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Fundamentos Practicos Ultrasonido
Fundamentos Practicos Ultrasonido
Fsico de la Universidad Nacional de Colombia y Magster en Ingeniera de Telecomunicaciones de la Universidad Politcnica de Valencia. Estudiante del Doctorado en Ingeniera
de Telecomunicaciones de la Universidad Politcnica de Valencia. Director del grupo de
investigacin Tecnologas Ultrasnicas de la Universidad Santo Toms, clasificado por
Colciencias (Colombia) en categora B.
jairorodriguez@correo.usta.edu.co
J AIME VITOLA O YAGA
R E SUMEN
I imgenes
ABSTRACT
***
diversas caractersticas fisicas de los materiales.
1. Introduccin
En 1842 el fisico A. Doppler not un efecto partiLas aplicaciones tecnolgicas del ultrasonido son
cular en el cambio de la frecuencia emitida por una
numerosas: medicin de distancias [1-3], espesores
fuente sonora; este efecto (denominado Doppler) se
[4], control de procesos y calidad en la industria [5],
presenta cuando nlente y observador se desplazan
evaluacin no invasiva en medicina [6], deteccin
en movimiento relativo [26].
de defectos en hormign [7] y en soldaduras [8],
sondeo del lecho martimo y control de cardmenes
en biologa marina [9], reconocimiento de objetos
[10-11], localizacin de piezas arqueolgicas [12],
ensayos no destructivos en metales [13] y simulacin
de procesos [14] son algunas de ellas. El ultrasonido
tambin ofrece una valiosa herramienta pedaggica
en la enseanza de las leyes fisicas de las ondas
[15-17], en las reas de robtica [18], inteligencia y
sistemas expertos [19] y control de vibracin en estructuras civiles [20]. En la mayora de las aplicaciones descritas subyace 1m rea con abundante terreno
frtil y en pleno desarrollo, el Procesamiento Digital
de Seales Ultrasnicas (PDSU) que suministra
tcnicas que facilitan el estudio y la implementacin
de algoritmos que desempean un rol nmdamental
en cuanto a la interpretacin correcta de las seales
e imgenes obtenidas [21-25].
2. Antecedentes e historia
Las seales ultrasnicas con aplicaciones industriales y mdicas tienen sus races en la naturaleza. En
1779 el bilogo L. Spallanzani descubre esta clase
de ondas asociadas a la actividad de caza de los
murcilagos [26]. Posteriormente, la atencin se
centr en la interaccin de las ondas ultrasnicas
con los objetos, lo que hizo que se destacaran ciertos hechos fundamentales: cuando esta interaccin
aconteCa parte de la onda se absorba y otra se
reflejaba. Cuando se inspeccion la seal reflejada
se comenzaron a notar ciertas propiedades que han
sido fuente de informacin para la medicin de
El descubrimiento del efecto piezoelctrico en Francia a finales del siglo XIX hizo viable la generacin
y deteccin de este tipo de ondas y se constituy
en fuente de inspiracin para la bsqueda de aplicaciones. Como consecuencia, a principios del
siglo XX el fisico francs P. Langevin y el Dr. C.
Chilowsky lograron desarrollar el primer generador
ultrasnico por medio de un piezoelctrico; este
instrumento goz de gran popularidad en el mbito
militar por sus numerosas aplicaciones durante la
Segunda Guerra Mundial: el Sonar (acrnimo de
la denominacin inglesa Sound Navigation Ranking) o exploracin acstica en navegacin cuya
patente fue obtenida por los gobiernos francs y
estadounidense en 1916 y 1917, respectivamente
[27-28]. En 1924 el cientfico ruso S. y. Sokolov
propuso el uso del ultrasonido como mecanismo
vlido para la inspeccin industrial, particularmente
para la bsqueda de defectos [29-30].
Tambin deben sealarse los adelantos logrados
por F. Firestone, quien hacia 1940 desarroll un
equipo de inspeccin que utilizaba un solo palpador 2 como emisor y receptor, desde entonces, esto
impuso la tcnica de pulso-eco [31] . Los anteriores
instrumentos siguieron su proceso de desarrollo
y alcanzaron cada vez mejores especificaciones
y horizontes de aplicacin ms amplios. Entre
2 El trmino "palpador" es un vocablo muy utilizado en el argot
de los ensayos no destructivos con ultrasonido (ENO).
imgenes I
el gmpo de investigadores contribuyentes cabe
destacar a los hennanos de ascendencia alemana
1. y H. Krautkramer, de cuyo trabajo surgi una
las principales compafHas en el mbito mundial de
equipos de inspeccin ultrasnica para aplicativos
industriales [31-32] .
