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SCR

Definición El nombre proviene de la unión de Tiratrón y Transistor. es un


dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura PNPN
con tres uniones PN.
Símbolo

A = ánodo, G = compuerta o Gate y C = K = cátodo


Estructura interna

Circuito
equivalente
Curva Cuando está polarizado en inversa se comporta como un diodo
característica común. En la región de polarización en directo, se comporta
también como un diodo común, siempre que ya haya sido
activado (On).

Si la IG disminuye, el voltaje ánodo – cátodo aumenta.


Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje
ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de que conduzca.
Métodos de Disparo por puerta
disparo (o Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor.
encendido) Consiste en la aplicación en la
puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales
de puerta y cátodo a la vez que mantenemos una tensión
positiva entre ánodo y cátodo.

Disparo por módulo de tensión


Este método podemos desarrollarlo basándonos en la estructura
de un transistor: si aumentamos la tensión colector - emisor,
alcanzamos un punto en el que la energía de los portadores
asociados a la corriente de $fugas es suficiente para producir
nuevos portadores en la unión de colector, que hacen que se
produzca el fenómeno de avalancha.
Disparo por gradiente de tensión
Si a un tiristor se le aplica un escalón de tensión positiva entre
ánodo y cátodo con tiempo de subida muy corto, los portadores
sufren un desplazamiento para hacer frente a la tensión exterior
aplicada. ¡La unión de control queda vacía de portadores
mayoritarios ,aparece una diferencia de potencial elevada, que
se opone a la tensión exterior creando un campo eléctrico que
acelera fuertemente a los portadores minoritarios produciendo
una corriente de fugas.
Método de Una vez encendido el tiristor o en otro En el punto de vista, la
apagado corriente del ánodo está por encima de la corriente de
enclavamiento, la puerta pierde el control sobre ella. Eso
significa que el circuito de la puerta no puede apagar el
dispositivo. Para apagar la corriente de ánodo SCR debe caer
por debajo de la corriente de retención. Después de que la
corriente del ánodo caiga a cero, no podemos aplicar voltaje
directo a través del dispositivo debido a la presencia de cargas
de portadora en las cuatro capas. Por lo tanto, debemos eliminar
o combinar estas cargas para apagar de SCR. Así que apagar el
tiempo de SCR se puede definir como el intervalo entre la
corriente del ánodo cae a cero y el dispositivo recupera su modo
de bloqueo directo.
Ángulo de disparo
El ángulo de disparo es el número de grados de un ciclo AC que
transcurren antes que el SCR pase al estado de conducción.
Desde luego ,estos términos están basados en la noción que el
periodo equivale a 360° grados. La figura representativa muestra
las formas de onda de un circuito de control con SCR para
diversos ángulos de disparo. Por tanto, en este caso, el ángulo
de disparo es 60°.
Principales  VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
parámetros  VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
 IF: Máxima corriente directa permitida.
 PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y
cátodo.
 VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la
compuerta (G) para el cebado
 IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener
cebado el SCR
 dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
 di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de
destruir el SCR.

Principales Trigger current o corriente de disparo:


ecuaciones
IT = ICO / (1 - α1 + α2)

Donde:

IT es la corriente de disparo en amperes (A)

ICO es la corriente de fuga en amperes (A)

α1 es la ganancia del primer transistor

α2 es la ganancia del segundo transistor


Potencia por ciclo:

Pd = (UA x IA x tr) / 4.6

Donde:

Pd es la potencia disipada por ciclo en watts (W)

UA es la tensión de ánodo antes del disparo en volts (V)

IA es la corriente de ánodo después del disparo en amperes (A)

tr es el tiempo de conmutación para la tensión de ánodo-cátodo


cae del 90% del valor máximo al 10% en segundos (s)

Promedio de energía o potencia media:

Pd = (f x UA x IA x tr) / 4.6

Donde:

Pd es la disipación media de potencia en watts (W)

f es la frecuencia de conmutación en Hertz (Hz)

UA es la tensión de ánodo antes de la conmutación en volts (V)

IA es la corriente de ánodo después de la conmutación en


amperes (A)

Aplicaciones DC:

Pd = Us x Id

Donde:
Pd es la potencia disipada en watts (W)

Us es la caída de tensión en el SCR en el estado de conducción


también, llamada tensión de saturación en volts (V)

Id es la corriente directa en amperios (A)

UL = [ Up / (2 x π ) ] X (1 + cosα)

Donde:

UL es la tensión en la carga (instantánea en volts (V)

Es la tensión de pico de la tensión senoidal de entrada en volts


(V)

π es 3.1416

cosα es el coseno del ángulo de conducción en grados


Explicación del Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector
Funcionamiento de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente
base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor
Q2 (IB2), este a su vez causa más corriente en IC2, que es lo
mismos que IB1 en la base de Q1, y este proceso regenerativo
se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
Ventajas  Requiere poca corriente de gate para disparar una gran
corriente directa
 Puede bloquear ambas polaridades de una señal de A.C.
 Bloquea altas tensiones y tiene caídas en directa pequeñas

Desventajas  El dispositivo no se apaga con Ig=0


 No pueden operar a altas frecuencias
 Pueden dispararse por ruidos de tensión
 Tienen un rango limitado de operación con respecto a la
temperatura

Aplicaciones Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la


rectificación de corrientes alternas, en lugar de los diodos
convencionales hasta la realización de determinadas
conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos,
pasando por los onduladores o inversores que transforman la
corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan
frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es
que su entrada en conducción estará controlada por la señal de
puerta. De esta forma se podrá variar la tensión continua de
salida si se hace variar el momento del disparo ya que se
obtendrán diferentes ángulos de conducción del ciclo de la
tensión o corriente alterna de entrada. Además, el tiristor se
bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva
a negativa ya que en este momento empezará a recibir tensión
inversa. Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran
variedad de aplicaciones, entre ellas están las siguientes:

· Controles de relevador.

· Circuitos de retardo de tiempo.

· Fuentes de alimentación reguladas.

· Interruptores estáticos.

· Controles de motores.

· Recortadores.

· Inversores.

· Ciclo conversores.
· Cargadores de baterías.

· Circuitos de protección.

· Controles de calefacción.

· Controles de fase

INTEGRANTES: CARLOS ALFREDO TORRES PACHECO


https://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicio-scr/rectificador-controlado-silicio-scr2
https://riverglennapts.com/es/thyristor/870-switching-or-on-off-characteristics-of-scr-or-thyristor.html
https://sensoricx.com/electronica-de-potencia/la-guia-maxima-scr/
https://unicrom.com/scr-silicon-controled-rectifier/
http://www.incb.com.mx/index.php/articulos/77-tablas-formulas-y-calculos-de-circuitos/1980-formulas-y-calculos-con-scrs-y-triacs-m076s

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