DEFINICIÓN DE DIODO

Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor

que la de un aislante. El grado de conducción de cualquier sustancia depende, en gran parte,
del número de electrones libres que contenga. En un conductor este número es grande y en
un semiconductor pequeño es insignificante. El número de electrones libres de un
semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos eléctricos y
magnéticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia.

Compresión
Para comprender más que son los diodos semiconductores es necesario en primer lugar
familiarizarse con las características de los cuerpos básicos y modificados que se utilizan.
Los cuerpos básicos, en las aplicaciones comerciales, son el germanio y el silicio
purificados preparados especialmente en estado de cristal. Estos cuerpos son excelentes
aislantes porque la estructura cristalina mantiene eficazmente en su lugar todos los
electrones externos que normalmente quedarían libres para entrar en la circulación de
corriente.
El diagrama representa la vista simplificada de un cuerpo puro semiconductor tal como el
germanio o el silicio. Cada átomo tiene cuatro electrones externos representados por
pequeños signos negativos. Los electrones internos ligados al núcleo y el mismo núcleo, se
representan mediante un circulo en negro. A causa de la estructura cristalina, los núcleos
están alineados en disposición simétrica y cada electrón externo comparte la órbita de otro
electrón externo de un átomo vecino. Es esta disposición de órbitas compartidas que
mantiene eficazmente cada electrón en su lugar y no algún fuerte encadenamiento extraño
entre el electrón y su núcleo.
Para que una tensión aplicada diera lugar a un flujo de electrones, debería ser
suficientemente alta para romper la ligadura de los electrones antes de que dichos
electrones quedaran libres para moverse hacia el terminal de tensión positiva. Al romper la
ligadura, la tensión destruiría también la estructura cristalina.
Como que no puede circular corriente eléctrica a través de un cuerpo cristalino puro tal
como el descrito, aquel cuerpo debe modificarse para obtener una circulación de corriente
que se pueda gobernar.
Un método para obtener circulación de corriente es añadir una pequeña cantidad de átomos
que tengan cinco electrones externos. Los átomos adecuados para este fin son los de
fósforo, antimonio y más frecuentemente, arsénico. Estos átomos son distribuidos a través
del cuerpo básico puro mientras se lo está tratando para que adquiera el estado cristalino y
la estructura que se representa en el esquema. La proporción de los átomos que forman la
impureza es del orden de una parte en cien millones. Una proporción mayor a una
circulación de corriente que ya no puede gobernarse.
Los átomos que forman la impureza se introducen en la estructura de la misma manera que
los átomos del cuerpo básico. La diferencia importante estriba en que el electrón externo

1
adicional de cada átomo de la impureza queda sin encadenarse con la estructura cristalina.
Si se conecta una tensión continua (CC) entre los extremos de un trozo de semejante
material, los electrones encadenados quedan libres para circular a través de la estructura
cristalina hacia el borne positivo. El número total de electrones no encadenados en el cristal
permanece siempre el mismo —cada electrón que abandona el cristal en el terminal
positivo es reemplazado por otro que entra por el negativo. En consecuencia, se produce
una circulación constante de corriente.
Como que la circulación de corriente en este material se debe a un exceso de partículas
(electrones) negativas, se conoce a tal material como semiconductor "por exceso", o del
"tipo N".
Existe otro método de modificar el cuerpo básico cristalino puro para obtener un flujo de
corriente que se pueda gobernar. Durante el tratamiento del cuerpo básico, los átomos de la
impureza, tales como los de aluminio, boro o indio, se añaden en pequeñas cantidades.
Estos átomos que forman la impureza tienen solamente tres electrones externos y se
introducen en la estructura cristalina tal como se representa en el diagrama.
La comparación de este diagrama con el correspondiente al cuerpo básico puro muestra que
a la estructura modificada le falta un electrón por cada átomo de impureza. El espacio que
deja en la estructura el electrón que falta, se denomina "poro". Se refiere al espacio
existente entre las moléculas de los cuerpos. Observe que el poro no está situado
necesariamente en la vecindad inmediata del átomo de impureza. Durante el tratamiento, el
átomo de la impureza atrae un electrón externo próximo para llenar el espacio de la
estructura cristalina que le rodea y el poro "se mueve" hacia algún lugar. Una serie de
electrones externos puede abandonar sus núcleos para llenar el espacio y el "poro" puede
viajar una distancia considerable antes de alcanzar una posición de equilibrio.
Aplicando una tensión de CC a través de los extremos de un trozo de este material el "poro"
tiene las características de una carga positiva y circula hacia el terminal negativo de la
fuente de tensión. El número total de "poros" en el cristal se mantiene siempre igual. Cada
"poro" que alcanza el extremo negativo del cristal es neutralizado por un electrón que
abandona el terminal positivo y entra en el cristal. Esto da al cristal un exceso de carga
negativa. E1 cristal vuelve a ganar una carga neutra cuando descarga un electrón al terminal
de tensión positiva y crea otro "poro". E1 nuevo "poro" circula hacia el terminal negativo
dando como resultado una continua circulación de "poros" a través del cristal y un flujo
continuo de electrones a través de los conductores.
Como que la circulación de corriente en este cuerpo se debe a faltas ("poros") en la
estructura cristalina y estas faltas simulan cargas positivas, el material es conocido como
semiconductor "por defecto", o del "tipo P".
Un diodo semiconductor consta esencialmente de materiales semiconductores de los tipos P
y N en íntimo contacto entre sí.
Existen dos tipos básicos de diodos semiconductores en uso actualmente el de "unión" y el
de "puntos de contacto". Existen algunas variaciones fundamentales de cada uno de los
tipos básicos que también se examinaran.

