siendo la intermedia semiconductor intrínseco. Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν). Adecuado para atenuadores, interruptores rápidos, fotodetectores, y aplicaciones de electrónica de potencia de alta tensión. Historia En 1971 se desarrolla LED idóneos para el acoplamiento en fibra El primer PIN de InGaAs óptica. (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977. Los diodos PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin dificultades y ofrecían buenas características. Sin embargo, no podían aplicarse en longitud de onda > 1100 nm. Ge era un buen candidato a ser utilizado para trabajar entre 1100 y 1600 nm, con ruido elevado. Operación y características
Trabaja en la región intrínseca: Su
función se puede comparar a llenar un cubo de agua con un agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza el nivel del agujero en el que comenzará a derramar. Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de baja frecuencia. . A frecuencias más altas, el diodo se parece a una resistencia casi perfecta. Aplicaciones
Son utilizados como:
Conmutador de RF y microondas. A altas frecuencias, el diodo PIN aparece como Resistencia variable. un resistor cuya resistencia es una Protector de sobretensiones. función inversa de la corriente directa. En consecuencia, el diodo Fotodetector. PIN se puede utilizar en algunos diseños atenuador variable como Atenuadores. moduladores de amplitud o circuitos de nivelación de salida. Diodos PIN pueden ser utilizados, por ejemplo, como el puente y las resistencias en derivación en un puente-T atenuador. Cuestionario
¿Qué es el diodo pin?
¿A que se le llama la capa intrínseca? ¿Cuál es la diferencia entre un diodo normal y un diodo PIN? ¿Como trabaja el diodo PIN a frecuencias altas y bajas? Mencione 3 aplicaciones del diodo PIN.