Diapositiva 1

El transistor como resistencia controlada por tensin

llave de control
transistor bipolar NPN
colector

base corriente
de salida

emisor

2N2222
corriente de entrada
ebc

6.071 Transistores bipolares 1

Diapositiva 2

El diodo

I(A) 0.6V

V (voltios)

Como ya se ha descrito, pero se enciende a 0.6V (para un diodo Si).

6.071 Transistores bipolares 2

Diapositiva 3

toma Propiedades del transistor

base

emisor
IC = I B
I E = IC + I B = (1 + )I B
VBE = VB VE = +0.6V
Normalmente apagado (toma/emisor
~ 100, pero cambia con
polarizado en inverso), una corriente la temperatura y con V
CE
de salida pequea y tensin relativa
al emisor lo activan, conmutando y
amplificando
6.071 Transistores bipolares 3
Diapositiva 4

Transistor conmutador
VCC

La corriente del colector depende

de la cada de tensin a travs de
R la bombilla.

on IC I B

off
Dado que el estado del transistor
depende de la corriente de la base,
10 k
V V si se la deja en circuito abierto, el
IB = CC BE transistor podra acabar desconec-
R tndose, pero esto sera un descuido.

6.071 Transistores bipolares 4

Diapositiva 5

Transistor conmutador

VCC = IR + VBE
R
IB VCC VBE
IB =
VCC R
VBE VCC VBE
IC =
R

VBE = 0.6V

6.071 Transistores bipolares 5

Diapositiva 6

Seguidor de emisor como fuente de corriente n. 1

+10V
+10V
Vin
Vin carga -10V
1k
1k
-10V Qu es Vout?

Vout = Vin - 0.6V

Si la polarizacin de la base/emisor es directa

6.071 Transistores bipolares 6

Diapositiva 7

Seguidor de emisor como fuente de corriente n. 2

Qu es Vout con el transistor apagado?

+10V +10V alta

impedancia
-5V
Vin

1k 1k 1k 1k
1k 1k -10V
-10V -10V

6.071 Transistoresbipolares 7
Diapositiva 8

Seguidor de emisor como fuente de corriente n. 3

A qu tensin de la base se desconecta?

+10V
VBE = 0.6V
Vin Vin = 4.4V

1k
1k
-10V

6.071 Transistores bipolares 8

Diapositiva 9

Seguidor de emisor como fuente de corriente n. 4

+10V
+10V
Vin
Vin
-10V Vout
1k
1k Vin
-10V

V 0.6V; Vin 4.4V

Vout = in
5V; Vin < 4.4V

6.071 Transistores bipolares 9

Diapositiva 10

Polarizacin 1
A menudo las seales se acoplan entre fases del amplificador como se-
ales AC (o sin componente continua, utilizando un condensador). N -
tese que una tensinn unipolar no puede amplificar las entradas negativas.

+VCC Vin

Vin
Vout
R

VB Vout
6.071 Transistores bipolares 10
Diapositiva 11

Polarizacin 2
Solucinese aadiendo un CC a la base para desplazar la seal de
modo que no haya recorte ni CA acoplando la salida.
VCC
R1 determinar VCC = 15V

Vin se quiere R1 || R2 << RE

R2 Vout R || R es la impedancia del generador

RE
Regla: que la impedancia de
la fuente sea pequea
en comparacin con la
carga que conduce.
6.071 Transistores bipolares
1 2
de corriente utilizado para conducir
el transistor, RE es la impedancia
efectiva de la base del transistor.
11
Diapositiva 12

Polarizacin 3

V CC=15V, R1|| R2<<RE

VCC la salida debe oscilar 7.5V
determinar RE. RE = 7.5k.
R1 corriente de reposo a base = 1mA.
V E @ (= 0) = 7.5V (permite Vout
Vin 7.5V) por tanto VB = VE + 0.6V = 8.1V
R2 Vout R2 8.1V R1 1
RE = or =
R1 + R2 15V R2 1.17
R1|| R2<<RE<<100 7.5k.
R1 = 130k, R2 = 150k.

6.071 Transistores bipolares 12

Diapositiva 13

Demo: seguidor de emisor BJT n. 1

generador para dos diferencias de potencial
oscilador
Amplitud de 12V
frecuencia
Vin 33k

Vout
1k

Entrada n. 1 Entrada n. 2
Vin Vout

tiempo
disparador tiempo
visualizacin base de tiempo
del osciloscopio
6.071 Transistores bipolares 13
Diapositiva 14

Demo: seguidor de emisor BJT n. 2

generador para dos diferencias de potencial
oscilador
Amplitud de 12V
frecuencia
Vin 33k

Vout
1k

Entrada n. 1 Entrada n. 2
Vout

Vin
visualizacin x, y
del osciloscopio
6.071 Transistores bipolares 14
Diapositiva 15

Seguidor de emisor

VCC La tensin de salida es casi igual a la

tensin de la base, con un corte de 0.6 V.
Ntese el cambio en la impedancia.
VB
Vout = VB 0.6V
Rin = Rcarga
Rcarga

6.071 Transistores bipolares 15

Diapositiva 16

El seguidor de emisor tiene ganancia de tensin unitaria.