2
En la practica corriente se encuentran dos tipos diferentes de unión. En la unión se forma
"por crecimiento" en el diodo y en el otro la unión se por "difusión".
El dibujo representa en forma simplificada la disposición para formar una unión por
crecimiento. Dentro de un recipiente hermético en el cual se ha hecho el vacío, o se lo llena
de un gas inerte, se suspende un crisol que contiene germanio puro. Mediante una bobina
de inducción se calienta el germanio hasta su punto de fusión. Para comenzar la formación
del diodo, se le añade impureza del tipo N, la que se difunde a través de la masa en fusión.
Una pequeña barra, cortada de un solo cristal de germanio, se sumerge hasta tocar la
superficie del germanio fundido y luego se la retira lentamente haciéndola girar. El
germanio fundido se solidifica en el punto de contacto con la barra sólida y el proceso de
extracción determina el crecimiento de una varilla de germanio tipo N. Esta varilla es en
realidad un solo cristal perfecto con un diámetro del orden, de 25 milímetros.
La unión se forma después de que la varilla ha crecido hasta una longitud de unos 12
milímetros. Se ánade suficiente cantidad de impureza de tipo P para neutralizar la impureza
de tipo N y convertir al germanio en tipo P. Se continúa el proceso de extracción y el resto
de la varilla es germanio tipo P.
Toda la varilla es un solo cristal de germanio y la única diferencia es el tipo de impureza de
sus dos mitades. Se corta de la varilla la región de unión P-N, que se divide en
aproximadamente un centenar de pequeños prismas conteniendo todos la unión. Cada
conjunto va provisto de terminales de alambre, conectados por fusión o soldadura, y el todo
se encierra en un recipiente que lo protege mecánicamente y lo aísla de la atmósfera.
Se explicó anteriormente que un diodo semiconductor consiste básicamente en una unión
entre semiconductores tipo P y tipo N. A primera vista no parece existir unión P-N en el
sistema de puntos de contacto. En realidad, no se comprende muy bien la manera de
trabajar del diodo de puntos de contacto. En una u otra forma, independientemente de las
diversas suposiciones que puedan hacerse, estas teorías llegan a conclusiones de que hay
algo en la región del punto de contacto que trabaja de manera similar a una unión P-N.
Una comprobación de esta teoría es el hecho de que los diodos de germanio de tipo N
construidos de esta manera, generalmente trabajan mejor después de una "formación". La
formación consiste en hacer pasar un fuerte impulso de corriente a través del diodo.
Después de la formación, la punta del alambre de contacto se encuentra unida a la placa
semiconductora. La intensa corriente, aparentemente funde el material semiconductor en la
región de la punta de contacto. Esta rápida fusión y enfriamiento ocasiona al parecer una
conversión localizada de la materia tipo N en materia tipo P formándose así una unión P-N.
Los motivos de esta conversión son difíciles de explicar, pero pruebas exactas demuestran
que la conversión tiene lugar.

