MICROSCOPA DE EFECTO TUNEL STM EN SUPERFICIES SLIDAS CONDUCTORAS

Enrique Fernando Tello Rodriguez y Cristian Milton Mendoza Flores

1 2

Resumen

El avance tecnolgico demanda la familiarizacin y experimentacin de las tcnicas de microscopa de barrido, por lo que el microscopio de efecto tnel (STM) se ha convertido en una de las herramientas necesarias en los laboratorios de enseanza e investigacin para la caracterizacin de materiales metlicos y semiconductores. En el presente trabajo describimos brevemente el principio de funcionamiento del STM; asimismo, mostramos, a escala nanomtrica, las imgenes tridimensionales 3D de superficies slidas conductoras (grafito piroltico altamente orientado-HOPG, oro y nquel) obtenidas con un STM para enseanza; logrndose visualizar el ordenamiento atmico en cada una de las muestras estudiadas. Para la adquisicin de las imgenes, se control principalmente los parmetros que definen la velocidad de barrido, las dimensiones de la imagen y el modo de operacin; para determinar la velocidad de barrido se defini la cantidad de puntos en el eje x de la imagen, y el tiempo de sondeo en cada punto, trabajndose en modo de corriente constante, definindose una corriente base para activar el circuito de realimentacin del piezoelctrico en z para mantener la posicin de la punta a una distancia tal que d siempre esa corriente base; otro parmetro importante que se consider fue el potencial aplicado entre la punta y la muestra o comnmente llamado potencial de Bas, que regula tanto la corriente de tnel como la altura. Palabras claves: SPM, piezoelctrico, grafito, modo de exploracin STM

Abastract Technological advance demand familiarity and experimentation of scanning microscopy techniques, so that is why the scanning tunneling microscope (STM) has become one of the tools in the teaching and research laboratories for the characterization of metallic and semiconductors. In this paper we briefly describe the principle of operation of STM; also show, at the nanoscale, three-dimensional images "3D" of solid conductive surfaces (highly oriented pyrolytic graphite, gold and nickel) obtained with an STM, achieving display the atomic arrangement in each of the samples. For getting the images, the parameters that define the scan speed, the dimensions of the image and the operation mode were controlled; to determine the sweep rate, the amount of points on the x axis of the image and the polling time at each point were defined, and the work was done in constant current mode, defining a current basis to activate the piezo feedback circuit in z to maintain the position of the tip at a distance such that the base current always got, another important parameter that was considered was the potential applied between the tip and the sample or commonly called the bias potential, which regulates both tunnel current and height. Keywords: SPM, piezoelectric, graphite, STM exploration mode

Universidad Nacional Jos Faustino Snchez Carrin, Facultad de Ciencias Dpto. Acadmico de Fsica y Qumica. etello@unjfsc.edu.pe. Cel. 991837582. C.P. 15135. Introduccin 2 Universidad Nacional Jos Faustino Snchez Carrin, Facultad de Ciencias Dpto. Acadmico de Fsica y Qumica. cmendozaf@unjfsc.edu.pe. Cel. 979661288. C.P. 15135.

