INFORME PREVIO N°5

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA

SOLA ESTAPA
I. OBJETIVOS:
Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de
audio.

II. MARCO TEÓRICO:

La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores está fijada por
los condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas.
Un circuito equivalente en CA en alta frecuencia para el amplificador
basado en BJT de la figura (a) se muestra en la figura (b). Observe que los
capacitores de acoplamiento y puenteo se tratan como cortos efectivos y
no aparecen en el circuito equivalente. Las capacitancias internas, Cbe y
Cbc, las cuales son significativas sólo en altas frecuencias, sí aparecen en el
diagrama. Como previamente se mencionó, Cbe en ocasiones se llama
capacitancia de entrada Cib y Cbc es ocasiones se llama capacitancia de
salida Cob, Cbe se especifica en hojas de datos a un cierto valor de VBE.

Teorema de Miller en análisis en alta frecuencia

Aplicando el teorema de Miller al amplificador inversor de la figura (b) y
utilizando la ganancia en frecuencias medias, se tiene un circuito que puede
ser analizado en cuanto a respuesta en alta frecuencia. Viendo desde la
fuente de señales, la capacitancia Cbc aparece en la capacitancia de entrada
Miller de la base a tierra.
Cbe simplemente aparece como una capacitancia a tierra de CA, como
muestra la figura (c), en paralelo con Cent(Miller). Viendo el colector, Cbc
aparece en la capacitancia de salida Miller del colector a tierra. Como
muestra la figura (c), la capacitancia de salida Miller aparece en paralelo
con Rc.
 Estas dos capacitancias Miller crean un circuito RC de entrada de alta frecuencia y
un circuito RC de salida en alta frecuencia. Estos dos circuitos, el de entrada y el de
salida difieren en baja frecuencia, los cuales actúan como filtros pasoaltas porque
las capacitancias están a tierra y por consiguiente actúan como filtros pasobajas. El
circuito equivalente en la figura (c) es un modelo ideal porque se desprecian las
capacitancias parásitas provocadas por las interconexiones del circuito.

III. PREGUNTAS PREVIAS:

1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, cb’e, cb’c, gm, fβ, fT.
rbb’:Es una resistencia de difusión de los electrones de base (parte física) y
base prima (b’ que es interna al transistor), su valor característico es de 100
hasta 300 Ω pero esta resistencia varía según la frecuencia aplicada.
rb’e: Resistencia de la base interna del transistor (b’) hacia el emisor, es una
resistencia de unión entre emisor y base, su valor característico se
encuentra en un valor aproximado de 1KΩ.
rb’c: Resistencia de realimentación entre la base y el colector, su valor
característico se encuentra en el valor de los 4 MΩ.
rce: Es la resistencia entre el colector y el emisor se considera como una
resistencia de salida su valor característico se encentra entre los 100kΩ.
Cb’e: Capacitancia de difusión o almacenamiento, cuando se da la
polarización directa.
Cb’c: Capacitancia de transición que se origina por la variación de cargas en
la región desértica base colector.
gm: Transconductancia del transistor.
fβ: Es la frecuencia en la cual el valor de beta empieza a variar (ya no es
constante).
f’β: Es la frecuencia de corte a altas frecuencias debido a que a altas
frecuencias el valor de beta varia.
fT: Frecuencia a la que el módulo de la ganancia de la corriente en
cortocircuito en emisor común vale la unidad.
2. En el circuito de la figura, de acuerdo al modelo 𝝅 del transistor en
altas frecuencias, encontrar una expresión para f β / fT
Tenemos el equivalente hibrido

Sabemos por definición que:

Entonces tenemos la división

3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los circuitos
equivalentes.
Para Ci

𝑅𝑒 = 𝑅5 (1 + ℎ𝑓𝑒) = 44.22𝑘𝛺
𝑅𝑥 = 𝑅2 ||𝑅3 ||(ℎ𝑖𝑒 + 𝑅𝑒 ) = 8.16𝑘𝛺
1
𝑓𝑐𝑖 = 2𝜋(𝑅𝑥+𝑅1)𝐶𝑖 = 1.74𝐻𝑧
 Para Co

1
𝑓𝑐𝑜 = = 2.94𝐻𝑧
2𝜋(𝑅4+𝑅7)𝐶𝑖

Para Ce

𝑅𝑒 = (((𝑅1 ||𝑅2 ||𝑅3 + ℎ𝑖𝑒)/(𝛽 + 1)) + 𝑅5 )||𝑅6

𝑅𝑒 =158𝛺
1
𝑓𝑐𝑒 = 2𝜋𝑅 = 45.78𝐻𝑧
𝑒 𝐶𝑖

4. ¿Qué son las capacidades parasitas en un transistor?

Las capacidades parásitas influyen sobre todo en el comportamiento en alta
frecuencia del transistor. Se modelizarán tres capacidades parásitas que estarán
conectadas entre los tres conectores del transistor. La capacidad parásita entre
colector y emisor suele ser despreciable y sólo se tendrá en cuenta en circuitos
de muy alta frecuencia. La capacidad entre colector y base se llama CCB y de la
misma manera la capacidad entre base y emisor es CBE. La capacidad colector-
base es Cob y se mide con el emisor en circuito abierto. Además, su valor
depende del punto Q de operación, aumenta con IC y disminuye con el aumento
de VCE. Generalmente es el fabricante el que suministrará el valor de Cob
5. ¿A qué se debe que se utilice el modelo híbrido π ?

