INSTITUTO TECNOLOGICO INDUSTRIAL COMERCIL

“PUERTO DE MEJILLONES”
ELECTRICIDAD INDUSTRIAL

CUESTIONARIO N° 1

DE ELECTRONICA DE POTENCIA

INTEGRANTES: JAIRO CAYO MENDOZA

DOCENTE: MARIO ROJAS MONTAÑO

TURNO: 500TM

FECHA: 05/09/2021

COCHABAMBA-BOLIVIA
 CUESTIONARIO 1 – ELP-500

1.- Definición de electrónica de potencia

La electrónica de potencia se puede definir como la aplicación de la electrónica de estado sólido

para el control y la conversación de la energía eléctrica.

La historia de loa electrónica de potencia empezó en el año 1900, con la introducción del
rectificador de arco de mercurio. luego aparecieron gradualmente el rectificador de tanque
metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla controlada, el ignitron, el fanotron y el
tiratron. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energía hasta la década de 1950.
La primera revolución electrónica inicia en 1948 con la invenci6n del transistor de silicio en
los Bell Telephone Laboratories por los señores Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor
parte de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invención.
A (raves de los años, la microelectrónica moderna ha evolucionado a partir de los
semiconductores de silicio. El siguiente gran logro, en 1956, también provino de los Bell
Telephone Laboratories: la invención del transistor de disparo PNPN, que se definió como
un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en ingles).
La segunda revolución electrónica empezó en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial
por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrónica de
potencia. Desde entonces, se han introducido muy diversos tipos de dispositivos
semiconductores de potencia y técnicas de conversión. La revolución de la microelectrónica
nos dio la capacidad de procesar una gran cantidad de infamación a una velocidad increíble.
La revolución de la electrónica de potencia nos está dando la capacidad de dar forma y
controlar grandes cantidades de energía con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la
fusión de la electrónica de potencia, que es el musculo, con la microelectrónica, quo es el
cerebro, se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia,
y se descubrirán más. Dentro de los siguientes 30 años, la electrónica de potencia formara y
condicionara la electricidad, en alguna parte de la línea de nansmisi6n, entre el punto de
generación y todos los usuarios. La revolución de la electrónica de potencia ha ganado
inercia, desde el fin de los años 80 y principios de los 90.
2.- Objetivo de la electrónica de potencia

El objetivo de la electrónica de potencia es: “Modificar, utilizando dispositivos de estado

sólido, la forma de presentación de la energía eléctrica” mediante el uso de
Fuentes de Alimentación, Componentes Reactivos e Interruptores. (no Resistencias)

3.- Aplicaciones de la electrónica de potencia (explique con ejemplos)

La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control el control se encarga del

régimen permanente y de las características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado. La energía
tiene que ver con el equipo de energía de potencia estática y rotativa o giratoria, para la
generación, transmisión y distribución de energía eléctrica. La electrónica se ocupa de los
dispositivos y circuitos de estado sólido requeridos en el procesamiento de señales para cumplir
con los objetivos de control deseado.

En la siguiente figura se muestran las aplicaciones y los rangos de frecuencia de los

dispositivos de potencia. Un dispositivo de potencia ideal debería tener un (1) voltaje activo
igual a cero, (2) soportar un voltaje fuera de conducción infinito, (3) manejar una comente
infinita, y (4) "activarse" y "desactivarse" en un tiempo cero, teniendo por lo tanto una
velocidad de conmutación infinito.

La electrónica de potencia a alcanzado ya un lugar importante en la tecnología moderna y se utiliza

ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluye:

• Controles de calor
• Controles de iluminación
• Controles de motor
• Fuente de alimentación
• Sistema de propulsión de los vehículos
• Sistema de corriente directa de alto voltaje (HVDC por sus siglas en ingles)
4.- Si se tiene un Amplificador de sonido de 1000W y un Cargador de baterías para celular Cual
de ellos es un equipo electrónico de potencia y por qué?

