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CONVERTIDORES DC/AC
7.1 Introduccin
Los inversores estticos son circuitos que generan una tensin o intensidad
alterna a partir de una fuente de continua.
La aparicin de los transistores de potencia y los tiristores ha facilitado enormemente la solucin de esta funcin, promoviendo la proliferacin de diversos circuitos con muy buenas caractersticas que hubieran sido de difcil realizacin mediante
las tcnicas clsicas.
Los inversores u onduladores se pueden estudiar como rectificadores controlados funcionando en sentido inversor. Sin embargo, estos dispositivos tienen la caracterstica, que en muchas ocasiones es un gran inconveniente, de que para transformar
la energa de corriente continua en alterna deben conectarse a una fuente alterna del
exterior que impone la frecuencia de funcionamiento, con lo cual se les llama inversores controlados o guiados (inversores no autnomos).
En la mayora de las ocasiones se precisan inversores que funcionen autnomamente, es decir, que no estn conectados a ninguna fuente de corriente alterna exterior y que la frecuencia sea funcin de las caractersticas propias del sistema. stos son
conocidos como inversores u onduladores autnomos. Su representacin simblica se
aprecia en la figura 7.1.
ENTRADA
SALIDA
Fig.7. 1
Smbolo del inversor autnomo.
En muchas ocasiones estos dispositivos se utilizan para aplicaciones que exigen una componente de armnicos muy pequea, una estabilidad de tensin y frecuencia de salida muy grande. La disminucin de armnicos se logra con procedimientos
adecuados de disparo, control y con la colocacin de filtros especiales a la salida del
inversor. En cuanto a la estabilidad, regulacin y control de la tensin y de la frecuencia se logra mediante el funcionamiento en bucle cerrado.
Los inversores tienen mltiples aplicaciones, entre las cuales podemos destacar los Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida (S.A.I.), que se emplean para la
alimentacin de ordenadores u otros equipos electrnicos que a la vez que una gran
seguridad de funcionamiento deben tener una gran estabilidad de tensin y frecuencia.
El control de motores de C.A., instalaciones de energa solar fotovoltaica, etc.
Vs
Vs
2
ZL
t
Vs
Vs
2
Fig.7. 2
Circuito bsico con batera con
toma intermedia.
I2
Tensin en la carga
VS
I
I1
zL
VS
I4
I3
- VS
Fig.7. 3
Circuito bsico sin batera de toma
intermedia. Configuracin en puente.
En la figura 7.4 se describe este circuito y las formas de onda de las variables
ms interesantes.
180
i 1 (t)
I N1
i O(t)
360
A N N
VS
0V.
VO
i2 (t)
B
I
N2
VS
2VS
VS
_
+
VS
v B (t)
VS
I N2
i 1 (t)
I N1
Instante t
t
2VS
i 2 (t)
i1 (t)
i o (t)
v A (t)
i O(t)
Fig.7. 4
Inversor con transformador de toma media.
VS
VS
VS
VS
VS
v o (t)
Instante t
La fuente de C.C. est representada por una batera de tensin VS. El polo
positivo est permanentemente conectado a la toma media de un transformador que se
considera ideal (intensidad magnetizante nula, resistencia de los devanados nula, inductancia de dispersin nula). El polo negativo de la batera, que se toma como referencia de tensiones para el circuito asociado al primario, se conecta alternativamente a
los extremos A y B del primario mediante los interruptores IN1 e IN2 , cuya secuencia de
funcionamiento queda representada en la figura 7.4.
En los semiperodos en que IN1 est abierto e IN2 cerrado, como sucede en el
instante t1 , se imprime a los terminales X-B del transformador una tensin VS con la
polaridad indicada en la segunda figura. Suponiendo que los devanados AX, XB y el
secundario tienen el mismo nmero de espiras N, se tendr que la tensin de salida es:
v o (t ) = VS
atendiendo a los terminales correspondientes durante el semiperodo y que es independiente de la intensidad que circula por la carga. Se ha supuesto, para simplificar al
mximo en este primer esquema, que la carga es una resistencia pura de valor R. La
intensidad de salida durante este semiperodo es, por lo tanto:
i o (t ) =
vo (t ) VS
=
= IO
R
R
v o (t ) = V S
como puede deducirse de la inspeccin de los terminales correspondientes, la intensidad de salida resulta:
i o (t ) =
VS
= IO
R
La tensin resultante en la salida es una onda cuadrada de amplitud VS independiente de la intensidad para cualquier tipo de carga, cuya frecuencia est determinada por la velocidad de cierre y apertura de los interruptores, y en los circuitos prcticos por la frecuencia de los impulsos de excitacin de los semiconductores.
La intensidad de batera en este circuito es perfectamente continua e igual a
VS/R.
Ejemplo 7.1
Sea el circuito de la figura con transistores de paso autoexcitados, en
donde el nmero de espiras de cada devanado primario es de 30, la
intensidad de pico de cada devanado primario tiene un valor de 1 A.
La carga es resistiva y disipa 100 W a 220 V. En la batera C.C. tenemos una tensin VS = 12 V.
Suponiendo las cadas nulas en el transformador y en los transistores, calcular:
i 1 (t)
Na
i o (t)
2
Q1
12V.
RL
v o(t)
2
Q2
i 2 (t)
Nb
I 1 N1 = I 2 N 2
N1 N 2
=
V1
V2
N1 N 2
=
V1
V2
N1V2 30 220
=
= 550 espiras
V1
12
N2 =
b) De la carga obtenemos:
Po ( RMS ) 100
=
= 0.45 A
Vo ( RMS ) 220
De la relacin de transformacin:
I 1 N1 = I 2 N 2
I1 =
I 2 N 2 0.45 550
=
= 8.3 A
N1
30
I PQ = I 1 + I m = 8.3 + 1 = 9.3 A
c) Como la intensidad de base IbQ de cada transistor debe ser diez veces menor, tenemos que:
I bQ =
I CQ
10
I 1 I 2 9.3
=
=
= 0.93 A
10 10 10
N b I bQ = N1 I 1
Nb =
N1 I1 30 8.3
=
= 267 espiras = N a
I bQ
0.93
d) Las formas de onda de la tensin e intensidad de salida as como las corrientes de colector son las mostradas en las dos figuras siguientes:
i c (t) = i1 (t)
9.3A
8.3A
Q1
Q1
Q1
Fig.7. 5
Intensidad de colector.
t
v o (t)
220 V.
0 V.
i o (t)
Fig.7. 6
Tensin e intensidad de salida.
450 mA.
0 mA.
Estado de los
transistores
Q1
i0 (t)
CARGA
R-L-C
VS
D1
180
Q2
360
ON
OFF
ON
OFF
OFF
ON
OFF
ON
D2
Q1
Q2
V Q1
Instante t 1
VS
V Q2
Q1
VS
D1
2
CARGA
R-L-C
VS
2
VS
REACTIVA
= Vo
Q1
D1
Q2
D2
D2
Q1
Q2
D1
D2
i (t)
0
Q2
Fig.7. 7
Circuito inversor con batera de
toma media.
- Vv o
Instante t 2
En esta configuracin, un extremo de la carga est conectado permanentemente al punto medio de la batera o fuente de C.C. El otro extremo se conecta alternativamente a los polos positivo y negativo mediante semiconductores de potencia. En el
caso de la figura 7.7 se ha optado por transistores.
Durante los semiperodos en que Q1 est excitado y saturado, la tensin en el
extremo derecho de la carga es +V S/2 respecto de la toma media de la batera, salvo
cadas de tensin despreciables en el semiconductor. Durante los semiperodos en que
se excita Q2 , la tensin en dicho extremo de la carga es -VS/2. La tensin resultante en
la carga es una onda cuadrada de amplitud VS/2.
La tensin que deben soportar los semiconductores es igual a la tensin de la
batera o fuente de C.C. ms las sobretensiones que se produzcan en los circuitos
prcticos.
Esta configuracin es ms adecuada para tensiones altas de la fuente C.C. que
la configuracin con transformador de toma media, pero tiene el inconveniente de que
la tensin en la carga es slo la mitad de la que hay en la batera.
Para realizar las ondas de intensidad de salida io (t) se ha supuesto por simplicidad que la carga consiste en un circuito RLC que tiene una impedancia a los armnicos de la tensin de salida de forma que absorbe una intensidad io (t) senoidal pura. El
ngulo de retardo de dicha intensidad respecto a la componente fundamental de vo (t)
se ha supuesto de 60.
Observando la evolucin relativa de vo (t) e io (t) se confirma la necesidad de
disponer diodos en antiparalelo con los transistores que permitan la circulacin de la
intensidad reactiva.
Durante los intervalos de conduccin de los diodos, la carga devuelve intensidad a la batera porque sta absorbe intensidad por el terminal positivo de la mitad que
opera en cada caso, (la intensidad tiende a circular en el mismo sentido que en el instante anterior).
El ngulo o perodo de conduccin de los diodos coincide con el argumento
de la impedancia de carga, siendo nulo para una carga con cos = 1, en cuyo caso
podran eliminarse los diodos. El mayor perodo de conduccin para los diodos y menor para los transistores se da con carga reactiva pura, tanto capacitiva como inductiva
cos = 0, ambos perodos son de 90.
El valor medio de la intensidad conducida por cada transistor es:
I Q ( AV ) =
I
1 -
I p sen (t )dt = p [1 cos ( - )]
2 0
2
E 7. 1
y la de cada diodo:
Ip
I D ( AV ) =
(1 cos ) =
1
I p sen (t )dt
2 -
E 7. 2
I S ( AV ) =
Ip
[cos cos ( )]
2
E 7. 3
VS
2 T2 VS2
Vo ( RMS ) =
dt
=
T 0 4
2
E 7. 4
v o (t ) =
2 VS
sen (n t )
n =1 n
para n = 1,3,5...
E 7. 5
cuando la frecuencia de la tensin de salida en rad/seg., es = 2f. Para n = 1 tendremos un valor eficaz de la componente fundamental de:
Vo1 (RMS ) =
2VS
= 0.45 VS
n 2
E 7. 6
Para una carga RLC la corriente instantnea de salida viene dada por:
i o (t ) =
n =1
2VS
sen (nt n )
2
n R 2 + nL
nC
nL
nC
n = arctg
R
E 7. 7
donde n = 1,3,5...
2VS
=
2
2
2 R + L
E 7. 8
Ejemplo 7.2
Dado el circuito inversor con batera de toma media de la figura, donde VS = 48 V y la carga es resistiva y de valor R = 2.4 . Calcular:
a) La tensin eficaz de salida a la frecue ncia del fundamental Vo1(RMS) .
Q1
Vs
2
CARGA
Vs
2
Q2
f)
Vo ( RMS ) =
VS 48
=
= 24 V
2
2
Po ( RMS ) =
Vo2( RMS )
R
24 2
= 240 W
2.4
I pQ =
VS
24
=
= 10 A
R 2.4
I Q ( AV ) = 0.5 10 = 5 A
d) La tensin inversa de pico de bloqueo de cada transistor es:
VQ ( BR ) = 2 24 = 48 V
e) La distorsin total es:
THD =
1
Vo1
1
Von2 =
Vo2( RMS ) Vo21( RMS ) =
V
n = 3, 5 , 7 ...
o1 (RMS )
1
21.6
(24
V2
V V V
VH = on2 = o23 + o25 + o27 + ...
3 5 7
n =3 ,5 , 7 ... n
2
Como:
Von =
Vo1
n
Vo1 = 0.45 Vs
Von =
0.45 VS
n
VH = V S
DF =
VH
V
= 0.01712 S = 3.804 %
Vo 1
Vo1
Vo 3 =
Vo1
3
Vo 3 (RMS ) =
21.6
= 7.2 V
3
HF3 =
Vo 3
Vo1
Vo 1
3
1
= = = 33.33%
Vo 1
3
Vo 3 Vo1
2 3
3 3 1
DF3 =
=
=
= 3.704%
Vo1
Vo1
27
h) Para simular el circuito hay que excitar los transistores con fuentes de tensin alternas y desfasadas entre s 180. Estas fuentes excitan a los transistores a travs de una resistencia de base Rg tal como se muestra en la figura.
