1.

- Objetivos

Comprobar experimentalmente el disparo de un tiristor con elementos discretos y

este est conectado a una carga.

Armar circuitos de activacin de un tiristor y observar las ventajas y desventajas de

cada uno de ellos.

2.- Introduccin
Los tiristores son sumamente populares en el control de potencia en cargas resistivas e
inductivas como motores, solenoides, calefactores, etc. Comparados con los dispositivos
equivalentes mecnicos como son los rels, los tiristores ofrecen mayor fiabilidad,
mejores prestaciones y menor costo. Una de las aplicaciones ms tpicas de uso
domstico es el regulador de luz. En cuanto a motores el control de velocidad se ha
realizado en base a SCR en mayor medida que en TRIAC. A primera vista, el TRIAC
presenta mayores ventajas debido a su simetra, lo que le confiere ciertas ventajas frente
al SCR que nicamente conduce en un semiperiodo. Sin embargo, el TRIAC tiene unas
caractersticas dv/dt inadecuadas para el control de motores y es difcil la realizacin de
circuitos de control simtricos. Otra aplicacin es el control de calor en una habitacin
empleando un sensor de temperatura. Este control puede ser bien utilizando una fuente
de calor o bien usando un ventilador.
En esta experiencia se analizaran dos formas de disparar o activar un tiristor usando
elementos discretos.

3.- Fundamento Terico

3.1 Funcionamiento del tiristor:
La estructura fsica base de los miembros de la familia de los tiristores est formada por
cuatro capas de semiconductores P y N como se ilustra en la Figura 2.1, figura donde
tambin se ha incluido el smbolo del SCR por ser el dispositivo ms representativo de la
familia.

Un tiristor, o con mayor

precisin, un SCR
puede
conducir
solo
cuando su nodo
es positivo respecto al ctodo.
Para pasar de la
condicin de corte a la de
conduccin,
se
requiere aplicar un pulso
positivo de energa suficiente en el terminal de
compuerta. Mientras no se produzca el disparo, el SCR permanece en condiciones de
bloqueo, tanto con tensiones nodo - ctodo positivas como negativas. Con el nodo
positivo respecto al ctodo, el SCR, si bien se encuentra habilitado a cambiar de estado,
no conduce y la tensin aplicada es soportada por la juntura J2. Cuando el nodo es
negativo respecto del ctodo, el SCR se encuentra en una condicin inherente de no
conduccin y se mantiene as an excitndolo.
La tensin inversa es soportada por las junturas J3 y J1; sin embargo, la tensin de
avalancha de J1 es pequea y consecuentemente es J3 quien soporta la tensin aplicada
y limita la corriente inversa de fuga. Para explicar el funcionamiento del SCR, se recurre a
analizar un smil resultante de desdoblar a las cuatro junturas de la figura 2.1 en dos
transistores interconectados entre s, en configuracin de par complementario, y
presentando en consecuencia una realimentacin positiva. Este modelo, representado en
la figura 2.2, tiene validez con el SCR bloqueado (antes del disparo) y en el momento del
encendido; no vale cuando el SCR se encuentra conduciendo.

Sin excitacin, con IGP = IGN = 0, planteando las ecuaciones de los transistores Q1 y Q2:

La suma ICO1+ ICO2 es en realidad una sola corriente de saturacin inversa ICX que
tiene lugar en la juntura central J2.
Reemplazando y despejando IA se obtiene:

En estado de bloqueo, el valor de alfa de un transistor es mucho menor que la unidad, en

consecuencia
y en consecuencia, la corriente directa por el tiristor, IA no es
ms que una corriente inversa de saturacin. Para que se establezca el estado de
conduccin,

y entonces

infinito y solamente es limitada por la carga en

serie con el SCR. De igual manera, en trminos de la ganancia

se obtiene:

Reemplazando se obtiene:

En la ecuacin anterior si se toma en cuenta que:

reemplazando se obtiene la ecuacin anterior.