Es el amplificador ya que permite aumentar o amplificar las señales de audios y entrega una
potencia necesaria para los altavoces

5.- En un sistema solar Fotovoltaico como se aplica la electrónica de potencia

la electrónica de potencia es clave en prácticamente todas las tecnologías de generación de

energías alternativas y el almacenamiento. También es clave en el desarrollo de procesos
industriales y se propone como clave en el futuro del transporte.

A día de hoy la generación de renovables como solar fotovoltaica, eólica, asi como otras fuentes de
energía necesitan la electrónica de potencia para adaptar los parámetros eléctricos de la energía
generada de los parámetros eléctricos exigidos por la red eléctrica común.

Las aplicaciones de almacenamiento de energía a corto y largo plazo van a ser clave en la gestión
energética de recursos renovables y en la mejor de eficiencia y eficacia en el transporte de la
energía eléctrica.

6.- Diferencia entre Electrónica analógica y electrónica de potencia

en la electrónica de potencia la potencia y la tensión varian continuamente de valot en el

transcurso del tiempo, como la corriente alterna o de valores que siempre tienen el mismo valor
de tensión y de intensidad, como la corriente continua. En estos casos hablamos de electrónica
analógica.

Los principales componentes eléctricos que se usan en electrónica analógica son:

• Resistencias fijas
• Potenciómetro
• LDR
• Resistencias que dependen de la temperatura (termistores)
• El diodo
• Diodo LED
• El condensador
• El transistor

Mientras que dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar:

• Los diodos
• Transistores
• El tiristor
• Triac
• Diac
 • Conmutador unilateral o SUS
• Transistor uniunion o UJT
• El transistor unión programable o PUT
• Diodo Shockley

7.- Porque en electrónica de potencia todos los dispositivos electrónicos deben trabajar como
interruptores

La electrónica de potencia implica el estudio de circuito electrónicos destinados a controlar el

Flujo de energía eléctrica, estos circuitos manejan un flujo de energía a niveles mucho más altos
que los niveles manejados por dispositivos de uso común.
Por esa razón los dispositivos de electrónica de potencia actúan como interruptores para procesar
y controlar el flujo de energía eléctrica mediante el suministro de voltajes y corrientes en una
forma que sea ideal para las cargas de usuarios.

8.- Porque en electrónica de potencia se usan fuentes de alimentación y elementos reactivos

como bobinas, transformadores y capacitores y se evita en lo posible el uso de resistencias?

La bobina o inductancia es un dispositivo que almacena energía en un campo magnético

(almacena corriente). De la misma manera es posible determinar que una variación positiva en la
corriente (incremento) a través de la bobina induce un voltaje positivo en la bobina, una corriente
constante induce un voltaje nulo en la bobina; una variación negativa (decremento) en el valor de
la corriente en una bobina induce un voltaje de polaridad negativa en la bobina El voltaje inducido
en la bobina dependerá de la pendiente de la variación de la corriente como puede observarse en
la siguiente figura (a mayor pendiente mayor voltaje inducido).

Funcionamiento del capacitor El capacitor es un dispositivo que almacena energía en un campo

eléctrico (almacena voltaje, el funcionamiento del capacitor con una corriente constante Al igual
que en la bobina (con respecto al voltaje); una variación positiva de voltaje en terminales de un
capacitor provocará que circule una corriente positiva por un capacitor, un voltaje constante en un
capacitor hace circular una Corriente de valor nulo; una variación negativa del voltaje provocara
una circulación negativa de corriente a través del capacitor

9.- Definición de convertidor estático

Un convertidor estático de potencia o simplemente convertidor estático es un elemento, que a
diferencia de otro tipo de convertidores de potencia eléctrica compuestos por máquinas eléctricas
rotatorias tales como grupos motor-generador y otras combinaciones, efectúa esta conversión de
potencia eléctrica sin emplear elementos móviles como los anteriormente descritos.

10.- Cuantos tipos de convertidores estáticos conoce.