Introduccin El Laboratorio de Fsica de la Facultad de Ciencias de la Universidad Nacional Jos Faustino Snchez Carrin (UNJFSC), recientemente ha adquirido equipos de enseanza modernos, contando entre ellos con el microscopio de efecto tnel (STM) para enseanza; en tal sentido, como parte de este trabajo de investigacin nos hemos propuesto poner en funcionamiento dicho equipo y est disponible para las prcticas de laboratorio de fsica; asimismo, tiene como objetivo utilizar el microscopio de efecto tnel para obtener imgenes tridimensionales 3D, de la topografa de slidos conductores (grafito piroltico altamente orientado, oro y niquel), que nos permita en esta primera fase de estudio observar las superficies a escala nanomtrica y ver el ordenamiento de los tomos de los slidos cristalinos. Lo cual ser de mucha utilidad para los estudiantes de nuestra universidad que cursan asignaturas de fsica del estado slido, fsica moderna, mecnica cuntica, toda vez que van a tener la oportunidad de observar parte de la estructura atmica de un slido cristalino, y servir de estmulo para que vayan conociendo el maravilloso mundo de la nanociencia, relacionado con los nanomateriales, y la nanoelectrnica. La microscopa es considerada como una de las herramientas ms importantes en el estudio de los materiales de muy pequeas dimensiones. Las nuevas tcnicas de microscopia de sonda o de campo cercano, desarrolladas en las ltimas dcadas han abierto nuevas posibilidades de observacin de la superficie de los materiales con resolucin atmica. El primero de los microscopios de campo cercano fue llamado microscopio de efecto tnel [1], denominado tambin microscopio tnel de barrido (STM del ingls Scanning Tunnelling Microscope) [2]. Este microscopio es un instrumento para tomar imgenes de superficies a nivel atmico. Su desarrollo en 1981 hizo ganar a sus inventores, Gerd Binnig y Heinrich Rohrer (de IBM Zrich), el Premio Nobel de Fsica en 1986 [3]. La operacin del STM est basado principalmente por el fenmeno de tunelaje que se produce entre la punta y la muestra; es decir, cuando se establece una diferencia de potencial entre estos y con una separacin de fracciones de nanmetros [4].

Principio de funcionamiento del STM El equipo de microscopia del STM, en general, consiste en lo siguiente: cabeza del microscopio, elemento piezoelctrico que sostiene la punta para tunelaje, controlador electrnico y todos los elementos anteriores estn controlados por una computadora [5]. Mecanismo esquematizado en la figura 1.

Figura 1. Esquema del Microscopio Electrnico de Efecto Tnel (STM). 2

Para realizar la caracterizacin de una muestra por STM, sta es barrida por un explorador piezoelctrico, el cual sostiene una punta metlica afilada con la cual se produce el fenmeno de tunelaje; el piezoelctrico y punta se encuentran en la cabeza del microscopio, la forma atmica de la punta influye de manera significativa, por lo que ste es uno de los elementos decisivos durante el experimento. La punta es a veces hecha de tungsteno o platino-iridio, aunque el oro es tambin utilizado [6]. Las puntas de tungsteno son hechas usualmente por medios electroqumicos, y las puntas de platinoiridio son hechas por corte mecnico [6]. Manteniendo la posicin de la punta con respecto a la muestra, el escaneo de la muestra y la adquisicin de los datos son controlados por computadora [7]. La operacin del STM est basado principalmente por el fenmeno de tunelaje que se produce entre la punta y la muestra; es decir, cuando se establece una diferencia de potencial entre estos y con una separacin [8], una corriente del orden de nanoamperes (1 nA) circula entre la punta y la muestra, corriente suficiente para poder ser detectada electrnicamente. Particularmente el piezoelctrico es uno de los elementos fundamentales del microscopio. El tubo piezoelctrico se puede utilizar como explorador que realiza movimientos tridimensionales, por lo que el movimiento de la punta es controlado en tres dimensiones. El tubo se flexiona al aplicar un voltaje (campo elctrico), es decir, los pares opuestos de los segmentos de los electrodos exteriores, son excitados por un voltaje, provocando una torsin del tubo el cual esta fijo en un extremo permitiendo el movimiento en los ejes x e y; asimismo, el movimiento en el eje z se produce por expansin o contraccin del tubo que controla ese eje, dependiendo de la corriente de tunelaje.

