Difusinenslidos

Difusin
Difusin
if i Fenmeno detransporte demasa por movimiento
atmico

Mecanismos
GasesyLiquidos
Gases y Liquidos movimiento aleatorio (Browniano)
Slidos difusin por vacancias odifusin intersticial.

2
 Difusin enslidos
Interdifusin o difusin de impurezas: Los tomos de un metal difunden en el otro.
g
Los tomos migran de las regiones
g j concentracin.
de alta concentracin a la de baja
Inicial Despus de un tiempo

Perfiles de concentracin
Perfilesdeconcentracin Perfiles de concentracin
Perfilesdeconcentracin
3
 Autodifusin
Autodifusin: En metales puros, los tomos del mismo tipo puede intercambiar
Posiciones. No puede observarse por cambios de composicin.

tomos etiquetados Despus de un tiempo

C
C
A D
A
D
B
B

Anivelatmico,ladifusinconsisteenlamigracindelostomosdeunsitiodelaredaotro.
Enlosmaterialesslidos,lotomosestnencontinuomovimiento.
La movilidad atmica requiere 2 condiciones:
Lamovilidadatmicarequiere2condiciones:
1)unlugarvecinovaco
2)eltomodebetenersuficienteenrga comopararompere losenlacesconlos
tomosvecinosydistorsionarlaredduranteeldesplazamiento.
y p
Aunatemperaturadeterminadaunapequeafraccindelnmerototaldetomosescapaz
Dedifundirdebidoalamagnituddesuenergavibratoria. 4
 Mecanismos dedifusin
Difusin por vacancias
Difusin intersticial

Difusinporvacancias
intercambio de un tomo de una posicin reticular normal a una vacancia
o lugar reticular vecino vaco.
vaco
applies to substitutional impurities atoms
la tasa depende de:
--nmero
nmero de vacancias
--la energa de activacin para el intercambio.

Aumento del tiempo transcurrido 5

 Simulacin deladifusin
de la difusin
Interdifusin a travs
De una interfaz

La tasa de difusin substitucional

depende de:
--concentracin
t i ded vacancias
i
--frecuencia de saltos.

Elmovimientodelostomosenladifusinvaensentidoopuestoaldelasvacancias.

6
 Difusin intersticial tomos que vandesde una posicin
intersticial aotra vecina desocupada.
Tiene lugar por interdifusin desolutos que tiene tomos
pequeos
(como
( H C N O)
H,C,N,O).

Es ms rpida que la difusin por vacancias

7
 Procesos que usan difusin
Endurecimiento:
E d i i t
-tomos de carbono se
difunden a la superficie

--Ejemplo: engranes de acero

Resultado: la presencia de tomos de C

hacen que el hierro (acero) sea ms duro.

8
 Procesos que usan difusin
Procesosqueusandifusin
Dopar silicio con fsforo para tener semiconductores tipo n
0 5 mm
0.5

1. Se depositan capas ricas

en P sobre la superficie.
superficie
magnified image of a computer chip
silicon

2. Se calienta
3. Resultado: Regiones del light regions: Si atoms
Semiconductor dopadas

light
g regions:
g Al atoms
silicon

9
 Cuantificacin
Cmo cuantificamos latasa dedifusin?
moles (or mass) diffusing mol kg
J Flux or
surface area time cm s m2s
2
Mediciones
M di i empricas
i
Hacer una pelcula delgada (membrana)conrea superficialconocida
Imponer ungradiente deconcentracin
Medir qu tanrpido lostomos omolculas sedufunden atravs de
lamembrana.

M=
Flujo
l M l dM mass J slope
J diffused
At A dt
time

10
 Difusin enestado estacionario
Condicindeestadoestacionario:elflujodedifusinnocambiaconeltiempo

Flujo proporcional al gradiente de concentracin = dC

dx

C1 C1 Primera ley de Fick:

dC
C2 C2 J D
dx
x1 x2
x D coeficiente de difusin [m2/s]

dC C C2 C1
si es lineal
dx x x2 x1 Ladireccindedifusinescontraria
Al
Algradientedeconcentracin:
di t d t i
Vadealtaabajaconcentracin
11
 Ejemplo:Guantes protectores contra
qumicos
El
Elcloruro
l d
demetileno
il es uningrediente
i di comn
para remover
pintura.Adems deserirritante,puede absorberse por lapiel.
Cuando seutiliza este removedor depintura
p sedeben usar
guantes protecores.
Siseutilizan guantes decaucho butlico (0.04cmdeespesor),
cul
l es elflujo
l fl j dedifusin
d dif i delcloruro
d l l d
demetileno
il atravs
del
d l
guante?
Datos:
Coeficiente dedifusin encaucho butlico:
D =110x108 cm2/s
Concentraciones ensuperficies: C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3

