Control de Inversin de velocidad motor DC

INDICE

CAPITULO 1

INTRODUCCION

MATERIALES

OJETIVOS

OBJETIVO GENERAL

OBJETIVO ESPECIFICO

CAPITULO 2: MARCO TEORICO

RESUMEN

ELECTRONICA DE POTENCIA

APLICACIONES

BASES TEORICAS

CAPTULO 3
DIAGRAMA DE POTENCIA

CONCLUSIONES
 CAPITULO 1

INTRODUCCION

Un sistema de control es un conjunto de dispositivos encargados de administrar, ordenar,

dirigir o regular el comportamiento de otro sistema, con el fin de reducir las probabilidades de
fallo y obtener los resultados tericamente verdaderos. Por lo general, se usan sistemas de
control industrial en procesos de produccin industriales para controlar equipos o maquinas.

MATERIALES

Condensador cermico

Resistencias
Potencimetro

MOSFET tipo N

SWITCH
Transistores

Motor DC
OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL

Disear e implementar un controlador para el control de un motor DC por medio del uso
de MOSFET.

OBJETIVOS ESPECFICOS

Determinar las especificaciones requeridas para nuestro controlador de motor DC,

propuesto

CAITULO 2:

MARCO TEORICO

RESUMEN
Como objetivo principal para este proyecto es el, diseo e implementacin de un mtodo
adecuado para el control de velocidad y giro de un motor DC.
Utilizando electrnica de potencia ,Se introducirn primeramente, conceptos bsicos
referentes a esta rama (Definicion, aplicaciones, dispositivos, etc.). Para luego indagar en
temas ms complejos como lo son el manejo de las seales de tension y polaridad.

ELECTRONICA DE POTENCIA

La electrnica de potencia es una rama de la ingeniera electrica que estudia los

dispositivos, circuitos, sistemas de control y conversin de la energa electrica. Esto
significa que se combinan el control, la electrnica y la energa para dar paso a diversas
aplicaciones. La parte de control se encarga del rgimen permanente y de las
caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La parte electrnica tiene que
ver con todos aquellos dispositivos y circuitos de estado slido, utilizados en el manejo y
procesamiento de seales que ayudan a alcanzar las condiciones de control deseadas. Y
la parte de energa se ocupa de los equipos de potencia esttica y rotativa o giratoria. La
electrnica de potencia se basa, principalmente, en la conmutacin de dispositivos
semiconductores de potencia.
APLICACIONES

Para fajas transportadoras

Motores de ventilacin, etc.
Ferrocarriles.
Industrias de procesos.
Refrigeracin industrial.
Automviles

BASE TERICO

Motor DC: El motor de corriente continua es una mquina que convierte la energa
elctrica en mecnica, principalmente mediante el movimiento rotativo. Esta
mquina de corriente continua es una de las ms verstiles en la industria. Su fcil
control de posicin, par y velocidad la han convertido en una de las mejores
opciones en aplicaciones de control y automatizacin de procesos.

Resistencia: Propiedad de un objeto o sustancia que hace que se resista u oponga

al paso de una corriente elctrica. La resistencia de un circuito elctrico determina
segn la llamada ley de Ohm cunta corriente fluye en el circuito cuando se le aplica
un voltaje determinado. La unidad de resistencia es el ohmio, que es la resistencia
de un conductor si es recorrido por una corriente de un amperio cuando se le aplica
una tensin de 1 voltio. La abreviatura habitual para la resistencia elctrica es R, y
el smbolo del ohmio es la letra griega omega, .

Condensador: El condensador es uno de los componentes mas utilizados en los

circuitos elctricos.
Un condensador es un componente pasivo que presenta la cualidad de almacenar
energa elctrica. Esta formado por dos laminas de material conductor (metal) que
se encuentran separados por un material dielctrico (material aislante). En un
condensador simple, cualquiera sea su aspecto exterior, dispondr de dos
terminales, los cuales a su vez estn conectados a las dos laminas conductoras.

Potencimetro: Es uno de los dos usos que posee la resistencia o resistor variable
mecnica (con cursor y de al menos tres terminales). Conectando los terminales
extremos a la diferencia de potencial a regular (control de tensin), se obtiene entre
el terminal central (cursor) y uno de los extremos una fraccin de la diferencia de
potencial total, se comporta como un divisor de tensin o voltaje.