Se conoce cuatro tipos de convertidores que son:

• Alterna-Continua (AC-DC)
• Alterna-Alterna (AC-AC)
• Continua-Alterna (DC-AC)
 • Continua-Continua (DC-DC)

11.- Cual es el nombre de los siguientes tipos de convertidores estáticos

a) DC- AC
b) DC – DC
Continua-Alterna (DC-AC)
Continua-Continua (DC-DC)

12.- Dibuje los símbolos de los siguientes dispositivos Electrónicos de potencia

a) diodo Schottky

b) GTO

c) IGBT

d) MOSFET enriquecimiento canal N

13.- Como se denominan los dispositivos que se muestran en la figura, identifique además cada
uno de sus terminales.
Diodo rectificador

Tiristor Triac

14.- Porque se los clasifica al SCR y al Triac como activación controlada y desactivación sin
control?

Porque son dispositivos semiconductores: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
tiristores, los SCR (“silicon controlled rectifier”) y los TRIAC (“triode of alternating current”) en este
caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se
aplica en una de los terminales del dispositivo, comúnmente denominada puerta, por otro lado, su
bloqueo, (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control
externo de la puesta en conducción, pero no asi del bloqueo del dispositivo.

15.- Porque se los clasifica al BJT y al MOSFET de activación y desactivación controladas

Se puede usar elementos de activación y desactivación controlada (BJT, MOSFET y IGBT), o

tiristores de conmutación forzada, según la aplicación. Una de los métodos mas comunes para
variar el ancho del pulso es la modulación de ancho de pulso (PWM) para producir un voltaje de
salida en AC. Un inversor se llama un inversor alimentado por voltaje (VFI) si el voltaje de entrada
se mantiene constante; inversor alimentado por corriente (CFI) si la corriente de entrada se
mantiene constante; el inversor alcanza en DC variable si el voltaje de entrada es controlable.

16.- A cuáles de los dispositivos electrónicos de potencia se los puede clasificar como con
capacidad de conducir corrientes bidireccionales

se utilizan para producir conmutaciones y que generalmente son empleados para el control de
potencia eléctrica. De acuerdo con su construcción, estos dispositivos pueden ser unidireccionales
(como los SCR) o bidireccionales (como los DIAC y TRIAC).

El DIAC
(Diodo para Corriente Alterna) Es un dispositivo capaz de conducir la corriente en cualquier
dirección. El diac es equivalente a dos diodos de cuatro capas en paralelo, pero opuestos. El diac
no conduce hasta que se alcanza su tensión de cebado en sus extremos, lo cual ocurre usualmente
cerca de los 30V. La manera de lograr que no conduzca es mediante la disminución de corriente,
es decir, se debe reducir la corriente por debajo de la llamada corriente de mantenimiento del
diac. Típicamente en el control de potencia son utilizados de manera auxiliar para el
funcionamiento de los triac, de los que hablaremos más adelante.
El TRIAC
El Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores que
a diferencia con un SCR (tiristor convencional) es bidireccional.
Su estructura interna es muy parecida a la que formarían dos SCR colocados en direcciones
opuestas. Posee también tres terminales A1, A2 (en este caso, al ser bidireccional, pierden sus
nombres de ánodo y cátodo) y puerta (gate). La activación del TRIAC se realiza aplicando una
corriente al electrodo gate.
Es posible utilizar TRIAC en muchas aplicaciones tales como atenuadores de luz, control de
velocidad de motores eléctricos, y en los sistemas de control de muchos elementos caseros.

17.- Que características debería tener un diodo para ser considerado Un diodo de potencia

Para ser considerado un diodo de potencia se caracterizan por que, en estado de conducción,
deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido
inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña
intensidad de fugas.

18.- Cuantos tipos de diodo de potencia conoce y cuáles son sus principales características

a). Diodos rectificadores para baja frecuencia

Características
IFAV: 1A – 6000 A
VRRM: 400 – 3600 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 10 µs

b).Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

c). Diodos de conmutación rápida (Fast y Ultrafast)

Características
IFAV: 30A – 200 A
VRRM: 400 – 1500 V
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)
trr: 0,1 - 10 µs
d). Accionamiento de motores CA.
Diodos Schotkky