El desarrollo de las tecnologas ultrasnicas ha sido
de gran utilidad, dado que ellas poseen caracteristicas muy convenientes . Por ejemplo: el ultrasonido
pennite lograr longitudes de onda cortas; esto trae
una serie de ventajas, entre ellas se puede destacar
su capacidad de penetracin. Adems, la difraccin de estas ondas en tomo a un objeto es menor
y pueden propagarse prcticamente por cualquier
material, incluso a travs de tejidos biolgicos .
Estas notables cualidades posibilitaron tres grandes
canlnos de desarrollo en los mbitos de la medicina, industrial y militar.
En el campo mdico la tecnologa ha tenido influencia simultnea en dos aspectos: a nivel teraputico
y como ayuda en diagnstico. Desde la Edad Media
se utilizaban ondas sonoras en el tratamiento de enfennedades neurolgicas [33]. Actualmente, existe
gran variedad de equipos para el tratamiento de
afecciones de distinta ndole . De igual manera y no
menos importante, es el portafolio de aplicaciones
como apoyo en diagnstico, entre los cuales el ms
reconocido es la ecografia.
En cuanto al campo industrial se ofrecen soluciones
para diversas tareas ; especialmente, se encuentran
dos grandes vertientes: equipos para procesos y
equipos de inspeccin. Con respecto a esto deben
mencionarse un conjunto de tcnicas ultrasnicas
Fuerza
3. Piezoelectricidad
Ciertos cristales como el cuarzo (SiO) o el titanato
de bario (BaTi03) se polarizan elctricamente cuando se someten a esfuerzos mecnicos de compresin
y viceversa. Esto significa que al aplicarles un campo elctrico oscilante experimentarn vibraciones
mecnicas; si ellas coinciden con su frecuencia de
vibracin propia, resultarn de notable amplitud
como consecuencia de la resonancia. Se denomin
efecto piezoelctrico directo al primero descubierto
por P. y J. Curie en 1880; efecto inverso al segundo
descubierto por F. A. Lippman en 1881, y piezoelctricos a los materiales que los exhiben .
Tambin es posible producir ultrasonido mediante
el efecto magnetoestrictivo. Este fenmeno lo presentan los materiales ferromagnticos los cuales,
bajo la accin de un campo magntico experimentan variaciones en sus dimensiones: alargamiento
en la direccin longitudinal y contraccin en la
transversal. Sin embargo, la piezoelectricidad es la
tcnica ms difundida para generar ultrasonido. En
ausencia de un gradiente elctrico las molculas en
un slido piezoelctrico estarn orientadas al azar;
pero bajo la accin de un voltaje stas tendern a
alinearse en la direccin del campo, con lo que se
producir una variacin en el espesor del material.
En la figura 1 se explican los detalles.
r"'''. ........... .l
I~
c)
a)
Figura 1. a) Cristal sin esfuerzo mecnico ni elctrico y, por tanto, sin polarizacin. b) Como consecuenci a del campo elctrico aparece polarizacin y en un voltmetro se registra una diferencia de potencial. c) Aplicacin de un campo elctrico oscilante al cristal que
origina su vibracin mecnica. Fuente: adaptado de [38] .
imgenes
z
Figura 2. Ilustracin de la direcci n de corte en un cristrul de cuarzo, tpico para aplicaciones ultrasnicas
Cuando se aplica presin mecnica en fonna perpendicular al eje de las x (figura 2) se obtendrn
variaciones sumamente rpidas del espesor y, por
ende, se generarn seales elctricas; si por el
contrario, se aplican cargas elctricas a las caras
perpendiculares al mismo eje se producirn variaciones de espesor. Si las cargas elctricas son
alternativas, el cristal vibrar a una frecuencia
Figura 3.
