PROBLEMAS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

Problema 1:
Determinar los puntos de funcionamiento de los dispositivos semiconductores de los siguientes circuitos:
+12V
+12V

+12V
2K
3K
1K
100
3K 6V
=100 =100
33K
=100 15V =100

3K 2K 6V 100
5V

(a) (b) (c) (d)

Problema 2:
Determinar el punto de funcionamiento del transistor MOSFET del siguiente circuito:
+15V

10K 1K

ID(mA)
D
UGS(V)
30 15
G 20 10
S 10 5
10V
5 UDS(V)

Problema 3:
Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar un rel. Se ha dispuesto para ello del circuito
de adaptacin que se muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que ambos
transistores trabajan siempre en corte o saturacin sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensin de codo base-
emisor de 0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensin entre 0 y 0,4V para el 0 lgico y entre
3,8 y 5V para el 1 lgico.

+15V

Q2
2=100

R2
REL
SMA. R1 50mA/15V
DIGITAL 1=100
Q1
Problema 4:
En el circuito de la figura el interruptor se encuentra inicialmente cerrado. Determinar de forma razonada la
evolucin de la tensin en el condensador a partir del instante de apertura del interruptor S.

S
10k
100 10V

1F VZ=8V
=100

Problema 5:
El circuito de la figura corresponde a un cargador de bateras, se pide:
- Determinar la evolucin en el tiempo de la tensin y la corriente por la inductancia.
- Determinar la evolucin de la corriente de carga y el valor medio de la misma.
- Calcular RB de forma que el transistor trabaje en conmutacin.
Datos: el transistor trabaja en conmutacin, la corriente inicial por la bobina es nula,
L=100H, VCC=80V y VBAT=160V.

IL
BATERIA
VBAT VE
L
10V
VCC
RB
=50
+
VE 10 20 30 40 t(s)

Problema 6:
Para el circuito de la figura determinar:
1. Evolucin de UC1 e ib.
2. Evolucin de UC2 y UCE.
Nota: todos los dispositivos son ideales y C1 y C2 se encuentran inicialmente descargados.
+Ucc=15V

R=1K

Ig=100A
UC2
C2=20

C1=200n
=100
ib
UC1
Vz=5V
Problema 7:
Para el circuito de la figura y considerando todos los componentes ideales determinar de forma razonada la
evolucin de la tensin en el condensador UC y en el MOSFET UDS. La bobina y el condensador se
encuentran inicialmente descargados.

UC 5 F

ID
(mA) UG S
20
200 10
=200 10V

UD S 100 5

20k 2V UD S
10mH
Problema 1

a
+12V +12V +12V

2K 2K 2K//3K
3K 6V 3K 6V

b=100
Suponiendo que el
transistor se encuentra
en saturacin: 6V 6V
3K 2K 3K 2K 2K//3K

El reparto de corrientes por el circuito resulta por tanto::

+12V
En resumen:
iB = 1mA
2K iC = 2mA
6V 3K
iE = 3mA
3mA 2mA Se cumple: iC < biB
1mA

2mA 3mA
6V
3K 2K

b
Unin B-E polarizada
3K en inversa. 3K
Transistor en corte
33K 33K
b=100 15V 15V

uCE = 15V
5V 5V
uBE = -5V
c
+12V +12V El transistor tiene tensin
uCE = 6V, est en zona activa.
6
1K Suponiendo que el 1K 6V iE = = 60mA
Zener se encuentra en 100
zona Zener: b=100 iE
b=100
iR1
uCE = 6V iB = = 594 mA
iZ iB
b +1
6V i Z = i R1 - i B = 5,4mA > 0
6V 100 100 6V
Hiptesis correcta
iE

iC = 59,4mA

d
+12V +12V El transistor tiene tensin
iE = 60 mA uCE = 6V, est en zona activa.

Suponiendo que iE
100
el Zener conduce:
100
6V iB = = 594 mA
6V 6V b +1
Se tiene entonces:
b=100 6V iB = iZ =594mA
b=100 iC = 59,4mA
iE = 60 mA iE = 60mA
Problema 2
+15V

10K 1K ID(mA)
UGS(V)
D 30 15
20 10
G 10 5
S
10V 5 UDS(V)

Teniendo en cuenta que la impedancia de entrada del MOSFET es idealmente infinita la corriente iG es nula y el
Zener se encuentra en conduccin:
+15V
Conociendo la tensin uGS se determina la curva
de la caracterstica uDS - iD del MOSFET sobre la
10K 1K que se encuentra el punto de funcionamiento:
5V

D ID(mA)
UGS(V)
G 30 15
S 20 10
10V uGS=10 10 5

5 UDS(V)
Suponiendo funcionamiento en zona de fuente de corriente se tiene:
+15V

uDS = 15 - 20 10 -3 10 3 = -5 < 5 V
10K 1K
No trabaja en zona de fuente de corriente.