Diodos Schottky

Características
IFAV: 1A – 120 A
VRRM: 15 – 150 V
VFmax: 0,7V (a IFAVmax)
trr: 5 ns

e). Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

Diodos de alta tensión

Características
IFAV: 0,45A – 2 A
VR: 7,5kV – 18kV
VRRM: 20V – 100V
trr: 150 ns

f). Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Diodos de alta corriente

Características
IFAV: 50A – 7000 A
VRRM: 400V – 2500V
VF: 2V
trr:10 µs
19.- Cual es el significado de tiempo de recuperación inversa y tiempo de recuperación directa
de un diodo?
a). tiempo de recuperación inversa:
Si un diodo está conduciendo en una condición de avance e inmediatamente se cambió a una
condición de retroceso, el diodo conducirá en una condición de retroceso por un corto tiempo
mientras la tensión de avance se descarga. La corriente a través del diodo será bastante
grande en dirección inversa durante este pequeño tiempo de recuperación.
Una vez que los transportadores se han lavado y el diodo está actuando como un dispositivo
de bloqueo normal en la condición invertida, el flujo de corriente debería caer a niveles de
fuga.
Esto es solo una descripción genérica del tiempo de recuperación inversa. Puede afectar
bastantes cosas,
b). tiempo de recuperación directa de un diodo:
es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el
instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor V F. Este tiempo es bastante menor que el
de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de potencia apreciables.

20.- Explique el Funcionamiento del siguiente circuito, que función desempeña el circuito
completo y cada uno de los elementos

1.0 10uH

1.0 10uH

Para la conexión de dos diodos en paralelo se necesita de resistencias y capacitores ya que, si

conectamos solo los diodos, los valores serán diferentes en cada uno de ellos es decir que si se
alimenta con una fuente de 10V el circuito el primer capacitor tendrá un valor de 5.2 V mientras
que la segunda será de 4.2 V, para que haya esas variaciones se utilizan resistencias pequeñas
máximo 100 ohm. Los capacitores protegen de las variaciones bruscas que hay en el circuito.

21.- En el siguiente circuito R1 = 100KΩ, R2 = 100KΩ. Las corrientes de saturación inversa son I s1=
15mA, Is2 = 10mA. Determinar la distribución de voltajes en los diodos (V1 V2)

D1 D2

R1 R2

5000 V
22.- Como se protegen los diodos contra variaciones bruscas de tensión (explique)
Uno de los componentes para proteger contra variaciones son los varistores que suelen usarse
para proteger contra variaciones de tensión al incorporarlos en el circuito de forma que cuando el
varistor se active, la corriente no sea por componentes sensibles.
23.- Porque se dice que un BJT es un amplificador de corriente
Porque esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a esta, en un factor que se llama
amplificación. Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor.

24.- mediante un multímetro, como se determina los terminales de un BJT

Para identificar los terminales de un transistor, primero tenemos que colocar nuestro multímetro
en la opción para medir diodos. Tocaremos entonces todos los terminales con ambas puntas. El
terminal que tenga continuidad con las otras dos, pero no a la inversa, será la base del transistor.
A su vez, el color de terminal que esté conectado a la base, indicara que tipo de transistor es.

25.- porque el BJT debe trabajar en corte y en saturación en electrónica de potencia

Cuando se desea usar el transistor como un interruptor, que deje pasar o no la corriente, cosa
frecuente en electrónica de potencia, se hace trabajar el transistor conmutando entre las zonas de
corte y saturación.

26.- en el siguiente circuito, calcule el valor de RB para que el transistor entre en saturación
 Vcc =15v

VBB =5V

27.- El siguiente circuito permite controlar un relé, determinar de valor de la resistencia R B que
permita accionar el relé

Datos
Diodo de libre Resistencia de la bobina = 560 Ω
circulación
Vcc = 12V

Vcontrol 3,3V
Vcontrol β = 100
28.- Como se determina si un BJT esta bien o mal
Si las mediciones previas eran bajas, y las mediciones actuales son altas, el transistor está en
buenas condiciones. Si ambas mediciones que obtienes con la sonda roja no son iguales, ambas
mediciones con la sonda negra no son iguales o las mediciones no cambian cuando cambias de
sonda, el transistor está dañado.

