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El Transistor Bipolar PDF
El Transistor Bipolar PDF
EL TRANSISTOR BIPOLAR
(Gua de Clases)
Introduccin
Descripcin
Simbologa. Convenio de tensiones y corrientes
Estructura fsica
Curvas caractersticas
Curvas caractersticas en emisor comn
Identificacin de las regiones de funcionamiento en las curvas caractersticas
BIBLIOGRAFA
El transistor bipolar. Gua de clases pg. 1
DESCRIPCIN
En general se definen una serie de tensiones y corrientes en el transistor, como las que aparecen en
las figuras 2 y 3. Esta definicin es la que se usar a lo largo del presente cuadernillo y sigue una
representacin fsica de las mismas (pues en funcionamiento normal todas las corrientes y tensiones
definidas son positivas). Existen otras formas de indicar dichas tensiones y corrientes, aunque no se
tratarn aqu.
VCB C V BC C
IC IC
IB IB
B VCE B VEC
IE IE
VBE E V EB E
ANOTACIONES
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Estructura fsica
El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto ms dopaje
tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinacin
en la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector, como
veremos ms adelante. Adems, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposicin se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de esta
regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que provienen del emisor. En
posteriores apartados se tratar el tema.
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Donadoras o aceptadoras, segn el tipo P o N que se pretenda obtener
ANOTACIONES
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P+ P
ANOTACIONES
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ANOTACIONES
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Corrientes y tensiones
IEp
ICp
IE IBr IC
IEn ICn
IB
Figura 11. Corrientes en un TRT
Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unin est en directa
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la base,
sino que siga hacia el emisor (ICp)
Entre el colector y la base circula una corriente mnima por estar polarizada en inversa (ICn ms
una parte nfima de ICp)
Por la base realmente circula una pequea corriente del emisor, ms otra de colector, ms la
corriente de recombinacin de base (IEn+ICn+IBr)
ANOTACIONES
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A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones bsicas como son las siguientes:
I E + I B + I C = 0 (I )
Esta ecuacin viene impuesta por la propia estructura del circuito, es decir, el transistor es un nodo
con tres entradas o salidas, por tanto la suma de las corrientes que entran o salen al mismo ha de ser
cero.
Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en funcin de sus componentes de la
siguiente forma:
I E = I En + I E p
I C = I Cn + I C p
I B = I En + I Cn + I Br
En un transistor bipolar uno de los aspectos ms interesantes para su anlisis y uso es el conocer las
relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE, IB e IC). En la ecuacin I tenemos una primera
relacin. Otras relaciones se pueden obtener definiendo una serie de parmetros dependientes de la
estructura del propio transistor.
Definimos los parmetros y (de continua) como la relacin existente entre la corriente de
colector y la de emisor, o la de emisor y la de base, es decir:
IC IC
= = ( II )
IE IB
Ic IC IC
= = = =
I B I E I C I E (1 I C I E ) 1
En general el parmetro ser muy prximo a la unidad1 (la corriente de emisor ser similar a la de
colector) y el parmetro tendr un valor elevado (normalmente > 100).
1
Como valores tpicos se tiene 0,9 < < 0,99
ANOTACIONES
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A partir de las ecuaciones anteriores se puede obtener una ms que es til cuando se trabaja con
pequeas corrientes de polarizacin, en las que el efecto de la corriente inversa que circula entre
colector y base puede no ser despreciable:
I C = I B + ( + 1) I C 0 ( III )
En funcin de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del transistor bipolar
podemos conseguir que ste entre en una regin u otra de funcionamiento. Por regiones de
funcionamiento entendemos valores de corrientes y tensiones en el transistor, que cumplen unas
relaciones determinadas dependiendo de la regin en la que se encuentre.
Regiones de funcionamiento
Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Concretamente,
y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la
condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la corriente por el emisor lleva sentido
contrario al que llevara en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor del
mismo, es decir, basta con que VBE=0.
Activa
La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus
terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-
base en inversa.
ANOTACIONES
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V BE = V
IC = I B
Saturacin
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores determinados
(0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Efecto Early
ANOTACIONES
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la recombinacin en base. La pendiente positiva de las curvas caractersticas del transistor en zona
activa es debida a este efecto.