El STM dio origen a un grupo de tcnicas microscpicas que se conocen genricamente como Microscopa de Barrido por Sonda (Scanning Probe Microscopy SPM). Algunas de estas son: Microscopa de Fuerza Atmica en contacto y no contacto (Atomic Force Microscopy AFM-C, AFM-NC), Microscopa de Fuerza Magntica (Magnetic Force Microscopy MFM), Microscopa de Fuerza Lateral (Lateral Force Microscopy LFM), Microscopa de Modulacin de Fuerza (Force Modulation Microscopy FMM), Microscopa por Deteccin de Fase (Phase Detection Microscopy PDM), Microscopa de Fuerza Electrosttica (Electrostatic Force Microscopy EFM), Microscopa ptica de Barrido en Campo Cercano (Near-Field Scanning Optical Microscopy NSOM) [9]. Efecto Piezoelctrico Otro de los elementos fundamentales en el STM es el sistema de posicionamiento, para lo cual es necesario el uso de materiales piezoelctricos. Gracias a stos es posible situar la punta sobre los tomos superficiales y mantenerla a una distancia de estos del orden de picmetros con total precisin. La piezoelectricidad fue descrita y explicada por primera vez por los hermanos Curie en 1880. Se define como un fenmeno que presentan determinados materiales que desarrollan un momento dipolar neto (p.ej. el cuarzo) y al ser sometidos a tensiones mecnicas adquieren una polarizacin elctrica, apareciendo una diferencia de potencial y cargas elctricas en su superficie. Este fenmeno tambin se presenta a la inversa, es decir, los materiales piezoelctricos se deforman bajo la accin de fuerzas internas al ser sometidos a un campo elctrico. El efecto piezoelctrico es normalmente reversible: al dejar de someter los materiales a un voltaje exterior o campo elctrico, recuperan su forma original. Los materiales piezoelctricos pueden tener distintas geometras y configuraciones de movimientos, en funcin del plano por donde son cortados con respecto a su polarizacin neta. Lo anterior es debido a que su separacin de cargas neta est definida
3

por la celda unitaria las formas de movimiento de los materiales se pueden clasificar en modo normal y modo cizalla. Modo normal: la direccin de polarizacin coincide con el campo aplicado, y la deformacin resultantes coincide coen el alargamienrto en la misma direccin de la polarizacin del campo. De esta manera si la polarizacin es paralela al campo aplicado se producira una contraccin del material.

Modo cizalla: la diferencia de potencial es aplicada perpendicularmente a la polarizacin produciendo una deformacin de cizalla en direccin perpendicular a la del campo elcrtrico.

Modos de exploracin por STM Con la tcnica STM podemos visualizar en modos de barrido: modo de corriente constante o topogrfico y modo de altura constante. Modo de barrido de corriente constante o topogrfico En este modo de operacin la altura que se registra entre la punta y la muestra se mantiene constante, por lo que la corriente de tunelaje se mantiene en cada posicin x y; representando as una imagen topogrfica de la superficie. Modo de barrido con altura constante. Detectanto la modulacin de la corriente de tunelaje en funcin de la posicin. Este modo de barrido es preferido para barrido en alta rapidez, utilizado preferentemente para obtener informacin electrnica.

STM - microscopa de efecto tnel

El efecto tnel es un proceso por el cual una partcula es capaz de atravesar una barrera de potencial cuya altura es mayor a su propia energa, y por lo tanto se trata de un proceso imposible dentro de la mecnica clsica. Debido a este fenmeno, un electrn que se encuentra en la superficie de un material, atrapado en pozo de potencial, presenta una probabilidad no nula de escapar de la superficie.

Figura 2. Bosquejo de la tunelaje de un electrn a travs de una barrera, ilustrado por una esfera y una funcin de onda.