Transistores NPN: Son dispositivos de estado slido (semiconductores). Tienen

tres terminales: Emisor, base y colector. Est compuesto por uniones NP. Son la
base de muchos circuitos de conmutacin y de procesado de seal. Los
amplificadores operacionales y otros C.I. pueden contener varias decenas
de transistores, cada uno de ellos con misiones diferentes: Implementar fuentes de
corriente constante, Generar tensiones de referencia, Amplificar seales en modo
diferencial y reducir la ganancia en modo comn Implementar etapas de salida, etc.
MOSFET: Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es
el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. La prctica totalidad de los
circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET.
Funcionamiento: Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material
semiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se
crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual se hace crecer
una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor.
Tipos de Mosfet: Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales
dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p
y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. Las
reas de difusin se denominan fuente y drenador, y el conductor entre ellos es la
puerta.

Estados de los mosfet: El transistor MOSFET tiene tres estados de

funcionamiento:
- Estado de corte

Estado de corte Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato.

- Estado de NO conduccin

El MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y

drenador aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos.
- Conduccin lineal

Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una
regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece
lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS)
en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin.
El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de
potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como
una resistencia controlada por la tensin de puerta.
Saturacin: Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y
desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida
al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial
entre ambos terminales.
 Principio de operacin: Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando
no se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje
(Drain) y la fuente (Source).
Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin positiva se debe aplicar
en la compuerta. As los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain)
son atrados a la compuerta () y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos
electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el
drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente)
depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar.
Cuando se aplica una tensin negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de
electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la compuerta y pasan
a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La
amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada
a la compuerta. Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el
semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y
fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
Comparacin:
Canal N: Un MOSFET de canal N se enciende cuando aplicas un voltaje
positivo en el terminal de la compuerta. El voltaje ser mayor que el
suministro de tensin positivo en el terminal drenador, mientras que la
resistencia entre el extremo positivo y el drenador limitar la corriente. Para
este tipo de MOSFET, el terminal surtidor deber conectarse a tierra y el
smbolo esquemtico para el mismo tendr una flecha apuntando hacia la
compuerta del dispositivo.
Canal P: Para activar un MOSFET de canal P en adelante, se aplica una
tensin negativa a la compuerta. Este voltaje es negativo con respecto a
tierra. En un circuito, se conecta el terminal del canal surtidor del MOSFET
P a una fuente de tensin positiva y el drenador a una resistencia conectada
a tierra, adems la resistencia limitar la corriente que fluye a travs del
transistor. El diagrama del circuito para un MOSFET de canal P tiene una
flecha apuntando hacia la parte exterior de la compuerta.
Lado bajo y lado alto: El circuito conocido como controlador de lado de baja utiliza
un MOSFET de canal N, al cual se le denomina "lado de baja". Esto es debido a
que el circuito se conecta al extremo de la tierra del mismo, mientras la tensin de
alimentacin positiva controla el dispositivo cuando el MOSFET se enciende. Por el
contrario, el conductor del lado de alta tiene un MOSFET de canal P, conectado al
terminal positivo de la alimentacin, con el dispositivo de conmutacin conectado al
terminal del drenador del transistor a tierra. El conductor del lado de baja es un
circuito ms simple que el del lado del alta, sin embargo te permite cambiar la
direccin de la corriente a travs del dispositivo.
 CAPITULO 3

DIAGRAMA DE POTENCIA

RV2

100%
R1
300
1k

RV1
U1 Q7
8

4 3 Q6
VCC

0%

R Q
IRFIZ44N C3
7 100nF
DC
5
CV
1M D4 D6
DIODE DIODE IRFIZ44N
GND

2
TR TH
6 D3 D2
R2 1N4004 1N4004
C2 1k
1

100nF 555

C1
D1 D5 Q9
DIODE DIODE
100nF
Q8
IRFIZ44N

Q1 IRFIZ44N
IRF640

Funcionamiento
Al mantener el potencimetro en 50% y calcular la suma de voltaje en l, este tiende a cero,
por lo que ninguno de los transistores se activa.
Por otro lado esto hace que "todo" el voltaje caiga en las uniones colector-emisor de los
transistores y el motor se mantiene en reposo.
Al mover el potencimetro a un extremo permite el giro del motor en un sentido, y cuando
se pasa al otro extremo gira en el otro sentido. En puntos intermedios la velocidad del motor
no es la mxima.

CONCLUSIONES
- Los componentes usados en la presente simulacin pueden variarse
para tener mejores resultados de respuesta tanto en modulacin de la
velocidad y aguante de potencia.
- El componente principal del presente proyecto es el potencimetro que
se encarga de regular el voltaje que excita el gate del MOSFET.
 Ing. Electrnica
Electrnica de potencia:
Ing. Argume Sotomayor
control de giro de un motor DC

Nombres: Humberto Mamani Galarza

Ciclo: X
Escuela: Ing. Electrnica