Base
VCB
Emisor Colector
WB WB
Figura 12 . Descripcin de la modulacin de la anchura de base con la tensin
El transistor bipolar, como cualquier dispositivo en cuya estructura existan uniones PN polarizadas,
tiene unas limitaciones fsicas de funcionamiento debidas a los fenmenos de avalancha que se
pueden producir al aplicar tensiones elevadas a las uniones. Concretamente en un transistor bipolar
se puede producir la destruccin del dispositivo mediante dos mecanismos de ruptura diferentes:
Ruptura por entrar en avalancha alguna de las uniones. Si se aplica tensin inversa elevada a
las uniones PN del transistor puede ocurrir que alguna entre en avalancha. La unin base-emisor
es especialmente sensible a la aplicacin de tensiones elevadas debido a su alto dopaje.
ANOTACIONES
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Otro motivo por el que se puede destruir un transistor bipolar es la potencia mxima que es capaz
de disipar. En general se puede hablar de potencia en rgimen continuo y potencia en rgimen
alterno. En este cuaderno slo se considerar el rgimen continuo, o de polarizacin del transistor
bipolar.
P = V I
en el caso particular de un transistor bipolar, consideramos que la potencia que disipa viene dada
por la corriente de colector multiplicada por la tensin que colector-emisor, es decir:
P = VCE I C
El producto de la corriente de colector por la tensin colector-emisor indica la potencia disipada por
el dispositivo.
La potencia mxima que puede disipar un transistor se puede representar en unos ejes de
coordenadas, obteniendo la hiprbola de mxima disipacin del dispositivo. En el apartado de
curvas caractersticas se muestra un ejemplo.
ANOTACIONES
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CURVAS CARACTERSTICAS
Las curvas caractersticas son representaciones grficas de 3 variables. En los ejes X e Y se colocan
dos de las variables, y se dibuja una curva para cada uno de los valores de la tercera variable. En el
siguiente apartado se expondr un ejemplo.
Como ejemplo se describen aqu las curvas caractersticas de salida en la configuracin de emisor
comn1 por ser la ms utilizada en la prctica.
1
Las configuraciones del transistor como amplificador en emisor comn, base comn y colector comn sern objeto de
estudio en la asignatura Dispositivos Electrnicos II de segundo curso.
ANOTACIONES
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A partir de estas curvas es posible determinar el punto de trabajo del transistor, es decir, las
tensiones y corrientes del mismo, una vez polarizado.
IC 70
(mA) 60 IB (A)
50
40
30
20
10
VCE (v)
Figura 14. Curvas caractersticas en emisor comn
Es posible identificar las distintas regiones de funcionamiento de un transistor bipolar en sus curvas
caractersticas. En la figura 15 se muestran las curvas caractersticas en emisor comn con la
indicacin de cada una de las regiones de funcionamiento. Atendiendo a la definicin dada de
regiones de funcionamiento se identifican de la siguiente forma:
Regin de corte. Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, lo cual se puede
aproximar como la no circulacin de corriente por el colector y la base, luego la zona
corresponde a corriente IB=IE=IC=01.
Regin de saturacin. En esta regin se verifica que la tensin colector-emisor es muy pequea
(VCE 0,2V, zona prxima al eje de coordenadas).
Regin activa. El resto del primer cuadrante corresponde a la regin activa
Regin de
corte
Figura 15. Regiones de funcionamiento
1
En realidad s puede circular corriente por el colector, pues puede existir la corriente inversa de saturacin entre
colector y base
ANOTACIONES
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Hiprbola de
mxima disipacin Regin de
Saturacin Ruptura o
avalancha
Activa
Corte
Figura 16
ANOTACIONES
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Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que
aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el
transistor en zona activa, en saturacin o en corte, cambiando las tensiones y componentes del
circuito en el que se engloba.
Este primer circuito tiene como inconveniente por un lado que el transistor nunca se podra
polarizar en saturacin, pues no se puede conseguir que VCE = VCC
0,2V siendo VBE =0,7V; y por otro lado la excesiva disipacin. Un
circuito un poco ms complejo, y con el que se puede conseguir RC
polarizar al transistor en las tres regiones de funcionamiento es el RB
de la figura 18. Vemos que en este caso la tensin colector-emisor
depende directamente de la corriente de base (VCE=VCC-IBRC), y
dicha corriente se fija actuando sobre la resistencia de base
(IB=(VCC-VBE)/RB). Para polarizar el transistor en cada una de las
regiones se pueden emplear las dos ecuaciones mencionadas y
aplicar las restricciones de cada regin. Figura 18
ANOTACIONES
El transistor bipolar. Gua de clases pg. 15
Cuando se pretende que la polarizacin sea estable (es decir, que no vare VCC
con factores externos1), se usan redes de polarizacin ms complejas, que
fijan la tensin en base, como por ejemplo la que aparece en la figura 19. En RC
apartados posteriores se resuelve un ejercicio con un transistor polarizado RB1
tal y como aparece en la figura 19.