La celda unitaria hexagonal no tiene Celtro de simetra. Sin esfuerzo aplicado los centros de masa de la carga negativa y
de la carga positiva coinciden. a) Cuando se aplica /-mil fuerz"a los centros de masa ya no coinciden y aparece un momento
de dipolo. b) Si ahora se aplca una fuerza en otro plano cristIlJ}O, ~a polarizacin de los dipolos cambi a de sentido, pero
no de direccin. Fuente: adaptado de {38]
En la figura 3 se considera que si el cristal es cuarzo los enlaces entre los motivos cristalinos (iones
de silicio y oxgeno) fonnarn una celda unitaria
hexagonal. Si en la primera figura se trazan lneas
que unan los iones negativos se obtendr un tringulo equiltero; por otra parte, si se repite el mismo
procedimiento -pero ahora con los iones positivos-se vuelve a obtener un tringt~lo equiltero. En
conclusin, se notar que los baricentros de anlbos
tringulos coinciden, luego los centros de masa de
los iones negativos y positivos tambin lo harn.
imgenes I
Si se realizan procedimientos semejantes en las
figuras 3b y 3c, que representan al cristal sometido
a cargas mecnicas, sin dificultad se notar que los
baricentros al10ra no coinciden en ambos casos; por
tanto, los centros de masa inica tampoco lo harn
y como consecuencia se originan momentos de
dipolo. Cuando se aplica la fuerza verticalmente,
la polarizacin se induce en la misma direccin;
sin embargo, al aplicarla en direccin horizontal
la polarizacin inducida sigue presentndose en
direccin vertical. En general, un esfuerzo aplicado en una cierta direccin puede dar origen a una
polarizacin de los dipolos en otras direcciones
cristalinas [38].
d Y. E.
=
l
En (2) y (3) los coeficientes d i] dependen del material de la oblea; por ejemplo: 2, 3x l Q-/ 2m/V para el
cuarzo, en el cual ocurre de modo natural el efecto
piezoelctrico]. Una vez se ha elegido el material
piezoelctrico, sobre ste y al vaCo se depositan
pelculas metlicas que se constituyen en los electrodos del transductor.
Las dimensiones de la oblea se eligen de modo que
sta resuene mecnicamente a la frecuencia de la
seal ultrasnica buscada:
4. Transductores piezoelctricos
F
El tnnino transductor se refiere a cualquier dispositivo que transfom1e una fonna de energa en otra.
En particular -y teniendo en cuenta lo sealado en la
seccin anterior-si se contara con dos transductores
sera posible disponer de un enlace ultrasnico:
un transductor que convierta energa mecnica en
elctrica y otro que realice el proceso inverso. Para
seales pequeas el siguiente conj\.U1to de relaciones
es una aproximacin aceptable que representa esos
comportamientos electromecnicos [39]:
T
= E SE
sTT +dE
= CES -
f3 T P- gT
f3 sP- hS
s PT + gP
c PS - hP
= E
E +dT
eE
..... ..~n~
~
-
Figura 4.
(2)
(4)
tf-
0 ......... .... . .
(1)
=~
2L
dT
y
"
+ eS
(3)
2
3
I imgenes
En la figura 4 se muestran los componentes de un
transductor tpico. Adems de la oblea piezoelctrica (2), en la cara posterior de sta se ensambla
un material de elevado amortiguamiento acstico
(4) que es conocido como backing y el cual permite
controlar la forma y duracin de la seal emitida
por el transductor: el ancho de banda y la respuesta
al impulso. Sin este elemento el transductor podra tener una respuesta impulsional larga, lo que
deteriorara la resolucin temporal. Finalmente,
en la parte frontal de la oblea se adhieren capas
de adaptacin ( 1) que optimizan la transferencia de
energa acstica al medio bajo estudio [40].
5.
Caractersticas elctricas de un
transductor
CoRLC
'~'
,
11
or------------,-l-~E
9 ----~-----~---- ~ -----:-----~
__ -' _ _ _ _ _ L. _ _ _ _
__ -,, _ _ _ _ _ IL. _ _ _ _
,
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7 - - - - ~ - - - - -~ - - - - ~ - - - - -;- - - - -;
El
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: ::::;::::::::::,=N::::L::t::::c--i---1 ~~~~~~~~~~~~~~~
0 ,9
0.92
0.940,96
\il
Figura 5.
En la figura 5 puede observarse que la mnima impedancia ocurre para la frecuencia de resonancia;
esta ltima est asociada al modo de vibracin
mecnico responsable de la transmisin de energa hacia un posible medio bajo estudio. Tambin
se aprecia un valor mximo de impedancia a una
frecuencia denominada de antirresonancia que es
muy til para el diseo del sistema de recepcin;
de hecho, el receptor se disea para maximizar la
C"tica 1.