En estado de bloqueo

(zona de corte de un transistor de silicio) y en conduccin,

durante la excitacin del tiristor,

es un nmero mayor que la unidad, pero ya con

el tiristor conduce con IA que tiende a infinito. Ambas ecuaciones demuestran

que el tiristor se puede encontrar en uno de sus dos estados posibles y que para pasar
del estado de corte al de conduccin, se debe alcanzar la condicin de ganancia igual a
uno. Si ahora se supone que ambas compuertas se encuentran excitadas, es decir con
circulacin de corrientes:

Igualmente:

reemplazando IC1:

Despejando IK y reemplazando:

de donde:

La ecuacin anterior, cuando no hay excitacin de compuerta queda reducida a la

ecuacin ya deducida cuando esta corriente es nula. La circulacin de estas corrientes
produce el inicio de la conduccin realimentada positivamente, que al alcanzar una
ganancia igual a uno, lleva al tiristor a la condicin de conduccin, aunque desaparezca el
pulso inicial. Un pulso en GP constituye el mtodo ms efectivo de encendido, mientras
que un pulso en GN necesita de mayor energa para encender al tiristor, debiendo
aplicarse un pulso negativo entre dicha puerta y nodo. Normalmente solo se dispone de
acceso a la compuerta vinculada con la capa P1, a excepcin de los dispositivos PUT
(Programmable Unijuntion Thiristors) que utilizan la compuerta GN. Cabe aclarar, que si
bien la inyeccin de portadores en la juntura J1 mediante una corriente positiva en el
terminal de compuerta es la forma adecuada de producir el cambio de estado del tiristor,
toda otra circunstancia que produzca un aumento de la corriente Icx o de alfa hasta
alcanzar la condicin de ganancia igual a la unidad, puede tambin producir la
conmutacin del tiristor. Estas otras formas, que se analizan posteriormente, son por lo
general destructivas y no deben ser utilizadas como procedimiento de encendido, salvo
sea explcitamente admitido por el fabricante.

3.2 .- Estados del tiristor.

Un tiristor puede encontrarse en uno de los siguientes estados:
Bloqueado con polarizacin inversa
Bloqueado con polarizacin directa.
Conduccin.
Se analizan a continuacin cada uno de estos estados y sus conmutaciones.

3.2.1.- Estado de Bloqueo

Los tiristores permanecen indefinidamente en la condicin de bloqueo, a menos que se
les suministre la adecuada energa al terminal de compuerta, estando el tiristor bloqueado
con polarizacin directa. Excitar a un tiristor con polarizacin inversa no produce ningn
cambio de estado, con excepcin de los TRIACS, donde pulsos de cualquier polaridad
pueden producir el pasaje del estado de conduccin al de corte sin importar la polaridad
de la tensin bloqueada.

3.2.2.- Encendido
Cabe destacar que en los tiristores, el pasaje de corte a conduccin, es irreversible por su
naturaleza de proceso de realimentacin positiva. En ambientes elctricos ruidosos, por la
presencia de interferencias electromagnticas o debido a las capacidades parsitas
existentes en toda juntura inversamente polarizada, puede producirse la suficiente energa
para dar origen a disparos indeseados. Los cambios de estado debidos a estos disparos
indeseados, generalmente producidos por perturbaciones transitorias, producen el cambio
permanente del estado del tiristor. Cambio de estado, que al producirse en un momento
no deseado puede provocar el malfuncionamiento o fallas totales en el circuito donde se
encuentra inserto el tiristor. Para ello siempre deben tomarse todas las precauciones
necesarias para evitarlos. Deben preverse condiciones de montaje tales como mantener
los terminales de compuerta muy cortos y tomar el retorno comn directamente del
ctodo. Es de prctica colocar capacidades del orden de los 0,01 a 0,1 uF entre los
terminales de compuerta y ctodo. Este capacitor adicionalmente aumenta la capacidad
de soportar dv/dt al formar un divisor capacitivo con la capacidad nodo compuerta. En
casos extremos debe considerarse la posibilidad de realizar un blindaje.
Para que un tiristor pase del estado de bloqueo al de conduccin, debe estar polarizado
directamente y ser excitado adecuadamente. Segn lo visto en el punto anterior, para que
un tiristor conduzca debe satisfacerse

. Como en un transistor de silicio,

su ganancia de corriente
crece con el aumento de la corriente IE., esta condicin
puede producirse debido a diversas causas, siendo las ms usuales las que se enumeran
a continuacin.
Por efecto transistor: es el mtodo de uso normal para provocar la conduccin de los
tiristores. En la compuerta del tiristor (base GP del modelo de dos transistores) se
inyectan portadores suplementarios a travs de una seal adecuada, provocando el
fenmeno de cebado o encendido del tiristor.

