos:
le = -219 J1.A
y que , al tener en cuenta los valores de R z Y R 3 , queda demostrada la

suposición planteada.
Como lE = - le - lB = 219 + 20 = 239 J1.A
Del circuito de entrada (figura 14.4) podemos escribir:

175
Sustituyendo valores, tendremos:
V BE = -0,081 V
Rl
c::::J o B
1 Vl
1v, R2
[3
--.
fig. 14.4
c.- Como ~S2 > > R 3 y R GS 3 > > R s, podemos dibujar el circuito de la
figura 14.5.
Rs
fig. 14.5
Del circuito de salida, podemos formular:
Ecuación que representa la recta de carga del circuito de salida, dada en

la figura 14.3,y , teniendo en cuenta que la tensión entre puerta y surtidor
valdrá:
VGS = -le R 3 = 219.13,7 = 3V

176
Podemos conseguir la figura 14.6,
30mA
Vos
fig.14.6
de la que obtendremos:
ID = 30 mA
Con lo que:
V4 = -R 4 • ID = -2,46 V
c.- Como ~S3 > > R s, podemos dibujar el circuito de la figura 14.7.
fig.14.7
Teniendo en cuenta que el T 3 está en saturación, podemos escribir:
ID = loss (1- VGS/Vp ) 2
V GS3 = -10 2 R s = -2,46 V

177
Y, sustituyendo valores, obtendremos:
ID = 0,087 roA
Por último, podemos formular:
Vs = -R s . ID = -0,87 V
-0000000-
15.- Dos MOST de acumulación, de canales n y p, se conectan según se

indica en la figura 15.1.
Voo=5V
fig.15.1
Los parámetros de los transistores son:
VIl = 1 V IOSS 1 = +8 nA
V I 2 = -1 V Ios s 2 = -10 nA
Si en la entrada la Ve puede tomar los valores
tensión de salida correspondiente a las entradas citadas.
° ó VDO' calcule la
Solución
Cuando Ve = VDO' en T 2 se cumplirá que la VGS2 = 0, por lo que, obser-

vando la función de transferencia del citado transistor, (figura 15.2)
178
VT2
fig. 15.2
deduciremos que la corriente que circulará a través de él será la IDs s 2 '

que en este transistor es la inversa de saturación de la unión P-N drenador-
canal, que se encuentra inversamente polarizada. Esto es:
ID2 = IDs s 2 = -10 nA
Esta corriente circulará por el T l' por encontrarse el terminal de salida

en circuito abierto. Así que:
A partir de este punto, hemos de conocer la zona en la que se encuentra

polarizado el T 1. Para ello, sabemos que:
(1)
De (1) deducimos que se encuentra en conducción, siendo "probable" que

se cumpla, además:
(2)
En este supuesto, el T 1 se encontrará en zona óhmica, por lo que se

cumplirá:
2V DS1 V GS1 V DS1

ID1 = -IDSS2 = IDSS1 ( - - 1-- ) (3)
v.. v.. 2V n
179
Operando con (3), y despejando VOSI' obtenemos:
VGSI VGSI Ioss2

VOSI = VT1 (_ -1) ± [( - - 1)2 + - p/2 (4)
VT1 VT1 IOSSI
V OS l = 0,15 V
VOSI=~
De las dos soluciones, despreciamos la segunda, por no pertenecer a la

zona óhmica. Tomando la primera, COMPROBAMOS que la condición (2) se
cumple, por lo que el TI se encuentra en zona OHMICA. Podemos, pues, con-
cluir que cuando:
Ve = Voo = 5 V, entonces V s = 0,15 V
Cuando Ve = ° V, el TI se encontrará cortado, circulando a través de él

la I OSSI (que, como sabemos, en este transistor es una corriente inversa de
saturación) tal y como se puede ver en la gráfica de la figura 15.3.
10551
fig. 15.3
180
Esta corriente (por encontrarse el terminal de salida en circuito abierto)

deberá circular por el T 2' que se encuentra en zona óhmica, ya que, realizando
razonamientos similares a los del caso primero, se cumplirá que:
y que:
V nS2 ~ V GS2 - V T2
Por lo que se puede escribir:
2V nS2 VGS2 V nS2

I n2 = -I nss1 = Inss2 ( - - 1- - ) (5)
V T2 V T2 2V T2
Despejando VnS2' e introduciendo datos numéricos, obtenemos:
V nS2 = -0,1 V
Por lo que:
V nS1 = V nn + V nS2 = 4,9 V
Podemos, pues, afirmar:
Cuando Ve = O V, entonces V s = 4,9 V

Completando el estudio realizado, podemos sustituir los transistores de la
figura 15.1 por sus resistencias equivalentes entre drenador y surtidor en cada
caso, dando lugar al circuito de la figura 15.4.
VDD
fig. 15.4
181
En ella se cumple:
R OS i = V OSi / 10 1 (6)
y
(7)
Sustituyendo los valores obtenidos para cada valor de la tensión de entra-
da, resulta:
para Ve = 5V R OS i = 15 M; R DS2 = 485 M
para Ve = OV R DS i = 612,5 M; R OS2 = 12,5 M
Comentario final
A la vista de los resultados obtenidos (puesto que las resistencias drena-

dar-surtidor son elevadas), comprobamos que la potencia que se disipa (para
cualquier valor de la tensión de la entrada) es MUY pequeña, y que la célula
compuesta por dos transistores Complementarios MOST (uno de canal n y otro
p), funciona invirtiendo la tensión de entrada en la salida, por lo que la citada
célula se conoce con el nombre de INVERSOR C MOST.
En la célula descrita se considera que el consumo en reposo es nulo, y
que éste se produce al efectuarse la transición de un estado a otro. Por ello,
el consumo crece con la frecuencia.
-0000000-
182
DE CONJUNTO
16.- Un transistor unipolar FET, se conecta según se indica en el circuito

