2016

Trabajo Practico N2
Medicin de la Variacin de Parmetros respecto a la Temperatura
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Trabajo Practico N2 Introduccin Terica

El transistor es un dispositivo que experimenta variaciones de sus
parmetros de acuerdo a las condiciones que es sometido, entre ellas la
temperatura. Frente a esto es deseable lograr que el punto de trabajo se
mantenga constante. Estas variaciones afectan el rendimiento del circuito,
produciendo ciertos efectos, como distorsiones, en la seal de salida de la
etapa, por lo cual es prudente considerarlas al momento del diseo. En este
trabajo prctico veremos las variaciones ms importantes como son la Icbo,
el y la Vbe.
Parte Prctica
El objetivo de esta prctica es analizar como varan la Corriente Inversa de
Saturacin, la Tensin Base Emisor y el Factor de Amplificacin (), frente a
variaciones de Tensin y/o Temperatura.
Para ello realizaremos los siguientes ensayos con transistores de silicio:
- Determinacion de la ICBO
- Determinacion de la ICEO
- Determinacion de la ICES
- Variacion de la VBE con la temperatura
- Variacion del con la temperatura
Finalidad de la Prctica
Observar y medir la variacin de Icbo, Vbe, y con la temperatura. Se
utilizara un transistor de Silicio.
Forma de transferir temperatura al dispositivo
Ante la imposibilidad de contar con una fuente regulada de temperatura, se
har lo siguiente: Se calentara el transistor por medio de un soldador y al
cabo de unos minutos adquirir una temperatura ms o menos elevada y
fija. Al aplicarlo al transistor le estaremos suministrando un flujo calrico
que supondremos constante, lo cual significa que su temperatura variara
linealmente en el tiempo debido al calor entregado. De este modo se puede
hacer la correlacin entre la variacin del parmetro y el tiempo que
permanece la resistencia calentando al transistor, entonces la temperatura
ser directamente proporcional al tiempo; por lo tanto se medir el tiempo
de exposicin del elemento bajo estudio a la fuente de calor.

Determinacin de Icbo

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Trabajo Practico N2 Vea la hoja de datos Cul es el orden de magnitud de Icbo? Se puede
medir Icbo? Por qu? Qu sensibilidad tiene el instrumento y cul debera
tener para poder medirla?
Lo que haremos en este primer ejercicio es medir la corriente inversa de
colector-base con emisor abierto, conocida como Icbo, que es la corriente de
portadores minoritarios en la juntura colector-base que se genera cuando la
polarizacin es inversa. La Icbo aumenta segn aumente la temperatura ya
que se generan ms portadores minoritarios en la unin.
La importancia de la variacin de Icbo est en que Ic=.I B+(+1).Icbo, de
tal manera que Ic es una corriente pequea comparada con Ib entonces el
efecto en el circuito va a ser (+1) veces ms grande.
Para medir la Icbo realizamos el siguiente circuito con un transistor BC548.
Vcc = 2,2 V
RS = 1 M
Al analizar este podemos darnos cuenta que la
corriente que circula por la impedancia de
entrada del voltmetro, aproximadamente 10 M
produce un drenaje de corriente, ya que las dos
impedancias actan como si estuvieran en
paralelo.
De esta manera al tomar las mediciones estamos cometiendo un error del
10%.
Tomamos las mediciones correspondientes para calcular la Icbo y
reemplazamos en la ecuacin.

I CBO =

V RS 1,5 V
=
=1,5 A
RS 1 M

Al tener un error del 10% se concluye que la Icbo es aproximadamente 1,65

A. Pero al ver la hoja de datos del transistor vemos que el valor es mucho
ms pequeo (1nA) que el que calculamos. Esto puede deberse a la calidad
de los instrumentos que usamos, a la tolerancia de las resistencias y otro
tipo de factores que impiden la adecuada medicin de valores tan pequeos
como los de la Icbo.
Determinacin de Iceo
Cmo es el Iceo respecto a Icbo? Cmo explica esto la teora?
Para determinar la Iceo usamos el siguiente circuito con el mismo transistor

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Trabajo Practico N2 Vcc = 2,2 V

RS = 1 M
Obtenemos con el multmetro los datos necesarios para
calcular la Iceo y obtenemos como resultado lo siguiente:

I CEO =

V RS 0,198 V
=
=198 nA 217,8 nA
RS
1M

Determinacin de Ices
Cmo es el Ices respecto a Icbo? Qu dice la teora al respecto?
Vcc = 1,98 V
RS = 1 M
Obtenemos con el multmetro los datos necesarios para
calcular la Ices y obtenemos como resultado lo siguiente:

I CES =

V RS 1,54 V
=
=1,54 A 1,69 A
RS 1 M

Determinacin de la variacin de Vbe con la temperatura

Se arma el siguiente circuito tanto para el transistor de Si. Se polariza cerca
de la saturacin para poder apreciar una mayor variacin de la Vbe. Una
vez hecho esto se calienta. Cunto vario estimativamente la temperatura?

