Instituto Superior de Formacin Docente N3 Dr.

Julio
Csar Avanza

Nanotecnologa,
Espintrnica y MRAM
Las nanoestructuras en dispositivos de
memoria.
Sonia Paz Carbajo- Brenda Fioramanti

2014

Prof. Dr. Claudia Manfredi

ndice
1 seccin: Nanotecnologa, espintrnica y MRAM
Introduccin...2
Concepto de nanotecnologa, escala nanomtrica, microscopio de efecto tnel y
metodologa top-down y bottom-up..2
Alcances de la nanotecnologa, ciencias emergentes y desarrolladas gracias a la
nanotecnologa: concepto de espintrnica y sus aplicaciones3
MRAM: funcionamiento. Ventajas, desventajas. Puntos de riesgo e incertidumbre..4

2 seccin: Aplicacin didctica

Espacio del diseo curricular..7

Contenidos.7
Expectativas de logro...7
Estrategia didctica: concepto de nanotecnologa y la escala nanomtrica.8
Estrategia para ensear la nanoestructura MRAM..8
Puntos de riesgos e incertidumbre, actividad didctica..9
Evaluacin y fundamentacin.9
Conclusiones finales10
Bibliografa....10

1 Seccin: Nanotecnologa, Espintrnica y MRAM

Introduccin
El desarrollo de las nanotecnologas promete un fuerte impacto en las tcnicas y los
procesos de produccin, y en consecuencia, sobre el desarrollo econmico y social de los
pases. Su velocidad de difusin se ve reflejada en la creciente cantidad de productos que
han incorporado las nanotecnologas, desde productos cosmticos hasta autopartes,
pasando por medicamentos y tcnicas de biogentica. Las inversiones privadas y estatales
en Investigacin y Desarrollo (I&D) de estas tecnologas van en creciente aumento, y las
patentes que registran las nuevas tcnicas, materiales y productos cada vez son ms. Sin
embargo como toda innovacin, las nanotecnologas presentan su otra cara, la de la
incertidumbre, que nos hace pensar en los riesgos de su uso, tanto para las personas, como
para el medio ambiente y tambin plantearnos que impacto tendrn sobre las economas
de los pases y qu consecuencias sociales acarrearn a sus poblaciones.
Nos encontramos as frente a un nuevo paradigma, en el que la ciencia y la tecnologa
desarrollaron las habilidades para medir, manipular y organizar materia a nanoescala, con
propsitos definidos y usos potenciales en casi todas las industrias, el medio ambiente y la
salud.

Historia y antecedentes
Ya en los aos cincuenta Feynman propone un
modelo cientfico en el que se prevea la
fabricacin de nuevos productos a partir del
reordenamiento de tomos y molculas. En 1974
es presentado el trmino nanotecnologa (del
latn nanus: enano) por el japons Norio
Taniguchi, para hacer referencia a la tecnologa
aplicada a escala atmica y molecular. Esta escala
se mide en nanmetros (nm), un nm es una Ilustracin 1: STM o Microscopio efecto tnel
milmillonsima parte de un metro (para hacernos
una idea de la pequeez de la medida podramos decir que un nanmetro es decenas de
miles de veces ms pequeo que un cabello humano).
No fue hasta principios de los aos ochenta que estas ideas se hicieron posibles cuando se
patent el STM (Scanning Tunneling Microscope) o microscopio de efecto tnel que
permite ver a escala nanomtrica la representacin de un objeto en la pantalla de una
computadora y no mediante lentes como los microscopios convencionales. El SMT utiliza
una fina aguja elctricamente conductora, que escanea la superficie del objeto a una
distancia de slo 10 nm. El flujo de electrones que va de la aguja a la superficie mantiene
constante esa distancia, cuando la superficie se incrementa la aguja tambin lo hace; y
contrariamente si baja, tambin desciende. De este modo las vibraciones de la aguja
permiten trazar grficamente la imagen de la superficie en una pantalla.
La materia se comporta de manera diferente a escala nano. Las nanociencias son definidas
como el conjunto de disciplinas que buscan comprender las leyes que gobiernan este
2