de la figura 16.1.
s
e
o~-----j f--~.Ir-~
1
o- ----'L- ---L '---- ----.. m
fig.16.1
Del transistor se conocen las curvas de la figura 16.2.
20
BFW10
ID
Vos =15V. mA t ical vol~
Tj -25°C
10
1V
2V
l' 3V
o 10 VOS(V) 20
fig. 16.2
Determinar:
a) El tipo de transistor.
b) Punto de polarización nominal y sus valores extremos a 25 "C
e) Valores de la transconductancia gm y de la resistencia dinámica r d s

nominales del transistor.
183
o) Rectas de carga estáticas y dinámicas, con los interruptores i1 e i2

abiertos y cerrados.
e) Impedancias de entrada y salida con los interruptores i 1 e i2 abiertos y

cerrados.
f) Ganancias en tensión G¿ Vs/Ve (a frecuencias medias) con i 1 e 12

abiertos y cerrados.
g) Obtenga conclusiones de los apartados anteriores.
Solución
a.- A la vista de las curvas de salida y de transferencia dadas en la

figura 16.2, deducimos que ID e VDS son positivas, y la VGS negativa, por lo
que se trata de un F.E.T. de canal n.
b.- En corriente continua, los condensadores ideales son circuitos abiertos

y, además, sabemos que IG = 0, por lo que podemos dibujar el circuito de la
figura 16.3.
RS
'----------'------<]m
fig. 16.3
Del circuito de entrada, se desprende que:
Por lo que:
(1)
Que representa una recta de carga, trazada sobre la función de transfe-

rencia (figura 16.4)
184
-1 O
fig.16.4
Trazándola, se obtiene que:
Inn = 8 mA
IDmi n = 5,1 mA
I Dma x = 11,6 mA
Del circuito de salida, se deduce que:
(2)
V OSn = 6V
VOSmáx = 7,45 V
V OSmin = 4,2 V
c.- La transconductancia se define como:
gm= (3)
Luego, por las curvas de salida y por V OSn G", trazamos una recta
vertical, y obtenemos f,I o e f,V Gs (fig. 16.5)
185
10(mA)
10 1 =12,5 +--of-------=_t--- O =VGS1
Alo r-+---:::;¡;;¡oo--t--
fig.16.5
Luego:
gm = POi - I OZ )/( VGSi - VOZ)
gm = 4mA/V
La resistencia dinámica del colector (r d s ) se define como:
(4)
Interpretando (4) sobre las curvas de salida, dibujamos la gráfica de la

figura 16.6.
lO
IOS2
10Sn
- VGS=-1V
los1
7
1
VOS
fig.16.6
186
De ella se deprende:
r d s :::; (7 - 5)/( 8,1 - 7,9)
Calculando resulta:
d.- La recta de carga estática ó de continua, se obtiene sin considerar los

condensadores, por lo que vendrá dada por la ecuación (2). En alterna, con
C ... 00 , se puede considerar que la X, ... 0, por lo que hemos de considerar dos
casos:
1. Con iz abierto. El condensador C 3 se comporta como un corto, por lo

que el circuito a considerar será el de la figura 16.7.
- 'e
fig. 16.7
(5)
que, como R L > > Re, se puede poner:
(6)
187
2. En el caso de que el interruptor esté cerrado, resulta que R s o, por

lo que:
(7)
Como sabemos que las rectas de carga en alterna deben de pasar por el
punto de funcionamiento del transistor, trazando las rectas de cargas estática y
dinámica sobre las curvas de salida, podemos dibujar la figura 16.8
-1 /(R c+Rs)
20
6 10 VoS(V)
fig.16.8
e.- Para efectuar el análisis en "pequeña señal", hemos de susutuir el

transistor por su circuito equivalente; los generadores por su resistencia in-
terna, y los condensadores por cortocicuitos. Realizando lo citado, podemos
dibujar el circuito de la figura 16.9, en que:
ie = ii; is = i,
ve = Vi; Vs = Vo
--
ie
i1 R)
9 - -- ¡'s
rds
's
1'. R,//R2
Rc RL
Ze=Z¡
fig. 16.9
188
e.l. Cálculo de impedancia de entrada (Zi)
La impedancia de entrada se define:
(8)
Calculando, resultará:
e.2. Cálculo de impedancias de salida (Zo)
Se define como:
A la vista del circuito de la figura 16.9, y como vg s o (por serlo vJ,

podemos calcular:
Z¿ = RcI!r d s = 0,25 K, con iz cerrado
y
Z¿ = Re!! (r d s + R s) = 0,25 K, con iz abierto
f.- A la vista del circuito de la figura 16.9, deducimos que la posición del
interruptor i 1 no influye sobre la ganancia, cosa que si realiza el izo
Sabemos que la ganancia se defme:
Con el interruptor iz abierto, y a la vista del circuito 16.9, podemos

escribir:
(8)
y
(9)
189
Combinando (8) Y(9), obtenemos:
G v = -gm . . . . . - - - - - - - - (10)
rd s Rs
+ (1 + - )
R e / /R L R e / /R t
Con el interruptor iz cerrado, R s o, y la expresión 10 se convierte en
la (11).
(11)
g.- Conclusiones:
g.1. Del apartado b deducimos que, como IG = O, la R 3 no influye en

el punto de trabajo y que, si realizamos una polarización para la característica
de transferencia nominal, y posteriormente colocamos un transistor que no la
presente, el punto de funcionamiento variará. Por ello, convendrá siempre
polarizar para el caso "más desfavorable".
g.2. De "e" se desprende que la gm y la rd s dependen del punto de

trabajo.
g.3. Del apartado "d" se deduce que las rectas de carga estáticas y
dinámicas, en general, no tienen porqué ser las mismas, pero SIEMPRE COIN-
CIDEN en el punto de polarización.
g.4. De "e" deducimos que la función de R 3 es, precisamente, aumen-

tar la impedancia de entrada del "paso", y no influye en la ganancia (f).
g.5. De "f" entendemos que, para que la ganancia del paso sea ma-
yor, hemos de procurar que, en "señal", R s = O. Lo que logramos con un con-
densador en paralelo con ella.
-0000000-
17.- Tres transistores unipolares se han conectado con otros componentes,

formando el circuito de la figura 17.1.
190
fig. 17.1
De los transistores T 1 Y Tz se conocen las curvas de las figuras 17.2 y