NIVELES DE ENERGIA
Son los radios de orbita los cuales indican el valor de cada nivel de energía de un átomo.

3
 3 a . Ó R B IT A 3 e r. N IV E L D E E N E R G ÍA

2 a . Ó R B IT A 2 d o . N IV E L D E E N E R G ÍA

1 e r. N IV E L D E E N E R G ÍA
1 a . Ó R B IT A

BO R D E D EL N Ú C LEO
N ÚC LEO

CRISTALES
Es él ultimo electrón del átomo que se comparten en forma de unión con otros átomos que
tengan ocho electrones el su ultima orbita de valencia.

N Ú C LEO S

NÚ CLEO S

HUECOS
Cuando una energía externa levanta un electrón de valencia aun nivel de energía

Mayor, este deja una vacante en su orbita externa a este proceso se le llama hueco.

BANDAS DE ENERGIA
Cuando un átomo de cilicio se aísla este se contamina en un cristal y estos asemejan una
posición diferente dentro del cristal la cual no influye que estos trabajen en un mismo
patrón de cargas circunstantes por lo cual la carga de cada orbita es diferente

4
 B A N D A D E V A L E N C IA

2a. BAN D A

1a. BAN D A

CONDUCCIÓN EN CRIATALES
C ada átomo de cobre tiene un electrón libre y este tiene una débil atracción por el núcleo.
Y por esta razón puede conducir altas corrientes. Mientras que en la barra de cilicio se
produce un campo magnético porque estos electrones se cristalizan

DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
Son los dispositivos que están relacionados con la luz:
• Diodo LED.

• Fotodiodo.

• Display de 7 segmentos.

• Optoacoplador.
DIODO LED

Es un diodo emisor de luz. Símbolo:

Se basa en:

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El negativo de la pila repele a los electrones que pasan de n a p, se encuentran en p con un
hueco, se recombina con él y ya no es electrón libre, al bajar de BC a BV pierde una
energía E que se desprende en forma de luz (fotón de luz).
Diferencias entre un diodo normal y un LED:
• Diodo normal, E en forma de calor.
Diodo LED, E en forma de fotón.(E = h*f, h = cte de Planck, f = frecuencia que da
color a esa luz).
• Diodo normal hecho de silicio.
Diodo LED hecho de As, P, Ga y aleaciones entre ellas. Para cada material de estos
la distancia de BC y BV es distinta y así hay distintos colores, y mezclándolos se
consiguen todos, hasta de luz invisible al ojo humano.
Aplicación:
• Lámparas de señalización.

• Alarmas (fotones no visibles).

• Etc...
El diodo LED siempre polarizado en directa, y emitirá luz.
Podemos usar esto en una fuente de alimentación que hemos dado.

6
La intensidad del LED:

Normalmente para el valor de 10 mA se suelen encender (ver en el catálogo). La tensión en

el LED:

Diferencia con el silicio, la tensión es mayor. Cuando no dice nada se coge VLED = 2 V.

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Aquí el diodo LED es un indicador que nos dice si la fuente de alimentación está encendida
o apagada.
EJEMPLO: TIL 222 LED verde
VLED = 1,8 : 3 V
Hay que ver que luz da, si funciona bien en ese rango de valores. Se sacan las intensidades
para los 2 extremos:

La corriente varía muy poco, lo que implica que la iluminación varía muy poco, está muy
bien diseñado.

EJEMPLO:

No es muy buen diseño porque la intensidad varía bastante, y la iluminación varía mucho.
Conclusión: Los circuitos con tensiones grandes y resistencias grandes funcionan bien, por
lo tanto, si se pueden tomar valores grandes.

DISPLAY DE 7 SEGMENTOS
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Son 7 diodos LED:

Se utiliza en electrónica digital con + 5 V y 0 V.

EJEMPLO: El 7:

En este ejemplo se han encendido los LED A, B y C.

Simulación
En esta applet podemos ver los distintos dígitos que se pueden conseguir utilizando el
Display de 7 segmentos.
Al pulsar cada botón aparecerá el dígito respectivo.