20mA

S
10V uGS=10

Suponiendo funcionamiento en zona resistiva se tiene:

+15V

10K 1K
La tensin uDS se calcula mediante:

250
D uDS = 15 = 3 < 5V
-3 250 + 1000
rDS=5/2010 = 250W

S
10V uGS=10
Problema 3
+15V

Q2 Con nivel lgico alto ambos

b2=100 transistores debern de estar en
saturacin. Con nivel bajo ambos
estarn en corte.
R2
REL
SMA. R1 50mA/15V
DIGITAL b1=100
Q1

Funcionamiento a nivel bajo:

Q1 Observando el transistor Q1 vemos que la

R1 tensin de entrada es insuficiente para hacerlo
b1=100
conducir.
00,4 uBE=0,6

Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base por lo que tambin se encuentra en corte.

Funcionamiento a nivel alto:

+15V
uBE=0,6 Para que Q2 est saturado se debe cumplir:

b2=100 15 - uBE
iB2 iC < b i B iB =
R2
iC2=50mA
R2 15 - uBE
R2 < b 2 = 28,8k
iC 2
uCE1=0
Tomamos: R2 = 27k

Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre tambin en saturacin:

La situacin ms desfavorable se tiene

iB2 iC < b i B para la tensin de entrada de 3,8V
Q1
R1
b1=100
15 - 0,6 3,8 - 0,6
3,85 uBE=0,6 iB2 = = 533 mA R1 < b 1 = 600k
27 10 3 iB2
Tomamos: R1 = 560k
Problema 4

Este circuito corresponde a la situacin inicial antes

S de la apertura de S.
10k 100W 10V El condensador se encuentra conectado a la fuente
de 10V, por lo que sta es la tensin inicial a
considerar.
1 mF VZ=8V
b=100

Una vez abierto el interruptor el circuito resultante se puede representar como:

100W
La corriente de base es de 10/10000 = 1mA
10k
10V b=100 1 mF
Siendo la tensin inicial en el condensador superior a
VZ=8V
los 8V que soporta el Zener ste estar inicialmente en
conduccin.

Por otra parte, al ser la tensin colector emisor mayor que cero, el transistor se encuentra inicialmente en zona
activa, por lo que el circuito equivalente inicial visto por el condensador es:
100W 100W

biB 8V -2V
uC 1 mF uC 1 mF
100mA
Thevenin

Con este circuito equivalente la evolucin de la tensin en el condensador se obtiene mediante la expresin:

-t uC
uC (t ) = uC (t )+ [uC (t = 0 )- uC (t )] e R C 10
-t

uC (t ) = -2 + 12 e 10010
-6

-2

Para que este circuito equivalente sea vlido es necesario que se cumplan las siguientes condiciones:
- La tensin colector-emisor debe ser mayor que cero para que el transistor se mantenga en zona activa.
- Debe circular corriente inversa por el Zener. Para que esto se cumpla la tensin uC debe ser mayor de 8V.
Obviamente, es esta segunda condicin la que se dejar de cumplir en primer lugar:

10
t a = -100 10 -6 Ln = 18,2ms
12
Para t > 18,2ms el Zener deja de conducir y el circuito equivalente de descarga del condensador pasa a ser:

Tomando t = t -18,2ms se tiene:

t'
biB 1
1 mF
uC (t ') = uC (t ' = 0 )+
C 0
uC iC dt = 8 - 100 10 3 t '
100mA

uC En este punto el transistor

se sale de zona activa
10
8 8 - 10
010 3
t

t=0
Cuando la tensin en el condensador se anula, el transistor sale de zona activa y entra en zona de saturacin.
El tiempo que tarda se calcula:
8
t 'b = = 80 ms
100 10 3

uC
Equivalente final
10
uC 1 mF
8

18,2 98,2 t (ms)

Problema 5

IL
BATERIA
El transistor va a trabajar en conmutacin, es decir
VBAT alternando entre corte y saturacin.
L
La tensin VE toma dos valores: 0 y 10V.
VCC
Durante los intervalos en que VE es de 0V el
RB
transistor permanecer en corte. Cuando VE sea de
b=50
+ 10V el valor de RB deber ser tal que asegure el
VE funcionamiento en saturacin.

