Receptores pticos

Detectores pticos
Los receptores pticos transforman las seales pticas en
seales elctricas, en concreto es el fotodetector el
encargado de esta transformacin. En la siguiente figura
se muestra un diagrama de bloques genrico de un
receptor ptico para un sistema digital con deteccin
directa, el componente clave es el detector de luz:

 El receptor consta de:

un filtro ptico, encargado de eliminar ruido y de seleccionar el
canal adecuado.
un fotodetector, elemento encargado de generar una corriente
elctrica proporcional a partir de una potencia ptica.
un amplificador front-end , que amplifica la seal elctrica
decisor, que discrimina cuando se esta recibiendo un "1" o un "0".

Los fotodetectores son basados en semiconductores, siendo

los fotodiodos los ms adecuados, ya que con ellos es ms
sencillo lograr tener fotodetectores con una sensibilidad alta,
una rpida respuesta, introducen poco ruido, tienen bajo
costo y alta fiabilidad. Los ms comunes son los fotodiodos
p-i-n y los fotodiodos de avalancha.

Fundamentos de los fotodiodos

Los fotodiodos se basan en el proceso de absorcin
estimulada de fotones. Supongamos una unin pn
polarizada en inversa como muestra la siguiente figura:

Al incidir un fotn sobre el semiconductor, tal que su energa

(E fotn = hf) es superior a la energa del gap (Eg), ste es
absorbido generndose un par electrn-hueco. As las
longitudes de onda que pueden ser detectadas son:

Debido al campo elctrico establecido por la tensin

aplicada en el circuito, los electrones y huecos se ponen
en circulacin dando lugar a una corriente elctrica. Al
tener el fotodiodo polarizado en inversa el campo elctrico
interno es ms intenso, por tanto la aceleracin que
experimentan los pares electrones-huecos es mayor, y la
respuesta del fotodiodo ante variaciones de la potencia
ptica es mejor.
La corriente resultante, Ip, es proporcional a la potencia
ptica incidente:
Ip = R P in
Responsividad, R: capacidad del fotodiodo de generar
pares electrn-hueco por la incidencia de una seal ptica.

Responsividad

Eficiencia cuntica

Responsividad

Silicio adecuado para ventana 850 nm.

Ge y InGaAs adecuados para 2 y 3ra ventana.
Ge tiene corriente de obscuridad mayor (0,1 mm
a 20C, 1 mm a 40C), comparado con
InGaAs: corriente de obscuridad 0,2 nA.

Otro parmetro importante en un fotodiodo es su ancho de

banda, ya que determina la velocidad con que responde
el fotodiodo a las variaciones de potencia ptica incidente.
Tiempo de subida del fotodetector (Tr): tiempo
transcurrido desde que la corriente Ip aumenta desde el 10
al 90% de su valor final ante una variacin abrupta de la
potencia ptica incidente.
Una buena aproximacin del ancho de banda del fotodiodo
en funcin del tiempo de subida es la siguiente expresin:

Junto con R y BW, otro parmetro importante es la

corriente de oscuridad Id, la cual se genera en
ausencia de una seal ptica Id < 10nA.

Fotodiodos P-I-N
El ancho de banda de un fotodiodo esta limitado por el
fenmeno de la absorcin fuera de la regin de deplexin.
Los electrones (huecos) generados en la regin p (regin n)
son difundidos a travs de la regin de deplexin. Este
fenmeno de difusin es un proceso lento, lo cual
distorsiona la repuesta temporal del fotodiodo.
El efecto de la difusin se puede reducir aumentando el
ancho de la regin de deplexin y reduciendo las zonas p y
n. As la absorcin de fotones se produce mayoritariamente
en el interior de la regin de deplexin. Esto es el
fundamento de los fotodiodos p-i-n.

Fotodiodos P-I-N

Ensanchar la regin de deplexin agregando entre

las regiones n y p, una regin de material
semiconductor intrnseco.
Material i es elegido de tal manera que tenga una
alta absorcin a la longitud de onda requerida.
Tiempo de respuesta tpico: 30 50 pseg (3-5 GHz)

Un fotodiodo p-i-n de uso comn, es el fotodiodo p-i-n de InGaAs,

mostrado en la siguiente figura:
InGaAs: Arseniuro de indio y galio
semiconductor de Indio, Galio y Arsnico.
Utilizado en fotodetectores por su
velocidad y longitud de onda que emite.
Con este tipo de estructuras, en el que el
material intrnseco est rodeado de capas
tipo p y n de distintos materiales
semiconductores, se consigue que la
absorcin se produzca nicamente en la
capa intrnseca eliminando completamente
el efecto de la difusin. Para ello, se elige
convenientemente la energa del gap para
que el material sea transparente para las
longitudes de onda de trabajo.
Como la energa del gap de la capa InP es de 1.35 eV, para los l > 920
nm este material es transparente, pues no se produce el fenmeno de la
absorcin de lo fotones incidentes.