universo diminuto, mediante el estudio de la materia a nivel

atmico y molecular. Aqu convergen diversas ciencias como la
ingeniera, biologa, qumica y fsica en todas sus ramas. Las
nanotecnologas refieren a las tcnicas y procedimientos
utilizados para reconfigurar atmica y molecularmente la
materia. Ambos conceptos combinados con la computacin y el
diseo basado en los modelos de la naturaleza, proveen el
ambiente adecuado para el desarrollo de nuevos productos,
materiales y mquinas.
Para alcanzar estos objetivos, la nanotecnologa se vale de dos
mtodos, el mtodo top-down y el mtodo bottom-up. El
primero se refiere a la tecnologa que comienza con un bloque
de material y lo moldea hasta obtener el resultado deseado
reduciendo su tamao (menor a 100 nanmetros). Mientras que
el segundo es una tcnica compleja, y consiste en disear y
construir mquinas en las cuales cada tomo y enlace qumico
est precisamente especificado, tomo por tomo, molcula por
molcula o clster por clster .

Nanotecnologa y la electrnica del espn

Integrar el magnetismo en los dispositivos electrnicos
conocidos es uno de los grandes desafos que existen en el rea
de la nanotecnologa. A ello se dedica la espintrnica, trmino
que hace alusin al espn, una suerte de movimiento intrnseco
de rotacin del electrn.
Se estudian y disean estructuras ya que el magnetismo ha
desempeado un papel fundamental en el almacenamiento de
informacin desde la construccin de las primeras
computadoras, y se anticipan aumentos dramticos de la
capacidad de almacenamiento con estas tcnicas.
La investigacin de fenmenos de transporte elctrico afectado
por el magnetismo de materiales se remonta a los aos 70. En
general, los metales comunes tienen la misma cantidad de
electrones con espn arriba que con espn abajo y esta
propiedad no afecta la corriente elctrica que pueda fluir por
ellos. En cambio, en los materiales ferromagnticos, los
electrones que fluyen a travs de ellos tienen una resistencia
diferente a moverse si su espn apunta para arriba o si lo hacen
para abajo. El avance en tcnicas de preparacin de nuevas
estructuras abri las puertas al estudio de estos fenmenos en
materiales nanoestructurados y a fines de los aos 80, el grupo
de Albert Fert (Premio Nobel de Fsica 2007), descubri un
efecto nuevo al que denominaron magnetorresistencia gigante
(MRG)
en
estructuras
de
multicapas.
Se
llama
magnetorresistencia a la variacin de resistencia elctrica, de un

Ilustracin 2: electrones,
espn up y espn down.

Adems de su masa y
carga
elctrica
los
electrones
tienen
una
cantidad intrnseca de
momento
angular,
denominado el espn. Es
como si fueran pelotitas
cargadas que rotan sobre
su eje. Podran hacerlo de
este a oeste y de oeste a
este
(a
estas
dos
direcciones se les asigna
por convencin up y down
respectivamente).
En
presencia de un campo
magntico
H,
los
electrones con espn up
tienen distinta energa que
los que tienen espn down,
respecto de la orientacin
de H.
En un circuito elctrico
ordinario, los espines de
los
electrones
estn
orientados al azar y no
poseen
ningn
efecto
sobre la corriente. En los
dispositivos espintrnicos,
en cambio, se crean
corrientes polarizadas en
espn, donde ahora s el
espn
controla
el
transporte
(filtrando
corriente, haciendo de
llave si-no, etc.)

