Scientia et Technica Ao XIV, No 40, Diciembre de 2008. Universidad Tecnolgica de Pereira.

ISSN 0122-1701

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DISEO Y CONSTRUCCIN DE UN INVERSOR TRIFSICO

Design and Construction of a Three-phase inverter
RESUMEN Este artculo presenta el diseo y construccin de un inversor trifsico, el cual muestra el principio de operacin de la topologa de 3 ramas, caractersticas de las protecciones, y resultados experimentales de acuerdo a la tcnica de modulacin utilizada. Como carga se implement una configuracin RL que fue sometida a un nivel de voltaje de 72.1V. Adems se aplic un filtro en configuracin L pasa-bajo donde se elimin desde el tercer armnico PALABRAS CLAVES: Compensacin, Electrnica de Potencia, Red Snubber, PWM. ABSTRACT This document presents the design and construction of a three-phase investor, who shows the principle of operation of the topology of 3 branches, characteristics of the protections, and experimental results according to the technique of used modulation. As it loads implemented a configuration RL that was put under a level of voltage of 72.1V. In addition a filter in configuration L was applied pass-under where it was eliminated from the third overtone CARLOS ANDRS TORRES P. Ingeniero Electricista, M. Sc. Estudiante de Doctorado en Ingeniera Electrnica Universitat Rovira I Virgili carlosandres.torres@urv.cat DUBERNEY MURILLO Y. Ingeniero Electricista, M. Sc (c). Profesor Catedrtico Ingeniera Elctrica Universidad Tecnolgica de Pereira duberneymurillos@gmail.com CARLOS RESTREPO PATIO Ingeniero Electricista, M. Sc. Estudiante de Doctorado en Ingeniera Electrnica Universitat Rovira I Virgili carlos.restrepo@urv.cat Grupo de Investigacin en Electrnica de Potencia UTP 1. INTRODUCCIN El desarrollo de dispositivos electrnicos, as como gran cantidad de cargas no lineales existentes en instalaciones industriales y comerciales tales como convertidores de potencia (controladores de velocidad de motores, fuentes de alimentacin conmutadas, hornos etc.), han deteriorado la calidad de la energa en los sistemas de distribucin y transmisin, causando una operacin no deseada de los sistemas elctricos [1]. Por tal motivo se ha creado la necesidad de disear y construir prototipos tales como inversores trifsicos, para luego ser implementados en actividades como: compensadores estticos de reactivos, compensacin de armnicos, correccin del factor de potencia, etc., tratando de esta manera reducir la magnitud de dichos problemas. El avance que han experimentado los semiconductores, en trminos de frecuencia de conmutacin, prdidas en conduccin y facilidad de manejo han contribuido en gran medida a la popularizacin de este tipo de convertidores y su evolucin [2]. El objetivo de un inversor trifsico es generar energa elctrica de corriente alterna a partir de una fuente de energa de corriente continua, con magnitudes y frecuencias deseadas. Se constituye principalmente por
Fecha de Recepcin: 8 de Septiembre de 2008 Fecha de Aceptacin: 1 de Diciembre de 2008.

KEYWORDS: Compensation, Power electronics, PWM, Snubber Network.

dispositivos electrnicos de potencia, que trabajan como interruptores operando en corte y saturacin con una secuencia apropiada para obtener tres tensiones de salida simtricas y balanceadas. El controlador es otro componente fundamental en la constitucin del convertidor, es el que genera las seales de encendido y apagado de los dispositivos semiconductores y garantiza su buen comportamiento. Cualquier tipo de inversor (monofsico trifsico) utilizan dispositivos con activacin y desactivacin controlada (es decir BJT, MOSFET, IGBT, MCT, SIT, GTO) o tiristores de conmutacin forzada, segn la aplicacin. Un inversor se puede clasificar segn el tipo de entrada en: VSI (Inversor por fuente de tensin), CSI (Inversor por fuente de corriente), siendo este ultimo utilizado solo en aplicaciones con excitadores de motores AC de muy alta potencia o en excitadores de control vectorial [3]. 2. CONFIGURACIN DEL CIRCUITO La Figura 1 muestra la topologa de un inversor VSI trifsico en puente completo, el cual se componen de 6 transistores IGBTs, cada uno con un diodo en conexin inversa, empleados para conducir la corriente reactiva de retorno a la fuente de tensin E. Estos inversores se dividen segn su forma de operar en: conduccin a 180 de cada elemento, con lo cual habr 3 elementos en conduccin al mismo tiempo y conduccin a 120, con 2

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elementos por vez. Adems pueden alimentar los dos tipos caractersticos de cargas trifsicas simtricas: conexin delta y estrella.
Q1 Q3 Q5

transistores. Las seales de excitacin se muestran en la figura 3. La secuencia de conduccin de los transistores es 61, 12, 23, 34, 45, 56, 61.
G1

G2
G3

+ Q4

G4
G5

Q6

Q2

G6

V ab

Vab Vca
c

Vbc

V bc

Figura 1. Inversor puente trifsico de 3 ramas.