0,98
1,02
1,04
106
1.08
1,1
~ ,eC
impedancia a una frecuencia de antirresonancia especfica, con el propsito de obtener gran eficiencia
elctrica [41].
imgenes I
distribuye la energa irradiada por ella. La obtencin
de la fonna del perfil del campo acstico que se
propaga ax..ialmente desde el transductor est basada
en una aplicacin del principio de Huygens [42];
es decir, considera al frente de onda generado por
una fuente de apertura finita y puede ser calculado
(5)
1 .
Zona de Fresnel
l5!
ZOlla de Fraullhofer Z
~ 0.5
o 14 o 16
002
0 18
0.2
Grfica 2.
10
Figum 6.
La ecuacin (6) pemte inferir dos aspectos importantes con relacin al transductor:
I imgenes
7.
El ultrasonido es una clase de onda mecnica longitudinaP cuya frecuencia de vibracin es mayor
a los 20.000 ciclos por segundo, por ese motivo el
odo humano no lo puede percibir. Desde el punto
de vista de su aplicabilidad en diversos campos,
ofrece ciertas ventajas: puede ser dirigido como
un haz, cumple las leyes de reflexin y refraccin
y puede ser reflejado por objetos de pequeo tamao. Sin embargo, tambin tiene limitaciones:
se propaga muy poco a travs de medios gaseosos
y la cantidad de energa acstica reflej ada depende
de las desigualdades acsticas del medio.
Si se considera cualquier clase de sonido como una
onda de presin, su propagacin unidimensional
estar gobernada por una expresin de la forma
[45]:
(8)
pe
(lO)
Pr
P,
p(x,t)
Po eos(kx- wt)
(9)
Pi
Figura 7.
11
imgenes I
presiones acsticas en ambos lados de la desigualdad y las componentes normales de las velocidades
en esas mismas regiones deben ser iguales.
Si adems de estas condiciones se tienen en cuenta
las leyes de la reflexin y de Snell, es decir:
el sene = el sene 2, Y
e 2 sene = e 2 sene,
(11)
7
_ -_ 2 _
7
__
-1 _
cose,
cose"
~+~
cose, cose,
2z,
cose,
T~I+ R~ ------'----
(12)
~+~
cose, cose,
12
Tecnura
Jo
lOlog lO --=-
(15)
JI
I imgenes
na difraccin, y si es muy grande, en comparacin
con Ay las rugosidades son pequeas, tambin en
relacin con A, ocurrir reflexin especular.
Por otra parte, la distribucin de energa acstica
dispersada es afectada por la forma y ubicacin de
los agentes dispersores. Por consiguiente, dispersores de fomlas variadas generan diferentes patrones
de dispersin y la distribucin espacial (peridica,
aleatoria o intermedia) entre los dos lmites produce
dispersin de rango largo o cort0 4 .
8.
Los murcilagos se desplazan y alimentan emitiendo rfagas ultrasnicas que rebotan en obstculos
como paredes y presas en forma de eco, lo cual, a
su vez, es captado y procesado por el sistema de
audicin y el cerebro del animal.
Fundamentalmente, los sistemas ultrasnicos de
medicin se disean con los mismos principios:
una unidad que se encarga de excitar el transductor,
otra que se ocupa de la recepcin de los ecos que
llegan a l o a otro, un bloque que los procesa y un
sistema de exhibicin de resultados. Dependiendo
de la aplicacin, el diseo puede cambiar en algunas
de sus partes constituyentes; por ejemplo, la excitacin puede ser continua o transitoria; se puede usar
un transductor o un arreglo de muchos; procesar
la informacin en tiempo real o almacenarla para
su posterior procesamiento, mostrar los resultados
en un osciloscopio en un monitor o simplemente
imprimirla.
Elcctrnleu: d~
co-ntm l
1110
(]jllIIIIIIIII
\\\\\\\\\\\\
"OC"
'-------\
Figura 9.
Figura 8. Sistema ultrasnico con excitacin contnua
13
imgenes I
son amplificados (A) para producir ondas acsticas con la debida potencia. Si el conmutador (C),
gobernado por el bloque GFRP (Generador de
Frecuencia de Repeticin de Pulso) est cerrado, la
rfaga de energa elctrica excitar el transductor y
de ste emerger un pulso ultrasnico que viajar
a travs del medio bajo estudio; una vez all existe
la posibilidad de que la onda interacte con alguna
inhomogeneidad del medio y, en consecuencia,
que se produzca un eco. Entonces, ste inicia su
viaje de regreso al mismo transductor, el cual lo
transforma en una seal elctrica. Mientras tanto
el conmutador (C) se abre y el eco es amplificado
(A de E), para luego encaminarlo hacia uno de los
canales del osciloscopio.