R g1
Vs
2
Q1
Vg1
0
Vs
2
CARGA
R g2
7
Vg2
Q2
R = 2.4
Vg1 = Vg2 = 5 V
Rg1 = Rg2 = 100
VS = 48 V
f = 50 Hz
Temperature: 27.0
(19.912m,23.835)
20V
Q2
Q1
Q2
Q2
Q1
0V
Fig.7. 8
Tensin en la carga.
-20V
(20.104m,-23.835)
-40V
0s
10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
V(3,0)
Time
Temperature: 27.0
(19.959m,9.931)
10A
5A
0A
-5A
Fig.7. 9
Intensidad en la carga.
-10A
(29.938m,-9.931)
-15A
0s
10ms
20ms
30ms
40ms
i(r)
Time
Temperature: 27.0
20A
INTENSIDAD MEDIA
16A
(284.737m,4.8828)
INTENSIAD INSTANTANEA
(20.000m,9.928)
12A
8A
4A
Fig.7. 10
Intensidad instantnea y
media en los transistores.
0A
-4A
0s
IC(Q1)
50ms
AVG(IC(Q1))
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
Time
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(50.000,30.355)
30V
ARMONICO 3
(150.000,10.118)
20V
ARMONICO 5
(250.000,6.0710)
ARMONICO 7
Fig.7. 11
Anlisis espectral de
Fourier de la tensin de
salida.
(350.000,4.3365)
ARMONICO 9
10V
(449.982,3.3909)
0V
0H
0.2KH
0.4KH
0.6KH
0.8KH
1.0KH
1.2KH
V(3,0)
Frequency
5.000E+01
1.000E+02
1.500E+02
2.000E+02
2.500E+02
3.000E+02
3.500E+02
4.000E+02
4.500E+02
3.035E+01
1.547E-09
1.012E+01
1.060E-09
6.070E+00
5.697E-10
4.335E+00
3.840E-10
3.372E+00
NORMALIZED PHASE
COMPONENT (DEG)
1.000E+00
5.098E-11
3.333E-01
3.493E-11
2.000E-01
1.877E-11
1.429E-01
1.265E-11
1.111E-01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
1.800E+02
-1.035E+01
1.799E+02
7.437E+01
1.799E+02
1.760E+02
1.799E+02
-5.516E+01
1.798E+02
0.000E+00
-1.903E+02
-3.600E-02
-1.056E+02
-7.200E-02
-3.992E+00
-1.080E-01
-2.351E+02
-1.440E-01
La comparacin entre los datos tericos y los que nos ofrece Pspice se muestra
en la siguiente tabla:
TERICO
Apartado
a)
b)
c)
c)
e)
f)
g)
Dato
Vo1(RMS) = 21.6 V
Vo(RMS) = 24 V
IpQ = 10 A
IQ(AV) = 5 A
THD = 48.34%
HF3 = 33.33%
Vo3(RMS) = 7.2 V
PSPICE
Grfica
listado comp. Four.
(7.8)
(7.10)
(7.10)
listado comp. Four.
listado comp. Four.
listado comp. Four.
Dato
Vo1(RMS) = 21.46 V
Vo(RMS) = 23.835 V
IpQ = 9.928 A
IQ(AV) = 4.8828 A
THD = 42.8%
HF3 = 33.33%
Vo3(RMS) = 7.156 V
Los datos obtenidos tericamente y los que el programa proporciona son muy
similares, esto se puede comprobar observando el valor de la tensin en la figura 7.8 y
el que obtenemos tericamente en el apartado b.
La pequea diferencia existente radica en que el programa realiza los clculos
con componentes semirreales. Estos clculos se pueden aproximar ms a los reales
cuanto ms complejos sean los modelos de los componentes utilizados en Pspice.
Ejemplo 7.3
Dado el inversor monofsico de batera de toma media de la figura,
donde VS = 600 V, R = 10 , L = 0.05 H y la frecuencia f = 50 Hz.
Calcular:
a) Intensidad mxima Io en la
i S1 (t)
carga.
b) Tiempo de paso por cero de la
i Q1(t)
intensidad en la carga despus
Q1
D1
L
R
de un semiciclo.
io (t)
i (t)
c) Intensidad media IQ(AV) por
i (t)
los transistores.
vo (t)
Q2
D2
d) Intensidad media ID(AV) por
iS2 (t)
i (t)
los diodos.
Vs
2
D1
Q2
Vs
2
D2
Solucin:
a) Para el primer intervalo, en el que conduce Q1 , la ecuacin de su malla ser:
VS
di (t )
= vo (t ) = R i o (t ) + L o
2
dt
VS
di (t )
= vo (t ) = R io (t ) + L o
2
dt
Estas dos ecuaciones son iguales salvo en el signo, por tanto, su solucin es:
t
V
i o (t ) = S 1 e
2 R
I oe
donde:
T
VS 1 e 2
Io =
T
2R
2
1
+
e
L 0.05
=
= 0.005 seg.
R
10
20 .005
600 1 e
Io =
0. 02
2 10
20 .005
1
+
e
= 22.85 A
2
t1 = T ln
T
1 + e 2
2
=
0
.
005
ln
0 .02
1 + e 2 0 .005
= 2.83 mseg.
L
2 50 0.05 = 57.51
= arctg
= arctg
10
R
I Q ( AV ) =
Io
[1 cos( )] = 22.85 [1 cos(180 57.51)] = 5.6 A
2
2
I D ( AV ) =
Io
(1 cos ) = 22.85 (1 cos 57.51) = 1.68 A
2
2
i 0(t)
D1
T1
VS
T2
Vo
T3
CARGA LC
D3
D2
Instante t
VS
T4
T1
D1
X
T2
D4
Vo
T3
CARGA LC
D2
Instante t
D3
Y
T4
D4
T3
D3
i REACTIVA
i 0(t)
T1
VS
D1
X
T2
Vo
T3
CARGA LC
T4
D2
Instante t
T1
D3
VS
D4
D1
X
T2
Vo
CARGA LC
T4
D2
Instante t
Fig.7. 12
Inversor monofsico.
D4
Consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se especifica en las figuras 7.12 y 7.13; en estas figuras se han materializado los circuitos mediante tiristores, a los cuales se han conectado diodos en antiparale lo para conducir la intensidad
reactiva.
Manteniendo excitados T1 y T4 (instante t1 ), el extremo X de la carga queda
conectado al polo positivo de la batera y el extremo Y al polo negativo, quedando la
carga sometida a la tensin VS de la batera. Bloqueando T1 y T4 y excitando T2 y T3
(instante t3 ), la tensin en la carga se invierte. Haciendo esto de forma alternativa, la
carga queda sometida a una tensin alterna cuadrada de amplitud igual a la tensin de
la batera VS , lo cual supone una ventaja con respecto al inversor con batera de toma
media. En contrapartida, aqu se necesitan el doble semiconductores que en dicha configuracin.
Estado de los transistores
180
360
ON
OFF
ON
OFF
Q1 Q4
OFF
ON
OFF
ON
Q2 Q3
VY
VX
VS = V o
T1
T4
- Vo
D1
D4
D2
D3
T1
T4
T2
T3
D1
D4
D2
D3
I0
T2
T3
Fig.7. 13
Formas de onda en la carga.
Vo ( RMS ) =
2 T2 2
V dt = VS
T 0 S
E 7. 9
v o (t ) =
4VS
sen (n t )
n =1, 3 ,5 ... n
para n = 1,3,5...
E 7. 10
Vo1( RMS ) =
4VS
= 0.90 VS
2
E 7. 11
i o (t ) =
n =1
4 VS
2
1
n R 2 + nL
nC
1
nL
nC
n = arctg
R
sen (nt n )
E 7. 12
Ejemplo 7.4
En el circuito de la figura la batera VS = 48 V y la carga R = 2.4 ,
calcular:
a) Tensin eficaz del fundamental.
Q3
Q1
b) Potencia media en la carga.
D3
D
c) Intensidad de pico y media
de cada transistor.
VS
d) Tensin inversa de pico
CARGA
Q4
Q2
VQ(BR) de bloqueo de los
D4
D2
transistores.
e) Distorsin armnica to tal
THD.
f) Factor de distorsin DF.
g) Factor armnico y factor de distorsin del armnico de menor orden.
h) Simular el circuito con Pspice y obtener: Las intensidades media e instantnea en Q 1 . El anlisis de Fourier que proporciona el programa. Comparacin
con los datos tericos.
1
Solucin:
a) La tensin eficaz del fundamental viene dada por la ecuacin 7.11 y es:
Po ( AV ) =
VS2 48 2
=
= 960 W
R
2.4
I PQ =
48
= 20 A
2.4
Cada rama del inversor conduce durante el 50% de cada ciclo, por tanto, la
intensidad media de cada rama es:
I Q ( AV ) =
20
= 10 A
2
d) La tensin de pico de bloqueo, ser igual a la que tiene la fuente C.C. y es:
VBR = 48 V
e) Para calcular la distorsin armnica total THD de forma exacta necesitamos conocer la tensin aportada por todos los armnicos.
Como Vo(RMS) = 48 V y Vo1(RMS) = 43.2 V, los dems armnicos aportan:
48 - 43.2 = 4.8 V
THD =
1
Vo 1
n =3 , 5 , 7...
2
on
1
Vo 1( RMS )
1
48 2 43.2 2 = 48.43%
43.2
1
DF =
Vo1
1 Vo 3 Vo 5
0.3424 VS
Von
2 =
2 + 2 + ... =
= 3.804%
Vo 1 3 5
0.9 VS
n =3 , 5... n
Vo1
3
1
= = 33.33%
3
Vo 3 =
Vo 3
Vo1
Vo 3
2
3 1
DF3 =
=
= 3.704%
Vo1
27
HF3 =
Q1
Rg1
Q3
D1
D3
Rg3
Vg1
10
Vg3
VS
4
Rg4
Q4
Q2
D4
CARGA
Rg2
11
D2
Vg4
12
Vg2
Temperature: 27.0
INTENSIDAD INSTANTANEA
INTENSIDAD MEDIA
(275.521m,10.058)
(46.354m,19.792)
20A
10A
Fig.7. 14
Intensidades instantneas y
media en Q1 .
-0A
0s
IC(Q1)
50ms
AVG(IC(Q1))
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
Time
(T7E4.CIR)
FREQUENCY FOURIER
(HZ)
COMPONENT
5.000E+01
1.000E+02
1.500E+02
2.000E+02
2.500E+02
3.000E+02
3.500E+02
4.000E+02
4.500E+02
6.048E+01
2.294E-09
2.016E+01
2.293E-09
1.210E+01
2.289E-09
8.640E+00
2.283E-09
6.720E+00
NORMALIZED PHASE
COMPONENT
(DEG)
1.000E+00
3.793E-11
3.333E-01
3.792E-11
2.000E-01
3.785E-11
1.429E-01
3.776E-11
1.111E-01
-2.040E-02
8.967E+01
-6.120E-02
8.974E+01
-1.020E-01
8.954E+01
-1.428E-01
8.962E+01
-1.836E-01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
8.969E+01
-4.081E-02
8.976E+01
-8.160E-02
8.956E+01
-1.224E-01
8.964E+01
-1.632E-01
TERICO
Apartado
a)
c)
c)
e)
f)
Dato
Vo1(RMS) = 43.2 V
IpQ = 20 A
IQ(AV) = 10 A
THD = 48.43%
HF3 = 33.33%
PSPICE
Grfica
listado comp. Four.
(7.14)
(7.14)
listado comp. Four.
listado comp. Four.
Dato
Vo1(RMS) = 42.76 V
IpQ = 19.792 A
IQ(AV) = 10.058 A
THD = 42.87%
HF3 = 33.33%
1M 10M 20M)
1M 10M 20M)
1M 10M 20M)
1M 10M 20M)
Ejemplo 7.5
El puente inversor de la figura tiene una carga RLC de valor R = 10
, L = 31.5 mH y C = 112 F. La frecuencia del inversor es de 60 Hz y
la tensin de entrada VS = 220 V. Calcular:
Q3
Q1
D3
D1
CARGA
RLC
VS
Q4
D4
Q2
D2
a) La corriente instantnea de
salida en series de Fourier.
b) El valor eficaz de la intens idad total en la carga y la debida al primer armnico.
c) Distorsin total de la corriente
de carga.
d) Potencia activa en la carga y
del fundamental.