12
 Ejemplo
j p ((cont).
)
Solucin asumiendo un gradiente de concentracin lineal

guante
C1 dC C2 C1
tb
2 J -D D
Removedor 6D dx x2 x1
piel
de pintura
C2 Datos: D = 110 x 10-8 cm2/s
x1 x2 C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3
x2 x1 = 0.04
0 04 cm

-8 2 g/cm3 0.44 g
(0.02 g g/cm3 ) g
J (110 x 10 cm /s)
/ ) 1.16 x 10 -5
(0.04 cm) cm2s

13
 Difusin ytemperatura

El coeficiente de difusin aumenta con la temperatura.

Qd
D Do exp
RT

D = coeficiente de difusin [m2/s]

Do = p
pre-exponencial
p [[m2/s]]
Qd = energa de activacin [J/mol or eV/atom]
R = constante de los gases [8.314 J/mol-K]
T = temperatura absoluta [K]

14
 Difusinytemperatura
D depende exponencialmente de T

1500

1000

600

300
T(C)
0-8
10

D (m2/s) Dintersticial >> Dsubstitucional

C en -Fe Al en Al
10-14 C en -Fe Fe en -Fe
Fe en -Fe

10-20
05
0.5 10
1.0 15
1.5 1000 K/T

15
Example: At 300C the diffusion coefficient and activation energy for Cu in
Si are
D(300C) = 7.8 x 10-11 m2/s
Qd = 41.5 kJ/mol

What is the diffusion coefficient at 350C?

D transform data ln D

Temp = T 1/T

Qd1 Qd 1
lnD2 lnD0 and lnD1 lnD0
R T2 R T1
D2 Qd 1 1
lnD2 lnD1 ln
D1 R T2 T1
16
 Example (cont )
Example(cont.)
Qd 1 1
D2 D1 exp
R T2 T1

T1 = 273 + 300 = 573 K

T2 = 273 + 350 = 623 K

11 2 41,500 J/mol 1 1
D2 (7.8 x 10 m /s) exp
8.314 J/mol - K 623 K 573 K

D2 = 15.7 x 10-11 m2/s

17
Difusin enestado
en estado noestacionario
no estacionario
Laconcentracin
a co ce t ac dedelas
as espec
especies
es que se
sedifunden
d u de es funcin
u c
tanto delaposicin como deltiempo C=C(x,t)

Encondicionesnoestacionariasutilizamoslaecuacinconderivadasparciales:

Sielcoeficientededifusinesindependientedelacomposicin,laec.anterior
sesimplificaa:
i lifi

C 2C
D 2 Segunda ley de Fick
t x

Lassolucionesaestaecuacinseconsiguenespecificandocondicioneslmites
Fsicamentesignificativas. 18
 Consideracionesparalasolucin
p
Enlaprctica,unasolucinimportanteesladeunslidosemiinfinito cuya
concentracinsuperficialsemantieneconstante.
Frecuentementelasubstanciaquedifundeesungas,cuyapresinparcial
semantieneconstante.
Seplanteanlassiguienteshiptesis:
1. Antesdeladifusin,todoslostomosdesolutoestnuniformemente
distribuidosenelslidoaconcentracinC0.
2. Elvalordexenlasuperficieesceroyaumentaconladistanciadentrodel
slido.
3. Eltiemposetomaigualaceroenelintante inmediatamenteantesde
empezarladifusin.
Estascondicioneslmiteson:
Parat=0,C=C0 a0 x
parat>0,C=Cs (laconcentracinsuperficialconstante)x=0
C=C
C a x=
C0 ax
Aplicandolascondicionesiniciales,seobtienelasolucin:

C x , t Co x
1 erff
Cs Co 2 Dt
 Solucin:
Solucin:
C x , t Co x
1 erf
Cs Co 2 Dt

C(x,t)=Conc.Enelpunto
C(x t) = Conc En el punto x al
al CS
tiempo t

erf (z)=funcin error

2 z C(x,t)

y 2
e dyy
0
Co

20
 Cobre difundindose hacia una barra de aluminio.

Conc. superficial
Cs de tomos de bar
Conc. p
pre-existente Co de tomos de cobre
Cu
Cu.