En la figura 9 se muestra el esquema que permite
realizar un tipo de barrido llamado de amplitud, o
simplemente A-sean. El nombre de la tcnica se
debe a que en la etapa de exhibicin de resultados
los ecos provenientes del interior de la muestra
estudiada, que son el resultado de la interaccin
entre el campo acstico, la interface objeto-aire
y posibles regiones en las cuales las impedancias
caractersticas son diferentes (12), se observan por
ejemplo en un osciloscopio.
La descripcin anterior y el esquema de la figura 9
son el fundamento de una de las principales realizaciones tcnicas usuarias de ultrasonido, los Ensayos
No Destructivos (END), cuyo principal objetivo
es detectar defectos, fallas, fisuras y toda suerte de
problemas estructurales en materiales slidos. Por
ejemplo, en Ingeniera Civil es deseable conocer
los parmetros y geometra de los defectos para
evaluar aspectos como el tiempo de vida media de
una construccin o sus componentes.
Los mtodos convencionales de END (figura 9)
estn basados en la medicin de la amplitud y el
retardo de tiempo de la seal. Este enfoque permite
evaluar el tamao y posicin de los defectos; si se
considera el problema de soldadura entre placas
en objetos homogneos debe esperarse que las
orientaciones de las rupturas que sta posea sean
diversas (figura 10).
14
I imgenes
El mtodo de impulso-eco es el ms conocido, en
especial por su simplicidad y eficiencia, aunque la
correcta medicin de defectos situados perpendiculanuente a la superficie bajo inspeccin constituye
una de sus limitaciones. Con el fin de superar esa
dificultad, una tcnica relativamente reciente denominada Dyraccin de tiempo de vuelo (TOFD por
sus siglas en ingles) es utilizada y consiste en aplicar
un haz de ondas ultrasnicas dentro del material
bajo ensayo con un cierto ngulo de inclinacin
con respecto a la superficie que se inspecciona. El
mtodo fue descrito inicialmente por Silk en 1977
[51] Y se fundamenta en la difraccin de la energa
ultrasnica cuando sta interacta con las esquinas
y los bordes de un defecto.
Onda
directa
Bordes difractores
Eco
Figura 12. Una disposicin usual para realizar EN D con TOFO. Un transductor habilitado como transmisor T y otro como receptor R. Se
observan cuatro ondas y sus respectivas seales en un sistema de visualizacin. La primera, en orden des<;:endente, es una onda
lateral emitida directamente del emisor al receptor, que en la pantalla aparecera comb un primer pico. Luego se encuentra una onda
difractada por la parte superior del defecto, correspondiente con el segundo pico en la imagen de la derecha. Asociada a la parte
inferior del defecto hay una tercera seilal relevante relacionada con la difraccin all producida; finalmente , un eco proveniente de
la parte posterior del obj eto bajo estudio
15
imgenes I
En la figura 12 se muestra un montaje para END
mediante la difraccin de ondas. En la imagen de
la derecha se observan barridos tipo A de un primer
eco que alcanza directamente al transductor receptor y el cual constituye la onda superficial o lateral.
Si no hubiese discontinuidades, fallas, fracturas o
defectos, el segundo corresponderia a un eco proveniente de la parte posterior del material que se est
evaluando. Entonces, se deduce que cualquier seal
generada por una discontinuidad debe ocurrir entre
el eco debido a la onda lateral y el eco reflejado
por la frontera posterior. Si la escala horizontal en
y
Figura 13.
La imagen izquierda ensea la seccin longitudinal y transversal de un cordn de soldadura. En el de la derecha puede observarse
una ampliacin de la seccin transversal del cordn bajo examen y la energia acstica difractada por los bordes de un defecto
vertical embebido en el mismo
16
Dados los resultados que esta tcnica ha ofrecido desde su gnesis, su desarrollo ha permanecido en constante evolucin; sumado a esto
los avances en ensayos no destructivos viene
ampliando su horizonte de aplicacin.
I imgenes
ondas y defectos, y el posterior desarrollo de
algoritmos y modelos que incorporan mtodos
como la difraccin.
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