material cuando est en presencia de un campo

magntico. Por qu gigante? Porque mientras hasta ese
momento los efectos magnetorresistivos medidos en
materiales no superaban el 6%, en las nuevas estructuras
artificiales se reportaban efectos de ms del 100%.
Un equipo de IBM liderado por Stuart Parkin reconoci
rpidamente las posibilidades de utilizacin del efecto
de magnetorresistencia para un sensor de campo
magntico y, por consiguiente, para la cabeza de lectura
en un disco duro de ordenador y replic, en 1989, el Ilustracin 3: Disco duro con cabeza
efecto en capas policristalinas, hechas de materiales lectora que utiliza el efecto GMR.
ferromagnticos y no ferromagnticos. En diciembre de
1997 IBM liber al mercado el primer dispositivo comercial basado en este efecto.
Ms tarde se ide la juntura tnel (JT), reemplazando el metal no magntico con un
aislante. Las JT estn constituidas de dos capas ferromagnticas o electrodos, separados
por una barrera aisladora. Los electrones se encuentran con una barrera muy alta (el
aislante) que dificulta su paso de un lado hacia el otro de la misma o sea de un
ferromagneto al otro. Solo algunos electrones logran pasar a travs de la barrera, por
efecto tnel cuntico, cuando la magnetizacin de los dos ferromagnetos est alineada;
este estado es de baja resistencia elctrica. En cambio, cuando las magnetizaciones de
ambas capas estn orientadas de manera opuesta, la corriente es prcticamente nula
definiendo un estado de alta resistencia elctrica. Los resultados muestran la existencia de
dos estados resistivos claramente distinguibles, alta-baja, que puede asociarse a estados SINO. El magnetismo de los electrones del metal que se utiliza como electrodo, as como las
caractersticas de las interfaces entre el metal y el aislador definen principalmente la
importancia del efecto.

El efecto de magnetorresistencia de tnel y las MRAM

Ilustracin 4: evolucin del almacenamiento de datos anlogo vs. digital. Aplicaciones e instrucciones por
segundo.

No solo se intenta producir microprocesadores cada vez ms

rpidos, potentes, y con menor consumo de energa; la
carrera por almacenar datos en unidades ms pequeas,
rpidas y por sobre todo con capacidades mayores es
tambin una realidad. La capacidad para almacenar datos ha
evolucionado de forma abismal desde los inicios de la
computacin. Existen memorias RAM de hasta 8 Gigabytes
por peine, discos rgidos de varios Terabytes, discos pticos
(Blu-Ray, HD-DVD, etc.) de hasta ms de 50 GB y
recientemente Kingston ha presentado un pendrive de 1 TB
(Kingston HyperX Predator 3.0), o sea 8796093022208 bits Ilustracin 5: Unidades de medida
en donde se puede guardar todo tipo de informacin, en para memoria y almacenamiento
grandes cantidades y en un tamao reducido; sin embargo, (sistema binario)
las tecnologas actuales estn llegando a su lmite y no sern
suficientes para almacenar toda la informacin que se producir en un futuro no muy
lejano, la mejor muestra de ello es la nueva resolucin 4K que necesita de 10TB para
almacenar 1 hora de vdeo (el Blu-Ray de doble capa almacena 52GB, 196 veces menos de
lo necesitado), por ello se est en busca de la memoria universal, una memoria sper
densa, rpida y de mnimo consumo que satisfaga todas las necesidades de
almacenamiento, algo que solo ser posible con la ayuda de la nanotecnologa. La
electrnica convencional codifica los datos informticos basados en un sistema binario de
unos y ceros, dependiendo de si los electrones circulan o no dentro del material. Pero, por
principio, la direccin en que un electrn gira en un sentido o en el otro puede tambin ser
utilizada como informacin. As que la espintrnica puede efectivamente permitir a las
computadoras almacenar y transferir el doble de datos por electrn. Una vez que un
campo magntico empuje un electrn en un sentido de rotacin, mantendr el sentido de
rotacin hasta que otro campo magntico provoque el cambio. Este efecto se puede utilizar
para tener acceso muy rpidamente a informacin almacenada magnticamente durante
una operacin informtica, incluso si la corriente elctrica se ha interrumpido entre dos
sesiones de trabajo. Los datos se pueden almacenar permanentemente y estn casi
inmediatamente disponibles en cualquier momento, sin ser necesario un prolongado
proceso de arranque.
La MRAM (RAM magnetorresistiva o magntica) (en ingls: magnetoresistive randomaccess memory) es un tipo de memoria no voltil que ha estado en desarrollo desde los
aos 90.
A diferencia de la RAM convencional los datos no se almacenan como carga elctrica o
flujos de corriente, sino por medio de elementos de almacenamiento magntico. Los
elementos estn formados por dos discos ferromagnticos, cada uno de los cuales puede
mantener un campo magntico, separados por una fina capa de aislante. Uno de los dos
discos se sita en un imn permanente con una polaridad dada; el otro variar para
adecuarse al de un campo externo. Una malla de estas celdas forma un chip de memoria.
La lectura se realiza midiendo la resistencia elctrica de la celda. El efecto tnel provoca
cambios en la resistencia de la celda segn la orientacin de los campos de los dos discos.
En general suele considerarse '0' si la polaridad de ambos discos es la misma (el estado de
menor resistencia).