17.3, respectivamente. Del T 3 se sabe que, en el punto en el que se encuentra
polarizado, ofrece una transconductancia gm = 10 mA/Y, Y una resistencia
dinámica de 1 M (r d s )
!ID
---
(mA) IIDI (mA)
" bl... I
~2
~ 1. S
40
~ ~ 11
/, ~ zo 5
¡.-
'1/ -~ ¡..-
20 1/ -- ~
~ ¡.-
"'3=
+ o5
! 1
- , "-
>--r-- +1 5
- -
~
~2-
¡...-
r- I
o -8 -4 o
fig.17.2 fig. 17.3
Otros datos:
Rz = 0,35 K;
R s = 10M; R7 = 1 K
D¡ = D z de Silicio = D 3 ; Zener ideal de 5,25 Y;
El circuito se encuentra en régimen estacionario.

191
Se pide:
a) Sobre la gráfica de la figura 17.2, tache los signos que no procedan.
b) Corriente 11, sabiendo que la tensión en bornas del diodo D 2 es de

O,5V.
c) Corriente inversa de saturación de diodo D 2 a la temperatura de

300 0K.
d) Tipo del transistor T 2' Razone la respuesta.
e) Corriente 12 a la temperatura de 25 oc.
1) Si las temperaturas ambientales de funcionamiento del T 2 pudieran ser

25 -c ó T -c, ¿Qué punto de funcionamiento elegiría ( ID' VDS ) en función
de una mayor estabilidad? Razone la respuesta.
g) Si el interruptor "i" se sitúa en la posición "2" (figura 17.1), calcule en

frecuencias medias:
g.l. Impedancia de entrada (ZeJ
g.2. Ganancia en tensión ( G¿ = Vsm/ vem )
Solución
a.- A la vista de su símbolo, el transistor TI es un MOST de deplexi6n

de canal P, por lo que los signos de la característica de salida serán:
-ID VGS<O
VGS=O
-----VGS>O
-vos
b.- A la vista de la figura 17.1, en régimen estacionario, y teniendo en

cuenta que las corrientes de puerta de los unipolares son despreciables, el
circuito del transistor TI se puede dibujar según la figura 17.4.
192
. V1
fig. 17.4
Del citado se desprende que:
y que:
Trazando esta recta sobre la curva de salida del T l' Y buscando la inter-
sección con la curva correspondiente aVGs = 1 V, deducimos:
-[o
(mAl
30
"- +1
15
10,5 -VOS
fig.17.5
c.- Sabemos que:
Luego:
193
Is = 66,72 pA
d.- Como las tensiones entre puerta y surtidor de la gráfica de la figura

17.3 son negativos, el transistor T 2 ha de ser un F.E.T. de canal n.
e.- Observando la figura 17.1, y concretamente el circuito del T 2' pode-
mos escribir:
VGS = 5,25 - 5,25 = O
Por lo que, de la gráfica de la figura 17.3, ya 25 "C, deducimos que:
ID = - 12 = 20 mA
Luego:
12 = -20 mA
f.- Para que no varíe el punto de funcionamiento al tomar el transistor

las temperaturas de 25 "C y de T, hemos de polarizar en el punto en el cual
se cruzan ambas gráficas. Así pues:
Del circuito de salida:
VDS = ( V3 - V z ) - (R 3 + R 4 ) ID
VDS = 5,57 V
g.- Para señal, el circuito a estudiar será el de la figura 17.6.

194
d
e ------,----9 r--------.,--_-......,------.. S
r~'m m
fig.17.6
g.l.- A la vista del circuito, la impedancia de entrada será:
Ze = vgm/i g Ip = R s/í R 6
Calculando:
g.2.- La tensión de salida se puede escribir:
Como R 7 < < R g < < r d s ' se puede escribir:
-0000000-
18.- El circuito de la figura 18.1 es un sistema de alarma, para que la

temperatura en un determinado lugar no supere un valor que se puede consi-
derar perjudicial para el equipo situado en él.
Del transistor se conocen sus características de salida, dadas en la figura
18.2. Del relé utilizado se sabe que su resistencia interna es cero, y que se
excita (cerrando el contacto e) cuando la corriente a través de él sea superior
a26mA.
195
,-------, V,=3V
I I
I
I I
----+-------o-- f - - - - - - , - - - - < > - - ,
I I
I I
I -r-c I
I I
I I
I I
I T L.---t--o-----'---------'---.L.- ---L..,
I I
L J
fig.18.1
ro5
R
en )
ro
ID
(mA )
1
35
lO 3 1111I I
V
60
3
NI. N N
o
25 io , ~II r ~ ~'N.lN.11 :JL
o N"'- 'N"'lL 15004
2
io ...t.III~:;~~
o
1.5 '!>DA "
20 N.'-N.N
, ~1~33
1 -VGS
22.
o .. ""
10
I ~3.3.n.
lO 15 20 25 30 10 -, 11I11I1111111
35 VDS eV)
-100 O 100 T('C) 200
fig.18.2 fig.18.3
Se pide:
a) Tipo de termistor utilizado.
b) Misión del diodo Di en paralelo-con el relé.
e) Tipo de transistor utilizado.