Sabemos que al aumentar la temperatura se produce una variacin de la

Vbe del orden de los -2,5 mV/C. Para medir la variacin de la Vbe se rearmo
el circuito ya que el transistor no estaba correctamente polarizado cerca de
la saturacion.

Ic=2 mA ; Vce=2 V ; Vcc=10V ; =289

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Trabajo Practico N2 Vcc=Ic. Rc+Vce

10 v=2 mA . Rc+2 V Rc=4 k

Ib=

Ic 2 mA
=
=6,92 A

289

Rb=

VccVbe 10 V 0,7 V
=
=1,34 M
Ib
6,92 A

Al medir los parmetros obtuvimos una Vce = 2,19 V a temperatura

ambiente y una Vbe = 0,655 V, pero cuando calentamos el transistor vimos
que Vce = 0,3 V y Vbe = 0,53 V, haban disminuido.
Cuando la temperatura aumenta la Ic tambin pero Vce disminuye, esto
produce un dezplasamiento del punto Q en la recta de carga estatica y en
consecuencia aumenta la Ib y disminuye Vbe. Es por eso que a los
transistores se lo mantiene lo mas estable posible ante los cambios de
temperatura, a travs de resistencias compensadoras de emisor, utilizando
disipadores y sistemas de refrigeracin forzada adecuados.
Determinacin de la variacin de con la temperatura
Como tenemos una resistencia de alto valor en serie con la base podemos
suponer una corriente de base constante; ya que Rs >> hie. Debido a esto
la variacin de Vce con la temperatura se deber solo a la modificacin del
.
En este caso colocamos a la entrada el generador de seal con una
resistencia de 1M.

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Trabajo Practico N2 La resistencia es porque los transistores de baja seal tienen ganancias muy
altas, por eso conviene que la seal sea pequea y as medir sin
inconvenientes la salida. Para poder simular un generador de corriente
constante, de manera que podamos tomar valores de Ic cuando cambia la
temperatura y sabiendo que

Ic
Ib , poder calcular

Ic
Ib .

Lo que en realidad evaluamos es la ganancia de corriente, pero con fines

prcticos, como los valores son cercanos lo tomamos como

Al aumentar la temperatura, aumenta Ic, Ib es muy estable y se considera

constante, de modo que

Ib. Ic .

As vemos que el vara. A continuacin realizaremos el siguiente circuito,

para llevar la practica a cabo:

Entonces si Rs>>hie, verificamos que Ib es aproximadamente a

Is=Vs/Rs=cte. Tambin vemos que Vce= Ic.Rc=.Ib.Rc, porque para la seal
la fuente de continua es un cortocircuito, de modo que la salida queda en
paralelo con Rc. Vemos que cualquier variacin de Vce con la temperatura
se debe a las variaciones de .

Vce= . Ib . Rc

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Trabajo Practico N2 Vce

Ic Rc Vce . Rs
= =
=
Ib Vs
Vs . Rc
Rs

( Vce2 . Rs )(Vce1 . Rs)

VsRc

=( Vce1 Vce2 ) .

Rs
Vs . Rc

Ya polarizado el transistor en el punto Q, medimos la seal de entrada con el

osciloscopio, obteniendo un valor aproximadamente de 5Vpp. Despus
medimos la seal 5mVpp, entonces:

Vs=5 Vpp5 mVpp=4,995 Vpp

Ib Is=

Vs 4,995Vpp
=
=4,995 A
Rs
1M

Podemos ver que en el osciloscopio la Vce1 = 2 Vpp

Luego de hacer mediciones a temperatura ambiente calentamos el
transistor y logramos ver que la Vce2 = 1,8 Vpp

=( 2 Vpp1,8 Vpp ) .

1 M
=40
4,995 Vpp .1 k

As vemos que la variacin de no es lineal, aumenta hasta cierto punto y

despus decrece. Tambin se ve desplazado el punto Q hacia la zona de
saturacin, y as producir distorsin.

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