La escritura se realiza mediante una tcnica basada

en la transferencia de torsin de espn. Utiliza
electrones polarizados para realizar la torsin sobre
los dominios magnticos. Es decir, si los electrones
que fluyen a una capa han de cargar su espn, se
genera una fuerza de torsin que se transfiere a la
capa prxima. De esta forma se reduce la corriente
necesaria
para
realizar
la
escritura
a
aproximadamente el mismo nivel de la lectura.
Ilustracin 6: Celda MRAM

Ventajas y desventajas
Una nueva tecnologa slo reemplaza una existente con xito si mejora las prestaciones
(incluyendo el costo), o si suministra caractersticas que la tecnologa existente es
fsicamente incapaz de suministrar. Este es el reto, la bsqueda de nuevas propiedades,
paradigmas y arquitecturas para crear la nueva nanoelectrnica.
Ventajas
-La memoria MRAM mantiene la
informacin en bits dentro de campos
magnticos, evita as la reescritura continua
necesaria hoy en las memorias RAM.
- Suponen un gran ahorro de energa al no
necesitar ningn tipo de alimentacin
elctrica.
-Mayor vida til de las bateras de los
dispositivos (PCs, celulares, etc.)
-Ciclos de lectura-escritura menores a 50 ns.
- No se pierden datos cuando se apaga el
terminal.
-Mayor resistencia, no se degrada con el
tiempo.
-Reduccin del tiempo de encendido.
-Costos de produccin menores.
-Mayor capacidad de almacenamiento.

Desventajas
-Actualmente en la arquitectura litogrfica
la tolerancia a errores es cero, cualquier
falla en el circuito destruye todo el sistema,
aumentando sustancialmente el costo de
produccin.
-Adaptacin de esta tecnologa al resto de
los dispositivos que conforman el
microprocesador de la PC, o viceversa.
-Resistencia de los fabricantes a invertir en
nuevas tecnologas.
-No tendr aplicacin prctica masiva hasta
dentro de unas dcadas, cuando se llegue al
lmite del desarrollo de las tecnologas
actualmente utilizadas.
-Investigar nuevos paradigmas
electrnicos.
-Estructuras organizativas nuevas.
-Nuevo equipo y material.
-Recursos humanos con experiencia
multidisciplinar.

Puntos de riesgos e incertidumbre

Las nanoestructuras presentan propiedades fsicas y qumicas nicas, las cuales

difieren significativamente de las correspondientes a los mismos materiales de
mayor escala, por lo que no es posible predecir su perfil de toxicidad por
extrapolacin a partir de datos de sus equivalentes de mayor tamao.
Dificultad en el anlisis del ciclo de vida de los nanomateriales, desconocimiento
del tiempo y forma de su degradacin, esto lleva a no poder medir el impacto
ambiental.
En consecuencia a la falta de estudios y resultados concluyentes de la degradacin
de los nanomateriales, no es posible precisar los mtodos de remocin de
nanomateriales txicos del ambiente y su efectividad.
Uso mal intencionado de las nanoestructuras y sus aplicaciones.
Desventajas productivas para aquellos pases ms atrasados tecnolgicamente, por
ende, concentracin de la riqueza.
Monopolio de las patentes.
Desplazamiento de las empresas que no consigan adaptarse a los cambios, no
sabemos si esto podr extrapolarse a cualquier fabricante o slo a unos pocos.