196
d) Punto de trabajo del transistor, SI la resistencia del termistor fuese

de 2K.
e) Si el relé (encontrándose el conmutador Com en la posicíon 1) se ha

de excitar cuando la temperatura en el termistor alcance ó supere los
60 °e.¿Qué termistor seleccionaremos? Los termistores disponibles presentan las
curvas R = f(T), presentadas en la figura18.3, y se considera que en el circuito
en el que se van a introducir no les afectará el sobrecalentamiento elétrico.
g) Con el termistor seleccionado en el apartado "e", y si el conmutador
(Com) se coloca en la posición "3", ¿A partir de qué temperatura sonará la
bocina y se encenderá la lámpara de alarma?
Solución
a.- A la vista del símbolo de la figura 18.1, y de las curvas de la figura

18.2,podemos afirmar que se trata de un N.T.e.
b.- Cuando, después de excitado el relé, de desexcita, en sus bornas se

produce una sobretensión, con el positivo en la borna D, que podría estropear
el transistor. Colocando el diodo, éste no hace nada cuando el relé se excita
(porque se encuentra polarizado en inverso), pero, cuando se desexcita, condu-
ce, y la extracorriente de ruptura se "cierra" sobre DI' quedando protegido el
transistor.
c.- Ante el símbolo y sus curvas de salida, podemos decir que se trata de
un MOST de acumulación de canal n.
d.- A efectos del cálculo del punto de trabajo, el circuito de la figura

18.1, se puede reducir al de la figura 18.4.
RD
o
--ID
G
VDD
R, s
fig.18.4
197
En el circuito de entrada, podemos formular:
(1)
VGS = 3 . 0,4 / ( 2 + 0,4) = 0,5 V
Del circuito de salida, tenemos:
(2)
Que representa la recta de carga del circuito de salida. Trazándola,

obtenemos la figura 18.5.
27,5 JO
Vos (V)
fig. 18.5
De lo que se deduce que:
IDQ = 6,66 mA
VOQ = 27,5 V
e.- Como el circuito de salida no cambia, la recta de carga tampoco lo

hará y, por lo tanto, la corriente que circule por el circuito deberá de ser un
punto de funcionamiento perteneciente a ella. Buscando el punto que dé una
corriente de 26 mA, vemos que la tensión de entrada (VGS)' ha de ser aproxí-
madamente de 1,5 V (fig. 18.6).
198
ID
(mA)
1.5 V. =VGS
26t---~~
Vos
fig.18.6
De la expresión (1) se deduce que:
(3)
RT = 0,4 (3 - 1,5) / 1,5 = 0,4 K
Con este valor nos vamos a las curvas de la fig. 17.3, Y deducimos (fig.
18.7) que el termistor seleccionado debe presentar a 25 OC una resistencia de:
R 25 = 1,5 K
RT
(K)
0.41--'-~1I.
1.5 K
60 T (!c)
fig. 18.7
f.- Utilizando la expresión (3), obtenemos:
R T = R 3 (3 - 1,5 ) / 1,5 = 1,2 K
Con este valor, y sobre la curva correspondiente del termistor seleccio-

nado (R 2 5 = 1,5 K ) de la figura 18.3, encontramos que la temperatura que
hace que el termistor tome una resistencia de 1,2 K resulta ser de:
T = 30°C -0000000-
199
CAPITULO III
EJERCICIOS PROPUESTOS
1.- Se han conectado dos pilas, dos resisto res y un transistor, según se
undica en el circuito de la figura 1.1. Las curvas características del tranistor
son las de la figura 1.2.
Re =(10/7)K.
T
Re =(1/e)M.
Ve=10 V.
Ve =1V.
fig. 1.1
-lB ~ -Ic
(pA) (mA)
8
7
6
I
I
8
6
-- ....- 7J-
~
~
6-~
1
5- ~
f-
5 5 4 l--
4 4
..... 3f-'+
....-
3 3 2-+-
2 1/ 2 I
ro- l~~=IB
1
J..,..; " 7
0,1 0,3 0,5 07 09 - VBE (v.) 123456 8 9 10 - VCE
fig. 1.2
200
Determine:
a.- Tipo del tranistor utilizado. Razone la respuesta.
b.- Las tensiones VRB, VRC'
-0000000-
2.- En el circuito de la figura 2.1 se dispone de un transistor cuyas
características de entrada y salida se adjuntan. Además, se han realizado con
el mismo las mediciones señaladas en las figuras 2.2 y 2.3.
Re
Re
1 Vaa
lB = lmA
le=100mA
fig.2.2 fig..
23
le
lB
i
0,6 v. VBE 0,2 v, VeE
g.l g.2
201
a.- Sabiendo que V BB S V: V ee 10 V Y Re 1 K, hallar el punto de

polarización si:
a.1.- R B = 1 K
a.2.- R B = SO K
b.- Supongamos ahora que R B = 1 K Y R 1 K. Hallar, así mismo, los

puntos de trabajo para los siguientes casos:
b.1.-VBB=O y Vee=lOV
b.2.-VBB= SV y Vee=O
b.3.- VBB = -SV y Vee = lOV
bA.- VBB = SV y Vee = -10 V
b.5.- VBB = -S V Y Vee = -10 V
c.- Repetir ahora el apartado "a", si a la salida del emisor del transistor
intercalamos una resistencia de valor RE = 0,1 K.
-0000000-
3.- Un transistor bipolar se conecta con otros componentes pasivos, según

se indica en el circuito de la figura 3.1.
-1Vs Vcc
fig.3.1
Del circuito se sabe que:
VBB = 2 V; Vee = 11 V; V eE = S V;
202
Del transistor se conocen las curvas del apéndice A,4 y que, en el punto
de funcionamiento Ic = 2 mA Y VCE = 5 V, presenta los siguientes paráme-
tros:
Ganancia de corriente hFE = 145,5
Parámetros híbridos medidos a 1 KHz:
hie = 2,7 K
h f e = 222
Así mismo,se conoce que Ico = 0,15 nA Y que, en el punto de funciona-