EL FOTODIODO

Recibe luz, al contrario que el led:

Se usa en polarización Inversa. Diodo normal en inversa:

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Cuando se coloca una pila en inversa, el negativo atrae a los huecos y los saca de la unión
con el ión ( lo mismo con el positivo y los electrones). Pero se llega a un equilibrio, un
equilibrio con una W (anchura de z.c.e.) concreta.
Y no tenemos ni huecos ni electrones en la z.c.e. (W) y esa unión me la pueden pasar los
portadores (h y e) (solo quedan los iones en la W).

Hay una pequeña generación térmica y los pares h-e que se crean se recombinan antes de
llegar a W... No sirve para nada, se recombinan pero los que se generan cerca de la unión
pueden cruzar y los minoritarios sirven para cruzar y tenemos e hacia la izquierda y h hacia
la derecha. Tenemos así una corriente inversa de saturación que es muy pequeña. Otra
corriente que tenemos es la If que es también pequeña.
Se suele coger la corriente de p hacia n, en la realidad es al revés, por eso I = -IS - If, es
negativa.
En un fotodiodo además de la generación térmica se le suma la "Generación por energía
luminosa", que la crean los fotones que atacan cerca de la unión formando más pares h-e y
por lo tanto más corriente. Entonces tenemos:

Y la corriente es mayor:

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Aumenta en valor absoluto. Es para convertir energía luminosa en energía eléctrica.

Aplicación:
Las placas solares están basadas en los fotodiodos. Si los pongo en paralelo es el doble, por
eso se ponen muchos.

Pero el rendimiento es pequeño todavía. En fotodiodos interesa que la luz se de cerca de la

unión por eso están pintadas de negro en todo excepto cerca de la unión.

EL OPTOACOPLADOR

Es un encapsulado con 4 patillas, también de negro, para que no salga luz de dentro hacia
fuera.

Si vario la pila varía ILED, varía la iluminación que recibe el fotodiodo, varía su corriente I.
Esta variación de V afecta a la I y esta a la tensión en RL. En realidad ese circuito es como:
11
Pero el fotodiodo sirve para aislar, puede dar problemas conectar directamente a la carga.
EJEMPLO: Conectar un torno, le tengo que pasar información con un control numérico.

Le mando información en 5 V y 0 V y como es un ambiente malo puede haber información

que varía, picos problemas (o vuelven del torno picos). Hay que aislar un circuito de
control (CNC) de la máquina que voy a controlar.

El Optoacoplador suele quitar los picos, amortigua los parásitos, no reacciona tan
bruscamente a la luz y se reducen esos picos problemáticos.

Aplicación: Osciloscopio
Tiene problemas de tierra. Se puede hacer un cortocircuito entre las 2 tierras

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Solución poner un Optoacoplador para medir lo que se quiera.

Ahora si se puede y no tenemos el cortocircuito que teníamos anteriormente.

EL DIODO ZENER

La aplicación de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensión y actúa como dispositivo

de tensión constante (como una pila).
Símbolo:

13
Característica
Su gráfica es de la siguiente forma:

Un diodo normal también tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en él, con el
Zener si se puede trabajar en esa zona.

La potencia máxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" ó "Efecto Zener", esto es, la

corriente aumenta bruscamente.
Para fabricar diodos con un valor determinado de tensión de ruptura (VZ) hay que ver la
impurificación porque VZ es función de la impurificación (NA ó ND), depende de las
impurezas.

La zona de ruptura no es una vertical, realmente tiene una inclinación debida a RZ:

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En un "Diodo Zener Real" todos son curvas, pero para facilitar los cálculos se aproxima
siempre.

Las aproximaciones para el zener son estas:

MODELO IDEAL (1ª APROXIMACIÓN)

Si buscamos su equivalente veremos que es una pila con la tensión VZ.

15
Esto solo es válido entre IZmín y IZmáx.

2ª APROXIMACIÓN

Como en el caso anterior lo sustituimos por un modelo equivalente:

SIMULACIÓN

El circuito es un limitador con diodos zener. En este circuito, cuando un diodo esta
polarizado en directa, el otro diodo lo estará en inversa.
Se utiliza la segunda aproximación de los diodos.
Podemos variar la escala de la gráfica modificando la escala del eje y.
Cada vez que se introduzcan nuevos datos, pulsar el botón "Calcular".
Para realización de esta simulación se han tomado estas equivalencias:
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RL = Rload VL = Vload

COEFICIENTE DE TEMPERATURA
Anteriormente habíamos visto que dependiendo de la impurezas que tengamos se puede
conseguir un zener con distinto VZ (diferentes tipos de zener).