De acuerdo con el efecto tnel, si se aplica un voltaje (V) entre la superficie (la muestra) y la punta, existe una probabilidad finita de que haya una transferencia de electrones de un electrodo a otro, dando origen a una corriente, llamada corriente tnel (I). La intensidad de la corriente de tunelaje (I) depende exponencialmente de la distancia entre la punta y la muestra (d), el voltaje aplicado (V) y los factores constantes (c1 y c2)

El factor constante c1 est relacionado con la densidad local de estados (LDOS por sus siglas en ingls Local Density Of States) de la muestra y c2 con la funcin de trabajo de la punta-muestra [10]. Tensin de Polarizacin (Gap Voltage) Es la magnitud de la tensin aplicada entre la muestra y la punta para que se produzca la corriente tnel. Corriente tnel (Feedback Set) Es la magnitud de la corriente tnel que el equipo toma como referencia en el lazo cerrado de control. Ganancia de lazo cerrado (Loop Gain) Determina la rapidez con la cual reacciona la punta ante irregularidades de la superficie. Velocidad de barrido (Scan Speed) Es la velocidad con la que avanza la punta del microscopio. Se mide en nm/s. Escala (Width/Height) Es la extensin o tamao de la superficie medida. Existen otros trabajos sobre microscopa de efecto tnel (STM), tales como los trabajos de investigacin realizados por vila A. y Bonilla R. [11], Oliva A, Rejn V, Lpez N, vila E, Kantn T, Corona J et al [12], sobre Estudio de superficies usando un microscopio de efecto tnel (STM); el de Nehuen A y Lengel I [13], quienes investigaron sobre las caractersticas de la superficie de una muestra de grafito HOPG y una lmina de oro, logrando obtener un perfil topogrfico de las superficies. Material y Mtodos El presente estudio se realiz en Laboratorio de Fsica de la Facultad de Ciencias de la UNJFSC. Se usaron los siguientes equipos y materiales: Equipos y materiales 01 Microscopio de efecto tnel (STM) compacto con resolucin atmica, marca PHYWE, diseado para fines se enseanza. Incluye sistema completo con cabezal de barrido, tapa con lupa, punta exploradora, aparato de control con interface de computador. Condiciones del sistema: Alcance de barrido XYZ: 500x500x200 nm Resolucin XY: 7,6 pm Ancho mnimo de paso Z: 3 pm Corriente de tnel: 0,100 100,000 nA (en pasos de 0,025 nA )
5

Voltaje : 10,000 V (en pasos de 5 mV) Tamao mnimo de la muestra: 10 mm Tensin de conexin a la red: 90 240 V, 50/60 Hz Conexin: USB 01 Laptop, window 7 01 Impresora Epson Stylus RX610 01 Memoria USB 8 Gb. 01 Software measure nano versin 1.0.0.0 01 Manual de instrucciones de funcionamiento del microscopio de efecto tnel-PHYWE 01 Supresor de pico 01 Estabilizador de corriente 01Muestra de grafito tipo piroltico altamente orientado (Highly Oriented Pyrolytic Graphite HOPG), sobre base soporte. 01 Muestra de oro (111), sobre base soporte. 01 Muestra de nquel, sobre base soporte. 50 mm de alambre de Pt-Ir, 0,25 mm . 01 cinta adhesiva Juego de herramientas para preparar la punta exploradora 01 Alicates de corte 01 Alicates de punta fina 01 Pinza de punta 01 Pinza redondeada

Figura 3. Foto de los equipos y materiales utilizados.

Procedimiento Se procedi, segn lo especificado en el Manual de Instrucciones de Funcionamiento del Microscopio de Efecto Tnel-PHYWE [14]. Preparacin de la punta Las puntas utilizadas en este trabajo, se obtuvieron a partir de un alambre de Pt-Ir de 0.25 mm de dimetro cortadas con alicates de corte a un ngulo muy agudo mediante un procedimiento de corte mecnico y tirado de un solo movimiento, ver figura 4.

Figura 4. Foto de la preparacin de la punta de Pt-Ir.

Montaje de la punta Previamente se retir la punta usada del STM. Luego se coloc la punta por debajo de la abrazadera del portapuntas (A), paralela a la ranura, presionando suavemente hasta el final. Se movi la punta hacia los lados hasta que est en la ranura y sostenido firmemente debajo de la abrazadera (B). teniendo en cuenta que debe sobresalir aproximadamente 2 mm . Ver figura 5.

