Está en la página 1de 12

ELECTRONICA I

Problemas Resueltos Tema: Diodos

Problema 1 D VO
Considerando el diodo real y vS(t) = 3 cos (2 .1000 t)
[V], para el circuito de la figura dibuje las siguientes R= 1K
formas de ondas en funcin del tiempo: a) Tensin de VS
Problema 1
entrada vS(t). b) Tensin sobre el diodo vd(t) c) Tensin
de salida vO(t).

o En primer lugar se plantea la malla:


vS (t ) = vd (t ) + vO (t )
o Para el semiciclo positivo de la seal de la seal de
VO
entrada vS(t) el diodo se polariza en inverso y por lo
tanto queda abierto. El modelo del circuito queda +
VS R
como se muestra en la figura.
Debido a que la corriente es cero entonces : -
i = 0 vO (t ) = i R = 0
vS (t ) = vd (t )
o En el semiciclo negativo vs(t), para para amplitudes menores a la tensin de conduccin del
diodo:
vS(t)0.6V, este no conduce y por lo tanto se mantiene la situacin anterior: vo(t)= 0

o Para vS(t)0.6V el diodo conduce y por lo tanto:

vO (t ) = vS (t ) vd (t )
vd (t ) = 0, 6V
vO (t ) = vS (t ) 0, 6V
Lo cual significa que tiene la misma forma que vS(t) pero disminuida en 0,6V

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 1


Problema 2 C =100 nF

.1000 t) [V], para el circuito de la figura


Si vS(t) = 6 cos (2 iR
iS
y considerando el diodo ideal, dibuje las siguientes id
VS R=10 K?
formas de onda: a) Tensin de entrada vS(t). b) Tensin
sobre el diodo vd(t) c) Tensin de salida vO(t).
Problema 2

1. Para el primer semiciclo positivo de la seal vS(t), el capacitor se C VO

muestra como corto circuito (estado de carga inicial cero) y el diodo + iS

est inverso (se abre) por lo tanto: VS


R
-
vO (t ) = vS (t )
Primer semiciclo positivo

2. En el primer semiciclo negativo de la seal vS(t),el diodo se cierra y C


VO
- +
se carga el capacitor con la polaridad indicada en el circuito. El
- iS
capacitor se cargar prcticamente, al valor de pico de vS(t). VS R
+

Semiciclo negativo

3. En el segundo semiciclo positivo de la seal vS(t), el capacitor se


iS VO
encuentra cargado al valor de pico de vS(t) , el diodo permanecer - +

abierto, debido a que la diferencia de potencial entre sus bornes + C

(anodo y ctodo) no es positivo. La tensin de salida es: VS


R
-

vO (t ) = vS (t ) + vC (t ) Segundo semiciclo positivo

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 2


4. En el segundo semiciclo negativo de la seal vS(t), el capacitor se -
C
+
VO

encuentra cargado al valor de pico de vS(t) por lo tanto la tensin -


sobre el diodo es cero. Esto implica que el diodo permanecer VS R

abierto. La tensin de salida es: +

Segundo semiciclo negativo

vO (t ) = vS (t ) + vC (t ) , vC (t ) = V S
vO (t ) = vS (t ) + V S

C1 D2
Problema 3 1 uF VO
Siendo vS(t) = 5 sen (2 1000 t)[V]y considerando el diodo ideal, VS
D1
dibuje las siguientes formas de onda: a) Tensin de entrada C2 0.05 uF

vS(t). b) Tensin de salida vO(t).


Problema 3

1. En el primer semiciclo positivo de la seal vS(t): Inicialmente los C1 D2 VO

capacitores estn descargados y se muestran como corto circuito. + iS

Por otro lado vS(t), polariza en directo al diodo D1 se cierra y VS D1 C2

polariza en forma inversa a D2se abre, por lo tanto en un primer -

instante: Primer semiciclo positivo

vO (t ) = 0V

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 3


2. Como D1 conduce, C1 se empieza a cargar con la polaridad C1 D2 VO
indicada. + -
+ iS
D1 permanecer cerrado mientras la tensin de carga del capacitor VS D1
C2
sea menor que la tensin de entrada. -

Primer semiciclo positivo

3. En el momento que la tensin de carga del capacitor sea C1 D2 VO


vC1 (t ) vS (t ) + iS
+ -

VS D1 C2
El diodo D1 se abre, quedando el circuito como se muestra. Por lo -
tanto la tensin de salida ser:
Primer semiciclo positivo
vO (t ) = vS (t ) vC1 (t )