miento en que está polarizado en el circuito de la figura, su hFE = 160.
Se pide:
a.- El punto de funcionamiento ( Ico' VCEQ ) del transistor bipolar.
b.- Los valores de las resistencias RE y R c.
c.- El valor de la resistencia R B
d.- Los parámetros h f e Y h i e , sabiendo que h c e 0, para el punto

de funcionamiento calculado en "a".
e.- La ganancia de tensión del paso Gv VS/VE, en el punto Q, a una

frecuencia de 1 KHz.
f.- Determinar los parámetros admitancia "Y" del transistor en el punto de

funcionamiento y en la configuración Emisor Común.
-0000000-
4.- Sea el circuito de la figura 4.1, donde ambos transistores son idénti-
cos, y de los que se sabe que:
I VCEsat I = 0,2 V
I f3 F I = 10
203
Vcc
Ro
fig.4.1
a.- Con Vee = VDD = 10 V; RB = R D = 900 O Y RE o O, calcular

los valores de Re que hacen que T 1 esté en activa directa (a 25 "C).
b.- Suponiendo que el único parámetro que varía con la temperatura es

VBE, de manera que VBEl = fl(T) Y VBEZ = fz(T); deducir qué condición se
ha de cumplir para que, estando T 1 en activa, la intensidad ICl no varíe con
la temperatura (dICl/dT = O). Suponer RE'" O.
nota: Poner Iel = f( VBE, VBEZ)
-0000000-
5.- Dos transistores se han conectado en un circuito como el de la

figura 5.1. El citado se encuentra a una temperatura ambiente de 300 0K.
Ve =13, 5 v.
vo: ='5 V.
Re =10 K
fig.5.1
204
De los transistores se conocen los siguientes datos:
del transistor T 1
En el emisor En la base En el colector
Dopados cm- 3
Movilidades (cm 2jV s) J.lp e = 346,154 J.lnb = %1,54 J.lp e = 615,39
Tiempos de
vida media (s) T
pe
= 10- 8 T
pe
= 10-8
Areas transversales
(cmé)
Además, se sabe que la anchura de la base es de Wb = 10- 5 cm; que la

anchura de la banda prohibida del material con el que está fabricado el tran-
sistor E G (300 °K) = 1,12 eV y que las masas efectivas para la densidad de
estados en las bandas de valencia y conducción son iguales a la masa libre del
electrón. m*de = m*dv = me·
Del transistor T 2 se sabe que presenta una tensión de pinch-off

Vp = -4V, y una corriente de saturación IDss = 20 mA.
Calcular:
a.- Corriente por el colector de T i-
b.- Corriente 11
c.- Tensión V 1 .
d.- Tensión VL .
-0000000-
205
6.- Se ha diseñado un transistor de efecto de campo FET, cuya forma

geométrica es la de la figura 6.1. El canal se ha dopado con una concentración
de átomos aceptores de 1015 cm",
~----r-------------QG
s o
V¡= lOV.
fig.6.1
Datos:
J.'p = (1000/1,6) cm2/v s
El semiconductor es de Si y se encuentra a 300 °K
Se pide:
a.- Indique, en el espacio reservado dentro del círculo de la figura, la

polarización que deberá existir entre la puerta y el surtidor. Razone la res-
puesta.
206
b.- Polarizando el FET, de forma que el canal quede tal y como se indica
en la figura 6.1, ¿Qué corriente circulará por el drenador? Indique su sentido.
c.-Calcule la tensión "pinch-off" (Vp), suponiendo que el efecto de la

corriente del drenador sobre la polarización puerta-canal es despreciable.
(ID = O)
datos: En una union P-N la anchura de la zona de transición al polari-
zada con una tensión V, se puede escribir:
1 = [(2E;fq NJ . (V o - V)]1/2
Vo=0,8V; f
O
= 8,85.10- 12 F/m
-0000000-
7.- Sea el circuito de la figura 7.1, del que se sabe, aparte de los datos
reseñados sobre el mismo, lo siguiente acerca de los transistores:
T 2 ..... /Vp / = 4V
T 3 .•.•. /Vr/ = 4 V
T 1..... Configuración de minoritarios y datos de la figura 7.2.
V, R 4 =' OK /\ Rs = 20K/\
e
T2
R,
T,
E T3
Vcc
5 V.
6V.
fig.7.1
I W7
I
I
I
I
I
I
I
E I
o--l
I
I
I Peo
fig.7.2
datos:
Peo = 106 cm- 3 Pee = 108 cm- 3
Dnb = 30 cm2/s fJ F = 49
lE = -lES' D(BE) + QR • les . D(BC)

Ec. de Ebers-Moll ~
para unnpn le = QF • lES . D(BE) - les . D(BC)
Calcular:
a.- La intensidad por R 3 •
b.- Del transistor T l' calcular: QF' QR' les, lES' leo, lEO
c.- Valores de R 1 y V 1 en el circuito de polarización.
d.- Calcular la zona de trabajo de T 2 para los distintos valores de Vee

positivos, teniendo en cuenta que nunca Vee será tan grande como para sobre-
pasar la VDS de ruptura. .
e.- Igual que en el apartado anterior (d), para el transistor T 3 •
f.- Si el transistor T 3 se cambia por un MOST de acumulación de canal n,

con igual disposición de salidas y con igual /VI / , volver a repetir el apartado
anterior. -0000000-
208
8.-
Rl =100 .n. Dl
Vl =10 V.
G
lig.8.1
-le
(mAl
-lB T1:: T2 :T3 30 O -6