Por efecto fotoelctrico: la luz puede cebar al tiristor al crear pares electrn-hueco. En
este caso el tiristor tiene una ventana que deja pasar los rayos de luz en la regin de la
puerta. Es un Fototiristor.
Ambos mtodos mencionados son los utilizados normalmente y el cambio de estado en el
tiristor se produce dentro de los lmites de operacin dados por los fabricantes,
garantizando su vida til. Sin embargo, existen otras causas que pueden provocar el
disparo del tiristor. A continuacin se enuncian las que pueden producir el disparo, pero
provocando generalmente un dao parcial o permanente en el dispositivo, exceptuando
aquellos casos que sea un mtodo permitido para algn miembro en particular de la
familia de los tiristores.
Por Tensin: Cuando aumenta la tensin nodo-ctodo llega un momento en que la
corriente de prdida (corriente inversa de saturacin IOX) toma un valor suficiente para
producir la avalancha, establecindose la conduccin del tiristor. El disparo de un tiristor
por superar su tensin de ruptura puede producir una elevada disipacin instantnea de
potencia de distribucin no uniforme en el rea del semiconductor. Esta disipacin de
potencia produce una elevacin excesiva de la temperatura que puede destruir al tiristor.
En operacin normal los tiristores no deben ser encendidos por este mtodo. En aquellos
miembros de la familia preparados para este uso como los Diacs, se debe controlar el
valor mximo de di/dt soportado Por derivada de tensin: Toda juntura tiene una
capacidad asociada; en consecuencia, si la tensin que se aplica entre nodo y ctodo es
de crecimiento brusco, la corriente a travs de esta capacitor es: i=C dv /dt.
Si esta corriente es suficientemente elevada, provoca la conduccin del tiristor sin seal
de compuerta. Un tiristor puede tener un disparo no deseado si estando bloqueado con
polarizacin directa, el circuito en el cual opera lo somete a una variacin rpida en su
tensin positiva nodo ctodo. Como las formas de las tensiones a las cuales se
encuentran sometidos los dispositivos son una responsabilidad del diseador de la
aplicacin, siempre debe verificarse que nunca se supere la dv/dt dada por el fabricante.
El valor de este parmetro no es un mximo absoluto sino que depende de la temperatura
y de la tensin directa aplicada. Por ej un mismo tiristor que debe bloquear una tensin
directa de 500 V presenta una dv/dt de 50 V/nseg, mientras que si opera a 300 V, el valor
de dv/dt se duplica.
Para proteger a los tiristores ante disparos espurios por esta causa, circuitos
denominados snubbers deben ser utilizados. Consisten en circuitos RC o RCD que
limitan la velocidad de variacin de la tensin nodo ctodo. Estos mismos circuitos que
protegen ante dv/dt suelen ser tiles para proteger ante transitorios. Tambin pueden
incluirse circuitos limitadores basados en zeners. En aquellas aplicaciones donde se
esperen transitorios deben elegirse dispositivos de tensin de ruptura y dv/dt adecuados
para soportarlos.
Por temperatura: La corriente inversa de saturacin de una
juntura, aproximadamente se duplica cada 10 C de aumento de su temperatura.
Cuando esta corriente alcanza un cierto valor, se establece la conduccin del tiristor.
Adicionalmente, la operacin a temperaturas elevadas reduce la habilidad del tiristor de
soportar elevadas dv/dt debido al aumento de la sensibilidad de disparo.