Z o1 = 10 + 2 60 31.5 10 3
= 15.4
6
2 60 112 10
3
260 31.5 10
260 112 10 6
o 1 = arctg
10
= 49.7
Vo1 =
I o1 =
4 220
sen (260 t ) = 280.1 sen(120 t )
Vo1 280.1
=
sen (120 t + 49.7 ) = 18.1 sen(120 t + 49.7)
Z o1 15.4
I (RMS ) =
Ip
2
I o1
2
18.1
= 12 .8 A
2
18 .4
= 13 .01 A
2
1
I o1
2
on
n = 3, 5 ...
1
I o1
(I
2
o
I o21 =
1
18 .4 2 18 .12 = 18 .28%
18 .1
Po 1692
=
= 7.69 A
VS
220
7.69
= 3 .845 A
2
1
Q1
Rg1
Q3
D1
2
Vg1
VS
Q4
D4
Rg3
10
Vg3
CARGA
RLC
4
Rg4
D3
8
Q2
D2
Rg2
11
Vg4
12
Vg2
Conexin de la
carga RLC
R
4
20
C
30
8.333M 16.666M)
8.333M 16.666M)
8.333M 16.666M)
8.333M 16.666M)
Temperature: 27.0
(8.3330m,221.808)
(18.314m,202.984)
(33.332m,77.254)
200
-200
INTENSIDAD
TENSION
(AUMENTADA 10 VECES)
0s
V(4,8)
10ms
10*I(R)
20ms
30ms
Fig.7. 15
Tensin e intensidad instantnea
en la carga.
40ms
Time
Temperature: 27.0
TIEMPO DE CONDUCCION
(16.666m,7.6749)
DEL DIODO D3
0A
(30.938m,318.877m)
(33.399m,-219.849p)
-34.51A
I(D3)
34.95A
INTENSIDAD EN D1
INTENSIDAD EN LA CARGA
(24.930m,7.7285)
Fig.7. 16
Intensidad instantnea en la carga y
en los diodos.
0A
-34.51A
0
10m
I(D1)
20m
30m
40m
50m
I(R)
Time
Temperature: 27.0
-100mA
IB(Q1)
100mA
-100mA
IB(Q2)
100mA
Fig.7. 17
Intensidades de base
de los transistores.
(16.546m,2.3764m)
-100mA
IB(Q3)
100mA
(8.3330m,-122.031p)
-100mA
0
10m
20m
30m
40m
50m
IB(Q4)
Time
Temperature: 27.0
(295.317m,12.921)
10A
5A
Fig.7. 18
Intensidad eficaz en la
carga.
0A
0s
50ms
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
RMS(I(R))
Time
Temperature: 27.0
INTENSIDAD INSTANTANEA
(218.475m,20.332)
INTENSIDAD MEDIA
(278.947m,4.7066)
20A
10A
Fig.7. 19
Intensidades
instantnea
transistores.
0A
(132.632m,445.029p)
(139.566m,-118.428m)
media e
por los
-10A
0s
50ms
AVG(IC(Q1))
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
IC(Q1)
Time
Temperature: 27.0
(60.000,17.703)
15A
10A
(180.000,2.6502)
5A
(300.000,1.0230)
Fig.7. 20
Anlisis espectral de Fourier
para io (t).
(420.000,545.048m)
0A
0H
100H
200H
300H
400H
500H
600H
I(R)
Frequency
En la figura 7.18 aparece la intensidad eficaz en la carga. Prcticamente alcanza el valor terico e incluso podra haberlo sobrepasado si el tiempo de simulacin
hubiese sido superior. Esto puede ocurrir porque en teora slo hemos utilizado para el
clculo hasta el armnico quinto y Pspice utiliza nueve.
El listado de componentes de Fourier para la intensidad en la carga se muestra
a continuacin:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(R)
DC COMPONENT = 2.355409E-02
HARMONIC
NO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
FREQUENCY FOURIER
(HZ)
COMPONENT
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
3.600E+02
4.200E+02
4.800E+02
5.400E+02
1.802E+01
2.422E-02
2.726E+00
1.123E-02
1.040E+00
8.265E-03
5.559E-01
7.409E-03
3.385E-01
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
1.344E-03
1.513E-01
6.229E-04
5.768E-02
4.585E-04
3.084E-02
4.110E-04
1.878E-02
PHASE
(DEG)
4.742E+01
-1.542E+02
-6.635E+01
2.600E+01
-6.873E+01
5.438E+01
-7.311E+01
6.358E+01
-9.073E+01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-2.016E+02
-1.138E+02
-2.142E+01
-1.162E+02
6.962E+00
-1.205E+02
1.616E+01
-1.381E+02
TERICO
Apartado
a)
b)
b)
f)
a)
a)
a)
c)
PSPICE
Dato
Vo = 220 V
Io = 18.4 A
Io(RMS) = 13.01 A
IQ(AV) = 3.845 A
Io1 = 18.1 A
Io3 = 3.17 A
Io5 = 1 A
THD = 18.28%
Grfica
(7.15)
(7.15)
(7.18)
(7.19)
listado comp. Four.
listado comp. Four.
listado comp. Four.
listado comp. Four.
Dato
Vo = 221.808 V
Io = 20.298 A
Io(RMS) = 12.92 A
IQ(AV) = 4.706 A
Io1 = 18.02 A
Io3 = 2.726 A
Io5 = 1.040 A
THD = 16.58%
Ejemplo 7.6
En un inversor monofsico en puente como el de la figura tenemos los
siguientes datos: VS = 200 V, R = 30 , L = 0.16 H y T = 12.5 mseg.
Calcular:
i Q3(t)
i Q1 (t)
i S (t)
D1
Q1
VS
io (t)
i Q4 (t)
D4
Q4
D3
v o (t)
Q3
CARGA
i Q2(t)
D2
Q2
a) La intensidad de pico
en la conmutacin.
b) El tiempo de conduccin de los diodos.
c) El tiempo de conduccin de los transistores.
d) La intensidad media
suministrada por la
fuente.
e) La potencia media en
la carga.
Solucin:
a) La constante de tiempo para este circuito es:
=
L 0 .16
=
= 5.33 mseg
R
30
VS 1 e 2
Io =
T
R
2
1+ e
0 .0125
200 1 e 20 .00533
=
= 3 .51 A
0 .0125
30
2 0. 00533
1+ e
69.54 12 .5
= 2 .41 mseg.
360
I D ( AV ) =
I Q ( AV ) =
Io
(1 cos ) = 3.51 (1 cos 69.54) = 0.36 A
2
2
Io
[1 cos( )] = 3.51 [1 cos(18069.54)] = 0.75 A
2
2
La intensidad media que suministra la batera ser igual a la que soportan los
transistores menos la reactiva que devuelven los diodos, para cada semiperodo:
a
R
R
R
R
n
Fig.7. 21
Formas de conexi n.
b
c
c
(a) Conexin en
tringulo
(b) Conexin en
estrella
Q1
Q1
VS
g1
Q5
Q4
b
Q6
Q4
Q5
Q3
Q2
Q6
Q2
Fig.7. 22
Inversor trifsico.
A los transistores le podemos aplicar dos tipos de seale s de control: desfasadas 120 180 entre s.
Seales a
aplicar en la
base de los
transistores
Tensiones de
salida
120
180
240
300
360
g1
g2
g3
t
t
g4
g5
g6
V
ab
V
bc
Vca
Fig.7. 23
Seales aplicadas a las
bases de los transistores y formas de onda
en la salida.
a
R
b
c
c
(a) Conexin en
tringulo
a
Fig.7. 24
Tipos de conexiones.
(b) Conexin en
estrella
b
i 1 (t)
R
n
VS
VS
i 2(t) a
MODO 1
VS
i 3 (t)
Fig.7. 25
Circuitos equivalentes.
MODO 2
MODO 3
van (t ) = vcn (t ) =
R 3R
=
2
2
i1 (t )R V S
=
2
3
i1 (t ) =
VS
2V
= S
Req
3R
vbn (t ) = i1 (t )R =
2VS
3
vbn (t ) = vcn (t ) =
R 3R
=
2
2
i2 (t )R VS
=
2
3
i 2 (t ) =
VS
2V
= S
Req
3R
v an (t ) = i 2 (t )R =
2VS
3
2VS
180
i1 (t ) =
R 3R
=
2
2
i3 (t )R VS
=
2
3
VS
2V
= S
Req
3R
vcn (t ) = i3 (t )R =
2VS
3
360
t
Vbn(t)
VS
3
t
Vcn(t)
VS
Fig.7. 26
Tensiones de fase.
2VS
3
Vab (t)
180
360
Vs
t
Vbc (t)
Vs
t
Vca (t)
Fig.7. 27
Tensiones de lnea.
Vs
En las figuras 7.26 y 7.27, se muestran las tensiones de fase y de lnea respectivamente como vab(t) que puede ser expresada en series de Fourier como sigue, teniendo en cuenta que cambia para /6 y que los armnicos pares son cero:
vab (t ) =
4V S
n
cos
sen n t +
n
6
6
n =1, 3 ,5 ...
E 7. 13
vbc(t) y vca(t) vienen dadas por las siguientes ecuaciones en las que se cambia
la fase de la tensin. 120 para vbc(t) y 240 para vca(t):
vbc (t ) =
4VS
cos
sen n t
n
2
6
n =1 ,3 , 5...
E 7. 14
vca (t ) =
4VS
cos
sen n t 7
n
6
6
n =1, 3 ,5 ...
2
2
2
3
0
VS2 d t =
2
VS = 0 .8165 VS
3
E 7. 15
4VS
n
cos
2 n
6
VLn (RMS ) =
E 7. 16
4VS
2
cos 30 = 0.7797 VS
E 7. 17
V L (RMS )
3
2V S
= 0.4714 V S
3
E 7. 18
Para cargas puramente resistivas, los diodos en antiparalelo con los transistores no conducen, pero para una carga inductiva la intensidad en cada rama del inversor
puede estar retrasada con respecto a la tensin como se muestra en la figura 7.28:
Van(t)
Tensin de fase
180
360
2Vs
3
Vs
3
i a(t)
t2
t1
Intensidad de
fase
t
Fig.7. 28
Inversor trifsico con carga
RL.
Q1
D1
Q4
D4
Vab
E 7. 19
con un retraso de 30, de la ecuacin 7.13 obtenemos la intensidad de lnea ia(t) para
una carga RLC:
4 VS
n
i a (t ) =
cos sen (n t n )
2
6
n =1 ,3 , 5...
3 n R 2 + j n L 1
n C
E 7. 20
donde:
1
n L
n = arctg
R
E 7. 21
Ejemplo 7.7
El inversor trifsico de la figura tiene una carga conectada en estrella
de valor R = 5 y un valor de L = 23 mH, la frecuencia del inversor es
f = 33 Hz y la tensin C.C. de entrada es VS = 220 V.
a) Expresar la tensin instantQ
Q
Q
nea de lnea vab(t) y la intenD
D
Vs
D
sidad de lnea i a (t) en s eries de
2
a
b
c
Fourier.
b) Determinar la tensin de lQ
Q
Q
Vs
nea eficaz VL(RMS) .
D
D
D
2
c) La tensin de fase VF(RMS) .
d) La tensin de lnea eficaz a la
R
frecuencia del fundame ntal
Conexin de la carga
L
VL1(RMS) .
en estrella
L
e)
La tensin de fase eficaz a la
R
L
R
frecuencia del fundame ntal
VF1(RMS) .
f) La distorsin armnica total THD.
g) El factor de distorsin DF.
h) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden.
i) La potencia activa en la carga Po(RMS) .
j) La corriente media de la fuente IS(AV) .
k) PROPUESTO:
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fase y de lnea en la carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad instantnea del diodo D 1 . Comparacin de la intensidad de base de los transistores.
Tensin eficaz de lnea, de fase e intensidad eficaz en la carga. Anlisis espe ctral
de la tensin de lnea y componentes de Fourier de sta.
1
Solucin:
a) La tensin instantnea de lnea vab(t) viene dada por la ecuacin 7.13:
= 2 33 = 207 rad / seg.
vab (t ) =
4V S
cos
sen n t +
n
6
6
n =1, 3 ,5 ...
vab (t ) = 242 .58 sen(207 t + 30 ) 48.52 sen 5(207 t + 30 ) 34 .66 sen 7 (207 t + 30 ) +
+ 22.05 sen11(207 t + 30 ) + 16.66 sen13(207 t + 30 ) 14 .27 sen17 (207 t + 30 )...