V ca

2.1 Conduccin a 180

Figura 3. Secuencia de la seales de excitacin de los transistores a 120.

Cada transistor conducir durante 180. Tres transistores se mantienen activos durante cada instante del tiempo. Cuando el transistor Q1 est activado, la fase a se conecta con la terminal positiva del voltaje de entrada. Cuando se activa el transistor Q4, la fase a se lleva a la terminal negativa de la fuente DC. En cada ciclo existen seis modos de operacin, cuya duracin es de 60o. Los transistores se numeran segn su secuencia de excitacin por ejemplo (123, 234, 345, 456, 561, 612). Las seales de excitacin mostradas en la Figura 2 estn desplazadas 60o unas de otras, para obtener voltajes trifsicos balanceados [3].
G1

3. PROTECCIN PARA APAGADO DE LOS IGBTs

ENCENDIDO

G2
G3

G4
G5 G6

V ab

V bc

Esta proteccin ms conocida como red snubber, se puede considerar como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan a un circuito de potencia, para la proteccin de dispositivos de conmutacin contra las transiciones de encendido y de apagado, asegurando un rgimen de trabajo seguro [4]. La funcin principal que desarrollan los circuitos snubber es absorber la energa procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin. Aunque existen distintos tipos de circuitos, en el diseo solamente utilizaremos el Snubber de Tensin RCD, el cual es un tipo de circuito que encuentra un amplio campo de aplicacin en la proteccin de interruptores, como es el caso de los transistores bipolares. Se distinguin dos utilidades en los circuitos RCD (resistencia condensador y diodo): Control de la pendiente de subida de la tensin en el interruptor durante el transitorio de apagado. Enclavamiento de la tensin en el interruptor.

V ca

Figura 2. Secuencia de la seales de excitacin de los transistores a 180.

2.1 Conduccin a 120 En la Figura 4 se observa el esquema de la red snubber a implementar. En este tipo de control, cada transistor conduce durante 120. En cualquier instante del tiempo, slo conducen dos

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6.76 Rs < 666.6

Q1 Ds Cs Rs

Rs = 56
3.1.2 Potencia Disipada
2 PRS = 0.5.C S .V D . f = 0.5 * 0.1F .(250V ) 2 * 5kHz PRS = 16W

Q4 Ds Cs N Rs

4. PROTECCIN POR TEMPERATURA 4.1 Disipador de Calor El disipador de calor en los circuitos electrnicos es una pieza clave, sobre todo si se trata de electrnica de potencia, donde las elevadas corrientes por los semiconductores pueden causar su destruccin. Tanto as, que en muchas aplicaciones, la potencia mxima de un circuito de potencia est limitada por el diseo trmico del sistema [6]. 4.1.1 Diseo Trmico del Disipador La diferencia de temperaturas entre la juntura y el ambiente en condiciones de estado estacionario est dada por la siguiente ecuacin obtenida del circuito trmico de la Figura 5. (1) TJ T A = PAVE (RJC + RCS + RSA )

Figura 4. Red Snubber RCD.

Los diodos que se encuentran en paralelo con los IGBTs, los protegen contra altos picos de voltaje (manteniendo el flujo de corriente en la misma direccin), los condensadores aseguran un nivel mnimo de voltaje en el dispositivo hasta que la corriente sea cero, garantizando con esto reducir las prdidas de potencia en la conmutacin, y las resistencias limitan el pico de corriente de descarga a travs del transistor a un valor seguro. 3.1 Diseo de la Red Snubber Para el clculo de la red snubber se aplica el siguiente criterio [5]. 3.1.1 Capacitor Snubber

TJ PAV E R JC

TC

Ts

Cs

2 *140s 2.VCD 2 * 200V C s 0.7F C s = 0.1F I L .t f =

R CS

R SA

TA

Figura 5. Modelo trmico bsico.