+VCC Tiene utilidad?

Vin = Vout
Vout Vin
Vin Nota: I E = =
R R
Vout
I E Vin
R y I B = =
1 + R(1 + )
VCC
Vin2 V2
P = IV Pin = ;Pout = in
R(1 + ) R
Hay ganancia en Potencia de .
La resistencia efectiva de la base es R.

6.071 Transistores bipolares 16

Diapositiva 17

No disear con

VCC
Aqu el punto de reposo se ha elegido
RE purgando una cantidad pequea de
corriente a la base. Ahora, el punto
Vin de funcionamiento depende de manera
Vout crtica de , que vara tremendamente
RE de un dispositivo a otro y con la
temperatura.

6.071 Transistores bipolares 17

Diapositiva 18

Problema: observe como vara de 100 a

200 en el ltimo circuito.

6.071 Transistores bipolares 18

Diapositiva 19

Generador de corriente
VCC
La tensin de la base controla la
corriente a travs de la carga
Rcarga hasta el lmite de VCC.

VE = VB 0.6V
VB
V
IE = E
VE R
R VB 0.6V
Icarga = IC =
R
IC I E , para grande

6.071 Transistores bipolares 19

Diapositiva 20

Emisor comn n. 1

VCC La configuracion del emisor com n produce

una ganancia (negativa) de tensi n. (1)
Establezca una corriente estatica tal que:
R1 RC
VC = VCC/2 Necesite ca da de tensi n de
VC VC sobre RC.
Vin VC Vout
IC = Iq = = ;
RC RC

RE Vin I
R2 IB = = C
RE
Vout RC
=
Vin RE
6.071 Transistores bipolares 20
Diapositiva 21

Emisor comn

VCC
So RC = VCC/(2 Iq).

RC Ganancia = -RC/RE
R1
VC RE es necesario para la estabilidad, de lo
contrario hay una peque a resistencia
Vin rtr ~ 0.026V/IE, pero es muy sensible a la
temperatura.

R2 RE

6.071 Transistores bipolares 21

Diapositiva 22

Regla para el control robusto

generador carga

Si la impedancia de salida del generador es mucho m s baj a que

la impedancia de entrada de la carga, el rendimiento del
circuito no depender de la variacin de la carga.
Por lo tanto, en un dispositivo secuencial, si usamos un TEC
como bloques de construcci n de la carga, la impedancia de
entrada de la carga ser alta y tendremos un circuito robusto.

6.071 Transistores bipolares 22

Diapositiva 23

Transferencia de diferencias de potencial

Rth RL
VL = Vth
RL + Rth
Vth RL so if VL~Vth
Rth << RL

Para que la transferencia de voltaj e sea eficiente, la impedancia de la

carga se debe mantener por encima de la impedancia del generador.
Dos excepciones:
Cicuitos de radiofrecuencia, Zfuente=Zcarga
(ofrece m xima transferencia de voltaj e)
Corrientes acopladas, m s que voltaj es.

6.071 Transistores bipolares 23

Diapositiva 24

Transferencia de corriente

IL RN
IL = I
RL + RN N
IN RN RL so if IL~IN
RN >> RL

Para lograr una transferencia de corriente eficiente, la impedancia de la

carga debe mantenerse peque a en relaci n con la del generador.

6.071 Transistores bipolares 24

Diapositiva 25

Transferencia de potencia n. 1
Rth RL
VL = V
RL + Rth th
Vth RL Vth
I=
( RL + Rth )

RL Vth RL Vth2
PL = VL I = Vth =
(RL + Rth ) (RL + Rth ) (RL + Rth )2
PL

Rth RL
6.071 Transistores bipolares 25
Diapositiva 26

Transferencia de potencia n. 2

IL RN
IL = I
R L + RN N
IN RN RL
RN2 I N2 RL
PL = I L2 RL =
(RL + RN )2

PL

RN RL

6.071 Transistores bipolares 26

Diapositiva 27

Divisor de fase de ganancia unitaria

Obj etivo: a partir de una se al CA, generar una copia y su inversa.

20V

4.7k
150k
Vout = Vin (+)
Vin (+)
+
Vout = Vin (+)
56k
4.7k +
Vout seguidor de emisor
ganancia unitaria

Vout emisor com n
con R C=RE, ganancia=-1
6.071 Transistores bipolares 27
Diapositiva 28

Polarizacin de divisor de fase de ganancia unitaria

20V
determinar VE = 5V
4.7k VB = 5.6V
150k
15V
como I C ? IE, hay una ca da
5V de 5V en las dos resistencias
56k 5.6V de 4.7k ?XX
4.7k

6.071 Transistores bipolares 28

Diapositiva 29

Circuito Darlington

1 2
1

Es til para aplicaciones de alta corriente

y elevada impedancia de entrada, pero es
lento. La caida de tensi n base-emisor es
1.2 V.