Z L = R 2 + (n L )2 = 5 2 + (8 .67 n )2
arg = arctg
(n L) = 8.67 n
R
4 VS
n
i a (t ) =
cos
sen(n t n )
2
2
6
n =1 ,3 , 5... 3 n R + (n L )
donde:
n = arctg
n L
R
+ 0 .13 sen (11 207 t 84 .5 ) + 0 .10 sen (13 207 t 87 .5 ) 0. 06 sen (17 207 t 86 .4 )...
179 .63
3
= 103 .7 V
4 220 cos 30
= 171 .53 V
2
171 .53
3
= 99.03 V
2
Ln
n =5 , 7 ,11...
THD =
0.2423 VS
= 29 .65 %
0 .8165 VS
g)
V LH
VLn
=
2 = 0.00667 VS
n =5 , 7 ,11... n
DF1 =
0 .00667 VS
= 0.81%
0.8165 VS
h) El armnico de orden ms bajo es el quinto, puesto que en la configuracin trifsica se eliminan los armnicos de orden triple:
V L5 ( RMS ) =
V L1( RMS )
5
HF5 =
DF5 =
i)
171 .53
= 34.306 V
5
VL5 1
= = 20 %
V L1 5
V L5
1
=
= 0.8%
2
V L1 5
125
Para calcular la potencia necesitamos calcular primero la intensidad de lnea eficaz IL(RMS):
I L = 14 2 + 0 .64 2 + 0.33 2 + 0.13 2 + 0 .10 2 + 0.06 2 = 14 .01 A
I L( RMS ) =
IL
2
= 9.91 A
Po (RMS )
VS
1473
= 6.7 A
220
V1 1 0
110
V2 0 17
110
* Carga RL conectada en estrella:
RR 3 20
5
LR 20 18
23M
RS 6 21
5
LS 21 18
23M
RT 9 22
5
LT 22 18
23M
* Parametros para el analisis de Pspice:
.PROBE
.four 33.33 V(3,6) ; *ipsp*
.tran 1.000m .184
0
0
; *ipsp*
.END
1
Rg1
Q1
D1
11
Vs
2
Rg4
Q5
Vg5
D4
Q6
Rg6
D6
14
Vg4
D5
Q4
12
R g5
15
Vg3
D3
Vg1
Vs
2
Q3
Rg3
13
R g2
16
Q2
10
D2
Vg2
Vg6
17
RS
21
LS
LR
RR
20
18
LT
22
RT
g1
g2
g3
g4
g5
g6
V
ab
bc
Vca
Seales
de puerta
Tensiones
de salida
Fig.7. 29
Tensiones de puerta y de lnea.
Para este tipo de control cada transistor conduce durante 120, hacindolo dos
transistores al mismo tiempo. Siendo, por tanto, las seales de puente y la de salida las
mostradas en la figura 7.29.
De la grfica se deduce que la secuencia de conduccin de los transistores es:
6,1 1,2 2,3 3,4 4,5 5,6 6,1. Luego existen tres modos de operacin por semiciclo, siendo el circuito equivalente para una carga conectada en estrella el mostrado en la figura 7.30.
a
Vs
Vs
Fig.7. 30
Circuito equivalente para la conexin de
una carga resistiva en estrella.
Vs
c
MODO 1
MODO 2
MODO 3
VS
2
vbn (t ) =
VS
2
v cn (t ) = 0
VS
2
vcn (t ) =
VS
2
v bn (t ) = 0
VS
2
vcn (t ) =
VS
2
v an (t ) = 0
Las tensiones de fase del modo 2 de funcionamiento se pueden expresar en series de Fourier, como:
E 7. 22
2 VS
cos
sen n t
2
6
n =1, 3 ,5 ... n
E 7. 23
2 VS
cos
sen n t 7
6
6
n =1 ,3 , 5 ... n
E 7. 24
vbn (t ) =
v bn (t ) =
2 VS
cos
sen n t +
n
6
6
n =1,3 , 5...
van (t ) =
Ejemplo 7.8
El inversor trifsico de la figura est alimentado con una fuente continua de valor VS = 200 V. La carga, que se conecta en estrella, es resistiva y de valor R = 10 . Determinar: La intensidad eficaz en la carga,
la intensidad eficaz en los transistores y la potencia en la carga para:
a) Un ngulo de conduccin de 120.
b) Un ngulo de conduccin de 180.
Q3
Q1
Q5
D1
D3
D5
Vs
Q2
Q6
Q4
D4
D6
D2
RS
RR
RT
V F = Van = Vbn =
Solucin:
VS
2
V cn = 0
VS
200
=
= 10 A
2 R 2 10
por tanto, la intensidad eficaz de fase ser la media geomtrica de las tres intensidades
mximas de cada fase, por lo que resulta:
I F (RMS ) =
I a2 + I b2 + I c2
10 2 + 10 2 + 0 2
=
= 8.16 A
3
3
VS
3
V F = Vbn =
2V S
3
2 VS 2 200
=
= 13 .33 A
3R
3 10
I F = I a = Ic =
VS
= 6.67 A
3R
I a2 + I b2 + I c2
6.67 2 + 13.332 + 6.67 2
=
= 9.43 A
3
3
Como conducen tres transistores en cada modo de funcionamiento, la intensidad eficaz de cada uno de ellos ser:
I F ( RMS )
2
9.43
2
= 6 .67 A
Temperature: 27.0
0.5A
0A
-0.5A
Fig.7. 31
Intensidad en la
carga.
-1.0A
0s
50ms
100ms
150ms
200ms
250ms
300ms
I(R)
Time
Q1 1 2 4 Q2N2222
Q2 8 11 0 Q2N2222
Q3 1 9 8 Q2N2222
Q4 4 6 0 Q2N2222
.LIB C:\MEUHP.LIB
D1 4 1 D1N4001
D4 0 4 D1N4001
D3 8 1 D1N4001
D2 0 8 D1N4001
.LIB C:\MEUHP.LIB
RG1 3 2 1000
RG4 6 5 1000
RG3 9 10 1000
RG2 11 12 1000
V1 1 0 12V
R
4 20 0.5
L
20 30 310.5M
C 30 8
47U
VG1 3
4 PULSE(0.2 5.4 0
VG2 12 0 PULSE(0.2 5.4 0
VG4 5
0 PULSE(0.2 5.4 10M
VG3 10 8 PULSE(0.2 5.4 10M
.tran 10.000N .3 0
0 ; *ipsp*
.PROBE
.four 50
V(4,8) ; *ipsp*
.END
La regulacin de la tensin de salida consiste en disponer a la salida del inversor de un autotransformador de rela cin de espiras regulables, bien mecnicamente
mediante escobillas o elctric amente mediante tiristores.
Tiene los inconvenientes de ser de respuesta lenta y de suponer un aumento de
volumen considerable cuando se necesita una relacin de tensin elevada.
Con respecto al primer problema de mantener constante la salida frente a variaciones de entrada o carga, se resuelve con un circuito de regulacin en cadena cerrada adecuada.
A continuacin vamos a estudiar ms detenidamente la variacin de la tensin
de salida por medio de la regulacin interna del propio inversor.
El mtodo ms eficiente para la regulacin interna del inversor consiste en
modular la anchura de los pulsos (PWM). Las tcnicas ms utilizadas son:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
En un control de este tipo slo existe un pulso por cada semiciclo, y variando
la anchura de este pulso controlamos la tensin de salida del inversor. En la figura
7.32 se muestra la generacin de las seales de puerta de los transistores y la tensin
de salida de un inversor en puente monofsico.
Dicha generacin de seales de puerta se obtienen por comparacin de una
onda rectangular (onda de referencia) de amplitud Ar con una onda triangular (portadora) de amplitud Ac.
La frecuencia de la seal de referencia determina la frecuencia de la tensin de
salida, y variando Ar desde 0 hasta Ac conseguimos variar la anchura del pulso desde
0 hasta 180.
La relacin entre Ar y Ac determina la amplitud del "ndice de modulacin
M".
M=
Ar
Ac
E 7. 25
2
2
+
2
2
VS2 d ( t ) = VS
E 7. 26
Seal portadora
Seal de referencia
Ac
Ar
g1
g2
VS
Fig.7. 32
Modulacin en anchura de
un pulso por semiperodo.
Tensin de salida
t
_
4 VS
n
sen
sen(n t )
n
2
n =1 ,3 , 5...
nmero de pulsos
9
8
1.0
DF
0.8
Von
VS
6
5
0.6
0.4
4
3
2
1
0
Vo3
0.2
Vo5
Vo7
0
1
0.8
0.6
0.4
Fig.7. 33
Evolucin de los armnicos.
Vo1
0.2
Indice de modulacin M =
E 7. 27
DF (%)
0
Ar
Ac
En la figura 7.34 se representa la variacin de las amplitudes de la onda fundamental y de los armnicos en funcin del ancho del impulso. Tambin se ha representado la distorsin armnica total de la salida, que viene dada por:
THD =
Vo 1
Von2 =
n = 3, 5 , 7 ...
E 7. 28
V 01
4Vs /
0.9
1
0.8
0.7
V 03
4Vs /
0.6
0.5
0.4
THD
4Vs /
0.3
0.2
V 05
Fig.7. 34
Fundamental y armnicos en funcin de .
3
4
0.1
V 07
4
4Vs /
0
20 40
En esta figura se observa que la distorsin armnica es mnima aproximadamente para el ancho de impulso = 120, cuando el tercer armnico vale cero.
Ejemplo 7.9
Disear un circuito inversor en puente monofsico para una simulacin con Pspice. Se desea que convierta a alterna la tensin continua
que proporciona una sola batera de valor VS = 100 V y que acte s obre una carga puramente resistiva de valor R = 2.5 . La frecue ncia de salida ha
de ser 50 Hz.
Como especificaciones tenemos que se debe controlar la tensin de salida
mediante una modulacin PWM de un pulso por semiperodo y presentar un
ndice de modulacin M = 0.6.
Se pide:
a) Disear el circuito inversor y el circuito de control para el anlisis
con el simulador y calcular el ancho del pulso .
b) Calcular la tensin eficaz de salida Vo(RMS) y la potencia media en la
carga.
c) Obtener las siguientes grficas: Tensin en la carga. Comparacin de
las seales portadora y de referencia. Comparacin entre dos intens idades de colector de cada una de las ramas. Anlisis espectral de la
tensin de salida.
d) Presentar el listado del programa para simular el circuito.
Solucin:
a) Para el diseo del circuito inversor se opta por un puente monofsico tal y
como se muestra en la figura, en donde:
VY
Q1
Rg1
Q3
D1
7
Vg1
D3
4
CARGA
Q4
13
Vg4
12
Vg3
14
11
VX
VS
Rg4
Rg3
Q2
D4
D2
medir la intensidad de
paso)
Rg2
10
Vg2
VS = 100 V
Rg1 ==Rg4 =100
VX = VY = 0 V
(Fuentes que permiten
R = 2.5
f = 50 Hz
Para excitar los transistores ajustndose a las especificaciones es necesario disear un circuito de control que insertaremos en el listado de Pspice a modo de subcircuito y actuar directamente sobre los transistores. Dicho circuito de control se muestra en la siguiente figura y consta de un amplificador que compara las seales de refe-
rencia con la portadora, las cuales son generadas a parte. Los valores tomados para el
diseo son:
RF
R1
1
RO
R2 5
2
+ E
1
-
RIN
Circuito comparador de
las seales de referencia
y portadora generadas
por Vr1, Vr2 y Vc
respectivamente.
CO
Subcircuito
15
Vr1
17
16
R r1
Vr2
Rr2
Vc
Rc
RF = 100 K
R1 = R2 = 1 K
RIN = 2 M
RO = 75
Rr1 = Rr2 = RC =
=2 M
C0 = 10 pF
E1 (Fuente de
tensin dependiente
de los nudos 5-0 )
M=
Ar
Ac
Ar = M Ac = 0.6 50 = 30 V
2 +2 2
108
= 100
= 77.45 V
- VS d ( t ) = VS
2 2
180
Vo ( RMS ) =
Po ( AV ) =
Vo2(RMS )
R
77.452
= 2402.5 W
2.5
Temperature: 27.0
120V
(7.8865m,99.560)
80V
40V
(8.0423m,-21.996m)
-0V
(2.0007m,-22.018m)
-40V
Fig.7. 35
Tensin en la carga
-80V
-120V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
V(4,6)
Time
Temperature: 27.0
60V
(10.000m,50.000)
(2.0220m,29.780)
SEAL
PORTADORA
40V
(8.0004m,30.003)
20V
Fig.7. 36
Seales portadora
y de referencia.