Además esto es para una misma temperatura, pero si se varía la temperatura se comporta de
otra manera, veámoslo con un ejemplo:

EJEMPLO:

En este caso el zener tiene un "Coeficiente de Temperatura Negativo" (porque al aumenta la

temperatura disminuye VZ). Esto les ocurrirá a todos los zener hasta VZ = 5 V. Veamos que
ocurre cuando tenemos un valor mayor de VZ.

EJEMPLO: VZ = 15 V

Ocurre todo lo contrario que antes, la VZ aumenta con la temperatura, este zener tiene un
"Coeficiente de temperatura positivo". Y esto ocurre para todos los zener de 6 V en
adelante.
La razón por lo que pasa eso es porque para menos de 5 V se da el "Efecto Zener". Pero a
partir de 6 V se da el "Efecto Avalancha".

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¿Que hacer si queremos alimentar una carga a 11 V?

Si queremos que no varié mucho es mejor que pongamos 2 de 5,5 V porque no varían tanto
con la temperatura. Para que la tensión sea más estable y no varíe tanto con la temperatura.

Otro tipo de encapsulado que tiene 2 diodos dentro es este:

En este caso tenemos un diodo normal y un zener. En este caso además de compensarse es
bastante estable.

EJEMPLO:

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Es un convertidor CC/CC (continua en continua). Convierte 18 V en 10 V. ¿Cómo
funciona? Hay que ver si el zener trabaja en ruptura.

Pero todavía hay que ver la corriente, veamos tres casos:

Recordar para estar en ruptura se tenía que cumplir:

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 EL REGULADOR ZENER
Anteriormente habíamos visto este circuito:

Primeramente supondremos que están conectados directamente, por lo tanto vC = vL

entonces:

Problemas que podemos tener:

• RL variable (variaciones de carga).

• Variaciones de tensión de red (variaciones de red).

Debido a estos dos problemas la onda de salida de ese circuito puede variar entre dos
valores y como nuestro objetivo es obtener una tensión constante a la salida tendremos que
hacer algo. Para resolver este problema ponemos un regulador de tensión basado en el
diodo zener.

Ahora vamos a analizar este regulador de tensión.

REGULADOR DE TENSIÓN EN VACÍO (SIN CARGA)

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 vS estará entre un mínimo y un máximo, y el
regulador tiene que funcionar bien entre esos
2 valores (vSmáx y vSmín).En este caso vS lo
pondremos como una pila variable.

Además para que funcione correctamente el zener tiene que trabajar en la zona de ruptura.

Para que esté en ruptura se tiene que cumplir:

EJEMPLO: Comprobar si funciona bien el siguiente circuito:

Hay que ver si en la característica los valores se encuentran entre IZmín y IZmáx para
comprobar si funciona bien.
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Funciona bien porque se encuentra entre los dos valores (máximo y mínimo). La salida es
constante, lo que absorbe la tensión que sobra es la R (que es la resistencia limitadora).

REGULADOR DE TENSIÓN CON CARGA

Para comprobar que estamos en ruptura calculamos el equivalente de Thevenin desde las
bornas de la tensión VZ:

22
Como en el anterior caso los valores del circuito tienen que estar entre un máximo y un
mínimo:

El zener absorbe la corriente sobrante (IZ variable) y la resistencia (R) la tensión sobrante.
Entonces a la salida la forma de la onda es la siguiente:

• 2ª aproximación

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El circuito equivalente sería de la siguiente forma:

A ese circuito se le aplica la superposición:

24
Como la superposición es la suma de estos 2 circuitos la solución será esta:

Con esto se ve que lo que hace el zener es "Amortiguar el rizado". Veamos cuanto
disminuye el rizado:

EJEMPLO:1N961 VZ = 10 V RZ = 8,5 V VRentr. = 2 V

Si quiero disminuir más el rizado pondría otro regulador que disminuiría más el rizado pico
a pico:

25
 HOJA DE CARACTERÍSTICAS DE UN ZENER
Vamos a ver el calculo de los valores a partir de la hoja de características con un ejemplo.
EJEMPLO: 1N759 VZ = 12 V IZT = 20 mA
El fabricante suele dar un valor intermedio de VZ y IZT.(corriente de prueba, valor al que el
fabricante a hecho esa prueba).