(mAl 25 O
1 -5
20 O
11 -4
.12 1-------1
15 O - 3
10 O / -2
5O / - 1
V
2 6 10
0,6
ftg.8.2 lig.8.3
ID
D1 JFET +---4----:f--+----1 30 mA.
-+-----4--+---+-~ 20 mA.
-+---i--+---::il"'f:'---¡ 1O m A.
0,6 VOl -8 -6 -4 -2
lig.8.4 lig.8.5
209
Se dispone del circuito de la figura 8.1 y de las gráficas siguientes:
- Características de entrada y salida de los transistores bipolares

(figuras 8.2 y 8.3 respectivamente)
- Característica del diodo DI (figura 8.4)
- Curva de transferencia del FET (figura 8.5)
A la vista de todos estos datos, calcular:
a.- El punto de polarización de TI (lB' VBE' le> VeE ) sobre las gráfi-
cas. Indicar zona de funcionamiento y hallar hFE> así como f3 F (si Ileo I = 10 ¡.lA)
para ese punto de polarización
b.- Si se superpone una señal variable simétrica a la lB' ¿Cuál será la

máxima variación de la señal variable (sobre la componente continua) de la
tensión colector-base a la salida, sin que halla corte en la misma?
c.- En el FET, obtener V p , loss, ID, Vos Y V Gs. Indicar zona de funcio-
namiento.
d.- Explicar, a nivel cualitativo y de manera muy breve, qué sucederá con
le e lo (en TI Y el FET, respectivamente) si hay una disminución considerable
de la temperatura.
-0000000-
9.-
Rl=10K V1
Vs
RL=100K
Ve Oz
2
R 2= 2K
fig.9.1
210
-ID
VOS = VGS - Vr
(mA ) I
If I I J I
iI
5 VGS = -15 v.-I-
lA
/1
/
O / ,
~
VGS=-13V.- -
/ ~
V ~/
V ./~
5 V 1/ , VGS=-11V.- 1--
v:V lo'" i,...--' 11' ~ I 1
~ V ".-
¡¿ !...;",....... I
lL
I I
o, 6 - - - -... VGS = - 9 V.- 1--
I~-
, ~
- VOS (V.
Curvas características del MOST
En el circuito de la figura 9.1, la tensión de entrada, Ve' puede vanar

entre 12 y 15 V. ( 12 V s Ve ~ 15 V). Se pide:
a.- Con el interruptor en la posición 1, calcular los valores de V 1 que

hacen que el MOST trabaje en zona óhmica ( para toda Ve' y supuesto el
Zener en la zona de avalancha).
b.- En iguales condiciones que el apartado anterior, calcular los valores

entre los que estará comprendida V l' para que el diodo estabilize adecuadamen-
te.
nota: Supongase el MOST trabajando en zona óhmica, donde se comporta
como una resistencia entre drenador y fuente.
c.- Con el interruptor en la posición 2, ¿Estabilizará adecuadamente el

Zener?
211
APENDICE
Aol
PIHER DESCRIPCION: Proceso BOO de doble difusión. plc-

nar epitoxiol de silicio.
SC107 DESCRIPTlON, Pro ces> 800 is on double difuHed,
silicon plonar epita~ial.
NPN
APLICACIONES: Uses generales en cudie-frecven-
cie, no sto corrientes de colector de 1DOmA.
APPllCAT/ONS: General purpose in oudio.frequency.
far c01ledar current to 100mA.
DIMENSIONES DEL DADO

17 x 17 mils.1I "'~O.OOl"l
DIE SIZE
DIMENSIONES mm
MECHAN/CAL OUTLlNE -¡¡:¡c¡:¡
VALORES L1MnES la 2 S·CI

ABSOLUTE MAX/MUM RATlNGS lar 25'CJ
Tensión colecrcr-ernisoc m ax.

VCEO 45 V
Conector la ermtter vo/rage
Corriente continua de colector

te m.k 100 mA
Collecror CufU:nt (d. c.t
Corriente de cresra de colector I CM max. 200 mA

Colleclof currenr (peak. vaJueJ
Potencia total disipable Pt Ot max. 250 mW

TOlal power dissip.tion
Temperatura de 1.1 unión

Juncnon temp.,.tu.'e
T¡ m.k 150 -c
Temperatura de almlcenami~nto -65 •• 150 -c
TU 9
Slo'~ge tllmp.r.tur.
Resistencia termica un.ón ....rnbiente

RI1'lj-.
500 °CW
ThtHm.1 resi.U.t1ce ¡l/nelIOn lO .mbienl
212
A.2
CARACTERISTlCAS ESTATICAS la 25°CI

5TAT/C CHARACTERIST/CS (al-25°Ci
----
Par ame no Cooo.crone s de med,da Simboto rrun 1 nom m.. Unidad
p.".mtler Tesr cooan-ons Svrnoot mm 1 lVP m •• Umr
Curoerue de l.-l.Hte de
colector
Collectol cut-off
current
" "O Ve. ~ 45v 'C80 -
I 015
15 nA
lenslon de ruo\ur.
cotectce-ermso-
'c:0 2 m A ; /e .:... O V,BRICEO 45 - - V
Catte ctor la emiuer
bre.kdpwn voltage
Tensión de I\.Iplura
emisor-base
Emitter la base
lE ::::.l;JA: le O JVIBRIEBO 5 - - V
bre.kdown vOIC6gt!
Tensión de saturación '(=10m,4,;/.=lm'" VOl""1 - 0,15 0.6 v

colector-emisor
Conector
fe o-=-10mA'
emurer
=O.5mA V Ch ll 'a - 0.06 0.25 V
lO
sacurarían volrage
le :E 1DOmA: /8 :=; SmA V C EW1 - 0.22 0.6 V
Tensi6n de utUfilCión 'c:IOrnA; '.=I""A V1t<_,