Cs

21
 C x , t Co x
1 erf
Cs Co 2 Dt
CuandosedeseaconseguirunaconcentracindeterminadadesolutoC
d d d d d l 1,
elprimermiembrodelaec.seconvierteen:

Enestacondicin,elsegundomiembrodelaec esunaconstante:

Perfildeconcentracin
Paradifusinenestadono
Estacionario.
Estacionario
Valores de la funcin error
Valoresdelafuncinerror
 Ejemplo
j p
Paraalgunasaplicacionestecnolgicasesmsconveniente
endurecerlasuperficiedelaceroqueelinterior.Uncamino
paraconseguirestefinesincrementarlaconcentracinde
carbonodelasuperficieenunprocesollamado
carburacin.Lamuestradeaceroseexponeaelevada
p
temperatura,enunaatmsferaricaenunhidrocarburo
gaseoso,talcomoelmetano(CH4).
Setrataa450Cunaleacinconunaconcentracininicial
Se trata a 450C un aleacin con una concentracin inicial
uniformede0.25%enpesodecarbono.Silaconcentracin
delcarbonodelasuperficiesellevaysemantienea1.2%,
t ti
cuntotiemposenecesitaparaconseguiruncontenido
it i t id
del0.80%a0.5mmdeprofundidad?Elcoeficientede
difusindelcarbonoenelhierroaestatemperaturaesde
1.6x1011
11 m2/s.Sesuponequelamuestraessemiinfinita.
/
 Solucin
Problemadedifusinenestadonoestacionario.
Co=0.25%C
Cs=1.2%C
C 0 80%
Cx=0.80%
X=0.5mm=5x104m
D=1 6x10 11 m2/s
D=1.6x1011m2/s

As:
As:

Debemosencontrarelvalordezparaelcuallafuncinerroresde0.4210.Paraellohacemos
unainterpolacinusandolosdatosdelatabla:
 Entonces

Despejandot:
 Ejemplo2
j p
Loscoeficientesdedifusindelcobreydelaluminioa500y600Cson
4 8 1014
4.8x10 14 y5.3x10
5 3 1013
13 m2/s,respectivamente.Determineeltiempo
/ ti t D t i l ti
aproximadonecesarioparaconseguira500ClamismadifusindelCuen
Alenunpuntodeterminado,queuntratamientode10ha600C.

Usamoslaec.

Lacomposicindeambasdifusionesesigualenlamismaposicin(x)
Entonces
Dt =constanteaambastemperaturas

(Dt)500=(Dt)600
 Ejemplo 3
Ejemplo3
Losdispositivoscomotransistoressefabricandopando
semiconductores con diversos dopantes para generar regiones que
semiconductorescondiversosdopantesparagenerarregionesque
tengansemiconductividad tipopotipon.Elcoeficientededifusin
delfsforo(P)enelSiesD=6.5x1013 cm2/sa1100C.Supongaque
la fuente proporciona una concentracin superficial de 1020tomos
lafuenteproporcionaunaconcentracinsuperficialde10 tomos
/cm3 yqueeltiempodedifusinesunahora.Supongaquepara
empezar,laobleadesilicionocontieneP.
A) Calcule la profundidad a la cual la concentracin de P ser 1018
A)CalculelaprofundidadalacuallaconcentracindePser10
tomos/cm3.
B)Qusucederconelperfildeconcentracinalenfriarlaoblea
de Si con contenido de P?
deSiconcontenidodeP?
C)Qusucedersiahorasedeberecalentarlaobleapara
difundirleboroycrearunaregintipop?
 Factores involucrados en la difusin
Factoresinvolucradosenladifusin
Especiesquesedifunden
i dif d
Lamagnituddelcoef.DedifusinDesindicativo
delatasaalacuallostomossedifunden.
Lasespeciesquesedifundenaligualqueel
materialbaseinfluencianelcoef.Dedifusin.
Temperatura
p
Influenciaprofundaenelcoeficientededifusiny
latasadedifusin(Dpuedeaumentar6rdenes
( p
demagnitudalaumetar laTde500a900Cenla
difusindeFeenFe)
 Resumen
Difusin MS RPIDA para... Difusin MS LENTA para...

estructuras cristalinas abiertas estructuras con

empaquetamiento compacto
materiales con enlaces
secundarios materiales con enlace
covalente
tomos pequeos
tomos grandes
materiales con baja densidad
materiales con alta densidad

31