Como el capacitor C1 se carga al valor de pico de vS(t), y C2 est


descargado se cierra el diodo D2 y la tensin de salida ser:

vO (t ) = vS (t ) V S

4. En el primer semiciclo negativo de la seal vS(t),el diodo D1 C1


VO
permanece abierto, D2 se cierra y permite que se carge el capacitor + -
- iS
C2 con la polaridad indicada en el circuito. VS -
C2
+
vO (t ) = vC 2 (t )
+

vO (t ) = vS (t ) vC1 (t )
Semiciclo negativo

5. En el segundo semiciclo positivo de la seal vS(t),el capacitor C2 se iS VO


encuentra cargado y no puede descargarse. La tensin de salida +
+
C1
-

permanece constante: VS
-
C2
+
-

vO (t ) = vS (t ) + vC (t ) Segundo semiciclo positivo

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 4


Problema 4
+
Suponiendo diodos ideales y vS(t) = 5 cos (2 .3000 t) [V], para el D1
C
VS
circuito de la figura, dibuje cuantitativamente en rgimen estable: VO
a) La tensin de salida Vo(t) en funcin del tiempo b) La tensin
D2
sobre los diodos D1 y D2 en funcin del tiempo. C -
Problema
Problema 4

1.- En el primer semiciclo positivo de la seal vS(t): Inicialmente los


+
capacitores estn descargados y se muestran como corto circuito.
D1 C1
Por otro lado vS(t), polariza en inverso al diodo D1 se abre VS
+
VO
polariza en directo a D2se cierra por lo tanto en un primer
D2 C2
instante, cuando el capacitor C2 est descargado es: -

vO (t ) = 0V Primer semiciclo positivo

2.- Como D2 conduce, C2 se empieza a cargar con la polaridad indicada.


+
D1 permanecer cerrado mientras la tensin de carga del capacitor D1 C1
VS
sea menor que la tensin de entrada. +
VO

vO (t ) = vC 2 (t ) D2
+
-
C2
-
Primer semiciclo positivo

3.- En el momento que la tensin de carga del capacitor sea


vC 2 (t )) = vS (t ) +
D1 C1
El diodo D2 se abre, quedando el circuito como se muestra. VS
+
VO
Como, esta situacin se alcanza cuando el capacitor ya se carg al +
D2 C2
valor de pico de vS(t) , la tensin de salida ser: -
-

vO (t ) = V S

4.- En el primer semiciclo negativo de la seal vS(t),el diodo D1 se cierra


y D2 permanece abierto. El capacitor C1 comenzar a cargarse hasta que
alcaza el valor: +
+
D1 C1
-
+ VS
v C1 (t ) = V S VO
+
D2 C2
-
-
En ese momento D1 se abrir y C1 permanecer cargado Primer semiciclo negativo

vO (t ) = vC 2 (t ) + vC 2 (t )
vO (t ) = V S + V S
vO (t ) = 2V S
5.- En adelante como C1 y C2 no tienen un camino para descargarse,
+
permanecern cargados , entonces la tensin de salida ser: D1
+
C1
-
VS +
VO
vO (t ) = 2V S D2
+
C2
-
-

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 5


Problema 5
Para vS(t) = 12 sen (2 1000 t)[V], dibuje las siguientes formas de
VZ = 5v VO
onda: a) Tensin de entrada vS(t) y tensin de salida vO(t) en
VS
funcin del tiempo. b) Dibuje la curva transferencia R = 1K?

Problema 5

1. Para el primer semiciclo positivo, la seal vS(t) polariza en directo al


VO
diodo zener, el cual se comporta como un diodo comn en zona directa
o sea DZ se cierra. +
R
vO (t ) = vS (t ) VS

Primer semiciclo positivo

2. En el semiciclo negativo, al comienzo, para vS(t)<VZ, el diodo se abre.


Por lo tanto la tensin de salida es cero: VO

DZ
vO(t)=0V VS R

Primer semiciclo negativo

3. En el momento que el valor de la seal de entrada alcanza el valor de la


tensin zener, el diodo se muestra como una batera de valos VZ. La VO

tensin de salida es: VZ

VS R

vO (t ) = vS (t ) VZ +

Primer semiciclo negativo

4. Este proceso, se repetir en los siguientes ciclos.

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 6


La tensin de salida ser:

