UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL

FRANCISCO DE MIRANDA
PROGRAMA DE INGENIERA QUMICA
DEPARTAMENTO DE QUMICA
UNIDAD CURRICULAR: CATALISIS
PROF.: ALIDA CHIRINOS

ESPECTROSCOPIA ELECTRONICA DE RAYOS X

(XPS)

AUTORES:
WILLIAMS SANQUIZ C.I.: 20.254.136
JOSELYN LPEZ C.I.: 19.946.092
ANGELICA WEFFER C.I.: 18.447.439
SECCIN 51

PUNTO FIJO; 06 DE AGOSTO DE 2013.

1.- ESPECTROSCOPIA ELECTRONICA DE RAYOS X (XPS).

La espectroscopia electrnica de rayos X (XPS) es una tcnica de
anlisis qumico superficial que puede utilizarse para analizar la
qumica superficial de un material en estado an sin procesar, o tras
algn tipo de tratamiento como puede ser:

Fractura
Corte
Raspado en aire o UHV (para mostrar su composicin
qumica)
Grabado de haz inico (para limpiar parte de la
contaminacin superficial)
Exposicin al calor (para estudiar los cambios que se deben a
las altas temperaturas)
Exposicin a soluciones o gases reactivos

La popularidad de esta tcnica deriva del alto contenido de

informacin que suministra y la flexibilidad para ser utilizada en una
gran variedad de muestras ya que el anlisis XPS mide la composicin
bsica, la frmula emprica, y el estado qumico y electrnico de los
elementos existentes dentro del material, pues se irradia la muestra
con un haz suave de rayos X mientras se mide, de forma simultnea,
la energa cintica y el nmero de electrones que se escapan de una
profundidad de 1-10 nm del material analizado.
El ms bsico anlisis XPS de una superficie puede proporcionar
informacin cualitativa y cuantitativa de todos los elementos
presentes, excepto H y He, debido a que no presentan
desplazamientos qumicos.
Este procedimiento analtico tambin se conoce popularmente
como ESCA, o espectroscopia electrnica para anlisis qumico.
2.- FUNCIONAMIENTO DE LA TCNICA DE XPS.

La superficie de la muestra es irradiada con fotones

provenientes de una fuente de Rayos X.

Aunque un fotn de rayos X puede penetrar y excitar

fotoelectrones hasta una profundidad de varios cientos de
nanmetros, solamente los fotoelectrones procedentes de las capas
ms externas tienen oportunidad de escapar del material. As pues,
ESCA proporciona informacin til slo desde los 2 nm ms prximos
a la superficie del material.

Debe permanecer en condiciones de ultra alto vaco

(menores a 10-5 torr).

Puesto que es necesario asegurarse de que el trayecto libre medio

de los fotoelectrones sea lo suficientemente grande para atravesar la
distancia desde la muestra hasta el detector, sin sufrir prdidas de
energa.

Se establece una excitacin y posterior emisin de los

electrones de la muestra de la primera capa.

La incidencia de un fotn de energa sobre los tomos situados

ms superficialmente en la muestra provoca, por efecto fotoelctrico,
la emisin de fotoelectrones con una energa de ligadura. Una vez se
ha emitido el fotoelectrn, el tomo se relaja, emitiendo un fotn o
un electrn (electrn Auger).
Para la excitacin fotoelectrnica, generalmente se utilizan fuentes
suaves de rayos X como Mg y Al.

Se
produce
una
energa
cintica
caracterstica,
recolectada y relacionada con su energa de enlace.

Las energas de enlace de los electrones internos se ven afectadas

por los electrones de valencia y, consecuentemente, por el entorno
qumico del tomo.

Se obtiene informacin de la energa de los tomos de

cada nivel.

Cuando se cambia la distribucin atmica que rodea a un tomo

sometido a excitacin, se altera el ambiente de carga local en ese
sitio atmico que se refleja como una variacin en la energa de
enlace de todos los electrones de dicho tomo. De esta manera, no
slo los electrones de valencia sino tambin las energas de enlace de
los
electrones
internos
experimentan
un
desplazamiento
caracterstico.

Este proceso es mucho ms sencillo que el proceso

Auger.

Es importante disponer de al menos dos fuentes alternas para

distinguir picos fotoelectrnicos de picos Auger. Debido a que cuando
se utiliza una fuente diferente de rayos X, los picos fotoelectrnicos
sufren desplazamientos en su energa cintica, mientras que los picos
Auger permanecen constantes y aparecen en las mismas posiciones
en los espectros. Tales desplazamientos resultan inherentes a las
especies qumicas involucradas en los resultados y constituyen la
base de la aplicacin qumicoanaltica.