6.071 Transistores bipolares 29

Diapositiva 30

Transistor puerta Y
6V
Transistores de la base
Ain de puertas l gicas, y
circuitos integrados.

Bin Ain Bin salida

baj a baj a baj a
salida
baj a alta baja
alta baj a baj a
alta alta alta

6.071 Transistores bipolares 30

Diapositiva 31

Transistor puerta O

6V

Ain Ain Bin salida

baj a baj a baj a
baj a alta alta
alta baj a alta
alta alta alta
Bin

salida

6.071 Transistores bipolares 31

Diapositiva 32

Propiedades de los transistores bipolares

(ganancia de corriente) no es un par metro, var a por
cualquier cosa.
IC,max - m ximo tensi n colector
BVCBO - m xima tensi n colector-emisor.
BVCEO - m xima tensi n colector-generador.
VEBO - tensi n ruptura emiso-base.
PD - m xima disipacin de potencia.

6.071 Transistores bipolares 32

Diapositiva 33

Ficha tcnica de 2N2222 (1 de 3)

6.071 Transistores bipolares 33

Diapositiva 34

Ficha tcnica de 2N2222 (2 de 3)

6.071 Transistores bipolares 34

Diapositiva 35

Ficha tcnica de 2N2222 (3 de 3)

6.071 Transistores bipolares 35

Diapositiva 36

Regulador de tensin
Los diodos Zener tienen resistencia
I variable. Concretamente, tienen
Zener
real una salida de corriente constante
en todo un rango de voltaj es
V de entrada. As , al proporcionar
corriente constante a un circuito,
Zener se pueden usar como reguladores
ideal de tensi n.

Un regulador de tensi n sencillo. RE Vout = Vzener

Por su probre supresi n de Vin
fluctuaciones, necesita un zener
con una gran potencia de salida,
y variaciones con impedancia de carga.
6.071 Transistores bipolares 36
Diapositiva 37

Regulador de tensin

Vout = Vzener-0.6 V
Vin
R Rcarga

C Vzener

Configuraci n de seguidor de emisor.

La corriente de la base es s lo 1/
de la corriente de alimentaci n.
El filtro RC reduce las fluctuaciones.

6.071 Transistores bipolares 37

Diapositiva 38

Conmutacin de cargas inductivas

La punta repentina de tensi n producida

al interrumpir el fluj o de corriente en
una bobina de inductancia produce una
descarga disruptiva en el transistor.
El problema se soluciona con un diodo
inverso en la carga inductiva.

6.071 Transistores bipolares 38

Diapositiva 39

Amplificador colector comn

VCC
Un amplificador con una ganancia de corriente
(sin ganancia de tensi n) y offset para evitar
R1
el recorte de entradas negativas.
VB
R1 y R2 proporcionan el
C2 offset CC y C 1 act a como
C1
filtro de modo que las
entradas no perturben el
R2 RE Rcarga
punto de reposo).

6.071 Transistores bipolares 39

Diapositiva 40

Amplificador colector comn

VCC
1. determinar una corriente de reposo, 1 mA
R1 2. VE = Vcc/2
(permite la mayor entrada sim trica posible)
VB
C2 VCC 2 VCC 2
C1 RE = =
IQ 1mA

R2 RE Rcarga

6.071 Transistores bipolares 40

Diapositiva 41

Amplificador colector comn

VCC
3. Establecer corriente de reposo v a R1 & R2.
R1 R1 VCC VB VCC VE 0.6V
= =
R2 VB VE + 0.6V
C2 Recuerde: VE = VCC 2
C1
Luego, olvidar 0.6V y R1 = R2
R2 RE Rcarga N tese que R = R ,
base E

luego R 1||R2<< RE

Evita que el punto de reposo se desplace con la carga.

6.071 Transistores bipolares 41

Diapositiva 42

Amplificador colector comn

VCC
4. Elegir condensadores de acoplamiento
La resistencia de entrada CA efectiva
R1
Rin = R1 R2 (RE Rcarga)
VB
C1 y Rin forman un filtro de paso alto
C2
C1
1
C1 =
3dB Rin
R2 RE RRcarga
carga

1
C 2 y Rcarga tambi n forman un filtro de paso alto C2 =
3 dB Rload

6.071 Transistores bipolares 42

Diapositiva 43

Amplificador colector comn

VCC

voltaj e de la base
R1

salida
VB C2
C1

R2 RE Rcarga respuesta en
frecuencia

6.071 Transistores bipolares 43