SEAL DE
REFERENCIA
0V
0s
5ms
V(17)
10ms
15ms
20ms
-V(15)
Time
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
100V
80V
ARMONICO 3
60V
ARMONICO 5
40V
Fig.7. 37
Anlisis espectral
de la tensin de
salida.
ARMONICO 7
20V
0V
0H
200H
400H
600H
800H
V(3,6)
Frequency
VR1 15 0
PULSE(0V -30V 0MS 1NS 1NS 10MS 20MS)
RR1 15 0
2MEG
VR2 16 0
PULSE(0V -30V 10MS 1NS 1NS 10MS 20MS)
RR2 16 0
2MEG
* Subcircuitos comparadores de senales portadoras y de referencia que actuan
* en las bases de los transistores:
XPW1 17 15 8 3 PWM
XPW2 17 15 10 0 PWM
XPW3 17 16 12 6 PWM
XPW4 17 16 14 0 PWM
* Subcircuito para simular el amplificador comparador:
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1 1 5
1K
R2 2 5
1K
RIN 5 0
2MEG
RF 5 3
100K
RO 6 3
75
CO 3 4
10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
* Parametros para el analisis:
.TRAN 10US 20MS 0 10US
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.00N RELTOL=0.01 VNTOL=0.1 ITL5=20000
.FOUR 50HZ V(3,6)
.END
Ejemplo 7.10
En un inversor monofsico en el que la tensin de salida se modula
mediante un impulso por semiperodo, calcular:
a) El valor de necesario para que la componente fundamental de la
tensin de salida sea de 50 V para VS = 250 V.
b) La amplitud del tercer armnico de la tensin de salida para este valor de .
Solucin:
a) Este tipo de configuracin produce una tensin de salida como la que se
muestra en la grfica siguiente.
v o (t)
250 V.
180 t 3
t1
t 4 360
t2
B1 =
=
2
T
vo (t ) sen( t )dt =
t4
2 t2
t VS sen( t )d t t VS sen ( t )d t
3
T 1
como:
t 3 = t1 +
T
2
t4 = t 2 +
= t1
T
2
t2 =
2
T
T
t1
2
B1 =
4VS
4V
cos( t1 ) = S cos
por tanto, para los datos del ejercicio obtendremos un valor de de:
50 =
4 250
cos
= ar cos
50
= 80.86
4 250
Bn =
4VS
cos (n t1 )
n
B3 =
4 250
cos (3 80.86) = 48.37 V
3
Seal
portadora
Generacin
de
seales
Ac
Seal de
referencia
Ar
VS
2
Tensin de salida
m
Fig.7. 38
Modulacin en
anchura de pulsos.
Este mtodo consiste en hacer que en cada semiperodo halla un nmero entero de impulsos a la salida, los cuales estn modulados en anchura. La seal de salida
se obtiene por comparacin de una seal de referencia con una portadora tal y como se
ve en la figura 7.38 conjuntamente con las seales de puerta que se utilizan para conmutar a los transistores.
La frecuencia fr de la seal de referencia nos proporciona la frecuencia f que
tendr la seal de salida, y la frecuencia fc de la onda portadora nos determina el nmero p de pulsos por semiciclo.
El ndice de modulacin M controla la tensin de salida, conocindose este
tipo de modulacin tambin como Modulacin Uniforme de Anchura de Pulsos
(UPWM). El nmero de pulsos por semiciclo lo obtenemos del siguiente modo:
p=
m
fc
= f
2 f
2
E 7. 29
donde:
mf =
fc
f
Vo ( RMS ) =
+
p
2
p
2
2 p
2
VS2 d ( t ) = VS
E 7. 30
v o (t ) =
n =1, 3, 5 ...
sen(n t )
E 7. 31
V 01
4 Vs /
0.9
0.8
2
0.7
V 03
4 Vs /
0.6
0.5
V 05
4 Vs /
0.4
3
2
0.3
V 07
0.2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
4 Vs /
0.1
0.8
0.9
/3
V 01
1
4Vs /
0.9
0.8
2
1
V 03
4Vs /
0.7
0.6
V 05
4Vs /
0.5
0.4
V 11
4
4
0.3
4Vs /
0.2
0.1
0
V 13
5
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
4Vs /
/6
V 01
4Vs /
0.9
V 03
0.8
4V s /
10
0.7
V 05
3
0.6
4Vs /
V 07
0.5
4V s /
0.4
5
0.3
V 11
4Vs /
0.2
3
4
V 13
0.1
4Vs /
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Fig.7. 39
0.6
0.7
0.8
0.9
10
Ejemplo 7.11
Dado el circuito de la figura, en donde: Rg1 = ... = Rg4 = 100 , f = 50
Hz, VS = 100 V, VX = VY = 0 V y R = 2.5 .
Se pide:
a) Disear el circuito de
control para obtener
2
1
cinco pulsos por semiciQ1
Q3
Rg1
Rg3
clo. Con un ndice de
11
8
7
D1
D3
12
modulacin M = 0.6,
Vg1
Vg3
V
calcular el ancho de pulVS
6
3
4
CARGA
so que se produce para
Q4
Q2
Rg4
Rg2
estas condiciones.
13
D4
14
D2
9
10
b) Calcular la tensin efiVg4
Vg2
caz Vo(RMS).
0
c) Obtener mediante simulacin con Pspice las siguientes grficas: Tensin de salida. Comparacin de la seal de referencia
con la portadora. Anlisis espectral de la tensin de salida.
d) Listado del programa.
VY
Solucin:
a) Para obtener cinco pulsos por semiperodo a la salida es necesario comparar dos seales (una portadora triangular y otra de referencia cuadrada) en donde la
frecuencia de la portadora ha de ser diez veces superior a la de referencia y como sta
debe tener una frecuencia fr = f = 50 Hz, tendremos:
f c = 10 f = 10 50 = 500 Hz
El ancho de pulso que se produce viene dado por la relacin siguiente: si para
M = 1 el ancho de pulso es 180/5 para un M = 0.6 tenemos:
= 36 0.6 = 21.6
T = 1.2 mseg.
Vo ( RMS ) =
2 p
2
+
p
2
p
2
VS2 d (t ) = VS
p
5 21.6
= 100
= 77.45 V
180
Como puede verse, la tensin eficaz de salida coincide con la del ejercicio 7.9
y esto se debe a que ambos ejercicios poseen el mismo ndice de modulacin.
c) En las figuras 7.40 y 7.41 se puede observar el ngulo de conduccin de los
transistores, que coincide con el terico del apartado a. Simulando este ejemplo para
ms ciclos (al menos dos ciclos o un total de 40 mseg.) obtendremos una tensi n eficaz a la salida de Vo(RMS) = 76.068 V aproximndose mucho al valor terico del apartado b.
Como puede observarse en la figura 7.42, los armnicos de orden ms bajo
estn disminuidos en amplitud con respecto a los que produce la modulacin de un
pulso por semiperodo, sin embargo, los de mayor orden (a partir del sptimo) crecen
en amplitud. Por lo tanto, para este tipo de modulacin es ms fcil aplicar un filtro de
segundo orden para obtener una seal senoidal lo ms perfecta posible, eliminando los
armnicos de orden ms alto.
Temperature: 27.0
(9.544m,99.843)
80V
(15.608m,22.018m)
40V
(14.395m,22.110m)
-0V
21.6
Fig.7. 40
Tensin de salida.
-40V
-80V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
V(3,6)
Time
Temperature: 27.0
REFERENCIA
PORTADORA
60V
(11.071m,30.000)
(0.000,50.000)
40V
Fig.7. 41
Comparacin de la
seal portadora con
la de referencia.
20V
0V
0s
5ms
V(17)
10ms
15ms
20ms
-V(16)
Time
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(50.000,75.671)
60V
ARMONICO 11
(450.000,45.560)
40V
ARMONICO 13
(550.000,33.503)
Fig.7. 42
Anlisis espectral de
la tensin de salida.
20V
0V
0H
0.2KH
0.4KH
0.6KH
0.8KH
1.0KH
1.2KH
1.4KH
1.6KH
V(3,6)
Frequency
RR1 15 0
2MEG
VR2 16 0
PULSE(0 -30V 10MS 1N 1N 10MS 20MS)
RR2 16 0
2MEG
* Subcircuito amplificador y excitador de los transistores:
XPW1 17 15 8 3 PWM
XPW2 17 15 10 0 PWM
XPW3 17 16 12 6 PWM
XPW4 17 16 14 0 PWM
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1
1 5
1K
R2 2 5
1K
RIN 5 0
2MEG
RF 5 3
100K
RO 6 3
75
CO 3 4
10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
* Parametros para el analisis:
.TRAN 10US 20MS 0 10US
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.00N RELTOL=0.01 VNTOL=0.1 ITL5=20000
.FOUR 50HZ V(3,6)
.END
Modulacin senoidal.
Seal portadora A c
Seal de referencia A r
t
1
fc
Seales obtenidas
de la comparacin
de Ac y Ar
g1
g2
Seal de excitacin de
los transistores de
ambas ramas.
Fig.7. 43
Generacin de pulsos
utilizando dos ondas
senoidales y tensin
de salida.
Ac
Ar
M=
Ar
Ac
2
Fig.7. 44
Comparacin entre una onda senoidal y una triangular unidireccional.
Vo ( RMS ) = VS
E 7. 32
p =1
V 01
Vs
0.9
0.8
V 05
Ar
Vs
Ac
0.7
0.6
V 08
Vs
V 07
Vs
0.5
2
0.4
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Ar
0.7
0.8
0.9
Ac
= M
V 01
Vs
Ar
0.9
Ac
0.8
0.7
V 09
0.6
Vs
0.5
2
0.4
V 07
Vs
0.3
V 11
0.2
4
Vs
0.1
4
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Ar
0.7
0.8
0.9
Ac
=M
V 01
Vs
0.9
1
0.8
V 09
y V15
Vs
Vs
Ar
Ac
0.7
0.6
V 11
y V 13
Vs
0.5
0.4
3
4
0.3
0.2
Vs
V 23
Vs
y V 25
Vs
0
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Ar
0.7
0.8
0.9
M=
1.3
1
1.2
1
1.1
1
0.9
0.8
0.7
Ac
V01
VS
V 03
Ac
Ar
VS
V05
VS
0.6
0.5
0.4
0.3
V 07
VS
0.2
0.1
0
0.5
1.5
M=
Ar
Ac
En comparacin con el caso anterior, este tipo de modulacin reduce signific ativamente el factor de distorsin eliminando todos los armnicos menores o iguales a
2p-1. Por ejemplo, para p = 5 (cinco pulsos por semiperodo) el armnico de menor
orden es el noveno.
La modulacin en anchura de pulso (PWM) introduce armnicos en un rango
alto de frecuencias alrededor de la frecuencia de disparo fc y sus mltiplos, es decir,
alrededor de los armnicos mf, 2mf, 3mf... La frecuencia a la que se producen estos
armnicos viene dada por:
f n = ( jm f k ) f c
E 7. 33
n = jm f k = 2 jp k
para j = 1, 2, 3...
k = 1, 3, 5...
E 7. 34
Vo1 = d VS
para 0 d 1
E 7. 35
v o (t ) =
4 VS
sen (n t )
n =1, 3 ,5 ... n
E 7. 36
4 VS
= 1.278 VS
que Vo1(mx) = 1.278 VS , depende del nmero de pulsos por semiciclo y es aproximadamente tres para p = 7 como se muestra en la figura 7.46.
Zona lineal
Zona no lineal
Vo1
VS
4
Fig.7. 46
Relacin entre el ndice de modulacin y la
tensin pico del fundamental.