3.2.3.- Estado de Conduccin

El tiristor es un dispositivo de control de tensin y no de corriente. Una vez en conduccin,
la magnitud de corriente a circular por el mismo la fija el circuito exterior. Para que una vez

encendido el tiristor se mantenga en el estado de conduccin al eliminarse la corriente de

disparo de compuerta, se requiere que la corriente principal sea lo suficientemente
elevada. El menor valor de corriente de nodo que debe establecerse antes de eliminar la
corriente de compuerta se denomina corriente de cerrojo o de latch. Mantener el valor de
la corriente nodo por encima de este valor es el nico requerimiento para que el tiristor
permanezca conduciendo una vez retirada la corriente de compuerta.

3.2.4.- Apagado
La nica forma de apagar a cualquier tiristor, con excepcin de los GTO, es reducir la
corriente de nodo por debajo del valor de la corriente de mantenimiento o de hold. Por
debajo de esta corriente se produce una realimentacin positiva que lleva a ambos
transistores al corte. Debe recordarse que el modelo es solo vlido para el tiristor apagado
y en el momento del encendido o corte. Del modelo parecera que cortocircuitar a la
compuerta sera suficiente para iniciar este proceso, pero en la estructura real de un SCR
el rea de compuerta es solo una porcin del rea de ctodo y solo una muy pequea
porcin de la corriente es derivada por este corto. Solo mediante una reduccin de la
corriente principal por debajo de la mencionada corriente de mantenimiento se asegura el
comienzo de la accin regenerativa que lleva a ambos transistores del modelo al corte.
Tanto la corriente de mantenimiento o de hold, como la antes mencionada corriente de
cerrojo o de latch, no son tampoco valores absolutos de los miembros de la familia de los
tiristores, sino que se encuentran afectadas por la temperatura y por la impedancia de
compuerta. Tensiones inversas de compuerta tambin incrementan marcadamente los
valores de ambas corrientes. Por el contrario valores positivos reducen estos valores
frente a los suministrados en las hojas de datos ya que los mismos se dan generalmente
para el terminal de compuerta abierto Adicionalmente, en el proceso de fabricacin de
tiristores reales, se utiliza un diseo denominado shorted emitter, donde una resistencia
es agregada entre las zonas de compuerta y de ctodo. La presencia de esta resistencia,
al derivar corriente de la compuerta, produce un incremento en la corriente necesaria para
producir el disparo, as como de la corriente de latch y de la de mantenimiento. La
principal razn para incluir esta resistencia es mejorar la performance dinmica a altas
temperaturas. Sin esta resistencia de shunt la corriente de prdidas presente en la
mayora de los tiristores de alta corriente iniciara por si solo el encendido a altas
temperaturas. Tiristores de alta sensibilidad emplean un valor elevado de resistencia
derivadora o bien no la incluyen. En consecuencia sus caractersticas se ven radicalmente
alteradas por la presencia de resistencias exteriores. En cambio en tiristores del tipo
shorted emitter la presencia de una resistencia exterior prcticamente no tiene efecto. La
temperatura de las junturas es el factor que ms afecta las caractersticas de los tiristores.
Temperaturas elevadas facilitan su disparo y el mantenimiento de la conduccin. En
consecuencia en el diseo de los circuitos de disparo debe preverse su correcto
funcionamiento a la menor temperatura de operacin, mientras que los circuitos
relacionados al apagado o a prevenir falsos disparos deben disearse para su correcto
funcionamiento a la mayor temperatura esperable. Las especificaciones de los tiristores
estn dadas generalmente a una temperatura de cpsula determinada y con condiciones
de operacin elctricas donde la disipacin es lo suficientemente baja como para
asegurar que la temperatura de juntura no difiere significativamente de la de la cpsula.
Es responsabilidad del diseador considerar los cambios en las caractersticas causadas
por una operacin distinta de la especificada en las caractersticas.