3.1.2 Resistencia Snubber Resistencia Mnima

Donde: PAVE : Representa la potencia de prdida disipada en cada semiconductor. RJC : Representa la resistencia trmica entre la juntura y la carcasa del semiconductor. RCS : Resistencia trmica entre la carcasa del

Rs

VD 250V = I M I L 39 A 2 A Rs 6.76

Resistencia Mxima

Rs <

TON (min) 3.C S

2 x10 4 s 3 * 0.1F

semiconductor y el disipador de calor. RSA : Resistencia trmica entre el disipador y el ambiente. TJ : Representa la temperatura de la juntura del semiconductor. TC : Representa la temperatura de la de la carcasa.

Donde TON (min) es el mnimo tiempo de encendido. Esto quiere decir que RS debe ser pequeo para lograr una rpida descarga de C S .

Rs < 666.6
Por lo tanto RS debe estar entre:

TS : Representa la temperatura del disipador. T A : Representa la temperatura ambiente La resistencia RSA no depende del semiconductor, sino
del tipo de disipador a usar, por tanto es una cantidad que

____________________________ 1. Las notas de pie de pgina debern estar en la pgina donde se citan. Letra Times New Roman de 8 puntos

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depende del material, el pulimiento de su superficie, el tamao y la diferencia de temperatura entre el disipador y la temperatura ambiente. De la hoja de datos tcnicos del IGBT IRG4PC50FD obtenemos los parmetros de acuerdo a lo especificado anteriormente. Parmetros Valores 78W 0.64 C/W 0.24 C/W 39A

Para este inversor las condiciones son ms conservadoras, debido a que no se pudo acceder a fusibles ms avanzados como son los fusibles rpidos. Se utilizo fusibles de 5A de 5 ciclos por segundo, para cada salida y entrada del inversor tal y como se ve en la Figura 6. 1. 2.

PAVE RJC RCS IC

De la

5 A 39 A (5 A)2 (5cps ) (39 A)2 (0.5cps )

2.0833A 2 s < 12.675A 2 s

Tabla 1. Parmetros para el clculo del disipador

Se puede observar que para esta seleccin de fusible las condiciones se cumplen.
F1 Q1 Q3 Q5

TC ( mx )

TC = 100 C .
curva

contra

I C se observa que
E

Asumimos una temperatura ambiente T A = 40 C .

+ Q4 Q6 Q2

TS = TS PAVE .RCS = 81.28 C T = TS T A = 41.28 C T C RSA = 0.5292 PAVE W 1 A= 755.85cm 2 RSA .

F2 F3 F4

a b c

(2) (3) (4) (5)

Figura 6. Inversor Trifsico con fusibles.

5. CONSTRUCCIN DEL INVERSOR 5.1 Rectificador Monofsico Implementado Como fuente DC para la utilizacin del inversor se utilizo un rectificador monofsico de onda completa, constituido por 4 diodos de potencia de 600V y 50A, y un condensador electroltico de 2200F a 250V , tal y como se muestra en la Figura 7.
+

Pero cuando el disipador que se utiliza no es plano y con aletas, las dimensiones calculadas son ms pequeas, por tal razn se escoge un disipador de calor de aluminio por conveccin natural, con dimensiones para el inversor [7].

A = 263.78cm 2 ,

5. PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTE

F

Los convertidores de potencia pueden provocar cortos circuitos o fallas, y las corrientes resultantes debern eliminarse con rapidez. Con el fin de prevenir situaciones de riesgo para los usuarios o el convertidor, se instalaron fusibles, el cual su objetivo es que, en funcionamiento fuera de rango, estos se destruyan antes que otras partes valiosas del convertidor o antes que se produzcan incendios o explosiones. Las condiciones a tener en cuenta en la seleccin del fusible son: 1. 2. 3.

Figura 7. Rectificador Monofsico.

5.2 Tarjeta de Potencia Para la construccin del inversor se utilizaron semiconductores de potencia del tipo IGBT. Especficamente se utiliz un mdulo integrado fabricado por International Rectifier (modelo IRG4PC50FD), con los que se construy cada rama del inversor. Estos IGBTs soportan 39A y un voltaje de 600V entre colector y emisor. En la Figura 8 se observa el esquemtico de la tarjeta de potencia elaborada en el software EAGLE 4.11.