Ejemplo 7.12
Dado el circuito inversor en puente monofsico de la figura, en el que
los datos son:
R = 2.5
VY
2
Q1
Rg1
8
Q3
D1
7
Vg1
3
VS = 100 V
VX = VY = 0 V
Q2
D4
13
12
Vg3
CARGA
Q4
Rg4
Rg3
11
VX
VS
14
D3
Rg2
9
D2
Vg4
10
f = 60 Hz
Vg2
Se pide:
a) Disear el circuito de control para modular la tensin de salida senoidalme nte con cinco pulsos por semiperodo y con ndice de modulacin M = 0.9.
b) Calcular la tensin eficaz de salida Vo(RMS) .
c) Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de
salida. Comparacin de las seales de referencia con la portadora. Anlisis
espectral de la tensin de salida. Listado del programa.
d) Simular el circuito para diez pulsos por semiperodo y comprese el anlisis
espectral de la tensin de salida con el de cinco pulsos por semiperodo.
Solucin:
a) El circuito de control es el siguiente:
Los valores tomados son:
RF
R1 = R2 = 1 K
R1
1
2
R2
RO
+
- E1
RIN
CO
RF = 100 K
Subcircuito
15
Vr1
17
16
Rr1
Vr2
Rr2
0
Vc
Rc
Ro = 75
Co = 10 pF
E1 = 2 105
Para obtener la modulacin pedida, se compara las seales de referencia senoidales (Vr1 y Vr2) de frecuencia fr = 60 Hz con una seal portadora (Vc) de frecuencia fc diez veces mayor para obtener cinco pulsos por semiperodo.
Para que el ndice de modulacin sea M = 0.9 se fija la amplitud de la seal
portadora (triangular) a 50 voltios, por lo que la amplitud de la de referencia ha de ser:
Ar = M Ac = 0.9 50 = 45 V
b) La tensin eficaz de salida viene dada por la ecuacin:
Vo ( RMS ) = VS
p =1
Temperature: 27.0
200V
150V
1.2536ms
1.1921ms
100V
50V
Fig.7. 47
Anchuras de los
pulsos del primer
semiperodo.
0V
0.5138ms
0.5117ms
1.4558ms
-50V
-100V
0s
1.0ms
2.0ms
3.0ms
4.0ms
5.0ms
6.0ms
7.0ms
8.0ms
V(3,6)
Time
En la siguiente tabla recogemos todos estos datos junto con los tiempos de
inicio y fin de cada uno de los pulsos. Las anchuras m se expresan tanto en tiempo
como en grados.
m
1
2
3
4
5
Tiempo inicial
0.6428 mseg.
1.9985 mseg.
3.4389 mseg.
5.1118 mseg.
7.1785 mseg.
Tiempo final
1.1545 mseg.
3.1906 mseg.
4.8947 mseg.
6.3654 mseg.
7.6923 mseg.
Duracin(mseg.)
0.5117 mseg.
1.1921 mseg.
1.4558 mseg.
1.2536 mseg.
0.5138 mseg.
Duracin (grados)
11.06
25.76
31.46
27.09
11.10
Vo ( RMS ) =
100
11.06+25.76 +31.46+27.09+11.10 = 76.91V
180
Temperature: 27.0
120V
(4.1667m,99.945)
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 48
Tensin de salida
-80V
-120V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
V(3,6)
Time
Temperature: 27.0
(16.667m,50.000)
PORTADORA
(12.500m,45.000)
(4.1667m,45.000)
40V
0V
-40V
Fig.7. 49
Comparacin de las seales
de referencia con la portadora.
SENALES DE
REFERENCIA
0s
2ms
v(17)
4ms
-v(15)
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
-v(16)
Time
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(59.988,88.413)
80V
60V
ARMONICO 9
40V
ARMONICO 7
(539.892,26.161)
Fig.7. 50
Anlisis espectral de la
tensin de salida.
(419.916,16.985)
20V
0V
0H
0.2KH
0.4KH
0.6KH
0.8KH
1.0KH
1.2KH
V(3,6)
Frequency
En la figura 7.50 observaremos que los armnicos de menor orden (3, 5 y 7),
son atenuados, pero en cambio, los de orden algo mayor (9,11...) son amplificados.
.END
d) Para obtener diez pulsos por semiperodo, la frecuencia de la seal tria ngular ha de ser veinte veces mayor que la de referencia, es decir, fc = 1200
Hz, siendo fr = 60 Hz.
Temperature: 27.0
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 51
Tensin de salida para diez
pulsos.
-80V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
v(3,6)
Time
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(60.024,88.383)
80V
60V
40V
ARMONICO 17
Fig.7. 52
Anlisis espectral de la tensin de salida para diez pulsos.
(1.0204K,17.143)
20V
0V
0H
0.5KH
1.0KH
1.5KH
2.0KH
2.5KH
3.0KH
3.5KH
4.0KH
v(3,6)
Frequency
Para que el mismo circuito module la tensin de salida con diez pulsos por
semiperodo, basta con cambiar en el listado las frecuencias de las seales de referen-
cia y portadora. En general, basta con sustituir el apartado "* Generacin de seales
de referencia y portadora" del listado ofrecido anteriormente por el que mostramos a
continuacin:
* Comparacion de senales de referencia y portadora:
VC 17 0
PULSE(50 0 0 416.75U 416.75U 1N 833.5U)
RC 17 0
2MEG
VR1 15 0
SIN(0 -45 60 0 0 0)
RR1 15 0
2MEG
VR2 16 0
SIN(0 45 60 0 0 0)
RR2 16 0
2MEG
Como conclusin al comparar las dos simulaciones podemos decir que al aumentar el nmero de pulsos por semiciclo se reduce el contenido de armnicos significativamente, tal y como se aprecia en las grficas de los anlisis espectrales. Esto se
debe a que este tipo de modulacin elimina los armnicos de orden menor o igual a
2p-1.
La tensin eficaz de salida para la simulacin de cinco pulsos por semiperodo
que Pspice proporciona es Vo(RMS) = 76.459 V. Esto lo podemos comprobar simulando
el ejemplo para varios ciclos.
Nota: Si se desea, se puede utilizar para la simulacin con diez pulsos por
semiperodo el archivo (T7E12A.CIR) contenido en el disquete adjunto.
Seal Portadora
Seal de referencia
180
60
240
300
360
120
Seal que se
aplica en la base
de Q1
t
2
m
m
Seal que se
aplica en la base
de Q
4
Fig.7. 53
Modulacin
senoidal
modificada en anchura de
pulsos.
t
2
Este tipo de modulacin aumenta la componente fundamental y las caractersticas armnicas son mejoradas con respecto a la tcnica anterior. Tambin reduce el
nmero de conmutaciones del circuito de potencia y por tanto, las prdidas por disparo
son menores.
Para los inversores trifsicos el nmero de pulsos durante los perodos de 60
inicial y final, viene dado por la proporcin:
fc
= 6 p + 3
f
E 7. 37
VY
Q1
Rg1
Q3
D1
7
Vg1
3
Rg4
CARGA
Q4
13
12
Vg3
Q2
D4
D2
Vg4
Rg3
11
VX
VS
14
D3
Rg2
10
Vg2
t
Fig.7. 54
Modulacin con alternancias positivas y
negativas en cada semiciclo.
Con este tipo de modulacin tambin se pueden reducir los primeros armnicos. Para ello si observamos la figura 7.55 podremos desarrollar la tensin instantnea
de salida en series de Fourier como:
v o (t ) =
a sen(n t )
n =1, 3, 5 ...
E 7. 38
siendo:
an =
+
+
1
2
4
4
VS sen (n t )d ( t ) VS sen(n t )d ( t ) +
0
1
- 2
- 1
4
4
VS
sen(n t )d ( t ) VS sen (n t )d ( t ) +
2
- 2
4
4
1 2 cos (n1 ) + 2 cos(n2 )
VS sen(n t )d ( t ) =
VS
2
n
2 = 33.3
Vs
2
- Vs
2
Fig.7. 55
1
2
1
2
Fig.7. 56
Control de la
corriente
por
banda de tolerancia.
7.4 Filtrado
7.4.1 FILTRADO DE LA TENSIN DE SALIDA.
Cuando se requiere reducir la distorsin armnica de la tensin de salida de un
inversor de frecuencia fija o poco variable, se dispone un filtro a la salida que permite
el paso de la onda fundamental y se lo impide a los armnicos.
Casi todos los filtros empleados para este propsito tienen configuracin en L
y en la figura 7.57 se presenta el esquema generalizado.
Zs
Von
Zp
VoFn
C
A
R
G
A
Z Ln
Fig.7. 57
Esquema de conexin de un filtro.
Filtro
La rama serie debe tener una baja impedancia a la frecuencia del fundamental
para que no halla prdidas de tensin y una alta impedancia a la frecuencia de los armnicos que se quieren eliminar. La rama paralelo debe comportarse de forma opuesta
para no cargar al inversor con una intensidad de frecuencia igual a la del fundamental
y para cortocircuitarse a la frecuencia de los dems armnicos.
Se llama atenuacin del filtro para una determinada frecuencia, a la relacin
entre la tensin de salida y la de entrada a dicha frecuencia. Llamando Zsn y Zpn a la
impedancia de las ramas serie y paralelo. Para el armnico de orden n y para funcionamiento en vaco se tiene:
atenuacin =
Z pn
VoFn
=
Von
Z sn + Z pn
E 7. 39
Z pn =
Z pn Z Ln
Z pn + Z Ln
LS
LS
CP
CP
LC Simple
Resonante Serie
LS
Lp
Resonante Paralelo
LS
CS
Lp
CP
CP
Fig.7. 58
Diversos tipos de filtros en
L.
Resonante Serie-Paralelo
1 LS =
1
1 C S
E 7. 40
1
1 L p =
1 C p
con lo que:
Z s1 = j 1 LS j
1
=0
1CS
E 7. 41
=
=
( j1L p ) + j 1C
1 p
( j L ) j
1
Z p1
1
1 C p
VoFn
=
Von
E 7. 42
2
1 Cp
1 n
n Cs
La ganancia G 1.
RL
1
LC
R C
2 L
Ejemplo 7.13
Simular con Pspice el circuito inversor de batera de toma media de la
figura al que se le aplica un circuito de control que produce una modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
RF
Rg1
6
V1
Q1
D1
Vg1
R2
RO
+ E1
-
R IN
CO
Q2
Rg2
V2
R1
D2
Subcircuito
RL
Vg2
15
Vr1
17
16
5
Rr1
Vr2
R r2
Vc
Rc
R = 0.4
L = 0.1 H.
C = 10 mF.
V2 = 100 V.
V1 = 100 V.
Los valores para el circuito de control son los mismos que para
ejemplos anteriores.
a) Obtener las siguientes grficas: Tensin antes del filtro. Tensin de spus del filtro y anlisis espectral de esta tensin. Intensidad por D1 .
b) Listado de la simulacin.
Solucin:
a) Las grficas son:
Date/Time run: 03/05/96 10:34:05
200V
Temperature: 27.0
(15.083m,100.873)
(8.3333m,100.782)
100V
0V
(1.6525m,-1.1860)
Fig.7. 59
Tensin de salida
sin filtro.
-100V
-200V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
v(3,0)
Time
Temperature: 27.0
(6.5756m,98.828)
80V
40V
(8.3500m,3.6264)
-0V
(1.6525m,16.993m)
-40V
Fig.7. 60
Tensin a la salida
despus del filtro.
-80V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
v(9,0)
Time
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(59.988,90.249)
80V
60V
ARMONICO 3
40V
(179.964,18.913)
Fig.7. 61
Anlisis espectral
de la tensin de
salida filtrada.
ARMONICO 5
20V
(299.940,17.871)
0V
0H
200H
400H
600H
800H
v(9,0)
Frequency
Temperature: 27.0
1.2A
(15.083m,1.0205)
1.0A
0.8A
0.6A
0.4A
Fig.7. 62
Intensidad en D1
(15.814m,-157.815p)
(15.069m,-199.983p)
0.2A
-0.0A
12ms
13ms
14ms
15ms
16ms
17ms
18ms
I(D1)
Time
RC 17 0 2MEG
VR1 15 0 PULSE(0 -30 0 1N 1N 8333.3333U 16666.6666U)
RR1 15 0 2MEG
VR2 16 0 PULSE(0 -30 8333.3333UM 1N 1N 8333.3333U 16666.6666U)
RR2 16 0 2MEG
* Subcircuito comparador y amplificador:
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1 1 5 1K
R2 2 5 1K
RIN 5 0 2MEG
RF 5 3 100K
RO 6 3 75
CO 3 4 10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
* Parametros para el analisis:
.PROBE
.FOUR 60HZ V(9,0)
.TRAN 10U 16.67M 0 10U
.ac lin 101
10
1.000k ; *ipsp*
.END
Para la obtencin de un pulso por semiperodo, utilizamos una seal de referencia cuadrada que corta a una triangular de la misma frecuencia, posteriormente
amplificamos dicha diferencia y la aplicamos a los transistores del puente. Esto se
puede apreciar en el listado anterior en los apartados Generacin de las seales portadora y de referencia y Subcircuito comparador y amplificador respectivamente.
