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transparentes. El led infrarrojo es el elemento emisor de luz en el sistema esta luz se encuentra
fuera del espectro visible para el ojo humano, y es necesario auxiliarse de un aparato electrónico
como una cámara
Fototransistor:
Es decir que la señal eléctrica emitida por dicho sensor indica la distancia entre el emisor de luz
y cierto objeto Un fototransistor convierte la energía contenida en un fotón en portadores de
carga, de tal manera que por cada fotón percibido se genera un par electrón-hueco.
En general, este dispositivo cuenta con dos terminales: el emisor y el colector, debido que en
estos la base ha sido sustituida por un elemento fotosensible, en el cual se presenta el efecto
fotoeléctrico
Tiene la desventaja de presentar un bajo desempeño a altas frecuencias, debido a que tiene un
ancho de banda limitado a causa de los efectos capacitivos
emisor común (consiste en generar un cambio en la señal eléctrica de estado alto a estado bajo,
conectando la terminal del colector a la fuente de voltaje, através de una resistencia de carga, y
la terminal de emisor es conectada a referencia a tierra)
colector común (funciona de forma opuesta, cambia el estado de la señal de estado bajo a
estado alto en presencia de luz en la base)
La configuración de base común no es muy usada debido a que, no todos los fototransistores
cuentan con dicha terminal para su conexión
Fotodiodo:
Para su mejor explicacion se debe considerar una unión pn es decir si el lado p se conecta a la
terminal positivo de la fuente de voltaje y el lado n se conecta a la terminal negativa del voltaje,
una corriente circulará a través del diodo; cuando el diodo se expone a la luz, entonces su
corriente tendrá un incremento despreciable con respecto a la corriente que circula por la unión
debido a la fuente de voltaje y se comportará como un diodo común
- Foto diodo PN→Este fotodiodo fue el primer tipo utilizado debido a su bajo rendimiento
ha sido sustituido
- Fotodiodo PIN→El término PIN se deriva del tipo de unión que presenta, ya que se trata
de material P, una región semiconductora intrínseca I y de un material N. generar pares
electrón hueco de manera más eficiente que una unión PN convencional
- Fotodiodo de avalancha→La principal desventaja de este fotodiodo es que debido a su
alta ganancia de corriente, los niveles de ruido también se ven incrementados, es por
esto que su aplicación esta en ambientes con baja irradiación
- Foto diodo Schottky→ presenta muy bajos valores de capacitancia parásita, lo que lo
hace ideal para aplicaciones en alta frecuencia.
Modos de operación
La ecuación que caracteriza a la curva se obtiene mediante una regresión no lineal. Para eso,
con el uso de Excel se elabora una tabla con base en algunos puntos de la curva; después,
se grafican y se aplica la regresión no lineal que nos ofrezca una mayor correlación. Así,
mediante una regresión polinómica con un coeficiente de determinación múltiple de 0.9959
(casi perfecto), la ecuación que describe al sensor es:
LDR o fotorresistencias
Es decir que al incidir una fuente de luz sobre el semiconductor, el número de pares
electrón-hueco libres para la conducción aumenta, por lo que la resistividad del material se
ve disminuida; si esta resistencia variable se conecta a una batería con un valor
determinado, se tiene como resultado un cambio en la corriente eléctrica del circuito