Durante los 10 primeros microsegundos VE es de 10V, por lo que el transistor estar saturado:

iL
La carga de la bobina se produce a tensin fija:
VBAT
VCC
uL=VCC L
di L (t ) 1
t
i L (t ) = i L (t = 0 )+
L 0
VCC+VBAT 80V VCC = L VCC dt = 800 10 3 t
dt
uCE = 0 0
Representando grficamente esta evolucin:

iL
8A Pasados 10ms la corriente de base desaparece y el transistor pasa a
zona de corte, por lo que el circuito equivalente se convierte en:

10ms
iL En el instante en que se produce el corte del transistor la corriente
VBAT por la bobina es de 8A. Esta corriente no puede interrumpirse de
VCC forma brusca, por lo que hace entrar al diodo en conduccin.
uL=-VBAT L 160V
iL 80V

VCC+VBAT

Por comodidad cambiamos la base de tiempos a: t = t -10 ms

di (t ')
t'
1
- VBAT =L L i L (t ') = i L (t ' = 0 )+ - VBAT dt ' = 8 - 1,6 10 6 t '
dt ' L0
Representando la evolucin de iL obtenida hasta el momento:

iL Durante esta fase, la corriente de la bobina tambin circula a travs

6 del diodo, por lo que no puede hacerse negativa.
8A 8-1,610 t El circuito equivalente cambiar cuando la corriente se anule
(o bien cuando t = 10 ms y comience un nuevo periodo de VE).
El tiempo que tarda en anularse la corriente es:
t = 0 ta
8
t 'a = = 5 ms
1,6 10 6
Por lo que al pasar 5ms el circuito equivalente pasa a ser:
 iL= 0 Una vez anulada la corriente por la bobina, la tensin uL tambin
se hace cero.
VBAT
VCC di L
uL= 0 L uL = L =0
VBAT
dt

VCC

La evolucin en el tiempo de la corriente y la tensin por la bobina son por tanto:

iL

8A

10 15 20 t (ms)
uL
80
15
10 20 t (ms)

-160
La corriente por la batera es la misma que atraviesa el diodo:
iBAT
El valor medio de esta seal se calcula:
8A
T
1 1 5 10 -6 8
iBAT = i BAT (t ) dt = = 1A
T 0 20 10 -6 2
0 10 15 20 t (ms)
El clculo de la resistencia de base necesaria para que el transistor trabaje en conmutacin se hace sabiendo
que la corriente mxima de colector es de 8A.

iC
biB
8A VE VE b 10 50
iC< biB iB = RB < = = 62,5W
RB iC 8

uCE
Problema 6

UCC =15V

1k
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo con uBE =0.
100mA
Por otra parte, al estar el condensador de 200n inicialmente descargado el
20mF
Zener no conduce para t = 0.
200n
b=100

5V

El equivalente de carga inicial del condensador C1 corresponde por tanto al siguiente circuito:

La evolucin de la tensin uC1 en este circuito viene determinada por la

100mA
expresin.
t
200n 1
uC1 (t ) = uC1 (0 )+
C1 0
i b dt =500 t
ib
uC1 Cuando la tensin en el condensador alcanza 5V entra a conducir el Zener.
Esto ocurre en el instante: ta = 10ms.

Para t > 10ms el circuito equivalente visto por C1 pasa a ser:

100mA

200n i =0 Al entrar el Zener en conduccin la tensin uC1 queda fijada en 5V por lo que la
b
corriente ib se anula:
100mA duC1
uC1 i b = C1 =0
5V dt

La evolucin de la corriente de base ib y de la tensin uC1 corresponden a:

ib uC1
100mA 5V

10ms t 10ms t

Una vez conocida la forma de onda de la corriente de base se puede determinar la evolucin de la tensin del
condensador C2.
 UCC =15V
En el instante inicial la corriente de base es de 100mA. El transistor puede
por tanto encontrarse en saturacin o en zona activa.