Los fotodiodos p-i-n se caracterizan por su fcil fabricacin, su alta

fiabilidad, bajo ruido. Su ancho de banda es muy elevado. En la siguiente
tabla se muestran los valores de las principales caractersticas de los
tres tipos de fotodiodos p-i-n ms comunes.

Parmetro

Smbolo Unidad

Si

Ge

InGaAs

Longitud de onda

0.4-1.1 0.8-1.8

1.0-1.7

Responsividad

A/W

0.4-0.6 0.5-0.7

0.6-0.9

Eficiencia

75-90

50-55

60-70

Corriente de
oscuridad

Id

nA

1-10

50-500

1-20

Tiempo de subida

Tr

ns

0.5-1

0.1-0.5 0.05-0.5

Ancho de banda

GHz

0.3-0.6

0.5-3

1-5

Fotodiodos de Avalancha (Avalanche photodiode, APD)

Los fotodiodos de avalancha se emplean cuando la potencia recibida
puede ser limitada, ya que tienen una responsividad mayor que los
fotodiodos p-i-n. Esto se debe a que todos los fotodiodos requieren una
corriente mnima para su correcto funcionamiento, es decir, requieren
una potencia ptica mnima. Por ello son preferibles los fotodiodos con
una responsividad alta, pues requieren una menor potencia ptica para
su buen funcionamiento.
Amplificar la corriente en el mismo fotodiodo.
Ionizacin de impacto: electrones y huecos generados en la regin
de deplexin adquieren suficiente energa en la regin de alta
intensidad de campo elctrico para excitar nuevos pares.
Voltaje de polarizacin inversa requerido muy alto (100 - 400 V).
Para evitar ruptura avalancha (la corriente creciendo sin control con
la potencia incidente), voltaje puesto a un 10% menor de ruptura.

Ganancia interna de un APD

M: factor de multiplicacin. Ganancia tpica entre 30 y 100.

IAPD: corriente de salida (con multiplicacin de portadores).
If: corriente inicial (antes de la multiplicacin).
R: responsividad.
<X>: valor promedio
P: potencia ptica incidente.

Los APD al multiplicar la fotocorriente generada en la unin pn

consiguen un aumento de la sensibilidad con respecto a los fotodiodos
p-i-n. En la siguiente tabla se comparan los valores de las principales
caractersticas de los fotodiodos de avalancha de Si, Ge e InGaAs.

Parmetro

Smbolo

Unidad

Si

Ge

Longitud de onda

0.4-1.1 0.8-1.8

Responsividad

A/W

80-130

Ganancia APD

Corriente de
oscuridad

Id

nA

0.1-1

50-500

1-5

Tiempo de subida

tr

ns

0.1-2

0.5-0.8

0.1-0.5

Ancho de banda

GHz

3-30

100-500 50-200

0.2-1.0 0.4-0.7

InGaAs
1.0-1.7
5-20
10-40

1-3

Estructura de un APD

Absorcin

Ganancia

Diferencia con PIN: Se aade una capa adicional, donde se

generan los pares electrn-hueco por el fenmeno de la ionizacin
por impacto. Por ello esta capa, denominada capa de
multiplicacin (regin de avalancha).

En APDs de InGaAS se emplean estructuras como las siguientes, ya

que en estructuras como las anteriores el APD se perforara debido al
campo elctrico al que esta sometido.

Estructuras SAM (Separate Absortion Multiplication) ;

SAGM APD (Separate Absortion Grading and Multiplication).

Ventajas y desventajas de un APD

Ventajas:
Deteccin de seales dbiles,

Desventajas:

Fabricacin ms complicada (ms caro).

Alto voltaje de polarizacin requerido.
Variacin de la ganancia con la temperatura.
No apto para gran ancho de banda (> 1 Gps)

Detectores comerciales
Fotodiodo PIN: El siguiente dispositivo es un fotodiodo PIN de InGaAs
del fabricante ZARLINK Smiconductor. Este componente se puede
utilizar en fibras monomodo y multimodo.

 Hamamatsu model S2386 silicon photodiode

Toshiba TPS850

El siguiente dispositivo es un receptor de Samsung Electronics, modelo PD78S3A,

compuesto por un fotodiodo PIN de InGaAs con estrucutura planar y un
preamplificador de transimpedancia. Este dispositivo que puede operar a 10 Gbps
tiene una sensibilidad de -21dBm.