- 0,7 1 V
base-ermscr le ....lOmA: /e=O.5mA VaEUI - 0.66 - V
Sue to emitter
slIlur.t;on voltagr
le .. 100mA:/8 ~5mA VBEuI - 0.9 - V
le' '0:,'" : Ve, = 5V V.. - 0.5 - V

Tensión base-emisor le :; 2mA; V CE ....SV 0.56 0.62 0.66 V
V ..
81se to eminer
volt.ge 'c' tOmA: Vc , = 5V ,VQE - 0.66 - V
'C = toomA:VCE = 5V V" - 0.76 - V
Grupo
C/us
A 8
G,n.nci, estaliea 'c- t O:"A YCE = 5V hfE 90 1501·401 --
de comente
'c·
le -=
2m": VCE a::5V
20mA;VCf J::" SV
h"
hfE
160
225
290
350 -
St_tic cutrent gain le s: lOOmA:Ve E ... 5V hfE 210 300 -
Ganlnc.a de corriente
a peauefl, señal 'c : lOmA; VCE ': sv h,. i.s 3.3 - -
5m6" signll 1= lOOMHz
curreru g6m
I
rrecoenc.e de
IranS1CIon ~ lOmA; VCE ~ 5V 330 -
Treristtion IreQveney
le
" I t50 MHz
Cap~c'dad
em.s or-be se
ro b,He
VES,=O.5V. 1= 140khz CEeo I - 6 - pF
fmirler
csos cn ence I
Capacidad
ccrector base
¡Ves = 1QV:!=-14OkI-l.z C e eo - 2.6 4.5 pF
Conector ro O.se
cclpac/tdnce
I
Factor Ce rUIdo l'e.02mA: Ve, .5V
No/sr f'9vrr t ; HHz.)f= 200Hz F - 2 la d6
Rs =2k~:
GeuDO
Clus
A 6
2.7 '.5
-; 1164.51 3.2 .85 'U
P,rimetrO$ hibr,dO$ le ~ 2mA V CE -= 5V h .. 15 lo. 10 .... 20 ll. lO .... -
H~b"d ;;o.r.mrr.rs f",-1kHz 330
222
h ,•
111Ll601 1H,L 1001 -
h~ , 8« JO) 30<, 601 :J.$
213
Car acteris trca s de salida

Características de salida
Output ctierecteristics
Output cherscteristics
t 80 l-+f-fV'--,.oY-7"'l-~-;:--:;"""~--f
lel mAI
40 I+--+--l--+
20
0~..L-l----lL.-..l-...l..-..l._.l-...l-~--l
o 0.4 0.8 1.2 1.6 10 20 30 40 50
VCE IV)_ VCEIVI-
Transconductancia T ranscooductaocia
Trensconductence Trerisconductence
lO' 10'
I
t m.o~
V.lor I I t I I I 1/ I
IclmAI -Typi(;MVM~
Velores límites / ! 'cl mA l i I
I
i :r T
·--Lmll! vMfH.S
. I
" //
Vcr - 5V:T'mb ~ 25"e!'
I 100-<: 25-<: -50-<:
, I
lO lO
--
! I
I
1- I
! / I !
. - l- .
1'/ 1
I
lO'
I I lO'
VCf- 5V
J I I
I
I / J 1 I
! I ;I I I
10~
o 0.2
i
0.4 '" 0.1\ 0.8 o
! i I !
!
0.2 0.4 0.6 08
214
Característica de entrada Ganancia estática de corriente

Input chorocteristic Sto';' curren' 90in
O.S
I I
I
t 0.4
'sImA)
V CE"" 5V
I
hfEnorm
v I
0.3
1.2~~ 2S'C
0.2
/ I
0.1
1/ 0.4 f--+-+-H+I-t"1----j--+-H-
./ 1111\ I 111\11
o
O 0.2 0.4 0.6 10' 10'
'e ¡mAI-+
Tensión de saturación colector-emisor Tensión de saturación base-emisor

Collector to emitter saturotion vallage Base to emifter soturotion voltoge
O.S
t 0.4
VCEut(VI
h'O:20
..-¡.-
J
2S~ ¡.-
0.3
~ lQOOC
f-"
0.2
'"./ 0.4
2.=?- h FE :.20
0.1 0.2
O
10' lO' 10' 10' 10' lO'
le (mAl .....
Parámetros híbridos en emisor común

Parámetros híbridos en emisor común
Common emitter hybrid porameters
Common emifter hybrid porometers
10'
I
~ hó<
'"
....... ,1---llL 1.6
I
1---
i- ~ ¡...-
h. fiel
H =----
• h.(lc",2mAI
\
~
---- ---- ----
h¡e h 1e
h~
...-
r-
1--- h,.
Veo sv
I 1.2
"..-
~
......- ----- ~ f-"
--
r- h _
oo
I
~
~ -:
0.6
f 1kHz
I
-f I I 11 0.4
h..lVCEI
H e = ~iVCE""5V)
-- 'c=2mA
-
f= 1kHz
I I 1I1
10- 1 10' 10' 10' O
I
O 10 20 30
V CE (Vj-+
215
Potencio 10101 disipoble