Se usa este modelo porque es más práctica trabajar haciendo los cálculos
porque están todos los parámetros deseados como los que se definieron en la
pregunta 1.

6. ¿Cómo se clasifican los amplificadores dependiendo de su respuesta

en frecuencia?

7. En altas frecuencias ¿Cuál de las configuraciones del transistor será

más conveniente? ¿Por qué?
La configuración más conveniente será la de emisor común. Ya que la
capacitancia de efecto millar al depender de Cce en base común es muy
pequeño. Por lo tanto, ésta desaparece. De modo que Ci y Co, serán mucho más
pequeñas, y la frecuencia de corte sería más alta.

8. ¿Qué es el efecto de Miller?

En electrónica, el efecto Miller da cuenta del incremento en la capacitancia de

entrada equivalente de un amplificador inversor de voltaje debido a la
amplificación de la capacitancia entre los terminales de entrada y salida
IV. CÁLCULOS TEÓRICOS:
Para el análisis en DC, pasamos el circuito a su equivalente Thevenin.

Equivalente
Thevenin
>>>>>>>>

En la malla de Thevenin
𝑉𝐵 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 0.7 + (0.69𝑘)𝐼𝐸
2.12 − 0.7 = 9.88𝑘 ∗ 𝐼𝐵 + 0.69𝑘 ∗ (𝛽 + 1)𝐼𝐵

𝐼𝐵 = 9.56𝜇𝐴
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 𝛽 = 𝟏. 𝟗𝟏𝒎𝑨
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 +𝐼𝐶 = 1.92𝑚𝐴

En la malla de salida
1.5𝑘 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 0.69𝑘 ∗ 𝐼𝐸 = 12
𝑽𝑪𝑬 = 𝟕. 𝟖𝟏𝒗
V. SIMULACIONES:

Puntos de trabajo(DC)

Ahora, eligiendo la máxima tensión de entrada a 10KHz donde la salida no

sea distorsionada, Vi=10mVrms
Simulando las señales de entrada y salida para calcular la ganancia de
tensión.
f = 50Hz f=100Hz
f = 500Hz f = 1kHz

f = 10kHz f = 100kHz

f = 200kHz f = 500kHz
 f = 700kHz f = 1MHz

f = 2MHz f = 5MHz

VI. PARTE EXPERIMENTAL

1. Primero implementamos el circuito como en la figura.
2. Hallamos los puntos de trabajo experimentalmente:

Con el fin de determinar la frecuencia de corte superior, complete la tabla.

Fotos de la experiencia con el osciloscopio

f = 50Hz f=100Hz

f = 500Hz f = 1KHz
f = 10KHz f = 100KHz

f = 200KHz f = 500KHz

f = 700KHz f = 1MHz
 f = 2MHz f = 5MHz

VII. RESULTADOS:

VceQ (V) IcQ (mA)

Valor simulado 7.629 2.001
Valor calculado 7.81 1.91
Valor medido 7.57 2.01

50Hz 100Hz 500Hz 1kHz 10kHz 100kHz

vi (sim.) 9.98Mv 9.98mV 9.92mV 9.91mV 9.95mV 9.93mV
vo (sim.) 296mV 426mV 517mV 520mV 535mV 526mV
Av 29.66 42.68 52.12 52.47 53.77 52.97
200kHz 500kHz 700kHz 1MHz 2MHz 5MHz
vi (sim.) 9.97mV 9.96mV 9.95mV 9.98mV 9.98mV 9.98mV
vo (sim.) 522mV 470mV 425mV 363mV 224mV 97.5mV
Av 52.36 47.19 42.71 36.37 22.44 9.77
 50Hz 100Hz 500Hz 1kHz 10kHz 100kHz
vi (sim.) 10.1mv 10.1mV 10.1mV 10.1mV 10.1mV 10.1mV
vo (sim.) 231mV 442mV 534mV 542mV 537mV 525mV
Av 22.87 43.76 52.87 53.66 53.17 51.98
200kHz 500kHz 700kHz 1MHz 2MHz 5MHz
vi (sim.) 10.1mV 10.1mV 10.1mV 10.1mV 10.1mV 10.1mV
vo (sim.) 519mV 477mV 430mV 371mV 241mV 99.5mV
Av 51.39 47.23 42.57 36.73 23.9 9.85

VIII. CONCLUSIONES
 La ganancia depende de cuánta frecuencia se use en el circuito.
 Se ve que en este circuito la salida empieza desfasada 180°, luego
conforme aumenta la frecuencia, el desfasaje va variando.
 En altas frecuencias es conveniente usar el modelo equivalente hibrido π
ya que contiene todos los parámetros para poder trabajar.

IX. BIBLIOGRAFÍA
 R. L. Boylestad. Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.
Méxixo. 2009
 R. Hambley. Electrónica. México. 2007