3.3.- Curvas caractersticas y datos de manuales

En la figura 4.1 se representa la curva caracterstica de un tiristor (SCR) en la que se
aprecia la polarizacin directa e inversa de la tensin nodo-ctodo VAK, con sus cuatro
regiones respectivas. Para el primer cuadrante se han incluido dos grficas, las

correspondientes a una baja corriente de gate y a corriente nula. En estado de conduccin

directa, la caracterstica se asemeja a una resistencia de bajo valor, mientras que con
polarizacin inversa, una eventual conduccin dara lugar a la destruccin del tiristor en la
regin de avalancha por tensin excesiva.

Se incluyen a continuacin los parmetros ms significativos, respetando los subndices:

F: (Forward) Directo
R: (Reverse) Inverso
En todos los casos, para asegurar su vida til y una correcta operacin, es indispensable
no superar los valores mximos suministrados por el fabricante.
3.3.1.- Estado de bloqueo directo
V(BO): Tensin a la cual el tiristor pasa del estado de corte al de conduccin para
un valor dado de la corriente de gate.
V(BO)0: Tensin a la cual el tiristor pasa del estado de corte al de conduccin para
corriente de gate nula.
VD(DC): Tensin de continua directa permitida al tiristor en el estado de bloqueo
directo.
VDRM; Mxima tensin de pico repetitivo en condicin de bloqueo directo para
50Hz senoidal.
VDSM; Mxima tensin de pico no repetitivo en condicin de bloqueo directo para
50Hz Senoidal.
RM; Corriente de prdidas a VDRM en condicin de bloqueo directo (corriente de
prdida directa).
3.3.2.- Estado de conduccin

VF (AV): Valor medio de la tensin (cada de tensin en bornes del tiristor) en

conduccin durante un semiciclo, e integrada en el ciclo completo. Se considera
carga resistiva y un ngulo de conduccin de 180.
IF; IFAV; IFRMS; Corrientes directas en el estado de conduccin
IF; valor instantneo
IFAV; valor medio
IFRMS; valor eficaz
IFAVM; Mxima corriente directa media en el estado de conduccin,
correspondiente una tensin senoidal de media onda con una carga resistiva, a
una determinada temperatura de cpsula Tc y una frecuencia entre 40 y 60 Hz.
IFRMSM; Mxima corriente directa eficaz en el estado de conduccin.
IFSM: Mxima corriente no repetitiva que puede soportar en un semiciclo de
conduccin (sobrecorriente de cortocircuito durante 10 ms)
I2t: Es una medida de la sobrecorriente en valor eficaz (no repetitiva) durante un
semiciclo (se utiliza para el clculo de fusibles); su unidad es A2 seg.

3.3.3.- Estado de bloqueo inverso

VRRM; Tensin inversa mxima (de pico) inversa que puede soportar el tiristor en
forma repetitiva para 50Hz senoidal.
VRSM: Tensin inversa mxima (de pico) inversa que puede soportar el tiristor, no
repetitiva para 50Hz senoidal.
VRBO(DC): Tensin de continua inversa permitida al tiristor en el estado de
bloqueo inverso.
IRRM; Valor de la corriente en el tiristor bloqueado con tensin inversa VRRM
(corriente de prdida inversa)
3.3.4.- Condiciones de Encendido
VGT: Tensin contnua (D.C.) necesaria para que circule IGT.
VGR:Tensin mxima de pico inversa entre Gate y Ctodo.
IGT; Corriente continua (D.C.) necesaria en el gate del tiristor para que lo haga
conducir.
iGF: Valor instantneo de la corriente de gate directa. A este valor le corresponde
una tensin VGF.
IH; Corriente de mantenimiento. Es la corriente mnima que requiere el tiristor para
mantenerse en conduccin. Por debajo de este valor se corta la conduccin
IL; Corriente de enganche. Es la corriente mnima necesaria para que el tiristor
entre en conduccin y la mantenga, sin cortarse despus que desaparezca el
pulso de gate. (IL>IH)
PG; Mximo valor instantneo de potencia en el Gate.
PGAV: Mximo valor de potencia media que puede ser disipada en la compuerta
sobre un ciclo completo.