El filtro utilizado se define en el apartado Filtro del listado en el que se puede apreciar que se trata de un filtro de tensin serie conectado entre los nudos (3) y (0)
en el que la carga se conecta en paralelo con el condensador tal y como se muestra en
el grfico del enunciado.
Ejemplo 7.14
Dado el circuito inversor de la figura, se pide disear y calcular el
filtro de tensin que presenta entre los nudos (4) y (6). Los valore s de
los componentes tomados para el puente inversor son los mismos que
para el ejemplo 7.12.
Se debe controlar la tensin de salida con un circuito comparador como el
del eje mplo 7.13 que proporcione una modulacin senoidal con cinco pulsos por
semiperodo y un ndice de modulacin M = 0.9. Los valores de los componentes
del circuito comparador se tomarn del ejemplo 7.12.
VY
1
RL
Q1
Rg1
Q3
D1
7
Vg1
VX
VS
3
Rg4
20
21
Q2
D4
12
Vg3
19
14
Q4
Rg3
11
D3
D2
Rg2
Vg4
10
Vg2
R C
=
= 0.6
2 L
n =
1
LC
C
1.2 = R
L
LC =
1
n2
1.2 = C
L
0.4
C=
C = 9L
1
Ln2
9L =
1
Ln2
L2 =
1
9n2
1
9n2
L=
L = 4.54 mH
R = 0.4
Temperature: 27.0
80V
40V
-0V
-40V
Fig.7. 63
Tensin de salida
sin filtro.
-80V
-120V
0s
1.0ms
2.0ms
3.0ms
4.0ms
5.0ms
6.0ms
7.0ms
8.0ms
9.0ms
v(6,4)
Time
Temperature: 27.0
50V
0V
-50V
Fig.7. 64
Tensin de salida
despus del filtro.
-100V
0s
1.0ms
v(20,4)
2.0ms
3.0ms
4.0ms
5.0ms
6.0ms
7.0ms
8.0ms
9.0ms
Time
Temperature: 27.0
FUNDAMENTAL
(600.024,64.790)
60V
ARMONICO 9
40V
(5.4002K,20.835)
ARMONICO 11
(6.6003K,22.784)
Fig.7. 65
Anlisis espectral
de la tensin de
salida filtrada.
20V
0V
0H
2KH
4KH
6KH
8KH
10KH
12KH
v(20,4)
Frequency
Comparando las figuras 7.63 y 7.64 podemos ver el efecto que produce el filtro en la reduccin de picos de tensin. La supresin de los armnicos n3 y n5 que se
puede apreciar en la figura 7.65 es un efecto producido por la modulacin senoidal. La
atenuacin que produce el filtro sobre el resto de los armnicos ser comprobable con
la simulacin del ejemplo sin filtro y comprobando que dichos armnicos (superiores
al quinto) tienen una amplitud ligeramente mayor.
Para eliminar el filtro basta con introducir un asterisco * al principio de cada
lnea que deseemos eliminar.
El listado para la simulacin:
(T7E14.CIR) SIMULACION DEL EJEMPLO 7.14
*INVERSOR MONOFASICO CON MODULACION SENOIDAL DE 5
*PULSOS POR SEMIPERIODO Y FILTRO DE TENSION A LA SALIDA
* Transistores del puente inversor:
Q1 2 7 3 QMOD
Q2 6 9 0 QMOD
Q3 2 11 6 QMOD
Q4 3 13 0 QMOD
.MODEL QMOD NPN(IS=6.734F BF=416.4 CJC=3.638P CJE=4.493P)
* Resistencias de base de los transistores:
RG1 8 7
100
RG2 10 9
100
RG3 12 11
100
RG4 14 13
100
* Diodos en antiparalelo:
D1 3 2
DMOD
D2 0 6
DMOD
D3 6 2
DMOD
D4 0 3
DMOD
.MODEL DMOD D(IS=2.2E-15 BV=1800V TT=0)
* Fuentes C.C. del circuito:
VX 3 4
0
VY 1 2
0
* Bateria C.C.:
VS 1 0
100V
* Filtro de tension:
L 6 20
0.004547H
R 20 21
0.4
C 21 4
0.04092F
* Carga:
RL 21 4
100
* Generacion de las senales de referencia y portadora:
VC 17 0
PULSE(50 0 0 83.33333U 83.33333U 1N 166.666667U)
RC 17 0
2MEG
VR1 15 0
SIN(0 -45 600 0 0 0)
RR1 15 0
2MEG
VR2 16 0
SIN(0 45 600 0 0 0)
RR2 16 0
2MEG
* Subcircuitos excitadores de los transistores:
XPW1 17 15 8 3 PWM
XPW2 17 15 10 0 PWM
XPW3 17 16 12 6 PWM
XPW4 17 16 14 0 PWM
* Subcircuito comparador y amplificador:
.SUBCKT PWM 1 2 3 4
R1 1 5
1K
R2 2 5
1K
RIN 5 0
2MEG
RF 5 3
100K
RO 6 3
75
CO 3 4
10P
E1 6 4 0 5 2E+5
.ENDS PWM
* Parametros para el analisis:
.TRAN 100US 8.333MS 0 100US
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.00N RELTOL=0.01 VNTOL=0.1
.FOUR 600HZ V(3,6)
.END
Nota: Recordamos que si se desea eliminar algn componente para la simulacin habr que reajustar el valor de los nudos en el listado.
Ejemplo 7.15
El inversor en puente monofsico de la figura tiene una carga RLC tal
que:
Q3
Q1
D1
D3
CARGA
RLC
S
Q4
D4
Q2
D2
j
j
j 23.68
=
=
6
2 n f C 2 n 60 112 10
n
23.68
Z n = 10 + 11.87 n
11.87 n 23.68
n = arctg1.187 n 2.368
n = arctg
10
Bn =
+
1
2
4
4
V S sen(n t )d ( t ) VS sen (nt )d ( t ) +
0
1
4
4 1 2 cos(n1 ) + 2 cos(n2 )
VS 2 sen(n t )d ( t ) = VS
2
por tanto, tal y como se vio en la teora, para 1 = 23.62 y 2 = 33.3 se eliminan el
tercer y el quinto armnico. Sustituyendo stos en la ecuacin anterior, obtendremos
los coeficientes de Fourier que se necesitan para el clculo de la tensin instantnea de
salida, que viene dada por:
v o (t ) =
B sen (n t )
n =1 ,3 , 5...
resultando:
Z n = 10 X e
donde el valor de la impedancia del filtro es:
Xe =
1
377nCe
23.68
10
Z n = 10 2 + 11.87n
=
n
377 n Ce
Ce = 47.3 F
Ejemplo 7.16
Un inversor monofsico cuya frecuencia de funcionamiento es de 50
Hz, tiene a su salida un filtro resonante serie -paralelo y una carga
resistiva de valor R = 120 . Calcular los componentes del filtro para
obtener un factor de distorsin armnica menor al 5% en circuito abierto. La
modulacin se realiza mediante un pulso por semiperodo.
Solucin:
El contenido de armnicos de un inversor modulado mediante un pulso por
semiperodo es proporcional a 1/n. La ecuacin 7.42 nos indicar el valor de los componentes:
VoFn
=
Von
1
1
2
Cp
1
n
Cs
n
A=
Cs L p
=
C p Ls
VoFn
=
Von
1
1
1
1 n
A
n
4
1
=
2
100
1 1
1 3
3
A
3
A = 0.7619
y como LS debe ser mucho menor que la carga (aproximadamente el 30% de sta)
para que no se produzca cambios de tensin excesivos frente a variaciones en la carga,
obtendremos:
2 50 LS = 0.3 120
LS =
120 0.3
= 0.115 H
250
y como:
A=
CS L p
=
C p LS
1 =
1
LS C S
1
Lp Cp
por tanto:
CS =
1
1
=
= 88.1 F
2
LS 1 0.115(2 50 )2
Cp =
CS
88.1
=
= 115.64 F
A 0.7619
Ejemplo 7.17
Disea un filtro LC pasabajo para un inversor en puente monofsico
con control PWM senoidal con once pulsos por semiperodo para que
la amplitud del componente armnico de orden once no exceda del 4%
siendo el coeficiente de Fourier de ste armnico b11 = 0.601. La tensin de salida
es Vo = 240 V, la frecuencia f = 50 Hz y la intensidad de salida I o = 16 A siendo la
carga resistiva.
Solucin:
El filtro LC se muestra en la figura y su ecuacin de definicin viene dada por:
Ls
Von
Von
V
= oFn
LS + C p // R C p // R
Cp
VoFn
VoFn LS + C p // R
1
=
=
jL
Von
C p // R
1 2 CL +
R
fr =
LS C p =
2 LS C p
1
= 1.29 10 6
2
(2 140 )
R=
240
= 15
16
VoFn =
240 4
= 9.6 V
100
VoFn
9.6
=
=
Von 144.24
Cp =
1.29 10 6
= 72 F
0.018
Fuente de alimentacin
continua variable
IL
+
Le
L
Q1
+ VS
Q3
D3
D1
VS
Dm
Ce
i o(t)
Q2
D2
CARGA
En la figura 7.66, se
muestra un inversor monofsico
de este tipo en donde la bobina L
debe tener un valor muy alto
para que la intensidad se mantenga constante, siendo los diodos D1 , D2 , D3 y D4 , dispuestos
en serie con los transistores,
utilizados para bloquear las tensiones inversas en los transistores.
Q4
D4
Fig.7. 66
Inversor en fuente de corriente.
g1
t
Seales que se
aplican a las
bases de los
transistores de la
figura 1.1
g2
t
g3
t
g4
t
Intensidad en la
carga
IL
Fig.7. 67
Formas de onda en el inversor.
t
2
Intensidad del fundamental
Manteniendo excitados los transistores Q1 y Q4 se dirige la intensidad a la carga en sentido X Y, bloqueando dichos transistores y excitando Q2 y Q3 la intensidad se dirigir en sentido contrario al anterior. De esta forma, la carga siempre recibe
una onda cuadrada de intensidad de amplitud IL , dependiendo la tensin del carcter
de la carga conectada a la salida.
En la figura 7.67 se muestra la intensidad en la carga, la secuencia de conduccin de los transistores es: Q1 - Q2 , Q2 - Q3 , Q3 - Q4 y Q4 - Q1 , siendo la intensidad
instantnea en la carga calculada de la siguiente forma:
i o (t ) =
4 IL
n
sen
sen (n t )
2
n =1, 3 ,5 ... n
IL
T1
D1
VS
T3
C1
Vo
Io
T1
D3
T4
Io
T3
Vo
D3
CARGA
C2
(3)
T2
IL
T2
C1
T1
D1
VS
Io
Vo
Io
T3
D3
CARGA
D4
D2
D4
T4
C2
(2)
C1
D1
VS
D2
Io
+
T1
T3
D3
T4
(1)
L
Vo
Io
D4
T2
Io
CARGA
D2
D4
C1
D1
VS
CARGA
E 7. 43
D2
Io
C2
T4
T2
(4)
Fig.7. 68
Inversor monofsico con tiristores como fuente de intensidad. (1) Conduccin de T 1 y T 2. (2) Bloqueo
de T 1 y T 2 . (3) Conduccin de T 3 y T 4 . (4) Bloqueo de T 3 y T 4 .
Para un inversor en fuente de intensidad diseado con tiristores se necesita insertar dos condensadores entre las ramas del inversor como se muestra en la figura
7.68.
El funcionamiento del circuito considerando los diodos ideales es el siguiente:
Grfica (1). En este perodo conducen los tiristores T1 y T2 y los condensadores C1 y C2 se cargan a la tensin Vo de la carga con la polaridad indicada en
la grfica.
Grfica (3). Los condensadores se vuelven a cargar con la tensin Vo y la polaridad indicada en la grfica. La intensidad que recorre la carga es opuesta a
los casos anteriores.