2 Seccin: Aplicacin Didctica

Diseo curricular
Espacio curricular: Formacin cientfico- tecnolgica.
Materia: Emprendimientos productivos y desarrollo local.
Ao: 7mo
Contenidos
La escala nanomtrica.
Conceptos de Microscopio de efecto tnel, Metodologa top-down y bottom-up.
Ciencias emergentes: la espintrnica y algunas de sus aplicaciones.
Las nanoestructuras y el funcionamiento de las memorias MRAM.
Ventajas, desventajas y puntos de riesgos e incertidumbre de estas nuevas
tecnologas.
Expectativas de logro de los alumnos
Conocer las ltimas tecnologas en la arquitectura de computadoras. Materiales
actuales, ventajas y desventajas de los mismos.
Comprender la escala nanomtrica, valorar los efectos de la nanotecnologa en la
construccin de dispositivos electrnicos.

Desarrollar un juicio crtico y reflexivo de las innovaciones en el campo de la

computacin gracias a los conceptos vistos durante la clase.

Actividad para la explicacin de la escala nanomtrica en clase

Para introducir el tema en la clase se realizar la lectura compartida de un extracto de
artculo web. Con el fin de relacionar la Nanotecnologa con la computacin y para captar
el inters de los alumnos se har la presentacin de un video (link adjunto).
Utilizando un PPT como soporte visual realizaremos una exposicin dialogada,
orientando con buenas preguntas para que los estudiantes logren abstraer estos conceptos
nuevos, utilizaremos la notacin cientfica para mostrar la relacin entre las diferentes
unidades de medida. Como estrategia prctica utilizaremos cintas (10 mt, 1 mt) y tijeras,
cortando los tramos, hasta llegar a la menor unidad posible.
Finalmente como cierre se propondr una bsqueda inteligente en web de las mltiples
aplicaciones de la Nanotecnologa en los diferentes campos de la ciencia (si no hubiera
conexin a internet en el aula, puede sugerirse
como tarea para la casa). Los puntos de anlisis
sern: nombre del dispositivo, tcnica o
aplicacin; campo de la ciencia al que
corresponde, funcionamiento general, beneficios,
Qu clase de innovacin es? (de producto, de
proceso, incremental o de ruptura, tcnica,
aplicada). Fundamentar.

Estrategia para la exposicin del funcionamiento de la memoria MRAM

Se realizar una breve exposicin con soporte visual (presentacin power point),
presentando imgenes de alto impacto visual para analizar. Como instrumento para
verificar si la explicacin fue efectiva se repartir una gua de preguntas para que los
alumnos analicen y respondan. Esta actividad se realizar en grupo.

Con relacin a la imgenes presentadas, analizar cada una: Por qu puede ser
Arriba (Up) o Abajo (Down)? Para darnos una idea, el lugar al que todos los
espines de un imn apuntan, es el lugar donde encontraremos su polo positivo?
El electrn en el campo de la electrnica tradicional utiliza la corriente, para abrir
y cerrar compuertas lgicas es correcto? Fundamente.
Imaginemos la misma corriente de agua con dos colores, azul y rojo; esta agua
tiene las mismas propiedades que la anterior- puede activar compuertas y
8