Al ser una curva, su pendiente varía y su RZ también, entonces el fabricante suele dar el
valor en ese punto:
RZ = ZZT = 30 W a IZT = 20 mA
IZmáx = 30 ÷ 35 mA (esta variación entre diodos iguales es debida a la tolerancia).
Haciendo algunos cálculos:
PZ = VZ·IZ = 12·30 = 360 mW
= 12·35 = 420 mW
Tolerancia: En cuanto a la tensión zener (VZ):
Serie 1N746 (1N746 al 1N759) ± 10 %
Serie 1N746A (1N746A al 1N759A) ± 5 %
EJEMPLO: 1N759 VZ = 12 V ± 10 % (13,2 V y 10,8 V)
1N759A VZ = 12 V ± 5 % (12,6 V y 11,4 V)

EL DIODO SCHOTTKY

26
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky es la solución ya que puede conmutar más rápido que un diodo normal.
El diodo Schottky con polarización directa tiene 0,25 V de barrera de potencial frente a los
0,7 V de un diodo normal. Puede rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300
MHz.

MEZCLADORES DE ALTA FRECUENCIA DE TIPO

SCHOTTKY Y SIS

Para frecuencias más altas de 100 GHz no existen todavía amplificadores y tiene que ser
usados mezcladores directamente. El límite de frecuencia máxima es determinado por la
capacidad y resistencia en el diodo. El diodo de tipo Schottky tiene las mejores propiedades
a este respecto con una frecuencia máxima de 2-3 THz.
Este tipo de diodo se hace con un contacto usando un alambre pequeño o "bigote de gato"
en una tapa de plomo-oro sobre un semi-conductor de arseniuro de galio.
El factor de conversión de un mixer normal es menor que uno porque los diodos funcionan
en una forma resistente. Esto significa ruido y no se puede hacer en un sistema de bajo
ruido.
Si usar otra cosa que un diodo que es mucho más no-lineal, efectos cuanto-mecánico se
puede actuar para hacer conversión con ganancia. Esto necesita un cambio de corriente

significante por un cambio de - la energía de un foton.

Un "sandwich" de superconductor-aislante-superconductor (SIS) tiene esta propiedad y usar
el efecto de Josephson de "tunneling" por la insulador.
Los mezcladores SIS normalmente están hechos de Anobium con un aislante de óxido
metálico de 2 nm de grosor.
La única fuente de ruido es el principio de incertidumbre de Heisenberg, así:

para 100 GHz da una temperatura de 7K.

27
El problema de los mezcladores SIS es su necesidad de temperaturas por debajo de 4K y su
rango dinámico limitado.
EL VARICAP
El Varicap (Epicap, capacidad controlada por tensión o diodo de sintonía) es un diodo que
se comporta como un condensador donde la capacidad esta controlada por la tensión.

Las regiones p y n se comportan como las placas de un condensador y la zona de deplexión

es como el dieléctrico.

En inversa la anchura de la "Zona de deplexión" aumenta con la tensión inversa y la

capacidad disminuye.

DIODO DE TUNEL

Al aumentar el nivel de contaminación de un diodo inverso se puede obtener un punto de

ruptura en 0 voltios y también una mayor contaminación que distorsiona la curva directa a
este diodo se le puede denominar también como diodo esaky que es dolarización directa o
conducción inmediata. Cuando la corriente alcanza un valor máximo Ip (corriente pico).
Cuando el voltaje del diodo es igual Vp entonces I disminuye a un valor mínimo Iv
(corriente de valle) para dar V. La región entre pico y valle es región “R” porque esta región
es un incremento de V y un decremento de I = corriente de 4.22ª.

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 DIODOS INVERSOS

Los diodos zener normal mente tienen un voltaje de ruptura mayor a 2 voltios aumentando
el nivel de contaminación el cual obtenemos una conducción directa ocurre todavía
alrededor de +0.7v pero ahora la conducción inversa (ruptura) principia aproximadamente a
–0.1v. un diodo con una curva I-V se le llama diodo inverso porque conduce mejor la
dirección inversa que en la directa. En est6e también se puede utilizar el símbolo zener.