RB2
RE
Figura 19
1
Vase el cuaderno de Estabilidad en el punto de trabajo
ANOTACIONES
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DATOS: R B1 RC
Activa VBE = 0.6V
= 99
Saturacin VBE = 0.8V
VCE = 0.2V R B2 RE
RC = 1K RE = 560
RB1 = 47K RB2 = 56K
VCC = 12V
Siempre, a la hora de resolver un ejercicio de polarizacin con transistores bipolares, el primer paso
es realizar una suposicin sobre el estado en el que se encuentra el transistor (o los transistores si
hay varios). Los estados posibles son activa, corte o saturacin. En general, a no ser que la
experiencia nos indique lo contrario, supondremos que el transistor est en activa, y a partir de ah
comenzar la resolucin del ejercicio.
Una vez decidido que suponemos activa, resolvemos el circuito y se pueden presentar dos casos:
que se compruebe que el transistor est en activa, con lo que habremos terminado
que las corrientes y tensiones resultantes sean imposibles; en este
caso la suposicin de activa ser incorrecta, elegiremos otro V CC
estado (corte o saturacin), y volveremos a resolver.
I B1 IC
En nuestro caso, una vez supuesto activa, el siguiente paso es IB
analizar: VB
de qu datos se dispone, y
qu podemos averiguar a partir de dichos datos. V BE
I B2 IE
ANOTACIONES
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Observemos la figura. En ella se encuentran marcadas las diferentes tensiones y corrientes presentes
en el circuito. De estas tensiones y corrientes slo conocemos 2, que vienen dadas por los datos
(recordemos la suposicin de activa):
Adems, sabemos que, por estar el transistor en activa, se cumplen las siguientes relaciones:
IC = IB I E = ( + 1) I B
A partir de los datos anteriores hemos de plantear las ecuaciones que nos lleven a la resolucin del
ejercicio. Por ejemplo, podemos plantear las siguientes ecuaciones:
VB = VBE + I E RE
VCC VB = I B1 RB1
I B1 = I B + I B 2
V
IB2 = B
RB 2
I = ( + 1) I
E B
Este sistema de ecuaciones tiene 5 incgnitas (IB, IE, VB, IB1 e IB2). Despejando se resuelve el
sistema y todo el circuito. Sin embargo este tipo de aproximacin no resulta prctica, pues nos
obliga a desarrollar bastante clculo matemtico que puede conducir a errores.
Vamos ahora a intentar resolver el circuito de una forma ms sencilla. Empezamos en el punto en el
que se inici la primera aproximacin, es decir, supuesto activa, y conocidas algunas tensiones y
relaciones en el circuito, pero en este caso el estudiante con cierta prctica puede abordar el
problema aplicando Thevenin al circuito de la base del
transistor, y obteniendo la figura siguiente. VCC
En esta figura la tensin y resistencia de Thevenin se
obtienen: I C
RTH IB
RB 2 56 K
VTH = VCC = 12V = 6,5V
RB1 + RB 2 47 K + 56 K
R R 56 K 47 K
VTH
RTH = RB1 / / RB 2 = B1 B 2 = = 25K 6
VBE
RB1 + RB 2 56 K + 47 K IE
ANOTACIONES
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Y a partir de estos valores podemos plantear directamente una ecuacin que resuelva la corriente de
base, de la siguiente forma (teniendo en cuenta la relacin que existe entre corriente de emisor y de
base):
Una vez conocida la corriente de base, el resto de corriente y tensiones se obtienen inmediatamente:
I C = I B = 99 72,3A = 7,16mA
I E = ( + 1) I B = 100 72,3A = 7,23mA
Comprobaciones finales
Una vez resuelto hemos de comprobar que la suposicin hecha al principio era correcta, es decir,
que el transistor efectivamente se encontraba en activa. Para realizar esta comprobacin basta con
observar que todas las corrientes y tensiones obtenidas son coherentes, y adems que se verifica que
VCE > VCEsat.
ANOTACIONES
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BIBLIOGRAFA
El transistor bipolar
Gerold W. Neudeck
Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 2 edicin, 1994
ANOTACIONES