4.- Equipos

1 Osciloscopio digital
1 Multmetro digital
1 Tiristor 2N3669 o equivalente.
1 PROTOBOARD
1 Foco con su sokect (carga)
2 Condensadores de 0.22uF, 88nF y 0.02uF
2 Resistencias de 10 K y 2W de potencia

1 Potencimetro de 100K
2 Interruptores SW1 y SW2

y 2W de potencia

5.- Procedimiento
1) Armar el circuito de la figura.
S W 1

F O C O

10k

R1
2N3669

220Vac
60Hz
100k

Rp
S W 2

2) Seleccionar en RP un valor de 50K y cerrar el interruptor SW1 observando que

sucede con la lmpara.
3) Luego de verificar las conexiones cerrar el interruptor SW2, observando lo que
sucede con la lmpara y medir la tensin entre el nodo y ctodo.
4) Repetir el paso 2 y 3 para valores de RP de 70 y 100K.
5) Armar el circuito que se muestra en la figura y seleccione en RP un valor de 50K.
S W

F O C O

10k

R1
2N3669

220Vac
60Hz
100k

0 .2 2 u F

Rp

C1

6) Conectar el OSCILOSCOPIO entre los terminales del condensador y observe la forma

de onda.
7) Luego de verificar que todas las conexiones estn correctas cerrar el interruptor SW,
observando la figura que aparece en el osciloscopio, lo que sucede con la lmpara , el
tiempo que demora en prenderse y medir la tensin entre nodo y ctodo del tiristor.
8) Repetir los pasos 6 y 7 para valores de RP de 70 y 100K.
9) Anote en su hoja de datos todos los grficos y valores de tensin medidos; recuerde
que la corriente y tensin son alternas, por lo tanto debe tener mucho cuidado.

5.- Clculos tericos:

Para realizar los clculos tericos se debe tener en cuenta lo siguiente:

Asumimos:
: 0V

V min
: 1mA

I min

5.1.1.- Circuito 1.1:

220 2sin ( )=60 k0.001+0

Angulo de disparo: arcsin(0.1928)

= 11.11

5.1.2.- Circuito 1.2:

220 2sin ( )=80 k0.001+ 0

Angulo de disparo: arcsin(0.2571)

= 14.90

5.1.3.- Circuito 1.3:

220 2sin ( )=11 0 k0.001+ 0

Angulo de disparo: arcsin(0.3535)

= 20.70

X c=

1
1
j=
j
wC
3770.22

X c =12056 j

V GK tipico=1.5 V

5.2.1.- Circuito 2.1:

220=I(6000012056 j)

I =0.0035948<11.36

Voltaje en el capacitor:

V C =I(12056 j)

V C =43.39<78.64
En la malla inferior derecha:

243.39sin ( 78.64 )=1.5

El ngulo de disparo

es:

= 80.04

5.2.2.- Circuito 2.2:

220=I(8000012056 j)

I =0.0027192<8.57

Voltaje en el capacitor:

V C =I(12056 j)

V C =32.78<81.43
En la malla inferior derecha:

232.78sin ( 81.43 )=1.5

El ngulo de disparo

es:

= 83.28

5.2.3.- Circuito 2.3:

220=I(11000012056 j)

I =0.00 1988<6.25

Voltaje en el capacitor:

V C =I(12056 j)

V C =23.96<83.74
En la malla inferior derecha:

223.96sin (83.74 )=1.5

El ngulo de disparo

es:

= 86.27

6.- Cuestionario
1. Hacer el fundamento terico del experimento realizado.
2. Cul es la diferencia entre el primero y segundo circuito?
3. Qu sucede con la lmpara cuando aumenta el valor de RP en ambos circuitos?
4. Segn su opinin cual de los circuitos de disparo es el recomendable Por qu?
5. Qu dificultades encontr para realizar este experimento? Sugiera que cambios
se podran hacer para mejorarlo.

7.- Bibliografa
-

Gua de laboratorio de Electrnica de Potencia UNI FIM

Articulo: Electrnica de Potencia Tiristores:

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/enica_pot.htm

Articulo: El Tiristor: http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-tiristor.php