1k Suponiendo que se encuentra inicialmente en zona activa:

100mA
uC2 i c = b i b = 10 mA uCE = 15 - 10 3 10 10 -3 - uC 2
20mF
200n uCE (t = 0 ) = 15 - 10 3 10 10 -3 = 5 > 0
b=100 Hiptesis correcta.
ib
5V

El circuito equivalente inicial de carga del condensador C2 resulta por tanto:

UCC =15V
La evolucin de la tensin uC2 para este circuito se calcula mediante la siguiente
expresin:
t
1
uC (t ) = uC (t = 0 )+
C 2 0
1k iC dt = 500 t

uC2 La tensin colector - emisor en el transistor se puede determinar a partir de la

20mF expresin anterior:

uCE (t ) = 15 - 10 - uC (t ) = 5 - 500 t
uCE 10mA
Este circuito equivalente dejar de ser vlido si el transistor alcanza la zona de
saturacin o si la corriente de base cambia. Verificamos cul de estos dos cambios
sucede primero.

El tiempo que tardara el transistor en alcanzar la zona de saturacin se calcula mediante:

0 = 5 - 500 t a t a = 10 ms
Que coincide exactamente con el tiempo en el que la corriente de base se anula, por lo que ambos cambios se
producen de forma simultnea y el equivalente para t>10 ms resulta:
UCC =15V

Cuando la corriente de base se interrumpe el transistor entra en corte y el

1k condensador C2 deja de cargarse..

uC2
20mF uC2
5V
uCE

uCE 10ms t
10V

5V

10ms t
Problema 7

Por la puerta del transistor MOSFET no circula corriente, por lo que el funcionamiento del transistor bipolar se
puede analizar de forma independiente del resto del circuito.

De este modo, la corriente de base resulta:

iE
10
iB = = 500 m A
20000
b=200 La corriente inicial por la bobina es nula, por lo que el estado
10V inicial del transistor bipolar es saturacin.
iB
iC
20k
10mH t=0
iC
uCE
El circuito equivalente que determina la evolucin de la corriente por la bobina en los primeros instantes es por
tanto:.

Este equivalente da lugar a una evolucin lineal de la corriente por la bobina:

iE
10V t
di L 1
i L (t ) = i L (0 )+
L 0
iB uL = L uL dt = 1000 t
dt
Durante el intervalo en que es vlido este circuito equivalente, la tensin UGS
20k uL del MOSFET es: UGS=UL=10V
iC 10mH

Este circuito equivalente deja de ser vlido cuando el transistor sale de saturacin:.

iC < b i B 1000 t < 200 500 10 -6 t < 100 ms

Para t > 100 ms.el transistor bipolar entra en zona activa y el equivalente visto por la bobina pasa a ser:
iE
Al quedar fijada la corriente por la bobina la tensin UL se anula:
uCE 100mA 10V
di L
iB uL = L uL = 0
dt
20k Para este equivalente la tensin UCE queda fijada en 10V, por lo que el
uL transistor permanece en zona activa de forma indefinida.
iL=iC

La forma de onda de la tensin de puerta del MOSFET resulta por tanto:

uGS
10V

100ms t
Partiendo de este dato se determina la evolucin del estado del transistor MOSFET. El circuito equivalente visto
por el condensador es el siguiente:
 uC 5 mF
Para t < 100ms la tensin UGS es de 10V. Durante este intervalo, la
relacin entre iD y UDS est marcada por la curva siguiente:
20W
10V
iD
iD
200mA

uGS
2V uDS
Suponiendo, por ejemplo, que el MOSFET se encuentra inicialmente en zona de fuente de corriente se tiene:

uC 5 mF U DS = 10 - UC - 20 i D
U DS (t = 0 ) = 10 - 20 200 10 -3 = 4V
20W
10V Inicialmente la tensin UDS es mayor que 2 por lo que la suposicin de
iD funcionamiento como fuente de corriente para t=0 es vlida.:

200mA uDS

Para este circuito equivalente la tensin en el condensador y en el MOSFET se calculan:

t
duC 1
iD = C uC (t ) = uC (t = 0 )+ i D dt = 40000 t
dt C0
uDS (t ) = 6 - 40000 t
Hay dos motivos que pueden hacer que el circuito equivalente de carga del condensador cambie:
1.- El MOSFET entra en zona resistiva
2.- Pasan 100 ms y la tensin uGS deja de ser 10V
Es necesario verificar cul de los cambios se produce primero.

2 = 6 - 40000 t a t a = 100 ms
Ambos cambios se producen simultneamente. El circuito equivalente final es por tanto:

uC 5 mF
Al tomar uGS el valor 0 la corriente de carga del condensador se anula y
ste mantiene su tensin.
20W
10V
iD
uDS

Las evoluciones de uDS y uC desde el instante t = 0 son por tanto:

uC uDS
6V

4V
2V

100ms t 100ms t