Vo

Vi

Problema 6
Problema 6 R1=100?
VO
D1 D2
Considere el circuito de la figura, y suponiendo que los diodos
VS
son ideales: a) Obtenga la caracterstica transferencia del R2=100?
2V
circuito. b) Dibuje la forma de onda de la tensin de salida vO(t)
si vS(t) es una seal triangular que toma valores entre 10V y de
1KHz de frecuencia

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 7


1. Para 0 vS(t) 2V
vS(t), polariza en directo al diodo D1 se cierra y La fuente de
R1
continua polariza en forma inversa a D2se abre, por lo tanto en un VO
primer instante:
VS
R2 2V
vO (t ) = vS (t ) R2
R1 + R2
100
vO (t ) = vS (t )
100 + 100
1
vO (t ) = vS (t )
2
2. Para 2 vS(t) 0 5V R1
VO
D1 Continuar cerrado
D2 se polariza en directose cierra VS
2V
R2
vO (t ) = 2V

3. En el semiciclo negativo de la seal vS(t), los diodos D1 y D2


se polarizan en forma inversa se abren R1
VO

vO (t ) = vS (t ) VS
2V
R2

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 8


Detalle de las tensiones:

Problema 7
En el circuito de la figura, v1(t) = 5sen (2 200 t)[V] y v2(t) =5 cos (2 200 t)[V].
Obtenga analtica y grficamente la tensin de salida vO(t)

1.- Si D1 y D2 estn abiertos, como R1=R2 la tensin en el


+10V
punto A, debido a la fuente de continua es de 5V.
Por lo tanto en t= 0, como D1 iD1 100
0V
v1(t) = 5sen (2 200 t)= 0[V] y W
VO
v2(t) =5 cos (2 200 t) = 5[V], 5V D2 A
es por ello que D1 se cierra y D2 se abre ( iD2=0). VS1 5V
La tensin de salida ser: VS2 iD2
100W
vO (t ) = vS 1 (t )

2.- En un instante t1, el seno se iguala al coseno. En ese +10V


instantes los generadores toman el valor:
D1 100
vS 1(t) = vS2(t)= 3,527V <3.527V
W
para t >t1 el valor de la funcin vS2(t)<vS 1(t) ; o sea vS2(t) VO
VS1 D2 A
tomar valores menores que vS 1(t). >3.527V
Por lo tanto el D2 se cierra y D1 se abre ( iD1=0). iD2
La tensin de salida ser: 100W
VS2

vO (t ) = vS 2 (t )

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 9


3.- Para vS 1(t) vS2(t) +10V

D1 100
D1 se cierra VO
A
D2se abre, VS1 D2

Por lo tanto: VS2


100
vO (t ) = vS 1 (t )

4.- Para vS 2(t) vS 1(t) +10V

D1 se abre D1 100
VO
D2se cierra, D2 A
VS1
Por lo tanto:
VS2
vO (t ) = vS 2 (t ) 100

Corrientes por los diodos:

D1 R1 R3

Problema 8 R2 D2
.2000 t) [V] y considerando los
Sea vs(t) =15 sen (2 VS V0
diodos ideales; a) Analice el estado de corte o de
V1=5V V2=10V

Problema 8
ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 10
conduccin de D1 y D2. b) Grafique tensin de entrada y de salida en funcin del tiempo (en
un mismo grfico)
, R2 = 10 K
Datos: R1 = 2K , R3 = 12k

1. Para 0 vS(t) 5V D1 R1 R3
La fuente de continua V1 polariza en forma inversa a
D1 abierto R2 D2
VS V0
La fuente de continua V2 polariza en forma inversa a
V1=5V V2=10V
D2 abierto
por lo tanto:

D1 R1 R3

R2 D2
vO (t ) = V1 = 5V VS V0

V1=5V V2=10V

2. Para 5V vS(t) 0 10V


D1 R1 R3

D1 se cierra R2 D2
i
D2 sigue abierto VS V0

V1=5V V2=10V

vS (t ) = i R1 + i R 2 + V 1
vS (t ) V 1
i=
R1 + R 2
vS (t ) V 1
vO (t ) = i R 2 V 1 = R2 V1
R1 + R 2
R2 R2
vO (t ) = vS (t ) V 11 +
R1 + R 2 R1 + R 2

3. Para 10V vS(t) 0 15V


D1 R1 R3

D1 sigue cerrado i
R2 D2
VS V0
D2 se cierra
V2=10V
V1=5V

vO (t ) = V2 = 10V

ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 11


ELECTRNICA I- FACET- UNT Pgina 12

También podría gustarte