I rms fusible I rms IGBT

I 2 t fusible I 2 t IGBT

Varco fusible Vrms IGBT

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los condensadores de compensacin, debido a que en este tipo configuracin la conexin no presenta punto de retorno.
Q1 Q3 Q5

C1
E

+ -

RL

C2
Q4 Q6 Q2

Figura 8. Tarjeta de Potencia.

5.3 Tarjeta de Disparo

Figura 10. Inversor Trifsico con carga RL en Y

Para que los IGBTs conduzcan es necesario generar una seal de voltaje de alrededor de 15V entre la puerta y el emisor. Por lo tanto, al cambiar de estado los IGBTs generan tierras flotantes en las fuentes de disparo, lo que hace necesaria la implementacin de un circuito de disparo que sea capaz de generar los 15V independientemente para cada uno [8]. Para solucionar este problema de excitacin adecuada se utiliz el circuito integrado IR2110 de International Rectifier. En la Figura 9 se muestra el esquemtico de la tarjeta de disparo.

Finalmente se implement un filtro en configuracin L, la inductancia utilizada fue de 10mH y la capacitancia de 0.1F. La medida de las formas de onda sin y con filtro para una entrada de 72.1Vdc, se ilustran a continuacin.

Figura 11. Voltaje de lnea Vab en conexin Y.

Figura 9. Tarjeta de Disparo.

6. RESULTADOS EXPERIMENTALES Para la evaluacin experimental del inversor, se utiliz el montaje mostrado en la Figura 10, con un PWM a conduccin 120 programado en el DSP (Digital Signal Procesing) TMS320F2812 de spectrum digital. Esta configuracin se realiz para compensar el desequilibrio de las seales de carga (voltajes y corrientes) que se presentaban, debido a que los IGBTs no posean las mismas caractersticas. A la salida de tensin alterna del inversor se conect una carga RL, de valores 300 y 20mH conectadas en estrella y en delta, esta ultima sin

Figura 12. Voltaje de fase Va en conexin Y.

____________________________ 1. Las notas de pie de pgina debern estar en la pgina donde se citan. Letra Times New Roman de 8 puntos

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Figura 16. Voltaje de lnea Vab filtrado en conexin delta. Figura 13. Voltaje de lnea Vab filtrado en conexin Y.

7. CONCLUSIONES Se diseo y construy un inversor trifsico de potencia de tres ramas utilizando transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs). El diseo fue avalado mediante simulacin utilizando Matlab. El anlisis de resultados permiti seleccionar la red snubber y observar el comportamiento del modelo para conexiones en Y y Delta con carga RL. Los resultados observados evidencian el buen desempeo del prototipo. La conexin Y con filtro LC present el mejor comportamiento. 8. BIBLIOGRAFA [1] F. Henao, D.R Cadavid, H.A Garca, O.P. Palacio and R. Bohrquez, Diseo de Filtros Activos para Cargas Monofsicas Utilizando Algoritmos Genticos, SICEL. Bogot D.C., Colombia, Noviembre 2005. [2] Introduccin General a los Inversores y sus Aplicaciones, Leccin del temario de Electrnica de Potencia. Universidad de Valencia, 1997. [3] Muhammad H., Electrnica de Potencia, Prentice Hall. Mexico, 1996. [4] A. Marn Perna, Redes de Ayuda a la Conmutacin Disipativas y no Disipativas, UNIVERSIDAD DE OVIEDO, Gijn (ESPAA), 1999. [5] K.S. Rajashekara, J. Vithyathil Protection and Switching- Aid Networks for Transistors Bridge Inverters,IEEE Transactions on Industrial, Electronics,Vol.IE-33,No2, MAY 1986. [6] A.A. Breton Schuwirth, Diseo y Construccin de un inversor Trifsico Multunivel de Cuatro Etapas para Compensacin Armnica,Masters thesis,Pontificia Universidad Catlica de chile,2003. [7] L.H. Ros and A. Alzate, Electrnica de Potencia, Texto Electrnica de Potencia, universidad Tecnolgica de Pereira, 1991. [8] L.H. Ros and A. Alzate, IC excitacin de Alta Tensin y Elevada Velocidad para Hexfet o Circuitos Puente con IGBT,Revista Espaola de Electrnica,Octubre,1990.

Figura 14. Voltaje de fase Va filtrado en conexin Y.

Figura 15. Voltaje de lnea Vab en conexin delta.