(A)

(B)

Figura 5. Foto del cabezal del STM (A) colocando la punta debajo de la abrazadera. (B) punta ubicada en la ranura y sobresaliendo 2 mm.

Preparacin de las muestras - Material: grafito altamente orientado piroltico (HOPG) El grafito es un material estable en condiciones ambiente, formado slo por tomos de carbono. El grafito presenta una estructura laminar en la cual cada una de las lminas es conocida como grafeno. Tanto la estructura como las propiedades del grafito son una consecuencia directa de la hibridacin tipo sp2, figura 6, por lo que forman tres enlaces covalentes en el mismo plano. El enlace covalente entre los tomos de una capa es extremadamente fuerte, con una distancia de enlace de 0,142 nm y un ngulo de 120 en el mismo plano, formando una estructura hexagonal, figura 7.

Vista lateral

vista desde arriba

2

Figura 6. Esquema de un tomo de carbono de hibridacin sp [14].

Figura 7. Disposicin de los tomos de carbono en el grafito [14].

Los planos del cristal estn unidos por fuerzas dbiles del tipo Van der Waals, lo cual facilita el deslizamiento de las capas del grafito, caracterstico de ese material [13]. Estas fuerzas dbiles de Van der Waals son las que posibilitan obtener una superficie atmicamente lisa, luego de realizar un simple decapado de las capas ms superficiales con cinta adhesiva. Especificaciones Tamao: 5mm x 5mm Apoyo de la muestra: base soporte magntico.

Se realiz un simple decapado de las capas ms superficiales con cinta adhesiva, para efecto de obtener una superficie totalmente lisa, como se muestra en la figura 8.

Figura 8. Decapado de la capa superficial de la muestra de Grafito.

Se mont la muestra sobre el portamuestra, como se muestra en la figura 9.

Figura 9.Montaje de la mustra sobre el portamuestra

Se coloc el portamuestra en el STM y en forma manual punta, figura 10.

se aproxim la muestra a la

Figura 10. Fotos de la aproximacin manual de la muestra a la punta.

Luego se procedi a encender el equipo (A). A continuacin en el software se presion el comando approach (B), el cual automticamente llev al acercamiento mximo entre punta y muestra. Cuando la luz verde del indicador se activ (C), fue seal de inicio del barrido de la muestra (D). Ver figura 11.

(A)

(B)

(C) (D) Figura 11. Fotos del encendido del STM, acercamiento automtico, indicador de luz verde e inicio del barrido de la muestra.

El software que se utiliz fue el mesaure nano, que es el sistema operativo para el microscopio de efecto tnel de phywe. El software permiti la grabacin, anlisis y visualizacin de imgenes nanoscpicas de superficies slidas conductoras con el STM. Asimismo, antes de empezar a trabajar la adquisicin de imgenes, se indicaron algunos parmetros que definen la velocidad de barrido, las dimensiones de la imagen y el modo de operacin.

Para la determinacin de la velocidad de barrido se defini la cantidad de puntos en el eje x de la imagen y el tiempo de sondeo en cada punto.

Se trabaj en el modo de corriente constante, definiendo una corriente base para la activacin del circuito de realimentacin del piezoelctrico en z para mantener la posicin de la punta a una distancia tal que d siempre esa corriente base. Otro parmetro importante que se consider fue el potencial aplicado entre la punta y la muestra o comnmente llamado potencial de Bas, que regula tanto la corriente de tnel como la altura.

- Material: Oro (111) Los tomos de oro se disponen en los vrtices y en los centros de las caras de una celda cbica centrada en las caras (FCC), con radio atmico de 0,144 2 nm .

Figura 12. Estructura cristalina del oro

Fuente: http://es.123rf.com/photo_17236664_oro-au-de-metal-estructura-cristalina.html

Especificaciones Tamao: 5mm x 5mm Apoyo de la muestra: base soporte magntico.