mecanismos, pero ahora contamos con otra variable que no exista en el canal que
consideramos clsico, tenemos el color del agua, que suponemos en este ejemplo,
representara un atributo cuntico. Cuando agua pintada de azul o rojo, llegase a
una compuerta clsica, sta se activara de la forma normal, sin diferenciar una de
otra, pero qu pasara si hiciramos mecanismos y compuertas que aprovecharan
el color del agua para activar mecanismos?
Durante la actividad el profesor prestar ayuda y gua en la resolucin de las respuestas.
Actividad para analizar los riesgos y los puntos de incertidumbre.
Se plantear hacer una simulacin en clase, donde un grupo de alumnos tomar el rol del
grupo de cientficos que desarroll la tecnologa MRAM, y el otro grupo la empresa
fabricante que se plantea invertir o no en esta nueva tecnologa. De esta manera se podrn
debatir las ventajas y desventajas en diferentes aspectos de esta nueva tecnologa. Algunas
de los aspectos a tener en cuenta en la teatralizacin seran:

Qu diferencias de arquitectura tienen las MRAM con las RAM convencionales?

Cmo funcionan las MRAM?
Qu obstculos presenta la fabricacin?
Se pueden adaptar las instalaciones actuales de produccin de celdas de memoria
a esta nueva tecnologa?
Qu factores inciden en el costo de fabricacin?
Qu beneficios se le pueden atribuir a las MRAM?

Evaluacin: criterios e instrumentos. Fundamentacin

Se aplicar la evaluacin formativa que busca promover el debate, la discusin y la
comunicacin del alumno con el profesor y sus compaeros, relativo a innovaciones
tecnolgicas que pueden resultar controversiales o no. Se perseguir la elaboracin
conjunta de los saberes y la introduccin de estos contenidos al curriculum escolar.
Criterios

Participacin y trabajo en clase.

Predisposicin a escuchar al compaero y al docente.

Instrumentos

Testeo visual y oral.

Listas de control.
Entrega de trabajos realizados en las clases.

Conclusiones finales
Todas las reas especialmente la de Hardware en informtica cuentan con un importante
desarrollo gracias a la nanociencia y la nanotecnologa, sin embargo, stas se encuentran
en continuo estudio, ya que se busca un mayor desarrollo y perfeccionamiento de las
tcnicas de fabricacin y produccin. Esto sugiere que se transforme en una de las reas de
la ciencia ms predominante en las prximas dcadas.
Estos avances implican necesariamente que los principales conceptos asociados a la
nanociencia y la nanotecnologa deban estar presentes, con los adecuados matices y
adecuaciones curriculares, en los diseos curriculares, en la formacin profesional, y en
aquellas actividades formativas de la sociedad en general. Es deber de los docentes
preparar a los futuros ciudadanos para un mundo que ser muy distinto al de hoy.
Consideramos muy importante que el tcnico est actualizado, y conozca las ltimas
tecnologas usadas en su campo profesional. Necesita estos conocimientos para
desempearse con aplomo y criterio en el mbito laboral, sumando un valor agregado a su
trabajo y aportando desde sus saberes nuevas soluciones a los problemas, planteando
innovaciones, siempre con una mirada crtica y reflexiva de su intervencin en el mundo y
la sociedad.

Bibliografa
-

Guzmn Chvez A., Toledo Patio A. (2003). Las nanotecnologas: un paradigma

tecnolgico emergente. Dinmica y especializacin de la innovacin en las
nanotecnologas. Ed. Razn y Palabra.
Nanomateriales (2011). Coleccin Materiales y Materias Primas. Centro Atmico
Constituyentes (CAC), Centro Atmico Bariloche (CAB), Comisin Nacional de
Energa Atmica (CNEA).
Grosso A. (2013). Nanotecnologa en almacenamiento de datos. Recuperado el 8 de
Diciembre 2014 de http://www.nanoporundia.org/web/wpcontent/uploads/2014/04/nanotecnologia-en-almacenamiento-de-datos.pdf
Steren L. (2005). Electrnica del espn (espintrnica). Revista Ciencia hoy en lnea.
Recuperado el 8 de diciembre 2014 de
http://fisica.cab.cnea.gov.ar/resonancias/images/stories/steren.pdf

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