3.- INSTRUMENTACIN (ESPECTRMETRO DE ELECTRONES

XPS).

Fuente de radiacin (consiste en un generador de rayos X

monocromatizados por un cristal de cuarzo)
Soporte o contenedor de la muestra (slidas en una
posicin fija)
Analizador (desva la seal mediante campos electrostticos
para que los electrones sigan una trayectoria curva)
Detector (tubos de plomo dopados con plomo o vanadioproduciendo una cascada de aproximadamente 10 6-108
electrones por cada electrn incidente Seal amplificada)
Procesador de la seal.

La figura muestra un diagrama esquemtico del aparato. Los

electrones emitidos por la muestra en ngulo recto con el haz de
rayos X se renen y enfocan sobre la entrada de un analizador de
energa cintica.

Podemos ajustar el campo elctrico entre los dos electrodos

hemisfricos concntricos de manera que el analizador de energa
cintica seleccione los electrones de una energa determinada, los
enfoque sobre la rendija de salida y los enve al detector.
El registro del detector presenta el nmero de electrones
emitidos como una funcin de su energa cintica en un dispositivo
apropiado de registro. El espectro obtenido muestra los niveles de
energa del tomo o la molcula en estudio.

4.- APLICACIONES DEL XPS.

La potencia de esta herramienta de trabajo se vislumbra en las
siguientes aplicaciones:

Identificacin de todos los elementos presentes (excepto

H, He) en concentraciones mayores al 0.1%.

Los lmites de deteccin dependen del elemento particular a

determinar, pero tpicamente vara del 1% para elementos ligeros
hasta 0.1% para los elementos pesados.

Alcanza una profundidad de anlisis de 3nm.

Est profundidad est dentro del intervalo de fenmenos que

tienen lugar en capas muy finas como la pasivacin, la segregacin
de elementos durante cortos periodos de tiempo (nivel industrial),
nuevos pretratamientos protectores, delgadas capas de corrosin
(atmsferas interiores) etc.

Informacin acerca del entorno molecular: estado de

oxidacin, tomos enlazantes, orbitales moleculares,
etc.

Esta informacin es fundamental en la caracterizacin de

materiales y el XPS es de las pocas tcnicas que proporcionan este
tipo de resultados.

Informacin de grupos orgnicos.

Debido a su aplicabilidad particular para el anlisis de los

elementos del segundo periodo, incluyendo al carbono, nitrgeno y
oxgeno.

Perfiles de profundidad de 10 nm no-destructivos y

destructivos de profundidades de varios cientos de
nanmetros.

La tcnica XPS en combinacin con el bombardeo por iones argn

(AIB) tiene la posibilidad de construir perfiles de profundidad.

Variaciones laterales en la composicin de la superficie.

Permite conocer la evolucin del porcentaje atmico en la

superficie de cualquier material como resultado de su tratamiento y
obtener correlaciones entre el contenido de un elemento y el
comportamiento del material.
Es por ello que en general la tcnica XPS se puede emplear en los
siguientes campos:

Polmeros y adhesivos
Catlisis heterognea
Metalurgia
Microelectrnica
Fenmenos de corrosin
Caracterizacin de superficies de slidos en general

Actualmente es una de las tcnicas de anlisis de superficies y

lminas delgadas ms utilizada en la caracterizacin qumica de
materiales tecnolgicos.

BIBLIOGRAFIA
Castellan Gilbert W. (1987). FISICOQUIMICA (2da Ed.). Addison Wesley
Iberoamericana S.A., Espaa. Pg.651, 653.

Instituto Catal de Nanociencia y Nanotecnologa. Anlisis espectroscpico

XPS [Documento en lnea]. [Fecha de consulta: 4 de agosto del 2013].
Disponible en
<http://www.icn.cat/index.php/es/servicios-e-instalaciones/analisisespectroscopico-xpsups >.

S. Feliu (Jr). Caracterizacin qumica de nanosuperficies. Introduccin a la

espectroscopia fotoelectronica de rayos x (xps) [Documento en lnea]. [Fecha
de consulta: 4 de agosto del 2013]. Disponible en
<http://www.aecientificos.es/empresas/aecientificos/articulo_feliu.pdf>.