Material: nquel Los tomos de nquel se disponen en los vrtices y en los centros de las caras de una celda cbica centrada en las caras (FCC), con radio atmico igual a 0,124 5 nm . Tamao: 5mm x 5mm Apoyo de la muestra: base soporte magntico. En cada medicin fue necesario encontrar parmetros que permitan obtener buenas. Estos parmetros dependieron tanto del tipo de material a medir (grafito, oro, niquel) como tambin de las condiciones de medicin (calidad de la punta, rugosidad de la muestra, etc.). Los parmetros cambiaron de medicin en medicin. Resultados y Discusin En la imgenes siguientes se muestran los resultados que hemos obtenido. Muestra de Grafito

Figura 13. Imagen en 3D de la superficie de grafito (HOPG) medida a corriente constante, tamao de la imagen: 50 nm, tiempo/lnea: 0.2 s, set-point: 1,2 nA, P-Gain: 1200, G-Gain: 1500.

10

Figura 14. Imagen tridimensional 3D, mostrando la ordenacin atmica en la superficie de grafito. Imagen que corresponde a una ampliacin en una las secciones de la figura 13.

Muestra de Oro

Figura 15. Imagen en 2D de la superficie de oro (111) medida a corriente constante, tamao de la imagen: 50 nm, tiempo/lnea: 0.3 s, set-point: 1,2 nA, P-Gain: 1000, G-Gain: 1500.

Figura 16. Imagen en 3D mostrando la ordenacin atmica en la superficie de oro. Imagen que corresponde a una ampliacin en una las secciones de la figura 15.

11

Muestra de Niquel

Figura 17. Imagen en 2D de la superficie de nquel medida a corriente constante, tamao de la imagen: tiempo/lnea: 0.2 s, set-point: 1,2 nA, P-Gain: 1200, G-Gain: 1500.

Figura 18. Imagen en 3D mostrando la ordenacin atmica en la superficie de nquel. Imagen que corresponde a una ampliacin en una las secciones de la figura 17.

Discusin De las imgenes tridimensionales 3D obtenidas podemos observar una ordenacin atmica, segn corresponde a la distribucin atmica en slidos cristalinos; obteniendo una densidad electrnica de la superficie barrida y, por lo tanto, de la disposicin geomtrica de los tomos (topografa atmica); donde los lugares con contrastes oscuros representan las zonas ms profundas de la superficie y las ms claras indican los lugares ms altos de la superficie. Esto implica que La microscopa de efecto tnel (STM) es una tcnica poderosa para la observacin de superficies a nivel atmico que provee un perfil tridimensional de una superficie lo cual es muy til para caracterizar los materiales de muy pequeas dimensiones. Comparando nuestros resultados, medidas en modo corriente constante, en dos dimensiones 2D, con los de la literatura, no se pudo identificar claramente una estructura atmica bien definida. Sin embargo, las imgenes de la superficie de grafito (HOPG) y de la superficie de oro, obtenidas en el presente trabajo, son similares a las obtenidas por Neuen A. y Lenyel I [13].