Los condensadores C1 y C2 se cargan y descargan en proporcin a la intensidad que circula por la carga, Im = IL .
El tiempo de conmutacin depender de la amplitud de la intensidad y de la
tensin en la carga.
L
IL
Q1
D1
Vs
Q5
Q3
D3
D5
b
Q4
c
Q6
D6
D4
Ia
Q2
Ib
Fig.7. 69
Circuito inversor trifsico en fuente
de intensidad.
Ic
D2
R
R
R
n
g
g
Seales
de puerta
g
g
g
g
Intensidades
de lnea
t
t
I c
Fig.7. 70
Formas de onda.
i a (t ) =
4 IL
cos
sen n t +
6
6
n =1, 3 ,5 ... n
E 7. 44
V
+
A1
Generador
de onda
triangular
a Q1
Fig.7. 71
Circuito de disparo.
A2
a Q2
VS
2
Ac
Ar
Fig.7. 72
Onda triangular, senoidal y
de salida.
1
tp
t
1
2f
Cuando la seal senoidal sea mayor que la triangular tendremos a la salida del
comparador A1 un 1 lgico, por el contrario, cuando la onda triangular sea mayor
que la senoidal se tendr un 0 lgico, obteni ndose durante el primer semiciclo de la
onda senoidal el tren de impulsos mostrado. Igualmente comparando con la seal senoidal invertida se obtendrn los impulsos necesarios para el semiciclo negativo.
Con los impulsos del primer semiciclo se dispara el tiristor o transistor 1 y con
los del segundo semiciclo el tiristor o transistor 2 si se trata, por ejemplo, del circuito
de potencia de un inversor con transformador de toma media.
En cuanto al paso de conduccin a bloqueo, en el caso de que el circuito de
potencia contenga a transistores de unin o de efecto de campo basta con suprimir la
seal en el terminal de puerta, es decir, para el ejemplo del caso de la figura 7.71 los
mismos impulsos generados produciran el disparo y bloqueo de los transistores.
En el caso de que en el circuito de potencia halla tiristores, la conmutacin se
puede hacer por carga o forzada. En el supuesto de que el control se haga mediante la
modulacin de un slo impulso por semiciclo, para que la conmutacin se produzca de
una forma natural por carga, la naturaleza de la carga ha de ser tal que la corriente se
ha de anular antes de que comience el siguiente semiciclo. Esta condicin exige que la
corriente est adelantada con respecto a la tensin, para lo cual la carga ha de ser predominantemente capacitiva. Tambin se puede lograr la conmutacin por carga eligiendo los valores del condensador y de la bobina para que el circuito entre en resonancia.
En el caso de que la carga no sea capacitiva hay que efectuar una conmutacin
forzada.
Ejemplo 7.18
Comprobar que utilizando una sola seal alterna se puede disear un
circuito de control como el de la figura 7.71. Simula con Pspice un
circuito de control PWM senoidal utilizando una sola fuente de alterna.
Solucin:
R1
1
8
2
A LA PRIMERA RAMA
741
R3
6
11
VS1
5
R4
VT
8
7
741
R2
3
L1
L2
A LA SEGUNDA RAMA
Fig.7. 73
Circuito para Pspice.
10
11
El esquema del circuito empleado para la simulacin lo mostramos en la figura anterior, en ste se emplean dos circuitos operacionales UA741 que estn disponibles en la librera MEUHP.LIB. Uno de los operacionales necesitar la seal alterna
invertida para generar los impulsos de una de las ramas.
Como se explica en teora, esto lo conseguimos utilizando dos bobinas acopladas magntic amente. Su listado correspondiente:
L2 0 3 10H
K12 L1 L2 0.999
* Fuentes c.c. de alimentacion de los operacionales:
VC1 8 0 19
VC2 0 11 19
* Amplificadores operacionales:
XA1 2 6 8 11 9 UA741/TI
XA2 4 7 8 11 10 UA741/TI
.LIB C:MEUHP.LIB
* Parametros para el analisis:
.PROBE
.FOUR 50HZ V(9,0)
.tran 1.000u 40M 50U
; *ipsp*
.END
La figura 7.74 nos muestra los pulsos que se deben aplicar a una rama del
inversor, que corresponden a los primeros semiciclos de la seal de salida.
Los operacionales actan a modo de comparadores, de forma que si la tensin
senoidal, aplicada en el terminal positivo, es mayor que la de referencia, aplicada al
terminal negativo, el operacional se satura a positivo y cuando es menor se satura a
negativo. De esta forma se obtienen los pulsos que se aplican a la base de los transistores (o a las puertas de los tiristores) de cada rama del inversor. Recordando la modulacin PWM senoidal, la anchura de estos pulsos dependen de las amplitudes de las dos
ondas a comparar, como consecuencia, esta es variable en cada semiciclo.
La figura 7.75 muestra los pulsos que se deben aplicar a la otra rama del inversor, que corresponder a los segundos semiciclos de la seal de salida.
Date/Time run: 04/08/96 16:58:29
20V
Temperature: 27.0
IMPULSOS PARA LA
(8.2552m,17.006)
PRIMERA RAMA
0V
(8.4560m,-17.002)
-20V
v(9,0)
18V
VT
(25.132m,7.9931)
Fig.7. 74
Generacin de pulsos en
el primer semiciclo.
0V
VS1
(15.000m,-8.0000)
-12V
0s
5ms
v(1,0)
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
v(5,0)
Time
Temperature: 27.0
IMPULSOS PARA LA
(18.331m,16.986)
SEGUNDA RAMA
0V
(18.522m,-17.005)
-20V
V(10,0)
18V
(1.0000m,12.000)
VT
(15.000m,7.9945)
Fig.7. 75
Generacin de impulsos
para el segundo semiperodo.
0V
VS1
(5.0000m,-7.9895)
-12V
0s
5ms
V(5,0)
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
V(3,0)
Time
7.7 Aplicaciones
Actualmente existen multitud de aplicaciones para los convertidores DC/AC.
Entre ellas puede citarse el control de motores de corriente alterna, donde se hace necesario un rectificador controlado para convertir a continua la seal alterna y regular la
potencia entregada al motor, para despus volver a ondular la seal mediante un inversor. Otro ejemplo de aplicacin de los inversores u onduladores es el de la recuperacin de la energa rotrica de un motor donde, mediante escobillas se recoge la energa
que se pierde por rozamiento en el rotor de ste y, a travs de un inversor, se convierte
a la tensin y frecuencia necesarias para devolverla a la red.
Sin embargo, las dos aplicaciones que se han considerado como ms generalizadas en la actualidad son los sistemas de alimentacin ininterrumpida de C.A. y los
sistemas de conversin de energa fotovoltaica.
Estos sistemas se encargan de proveer de energa a una instalacin cuando falla la tensin de red y constan de tres partes esencialmente. La primera es especfic amente un rectificador que se encarga de alimentar las bateras de C.C. cuando la tensin de red no est cortada, segn podemos ver en la figura 7.76. La segunda parte es
el inversor que se necesita para convertir la energa de la batera a alterna, siendo la
tercera parte del sistema los interruptores necesarios para aislar al inversor de la red.
Red c.a.
Fig.7. 76
Esquema de carga de las bateras
En la figura 7.77 se muestra un sistema de alimentacin completo de tres ramas con un interruptor esttico en cada una de ellas para aislarlas cuando una de ellas
falla y que de esta forma no se vea perturbada la alimentacin de la carga.
Cada rama tiene una potencia igual a 1/m de la potencia de la carga (m n).
Se llama "grado de redundancia al cociente" a la relacin:
Red
c.a.
Rectificador
Inversor
Interruptor
Esttico
Rectificador
Inversor
Interruptor
Esttico
Inversor
Interruptor
Esttico
Carga
Rectificador
Fig.7. 77
Diagrama general de bloques de un S.A.I. de C.A.
Para bajas potencias lo ms normal es que n = 1, configuracin en que la relacin coste - fiabilidad tiene el mayor valor. Por encima de 300 KW es mejor poner
varios mdulos para poder suministrar la potencia (n > 1) que poner un slo mdulo
asociando en serie y en paralelo sus tiristores.
A veces se da tambin el caso de usar varios mdulos sin la ayuda de la red
como fuente alimentadora directa, sobre todo cuando la carga debe ser alimentada a
una frecuencia distinta de la de la red.
Entre las aplicaciones de los S.A.I. de C.A. destacan la alimentacin de instrumentacin de plantas qumicas y de gas, sistemas de control de transmisin de procesos, para instalaciones de tiempo compartido, equipos para comunicaciones en aeropuertos, acondicionamientos industriales, etc.
CORRIENTE DE CONEXIN
DEL FILTRO
FILTRO
120 HZ.
SEAL DEL
RECTIFICADOR
DC
AC
AC
INVERSOR
DE ALTA
FRECUENCIA
TRANSFORMADOR DE
ALTA FRECUENCIA
TENSIN DE RED
AC
DC
RECTIFICADOR
DE ALTA
FRECUENCIA
DC
INVERSOR
Fig.7. 78
Esquema de conversin de potencia
en conexin de alta
frecuencia.
CONVERTIDOR AC - AC
PANEL
FOTOVOLTAICO
TENSIN DE SALIDA EN
FASE CON LA TENSIN DE RED
El sistema de tensin continua variable se convierte a alterna de alta frecuencia con un inversor en puente completo con transistores, el cual opera en un rango de
frecuencia de 10 - 16 KHz.
La tensin alterna tiene en la conexin de alta frecuencia un control PWM que
la modula senoidalmente hasta conseguir una seal de 50 Hz. La seal PWM de alta
frecuencia se rectifica con un puente de diodos el cual despus de filtrar las componentes portadoras tiene la forma de onda de un rectificador en puente. La intensidad
resultante de la conexin AC/DC es mandada alternativamente por el inversor que est
alimentado por la lnea de alterna para que est en fase con la tensin. El inversor de
alta frecuencia con el rectificador y el filtro en L se considera una conexin de alta
frecuencia c.c.-c.c. buck chopper donde los transistores son controlados para sintetizar un rectificador en puente en la conexin de continua.
El chopper opera como un rectificador de onda completa y contador de seal
EMF grabado por la inversin de polaridad del inversor. En vista de que la potencia a
la frecuencia del fundamental de la seal de salida del convertidor ha de compensar la
salida, la corriente del sistema flucta con un armnico de orden dos elevado. Se ha
dispuesto un filtro por condensador de alta capacidad para suavizar la intensidad del
sistema.
CONTACTORES
INVERSOR
Q1
RECTIFICADOR
INVERSOR
Q5
Q2
T1
D1
Q6
CONTACTORES
D2
D5
Q3
Q4
D3
D4
TENSIN AC
Q7
Q8
CONTROL DE LAS
BASES DE LOS
TRANSISTORES
MICROPROCESADOR
Bibliografa
(1) AGUILAR PEA J.D., GOMEZ LOPEZ J., MARTOS PARTAL M. Convertidores DC-AC. Coleccin de apuntes. Universidad de Jan 96/97.
(2) GUALDA J. A. , MARTNEZ S. Electrnica Industrial: Tcnicas de potencia.
Ed. Marcombo. Barcelona 1992.
(3) GALLARDO J. F. , RUZ J. M. Electrnica Industrial, Aplicaciones. 5/93.
(4) RASHID MUHAMMAD. Power electronics. Circuits, devices and applications.
Ed. Prentice-Hall International. 1993.
(5) FISHER M. J. Power electronics. Ed. PWS-KENT.
(6) HERRANZ ACERO, G. Electrnica Industrial. E.T.S.I.T. Madrid 1990.
(7) KIJELD THORBORG. Power Electronics. Ed. Prentice-Hall International.
(8) FINNEY D. The power thiristor and its applications. Ed. McGraw-Hill Company.
(9) SANTIAGO LORENZO, JOSE M. RUIZ, ALFREDO MARTN, ENRIQUE
L. VALENTN. PECADS. II Convertidores cc/ca (versin bsica). Ed. Edibon S.A.
(10) LANDER CYRIL, W. Power Electronics. Ed. McGraw-Hill Book Company.
Segunda Edicin.
(11) AGUILAR PEA, J. D. Dispositivos de cuatro capas.
(12) MOHAN NED, UNDELAN TORE, ROBBINS WILLIAN P. Power
Electronics: Converters, Applications and Design, John Wiley&Son, 1989.