29.- Si un BJT está en saturación cuanto de voltaje aparecerá entre colector y emisor (V CE)
El transistor no puede saturarse hasta el punto de que le voltaje colector-emisor, Vce (sat) de
alrededor 0,2 V. los transistores de conmutación tiene un bajo V ce (sat) generalmente del orden
de 0,1 V para valores razonables de corrientes de carga.

30.- Cual es la diferencia en el funcionamiento entre un BJT y un MOSFET

El BJT es un transistor de unión bipolar, mientras que MOSFET es un transistor de efecto de campo
de semiconductor de óxido metálico. Los BJT se usan para aplicaciones de baja corriente, mientras
que MOSFET se usa para aplicaciones de alta potencia.

31.- Que característica del MOSFET lo hace sensible a las cargas estáticas
Un MOSFET de potencia es un componente eléctrico optimizado para la conmutación. Como los
transistores regulares, está hecho de un semiconductor y tiene al menos tres cables. Uno de sus
cables, llamado la puerta, tiene una capa de tipo vidrio. Esta capa evita que la puerta tenga
contacto eléctrico con el drenaje y la fuente, pero también hace que el dispositivo sea muy
sensible a la electricidad estática. La descarga electrostática es una fuente de quemado del
MOSFET. Otra fuente es el uso del dispositivo más allá de sus especificaciones de corriente y
tensión. Para protegerlo del quemado, usa medidas preventivas para evitar o disipar la
electricidad estática y para protegerlo de los transitorios.

32.- Porque se dice que un MOSFET tiene un coeficiente positivo de temperatura y un BJT un
coeficiente negativo de temperatura y como afecta eso cuando se quiere poner en paralelo
MOSFET tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que les permite detener fugas o
dispersiones térmicas. En estado de conducción, su resistencia no tiene límite teórico, por lo
tanto, su incidencia es notablemente inferior dentro de un circuito eléctrico cuando se encuentra
en estado de “saturación ” gracias a que presenta una resistencia final (RDS-on) de unos pocos
miliOhms.
BJT es responsable del sobrecalentamiento debido a un coeficiente de temperatura negativo. FET
tiene un coeficiente de temperatura + Ve para detener el sobrecalentamiento. Los BJT son
aplicables para aplicaciones de baja corriente. Los FETS son aplicables para aplicaciones de bajo
voltaje.
Va afectar…

33.- Que tipo de MOSFET es el que se usa en electrónica de potencia

El MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) de Potencia es el transistor de
efecto de campo del tipo MOS, base de los circuitos digitales de señal, que ha sido modificado
para su utilización como llave apagable en electrónica de potencia. Como el BJT, el MOSFET
tampoco es intrínsecamente biestable, y su utilización como llave depende del manejo del
electrodo de comando (gate). El BJT como llave para electrónica de potencia presenta varias
limitaciones: Los tiempos de conmutación son del orden de varios µs, fundamentalmente en el
apagado, lo que limita la frecuencia máxima de operación a unos 20kHz, decreciendo con la
potencia manejada. El control por corriente de base, que además debe ajustarse a la corriente de
colector, obliga a usar circuitos de comando complejos y con consumo apreciable de energía. La
conducción se realiza por difusión de portadores minoritarios, lo que hace que el dispositivo
presente el fenómeno de Segundo Breakdown, que limita las zonas de operación segura. La
ganancia en emisor común baja fuertemente con el aumento de la tensión de bloqueo.
34.- A que se denomina diodo parasito en un MOSFET
Hay dos tipos de MOSFET: mejorado (EMOS) y agotado (DMOS). Cada tipo de mejorado y agotado
tiene NMOS y PMOS

La dirección del diodo parásito NMOS es de polo S a polo D, y la dirección del diodo parásito PMOS
es de polo D a polo S.