12

Conclusiones

El estudio realizado con el microscopio de efecto tnel (STM) para enseanza, instalado recientemente en el Laboratorio de Fsica de la Facultad de Ciencias de la UNJFSC, nos ha permitido obtener, a escala nanomtrica, imgenes tridimensionales 3D de superficies slidas conductoras (grafito piroltico altamente orientado-HOPG), oro y nquel), logrndose visualizar el ordenamiento atmico en las muestras estudiadas, segn corresponde a la distribucin atmica en slidos cristalinos. Para la adquisicin de las imgenes, se control principalmente los parmetros que definen la velocidad de barrido, las dimensiones de la imagen y el modo de operacin. Para determinar la velocidad de barrido se defini la cantidad de puntos en el eje x de la imagen, y el tiempo de sondeo en cada punto, trabajndose en modo de corriente constante, definindose una corriente base para activar el circuito de realimentacin del piezoelctrico en z para mantener la posicin de la punta a una distancia tal que d siempre esa corriente base; otro parmetro importante que se consider fue el potencial aplicado entre la punta y la muestra o comnmente llamado potencial de Bas, que regula tanto la corriente de tnel como la altura. El trabajo futuro se concentrar en el estudio de las superficies slidas conductoras probando con puntas que se prepararn en el laboratorio de Fsica mediante procesos electroqumicos, toda vez que la resolucin de la imagen es limitada por el radio de curvatura de la punta de prueba del STM. Referencias Bibliogrficas Martn J. La Microscopa del estudio de materiales y lminas delgadas. En. Albella J, Editor. Lminas Delgadas y Recubrimientos. Preparacin, Propiedades y Aplicaciones. Madrid: Consejo Superior de Investigaciones Cientficas; 2003. 519-40. [2] Castellanos A. Propiedades electrnicas, mecnicas y pticas de cristales bidimensionales de espesor atmico [tesis doctoral]. Madrid: 2011. [3] Binnig G, Rohrer H. Scanning tunneling microscopy. Journal of Surface Science [Revista en Internet]. march 1983; 126 (1-3): 236-44. [acceso 10 de octubre del 2012] disponible en: http://people.ee.duke.edu/~dwyer/courses/ece310/Binnig_STM.pdf [4] Magonov N, Whangbo M-H. Scanning Probe Microscopes. En: Surface Analysis with STM and AFM. Weinheim: VCH Verlagsgesellschaft mbH; 1996. pp. 21-44. [5] Trinidad Y. Visualizacin de macromolculas adsorbidas en superficie metlica monocristalina, mediante microscopa electrnica de efecto tnel (STM). Unidad de Iztapalapa: Universidad Autonoma Metropolitana Iztapalapa; 2003. http://148.206.53.231/UAMI10564.PDF [6] Bai, C. Scanning Tunneling Microscopy and its Aplications.New York:Springer Verlag;2000. [7] Oura K, Lifschits V, Saranin A, Zotov A, Katayana M. Surface science: an introduction. Berlin: Springer Verlag; 2003. [8] Binnig G, Rohrer H, Gerber Ch, Weibel E. The 7x7 reconstruction on Si(111) was observed in real space by scanning tunneling microscopy. Physical Review Letters [Revista en Internet]. 1983 [acceso 24 de octubre del 2012]; 50:120-123. Disponible en: http://prl.aps.org/abstract/PRL/v50/i2/p120_1 [9] Howland R, Benatar L. A practical guide to scanning probe microscopy. USA: Thermo Microscopes; 2000. [10] Chen C. Introduction to scanning tunneling microscopy. Oxford: University Press; 2008. [11] vila A, Bonilla R. Estudio de superficies usando un microscopio de efecto tnel (STM). Ingeniera e Investigacin [Revista en Internet]. Diciembre de 2009 [acceso 24 de octubre del 2012]; 29(3): 121-127. Disponible en:
[1] 13

http://www.scielo.unal.edu.co/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S012056092009000300020&lng=es&nrm= [12] Oliva A, Rejn V, Lpez N, vila E, Kantn T, Corona J et al. Microscopio de efecto tnel con resolucin atmica. Revista Mexicana de Fsica [Revista en Internet]. 1994 [acceso 20 de setiembre del 2012]; 40(1):106-118. Disponible en: http://www.mda.cinvestav.mx/labs/fisica/micros/laboratorio/articulos%20pdf/Internacio nales/7.pdf [13] Nehuen A, Lengel I. Microscopia de efecto tnel. Dpto. Fsica J.J. Gimbiagi, FCEyN UBA. abril de 2011: 1-5. [acceso 30 de noviembre del 2012] disponible en: http://users.df.uba.ar/bragas/Labo5_1er2011/G1STM.pdf [14] Phywe. Scanning tunneling microscopy (STM)-Operating Instruction and Experiments. Gttingen: Phywe Systeme GmbH & Co. KG; 2009.

14