P IC O d e
0 .4 -V
-0 .1
0 .7
P IC O d e
0 .5 -V

DIODOS LASER

los integrantes básicos de la emisión láser en los diodos son el mecanismo de bombeo y la
cavidad óptica. un láser semiconductor, la ganancia es aportada por una corriente de
inyección. de esta manera, los padres electrón-agujero dan inversión de población necesaria
para la emisión láser. la recombinación estimulada lleva a la aplicación de la luz, generando

29
fotones con la misma dirección de propagación, polarización frecuencia y fase que el fotón
que ha inducido la recombinación.
Los pares electrón-agujero deben estar confinados en una zona estrecha para mantener la
inversión de población a un nivel elevado. si no es así hay que suministrar inyecciones de
corriente demasiados grandes al diodo para obtener emisión láser. por simplicidad, los pares
electrón-agujero se llaman portadores, y la vida media de los portadores es el tiempo medio
que tardan los portadores en recombinar.

M IR R O R R
+ L /2

+ d /2
R
a c tiv e C 1 C 2
la y e r r
+ d /1

R
-L /2
M IR R O R
C O N TA C T

la sencilla unión p-n, resultado del crecimiento en el mismo sustrato, pero con diferentes
niveles de dopaje, no es capas de conseguir el confinamiento necesario, por que la anchura
de la región en que los portadores están confinados aumenta debido a la defunción de los
portadores el problema de la difusión de los portadores puede resolverse parcialmente
usando heterostructuras. dos tipos diferentes de estructura pueden analizarse dependiendo
del mecanismo del confinamiento lateral de los portadores. En laceres semiconductores
guiados por la ganancia no se incorpora ningún confinamiento añadido y el perfil de la
ganancia viene determinado esencialmente por la región de corriente de inyección y efectos
difusivos.

Los laceres guiados por índice, la región activa esta rodeada lateralmente por material con
un índice de refracción menor. En estos dispositivos se consigue un nivel de confinamiento
bastante elevado. Aparte de dar un buen confinamiento a los portadores, los laceres de
doble hetero estructura guiados por el índice también incorporan un confinamiento
adecuado para la luz. El mecanismo de guiaje es debido a un mayor índice de refracción en
la regio activa que en el resto de capas que la rodean. De esta manera la luz viaja hacia
delante y hacia atrás como lo haría el interior de una fibra óptica una cavidad óptica
adecuada es necesaria para conseguir la emisión láser. Solo el proceso de amplificación
tiene sentido, y se emite luz coherente, cuando la vida media de los fotones es suficiente

30
grande. En otros tipos de láser la cavidad esta limitada por dos espejos con curvaturas que
dependen de la distancia y en la geometría del medio activo. Mientras unos de los espejos
puede diseñarse totalmente reflectante, el otro debe permitir que halla luz de salida

E n e rg ía
R E G IO N
n -T Y P E A C T IV A p -T Y P E
BAN DA D E
e le c t r o n e s C O N D U C C IO N

n1 n2 n1
BAN DA D E
+ + + + + + +
V A L E N C IA
h o le s

Los laceres de cavidad vertical (VCSELs) tienen una longitud de cavidad muy corta y
necesitan reflectibedades del 99% el espejo normalmente esta incorporado en la estructura
láser a partir del mismo sustrato, y esta formado de muchas capas alternadas de diferentes
materiales. El reflector de Bragg que así resulta permite una característica casi plana de la
reflectivilidad para un rango considerable de longitudes de onda.
Laceres mas convencionales (EELs) no necesitan espejos para operar la longitud de su
cavidad de unas 300 micras, es suficientemente grande para permitir la emisión láser sin
espejos adicionales. De hecho, la reflectividad en la separación láser–aire es cercana al
32%. El valor grande del índice de refracción en la zona activa confina la luz a la región
con ganancia material.

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Los dos tipos de laceres semiconductores antes mencionados se llaman laceres de tipo
Fabry-Perot. Los laceres con feedback distribuido (DFB) incorporan un grating a la
estructura que colabora a la lección de la longitud de onda de emisión.

32