Los diodos parásitos son los mismos que los diodos ordinarios. La conexión positiva se encenderá y
la conexión inversa se apagará. Por lo tanto, para NMOS, cuando el polo S está conectado a
positivo y el polo D a negativo, el diodo parásito se encenderá, de lo contrario, se apagará; para el
tubo PMOS, cuando el polo D está conectado a positivo y el polo S está conectado al negativo, el
diodo parásito se encenderá, de lo contrario, se apagará.
Cuando se cumplen las condiciones de conducción del tubo MOS, el polo D y el polo S del tubo
MOS se encenderán, ya que la resistencia interna de conducción del tubo MOS es muy pequeña,
generalmente nivel de m, corriente de nivel 1A, sólo nivel de mV, por lo que el polo D La caída de
tensión de conducción entre el polo S y el polo S es muy pequeña, no es suficiente para encender
el diodo parásito, que requiere una atención especial.

35.- Porque se dice que un MOSFET es un amplificador de tensión o voltaje

Se le denominan asi a los MOSFETS porque conducen a través de una región conductora o ruta
llamada "el canal". Podemos hacer que este canal conductivo sea más ancho o más pequeño
aplicando un potencial de compuerta adecuado. Un campo eléctrico inducido alrededor del
terminal de puerta mediante la aplicación de este voltaje de compuerta afecta las características
eléctricas del canal, por lo tanto, el nombre de transistor de efecto de campo .

En otras palabras, podemos controlar cómo opera el mosfet creando o "mejorando" su canal
conductivo entre las regiones de origen y drenaje produciendo un tipo de mosfet comúnmente
llamado MOSFET de modo de mejora de canal n, lo que simplemente significa que a menos que
los polaricemos positivamente en la puerta (negativamente para el canal p), no fluirá corriente de
canal.

Existen grandes variaciones en las características de diferentes tipos de mosfets, y por lo tanto, el
sesgo de un mosfet se debe hacer de forma individual. Al igual que con la configuración del emisor
común del transistor bipolar, el amplificador mosfet de fuente común debe polarizarse a un valor
de reposo adecuado. Pero primero vamos a recordar las características básicas y la configuración
de mosfets.
36.- A que se denomina RDS(ON) en el caso de un MOSFET
A ver si alguien me desasna un poco. No logro entender en las especificaciones de los Mosfet, el
parámetro de la resistencia R DS.
Normalmente, en el título marketinero, aparece la tensión máxima, la corriente máxima, el canal y
la Rds (on), que suele tener un valor digamos bajo según el caso, pero al mirar las curvas de Rds
(on) en el datasheet, esto no es así, o por lo menos no me queda claro. Subo una parte de una
hoja de datos de un transistor no importa cual. Hay un gráfico arriba a la izquierda en la que se
muestra la RDS (on) con un valor determinado de VGS y diferentes valores de corriente de
drenaje, supongo que a 25 grados.
Pero, en el gráfico de abajo a la derecha, con un valor similar de VGS y una corriente específica, el
valor de la Rds (on) en todo el rango de temperatura no arroja un valor igual que pueda reflejarse
en la curva anterior. Esto sucede en todos los datasheet de todos los dispositivos que vi.
Mi, no comprender.

37. A que se denomina tensión umbral del MOSFET

Se le denomina como tensión umbral, VT. El terminal de sustrato sirve para controlar la tensión
umbral del transistor, y normalmente su tensión es la misma que la de la Fuente.

38.- Que características, del BJT y el MOSFET se aprovecha para construir un IGBT
El IGBT es la combinación entre BJT y de MOSFET, aprovecha las mejores características de estos
dos dispositivos, esta estructura permite:
 • Modulación de la conductividad (lo que implica bajas perdidas en la conducción)
• Anti saturación de transistor bipolar interno (no tan lento como si se saturara
completamente)
• Control desde un puerto MOS (como en MOSFET)
39.-Que es un IGBT y para que se utiliza
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción
regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar
a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n se sustituye con un
drenaje + p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente

de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La
corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para
encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que
el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de colector ID es igual a la
corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así
por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de
potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La transición del
estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la
frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano
a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje
arriba de 15 V, y la corriente IC se auto limita.

40.- Cuales son las ventajas de los IGBT respecto a los BJT y el MOSFET
Las principales aplicaciones de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS,
debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a los
transistores bipolares:
• Consumo en modo estático muy bajo.
• Tamaño muy inferior al transistor bipolar.
• Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta.
• La velocidad de conmutación es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.
• Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y baja
potencia.