Capacidad erniscr-bcse
Loto! power dissipotion
Emitter to bale coocc.rcoc e
(l.
10'
300
¡ . ICa •• n' 7·8 Capacidad rotectcr-bcse
280
260
h\TTI- Colleetor '0 base cooocuonce
t L- \.
PolmW) 2.0
220
¡ 1\\ i
t
~
- CeBo/Vee'
'Ca,• .\\ I Cn..... - CeeolVee-l0Vl
200 n' ! .·5 \\ Cno<m 1--
180 1- r-r,...
160
''\¡- 1--
10'
1.0
Rrh ;-0 ,
120 I~
100 \\1 CEBo/VEe'
C_ m • CEBoIVEe-0.5VI
\1\ f-- f-I
80
\
I
60 io-,
.0 \ ¡:=
20
\ 1\ , I
1--
1--
O
150 200 250 I
10'
O 50 100
TArC) - ro . ! J
10'
1111111
10'
Frecuencia de transición
Transi,ion frequency
fadar de ruido
500
10'
.
• Noi,e figure
··mm
/ ' -¡....,
6d8 "1"" lOd8 VeE - 5V
VeE K SV t 10'
I 1/ 111 IIIIIIIIN ' f= 1kH~
300 le Ip.AI
,
I 3d8
V I ~ 11I fll_I~1 "l-...
10
200 10'
~
~
V
lOO .1 ~I "'-.11'r\1.75dB I 11I l'
¡---
....
o 1"
\0' lO' ID' lO' ,1 I 111111 "'-J I"'NJ 1J~""l-J I1III1 I
10'
10' 10' 10' 10' ,
le lmAl-
RSIQ,-
Factor de ruido
Noise figure
100mIIB
10'~"" lO' 10' 10'
RSIOI-
216
BfBLIOGRAFIA
1.- Electrónica física y modelos de circuitos de transistores.
Tomo II de la colección SECC.
2.- Física de los dispositivos electrónicos. Tomo II
G. L. Araujo, G. Sala, J. M. Ruiz.
3.- Dispositivos electrónicos y circuitos.
Alberto Martín Fernández y A. Rodríguez Díaz.
4.- Circuitos electrónicos. Tomo 1
Coordinado por E. Muñoz Merino
5.- Electrónica integrada.
Jacob Millman y Christos C. Halkias
6.- Integrated circuits and semiconductor devices: theory and applications.
Gordon J. Deboo y Clifford N. Burrous
7.- Physics of semiconductor devices
S. M. Sze.
8.- Physics technology of semiconductor devíces.
A. S. Grove
9.- MOS/LSI. desing and applications
William N. Carr y Jack P. Mize
10.- Integrated circuits: material, devices and fabricación.
T. Luxon.
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
I
1

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© Del documento, de los autores. Digitalización realizada por ULPGC.

Biblioteca universitaria, 2009

EJERCICIOS RESUELTOS Y PROPUESTOS

~ Edición corregida y aumentada

© Autor: José Miguel López Higuera

® Prohibida la reproducción total o parcial sin autorización escrita del autor.

El presente trabajo pretende ser una humilde aportación a la literatura

José Miguel LOPEZ HIGUERA.

A mis padres, Gabriel y Maria.

· Parámetros y zonas de trabajo 28 a 41

· El transistor en circuitos simples 42 a 54

· El transistor en circuitos con

· Modelos o circuitos equivalentes básicos 85 a 93

· Elección del transistor óptimo 94 a 96

· Polarización, estabilidad y amplificación 97 a 123

Capítulo 11 TRANSISTORES UNIPOLARES 124 a 198

. TRANSISTORES F.E.T. 125 a 151

· El F.E.T. Ysus zonas de trabajo 125 a 131

· Estructura del F.E.T. 134 a 138

· El F.E.T. Yla temperatura 138 a 140

· El F.E.T. en circuitos simples con

. TRANSISTORES M.O.S.T. 152 a 198

· Su circuito equivalente 164 a 167

· Circuitos con otros componentes y

· Inversor C.M.O.S.T. 177 a 181

· De conjunto (polarización y amplificación) 182 a 198

Capítulo III EJERCICIOS PROPUESTOS 198 a 210

. APENDICE 219 a 215

1.- Al polarizar las dos uniones PN indicadas en la figura 1.1,

éstas presentan el diagrama linealizado de concentración de portadores, indica-

a) ¿ Cómo están polarizadas las uniones T 2 - T 1 YT 3 - T 2 ?

b) Calcular la corriente In que circulará por el terminal T 1 .

Pn(O) = 2000Pno' Pn(b) = O,

a.- A la vista de las distribuciones de portadores mostradas en la fig. 1.1,

In = I~(O) + 1<4(0) (1)

A la vista de las distribuciones de la fig. 1.1 podemos escribir:

Que al sustituir en las expresiones (2) y (3) Y éstas en la (1) y calcular

2.- Se han conectado dos pilas, un resistor y un transistor bipolar tal y

El resistor R es una pastilla de silicio de área transversal 0,01 cm 2 y

"10 690 750 810 870

Las corrientes de emisor y colector del transistor siguen las ecuaciones:

lE = - lEO ( e VBdVI - 1 ) - 36/ 41. le (Amp.)

En los que: VI = KT/q

E.1: Ganancia estática de corriente f3 F = 40

E.2: Corriente inversa de saturación del emisor con el colector en circuito

a) Resistencia del resistor R a una temperatura de 87 "C,

b) Los parámetros del transistor a R, a F e leo.

c) Tensión V BA en bornas de la resistencia R a la temperatura de 87 "C,

a.- La resistencia del resistor R se puede calcular por la expresión:

R(T) = p(T). (L/S)

Como tanto L como S son conocidos, si determinamos p(T) tendremos el

De las gráficas ni = f(T) de la fig 2.2, deducimos que a la concentración

p(T) = 1/ (No' q , ¡.m)

Vamos a la gráfica J-ln(T)I Y con no 1016 cm -3 y T 87 -c, deter-

Con todos estos datos, ya podemos determinar el valor de R, resultando:

R (87 "C) = lOO Ohmios

b.- Sabemos que las expresiones de Ebers-Moll se pueden escribir:

Al identificarlas con las dadas en el enunciado, deducimos:

Como sabemos que la expresión del parámetro f3 F es:

Introduciendo el valor de f3 F = 40 Ycalculando, resulta:

Aplicando el teorema de Reciprocidad:

c.- A la vista del circuito de la fig. 2.1 se deduce que la unión BC se

Y, además, a 87 -c el factor VI vale: